第3章 太陽(yáng)電池的原理及結(jié)構(gòu)

1、第3章 太陽(yáng)電池的原理及結(jié)構(gòu)主要內(nèi)容： 太陽(yáng)能電池的原理及結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池的原理及結(jié)構(gòu) 硅太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)及制備工藝硅太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)及制備工藝 薄膜太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)及制備工藝薄膜太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)及制備工藝3.1 太陽(yáng)能電池的原理及結(jié)構(gòu)3.1.1 太陽(yáng)電池原理光生伏特效應(yīng)半導(dǎo)體材料的本征光吸收：光照到半導(dǎo)體材料上時(shí)，價(jià)帶中半導(dǎo)體材料的本征光吸收：光照到半導(dǎo)體材料上時(shí)，價(jià)帶中的電子吸收的能量大于禁帶寬度，那么電子會(huì)由價(jià)帶躍遷到的電子吸收的能量大于禁帶寬度，那么電子會(huì)由價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶，產(chǎn)生電子空穴對(duì)，稱(chēng)為本征吸收。導(dǎo)帶，產(chǎn)生電子空穴對(duì)，稱(chēng)為本征吸收。光電導(dǎo)現(xiàn)象光電導(dǎo)現(xiàn)象 E24. 1ghchE光吸收

2、：光照射到物體上，有一部分會(huì)被物體吸收，如果入光吸收：光照射到物體上，有一部分會(huì)被物體吸收，如果入射光的能量為射光的能量為I I0 0，則在距離物體表面，則在距離物體表面x x處的光的能量為：處的光的能量為：axeII0 EgE本征吸收條件：本征吸收條件：本征吸收限：本征吸收限：gE24. 10p-n結(jié)光生伏特效應(yīng):PNEFqV0q(V0-V)hhLIFI光生電流正向電流00IeIIkTqVF)(00IeIIIIIkTqVLFL) 1ln(0IIIqkTVL正向電流輸出電流電流電壓特性等效電路：FILIIVR上圖分別是無(wú)光照和有光照時(shí)的光電池的伏安特性曲線) 1ln(0IIIqkTVL) 1l

3、n(0IIqkTVLoc開(kāi)路電壓：短路電流：LscIIo 入射光子被吸收產(chǎn)生電子-空穴對(duì) h Ego 電子-空穴對(duì)在復(fù)合之前被分開(kāi) p-n結(jié)存在內(nèi)建電場(chǎng)o 分開(kāi)的電子和空穴傳輸至負(fù)載 連接導(dǎo)線 從上面的分析可以看出，任何光伏組件如要成功運(yùn)作，其必須具有以下三個(gè)條件：3.1.2 表征太陽(yáng)能電池的參數(shù)I = IF-IL由光電池的伏安特性曲線，可以得到描述太陽(yáng)能電池的四個(gè)輸出參數(shù)。 在p-n結(jié)開(kāi)路情況下（R=），此時(shí)pn結(jié)兩端的電壓即為開(kāi)路電壓Voc。 這時(shí)，I=0，即：IL=IF。將I=0代入光電池的電流電壓方程，得開(kāi)路電壓為：.開(kāi)路電壓Voc2.短路電流Isc 如將pn結(jié)短路（V=0），因而IF

4、=0，這時(shí)所得的電流為短路電流Isc。顯然，短路電流等于光生電流，即：) 1ln(0IIqkTVLocLscII.填充因子FF 在光電池的伏安特性曲線任一工作點(diǎn)上的輸出功率等于該點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的矩形面積，其中只有一點(diǎn)是輸出最大功率，稱(chēng)為最佳工作點(diǎn)，該點(diǎn)的電壓和電流分別稱(chēng)為最佳工作電壓Vop和最佳工作電流Iop。填充因子定義為： FF =VopIop/VocIsc= Pmax/VocIsc 它表示了最大輸出功率點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的矩形面積在Voc和Isc所組成的矩形面積中所占的百分比。特性好的太陽(yáng)能電池就是能獲得較大功率輸出的太陽(yáng)能電池，也就是Voc，Isc和FF乘積較大的電池。對(duì)于有合適效率的電池，該值應(yīng)在0

5、.70-0.85范圍之內(nèi)。.太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率=（太陽(yáng)能電池的輸出功率/入射的太陽(yáng)光功率）x100% = （Vop x Iop/Pin x S）X100% = VocIscFF/Pin S 其中Pin是入射光的能量密度，S為太陽(yáng)能電池的面積.表示入射的太陽(yáng)光能量有多少能轉(zhuǎn)換為有效的電能。即： 能量h大于材料的禁帶寬度Eg，被材料吸收而激發(fā)電子-空穴對(duì)，最大短路電流值顯然僅與材料帶隙Eg有關(guān)，其關(guān)系如圖所示。短路電流Isc的考慮： E24. 1ghchELscII在AMO和AM1.5光照射下的最大短路電流值影響太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)化效率的因素：開(kāi)路電壓Voc的考慮： 開(kāi)路電壓Voc的最大值，在理想

6、情況下有下式?jīng)Q定：式中IL是光生電流，在理想情況即為上圖所對(duì)應(yīng)的最大短路電流。I0是二極管反向飽和電流，其滿足： I0=Aq(Dn/LnNA+Dp/LpND)ni2 ni2= NcNvexp(-Eg/kT) 顯然， Is隨Eg增大而減小， Voc隨Eg增大而增大。) 1ln(0IIqkTVLocAnLAnjgocNLINqDAqkTqEVln填充因子FF的考慮： 在理想情況下，填充因子FF僅是開(kāi)路電壓Voc的函數(shù)，可用以下經(jīng)驗(yàn)公式表示： FF =Uoc-ln(Uoc+0.72)/(Uoc+1) Uoc = Voc(kT/q)1/2 這樣，當(dāng)開(kāi)路電壓Voc的最大值確定后，就可計(jì)算得到FF的最大值

7、。綜合上述結(jié)果，可得到作為帶隙Eg的函數(shù)的最大轉(zhuǎn)換效率，其結(jié)果示于右圖中。 對(duì)于單晶硅太陽(yáng)能電池，理論上限是27%，目前研究得到的最大值為24%左右。GaAs 太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率的理論上限為28.5%，現(xiàn)在獲得的最大值是24.7%。如何進(jìn)一步提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)前的研究課題。實(shí)際太陽(yáng)電池的等效電路圖Rsh：并聯(lián)電阻Rs：串聯(lián)電阻3.1.3 硅太陽(yáng)電池制備及結(jié)構(gòu) 晶體硅太陽(yáng)能電池是典型的p-n結(jié)型太陽(yáng)電池，它的研究最早、應(yīng)用最廣，是最基本且最重要的太陽(yáng)電池。 在實(shí)際工藝中，一般利用200500m厚的摻硼的p型硅材料作為基質(zhì)材料，通過(guò)擴(kuò)散形成0.25 m厚的n型摻雜劑，形成p-n結(jié)，通常

8、選用磷作為n型摻雜劑。p-n結(jié)的制備技術(shù)：磷擴(kuò)散分為：氣態(tài)、固態(tài)和液態(tài)擴(kuò)散。氣態(tài)磷擴(kuò)散：在擴(kuò)散系統(tǒng)內(nèi)，引入含磷氣體P2H2 ，通過(guò)高溫分解，磷原子擴(kuò)散到硅片中去，反應(yīng)式為：P2H2 = 2P + H2固態(tài)磷擴(kuò)散：利用與硅片相同形狀的固態(tài)磷源材料Al(PO3)3，即所謂的磷微晶玻璃片，與硅片緊密相貼，一起放入熱處理爐內(nèi)，在一定溫度下，磷源材料表面揮發(fā)出磷的化合物，通常是P2O5，與硅反應(yīng)生成磷原子及其它化合物，導(dǎo)致磷源子不斷向硅片體內(nèi)擴(kuò)散。Al(PO3)3 = AlPO4 + P2O52 P2O5+5Si = 5SiO2 + 4P固態(tài)磷擴(kuò)散法還可以利用絲網(wǎng)印刷、噴涂、旋涂、化學(xué)氣相沉積等技術(shù)，在

9、硅片表面沉積一層磷的化合物，通常是P2O5。液態(tài)磷源擴(kuò)散可以得到較高的表面濃度，在硅太陽(yáng)電池工藝中更為常見(jiàn)。通常利用的液態(tài)磷源為三氯氧磷，通過(guò)保護(hù)氣體，將磷源攜帶進(jìn)入反應(yīng)系統(tǒng)，在8001000之間分解，生成P2O5，沉積在硅片表面形成磷硅玻璃，作為硅片磷擴(kuò)散的磷源，其反應(yīng)式為：5POCl3 = 3PCl5 + P2O52P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P對(duì)于晶體硅太陽(yáng)電池，為使p-n結(jié)處有盡量多的光線到達(dá)，p-n結(jié)的結(jié)深要盡量淺，一般為250nm，甚至更淺。磷擴(kuò)散時(shí)，表面會(huì)形成磷硅玻璃，影響太陽(yáng)電池正常工作，需要去除。用稀釋的HF中侵蝕。金屬電極的制備技術(shù)：現(xiàn)今主要采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)

10、，現(xiàn)今主要采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)，將金屬漿料（銀漿將金屬漿料（銀漿+ +有機(jī)溶劑）有機(jī)溶劑）按照所設(shè)計(jì)的圖形，印刷在按照所設(shè)計(jì)的圖形，印刷在硅的表面，然后在適當(dāng)氣氛硅的表面，然后在適當(dāng)氣氛下，通過(guò)高溫?zé)Y(jié)，使有機(jī)下，通過(guò)高溫?zé)Y(jié)，使有機(jī)溶劑揮發(fā)，金屬與硅表面形溶劑揮發(fā)，金屬與硅表面形成 良 好 的 歐 姆 接 觸 。成 良 好 的 歐 姆 接 觸 。一般而言，金屬電極的膜厚為一般而言，金屬電極的膜厚為101025m25m，金屬柵線的寬度，金屬柵線的寬度為為150150250 m250 m。 背電場(chǎng)技術(shù)：背電場(chǎng)技術(shù)： 為防止在襯底的背面附近由于載流子的復(fù)合引起效率的減少，在背面實(shí)現(xiàn)與襯底同類(lèi)型的高濃度

11、摻雜的太陽(yáng)能電池。例如在p-Si襯底背面進(jìn)行鋁合金摻雜，在背面形成p-p+高低結(jié)勢(shì)壘，即存在背電場(chǎng)。 由于背面的高低結(jié)勢(shì)壘與硅片正面形成的p-n結(jié)勢(shì)壘方向一致，能夠提高電池的開(kāi)路電壓；另外，高低結(jié)勢(shì)壘對(duì)p區(qū)少子-電子有阻擋和反射作用，既減少了背表面之復(fù)合作用，又提高了pn結(jié)對(duì)光生少子的收集幾率，也能提高電池的短路電流。 背電場(chǎng)技術(shù)是一項(xiàng)極為有效的措施，它對(duì)高電阻率襯底的硅太陽(yáng)能電池效率的提高更為明顯。太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率可達(dá)15%-20%左右。減反射技術(shù)：減反射技術(shù)： 硅對(duì)入射太陽(yáng)光的反射損失高達(dá)30%以上。為了提高轉(zhuǎn)換效率，就必須減少反射損失。 第一類(lèi)是采用減反膜技術(shù)。第一類(lèi)是采用減反膜技術(shù)

12、。硅太陽(yáng)能電池常用的單層減反膜有SiO2 、Ta2O5 、TiOx等。雙層減反膜可以用Ta2O5、TiO2等薄膜。減反膜的制備一般采用物理氣相沉積（PVD)，或化學(xué)氣相沉積(CVD)等技術(shù)。 減反膜的厚度，為1/4波長(zhǎng)時(shí)，兩束反射光“光程差”就為1/2波長(zhǎng)，發(fā)生反射的兩束反射光抵消 。 在照射光的能量不變的前提下， 增透膜減少反射光的光強(qiáng)（能量） 根據(jù)能量守恒，透射光的能量必然增加。例如用TaOx和MgF2的雙層減反膜，光學(xué)反射損失可減少到4%。nd4 第二類(lèi)是在硅片的進(jìn)光面上，采用各向異性化學(xué)腐蝕，第二類(lèi)是在硅片的進(jìn)光面上，采用各向異性化學(xué)腐蝕，制得特殊表面結(jié)構(gòu)：如絨面、微槽面等。制得特殊表

13、面結(jié)構(gòu)：如絨面、微槽面等。下圖是絨面結(jié)構(gòu)和V型槽結(jié)構(gòu)的示意圖。 絨面或V型槽結(jié)構(gòu)是用化學(xué)腐蝕方法在電池表面上得到許多有極小（1-2微米）的金字塔狀或V型的凹凸層，在這種微結(jié)構(gòu)表面上，入射光受表面第一次反射后，又得到第二次入射進(jìn)硅襯底的機(jī)會(huì)，提高了光能利用率。表面鈍化技術(shù)：表面鈍化技術(shù)： 通常的電池光電流收集電極金屬與半導(dǎo)體直接結(jié)合，這樣，在半導(dǎo)體表面復(fù)合幾率增大。在結(jié)構(gòu)中引入了2-3納米厚的極薄SiO2層，使得在n+表面的光生電子-空穴對(duì)的復(fù)合減少。同時(shí)，由于氧化膜很薄，電流可以通過(guò)隧穿效應(yīng)流過(guò)，所以對(duì)短路電流的影響很小。為了避免隧穿效應(yīng)的影響，在鈍化層中利用光刻技術(shù)刻出一個(gè)個(gè)接觸微窗（小于接

14、觸電極面積），使金屬與n+-Si直接接觸以提高光電流的收集效率。同時(shí)也可減少金屬電極的覆蓋率。 在這種電池結(jié)構(gòu)中，為了進(jìn)一步減少受光面的界面復(fù)合和在這種電池結(jié)構(gòu)中，為了進(jìn)一步減少受光面的界面復(fù)合和光學(xué)損失，采用了倒金字塔型減反結(jié)構(gòu)，并在其上加上極薄光學(xué)損失，采用了倒金字塔型減反結(jié)構(gòu)，并在其上加上極薄SiOSiO2 2層，再在其上覆蓋雙層減反膜以達(dá)到最佳減反效果。同時(shí)，層，再在其上覆蓋雙層減反膜以達(dá)到最佳減反效果。同時(shí)，在里電極上也加入極薄氧化層進(jìn)行鈍化以減弱背面復(fù)合，在鈍在里電極上也加入極薄氧化層進(jìn)行鈍化以減弱背面復(fù)合，在鈍化膜上刻出引入電極的窗口，利用窗口進(jìn)行定域化膜上刻出引入電極的窗口，利

15、用窗口進(jìn)行定域B B擴(kuò)散形成背擴(kuò)散形成背電場(chǎng)，再將電極金屬覆蓋上形成電池。這種結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池電場(chǎng)，再將電極金屬覆蓋上形成電池。這種結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池達(dá)到了單晶硅太陽(yáng)能電池的最高轉(zhuǎn)換效率，在達(dá)到了單晶硅太陽(yáng)能電池的最高轉(zhuǎn)換效率，在AM1.5AM1.5的光照下的光照下效率可達(dá)效率可達(dá)24%24%以上。以上。3.1.4 薄膜太陽(yáng)電池制備及結(jié)構(gòu)(1) 多晶硅薄膜電池與硅電池結(jié)構(gòu)類(lèi)似襯底pn減反層一般采用化學(xué)沉積法。將襯底加熱至1000左右，利用硅烷(SiH4)、三氯氫硅(SiHCl3)等氣體的分解，生成硅原子，沉積在襯底表面。反應(yīng)時(shí)，同時(shí)通入硼烷，形成p型硅薄膜，厚度為2030m。制備的硅薄膜大多為非

16、晶，需要通過(guò)固化結(jié)晶、區(qū)熔結(jié)晶等技術(shù)使其再結(jié)晶。然后，與晶體硅一樣，利用磷擴(kuò)散技術(shù)，在p型多晶硅薄膜表面形成n型硅層。背面接觸CdTeCdSSnO2(2) CdTe薄膜電池 反向制備各層玻璃襯底透明導(dǎo)電層，CVD，濺射，蒸發(fā)，溶膠-凝膠N型，CBD，電沉積，蒸發(fā)，PVD等P型，CVD，蒸發(fā)，濺射，電沉積等。蒸鍍沉積Au/Cu電極(3) 非晶硅薄膜電池背面接觸n-a-SiSnO2玻璃p-a-Sii-a-Si采用低溫等離子氣相沉積法(PECVD)，基本原理就是利用硅烷在低溫等離子的作用下分解產(chǎn)生非晶硅，反應(yīng)式：SiH4 = Si + 2H2制備n-a-Si薄膜，反應(yīng)同時(shí)通入磷烷制備p-a-Si薄膜

17、，反應(yīng)同時(shí)通入硼烷(4) CIS薄膜電池 CIS(CIGS)- CIS(CIGS)-基薄膜太陽(yáng)基薄膜太陽(yáng)能電池指以能電池指以CuInSeCuInSe2 2、CuInSCuInS2 2、Cu(In, Ga)SeCu(In, Ga)Se2 2等化合物為等化合物為吸收層的太陽(yáng)電池。其典型吸收層的太陽(yáng)電池。其典型結(jié)構(gòu)為如下的多層膜結(jié)構(gòu)：結(jié)構(gòu)為如下的多層膜結(jié)構(gòu)：金屬柵金屬柵/ /減反膜減反膜/ /透明電極透明電極/ /窗口層窗口層/ /過(guò)渡層過(guò)渡層/ /光吸收層光吸收層/ /背電極背電極/ /玻璃。玻璃。 CIS(CIGS)-基薄膜太陽(yáng)能電池所具有的優(yōu)勢(shì)： CIS和CIGS是一種直接帶隙半導(dǎo)體材料，光吸

18、收率高達(dá)105數(shù)量級(jí)，是至今報(bào)道過(guò)的半導(dǎo)體中光吸收系數(shù)最高的。 最適合太陽(yáng)電池薄膜化，電池厚度可做到1-2微米，降低了昂貴的材料消耗。 制造成本低其成本是晶體硅太陽(yáng)能電池的1/2-1/3。 能量?jī)斶€時(shí)間在一年之內(nèi)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于晶體硅太陽(yáng)能電池。 電池性能穩(wěn)定，西門(mén)子公司制備的CIS電池組件在美國(guó)國(guó)家可再生能源實(shí)驗(yàn)室(NREL)室外測(cè)試設(shè)備上，經(jīng)受7年的考驗(yàn)仍然顯示著原有的性能。 轉(zhuǎn)換效率高，實(shí)驗(yàn)室記錄為21.5%。 CIS(CIGS)-基薄膜太陽(yáng)能電池中最重要、最關(guān)鍵的是C u I n S e2( C u I n G a S e2) 吸 收 層 ， 我 們 下 面 介 紹CuInSe2(CuInG

19、aSe2)的制備方法。 CIS薄膜主要的制備技術(shù)包括：真空蒸鍍、電沉積、反應(yīng)濺射、化學(xué)浸泡、快速凝固技術(shù)、化學(xué)氣相沉積、分子束外延、噴射熱解等。按照初期投資資本的大小又可以將上述技術(shù)劃分為真空制備技術(shù)與非真空制備技術(shù)兩類(lèi)，下面我們分別介紹一下。真空技術(shù)過(guò) 程共蒸技術(shù)Co-evaporationSe過(guò)量的氣氛下，計(jì)量比的金屬流在加熱基底上（400600）熱蒸發(fā)沉積二態(tài)工藝Two-stage process在溫度較低（200）基底濺射前驅(qū)體在H2Se或H2S氣氛下，較高的基底溫度（450600），硒化反應(yīng)CIS薄膜的真空沉積技術(shù)薄膜的真空沉積技術(shù)Vacuum methods of CIGS thi

20、n films 按照蒸發(fā)熱源數(shù)目的多少可分為單源蒸發(fā)、雙源蒸發(fā)按照蒸發(fā)熱源數(shù)目的多少可分為單源蒸發(fā)、雙源蒸發(fā)和三源蒸發(fā)。和三源蒸發(fā)。 單源蒸發(fā)就是利用單一熱源單源蒸發(fā)就是利用單一熱源( (如熱絲如熱絲) )加熱加熱CISCIS合金，合金，使之蒸發(fā)沉積到玻璃基片上，獲得使之蒸發(fā)沉積到玻璃基片上，獲得CISCIS薄膜；薄膜； 雙源蒸發(fā)即利用兩個(gè)熱源分別是雙源蒸發(fā)即利用兩個(gè)熱源分別是CuCu3 3SeSe2 2和和InIn2 2SeSe3 3蒸發(fā)蒸發(fā)后沉積在基片上，獲得單相薄膜；后沉積在基片上，獲得單相薄膜； 三源蒸發(fā)即利用三個(gè)熱源使三源蒸發(fā)即利用三個(gè)熱源使CuCu、InIn和和SeSe三者分別蒸發(fā)

21、三者分別蒸發(fā)后共同沉積到基片上，采用三源蒸發(fā)的關(guān)鍵是要控制三者后共同沉積到基片上，采用三源蒸發(fā)的關(guān)鍵是要控制三者蒸發(fā)和沉積的速率，以獲得預(yù)期的成分。蒸發(fā)和沉積的速率，以獲得預(yù)期的成分。 真空蒸發(fā)法：真空蒸發(fā)法： 濺射過(guò)程可定義為因受到高能粒子的撞擊而引起的靶濺射過(guò)程可定義為因受到高能粒子的撞擊而引起的靶粒子噴射。該技術(shù)是物理過(guò)程而不是化學(xué)過(guò)程。因此極適粒子噴射。該技術(shù)是物理過(guò)程而不是化學(xué)過(guò)程。因此極適于生長(zhǎng)熔點(diǎn)和蒸氣壓都不相同的元素所構(gòu)成的化合物合金于生長(zhǎng)熔點(diǎn)和蒸氣壓都不相同的元素所構(gòu)成的化合物合金以及大面積薄膜的沉積。以及大面積薄膜的沉積。 真空濺射法：真空濺射法： 濺射法一般先利用濺射法一

22、般先利用CuCu、In In 或或Cu-InCu-In合金靶材濺射合金靶材濺射Cu/InCu/In、Cu/In /CuCu/In /Cu等元素堆積的多層膜或等元素堆積的多層膜或Cu-InCu-In合金膜；然后多層合金膜；然后多層膜或膜或Cu-InCu-In合金膜在合金膜在H H2 2SeSe或或SeSe蒸氣中進(jìn)行硒化處理，從而得蒸氣中進(jìn)行硒化處理，從而得到到CISCIS薄膜。薄膜。CIGS非真空沉積技術(shù)非真空沉積技術(shù)Non-vacuum methods of CIGS thin films非真空技術(shù)前驅(qū)物沉積硒化處理電沉積Cu、In、Ga、Se的化合物或元素的堆積層在惰性/Se/H2Se/H2

23、S的氣氛中，硒化再結(jié)晶涂層Cu、In、Ga、 Cu-In合金、Se等涂漿高溫退火再結(jié)晶噴涂熱解Cu、In、Ga、Se的化合物粘結(jié)劑清除，在H2下還原成金屬合金在Se/H2Se/H2S的氣氛中硒化反應(yīng) 1 1 電沉積：電沉積是一種電化學(xué)過(guò)程。電沉積已成功用電沉積：電沉積是一種電化學(xué)過(guò)程。電沉積已成功用于于4 4元化合物元化合物CIGSCIGS膜，在經(jīng)過(guò)后續(xù)處理后，小面積電池的轉(zhuǎn)膜，在經(jīng)過(guò)后續(xù)處理后，小面積電池的轉(zhuǎn)換率超過(guò)換率超過(guò)1010。通過(guò)添加。通過(guò)添加InIn和和GaGa，并在高溫真空熱處理后，并在高溫真空熱處理后，轉(zhuǎn)換率達(dá)轉(zhuǎn)換率達(dá)15.415.4。目前的困難仍然是化學(xué)溶液的穩(wěn)定性，大。目前的困難仍然是化學(xué)溶液的穩(wěn)定性，大面積膜的均一性和高沉淀率。面積膜的均一性和高沉淀率。 2 2 涂層：涂層是一種快速的工藝，可用于連續(xù)滾動(dòng)沉積。涂層：涂層是一種快速的工藝，可用于連續(xù)滾動(dòng)沉積。涂漿作為轉(zhuǎn)化介質(zhì)，可以由按化學(xué)計(jì)量配比的前驅(qū)體物質(zhì)涂漿作為轉(zhuǎn)化介質(zhì)，可以由按化學(xué)計(jì)量配比的前驅(qū)體物質(zhì)（納米粒子）和液體粘結(jié)劑組成。在蒸發(fā)、濺射等工藝中前（納米粒子）和液體粘結(jié)劑組成。在蒸發(fā)、濺射等工藝中前驅(qū)體的許多有用部分都浪費(fèi)了，而在涂層工藝中材料的利用驅(qū)體的許多有用部分都浪費(fèi)了，而在涂層工藝中材料的利用率很高。對(duì)于含有貴重元素如率很高。對(duì)于含有貴重元素如InIn和和GaGa的前驅(qū)體來(lái)說(shuō)，材料損的