第3章(第5講場(chǎng)效應(yīng)管及放大電路

1、第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 3.1 3.1 金屬金屬- -氧化物氧化物- -半導(dǎo)體（半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)管）場(chǎng)效應(yīng)管3.3 3.3 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）3.4 3.4 各種放大器件電路性能比較各種放大器件電路性能比較3.2 3.2 MOSFET放大電路放大電路第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 3.1 3.1 金屬金屬- -氧化物氧化物- -半導(dǎo)體（半導(dǎo)體（MOSMOS）場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管3.1.1 N3.1.1 N溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型MOSFETMOSFET3.1.4 MOSFET3.1.4 MOSFE

2、T的主要參數(shù)的主要參數(shù)3.1.2 N3.1.2 N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSFETMOSFET3.1.3 P3.1.3 P溝道溝道MOSFETMOSFET第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 3.1.1 N3.1.1 N溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型MOSFETMOSFET1. 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)（N溝道）溝道） L :溝道長(zhǎng)度，溝道長(zhǎng)度， W :溝道寬度，溝道寬度，tox :絕緣層厚度絕緣層厚度通常通常 W W L L 第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 P溝道溝道耗盡型耗盡型P溝道溝道P溝道溝道N溝道溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型N溝道溝道N溝道溝道（耗盡型）（

3、耗盡型）FET場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型結(jié)型MOSFET絕緣柵型絕緣柵型(IGFET)耗盡型耗盡型：場(chǎng)效應(yīng)管沒有加偏置電壓時(shí)，就有導(dǎo)電溝道存在：場(chǎng)效應(yīng)管沒有加偏置電壓時(shí)，就有導(dǎo)電溝道存在增強(qiáng)型增強(qiáng)型：場(chǎng)效應(yīng)管沒有加偏置電壓時(shí)，沒有導(dǎo)電溝道：場(chǎng)效應(yīng)管沒有加偏置電壓時(shí)，沒有導(dǎo)電溝道場(chǎng)效應(yīng)管的分類：場(chǎng)效應(yīng)管的分類：第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 剖面圖剖面圖1. 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)（N溝道）溝道）符號(hào)符號(hào)P型底襯型底襯源極源極 s柵極柵極 g漏極漏極 d耗盡層耗盡層B 底襯引線底襯引線3.1.1 N3.1.1 N溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型MOSFETMOSFET第第3 3章章

4、第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 2. 2. 工作原理工作原理（1）vGS對(duì)溝道的控制作用對(duì)溝道的控制作用當(dāng)當(dāng)vGSGS00時(shí)時(shí) 無導(dǎo)電溝道，無導(dǎo)電溝道， d、s間加電壓時(shí)，間加電壓時(shí)，也無電流產(chǎn)生。也無電流產(chǎn)生。當(dāng)當(dāng)00vGS GS V VT T ）時(shí)，）時(shí)，vDSDS iD D 溝道電位梯度溝道電位梯度 整個(gè)溝道呈整個(gè)溝道呈楔形分布楔形分布2. 2. 工作原理工作原理第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 當(dāng)當(dāng)vGSGS一定（一定（vGS GS V VT T ）時(shí)，）時(shí)，vDSDS iD D 溝道電位梯度溝道電位梯度 當(dāng)當(dāng)vDSDS增加到使增加

5、到使vGDGD= =V VT T 時(shí)，時(shí)，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。（2）vDS對(duì)溝道的控制作用對(duì)溝道的控制作用在預(yù)夾斷處：在預(yù)夾斷處：vGDGD= =vGSGS- -vDS DS = =V VT T2. 2. 工作原理工作原理第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 預(yù)夾斷后，預(yù)夾斷后，vDSDS 夾斷區(qū)延長(zhǎng)夾斷區(qū)延長(zhǎng)溝道電阻溝道電阻 iD D基本不變基本不變（2）vDS對(duì)溝道的控制作用對(duì)溝道的控制作用2. 2. 工作原理工作原理第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 （3） vDS和和vGS同時(shí)作用時(shí)同時(shí)作用時(shí) v

6、DSDS一定，一定，vGSGS變化時(shí)變化時(shí) 給定一個(gè)給定一個(gè)vGS GS ，就有一條不同，就有一條不同的的 iD D vDS DS 曲線。曲線。2. 2. 工作原理工作原理第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 3. 3. V V- -I I 特性曲線及大信號(hào)特性方程特性曲線及大信號(hào)特性方程（1）輸出特性及大信號(hào)特性方程）輸出特性及大信號(hào)特性方程const.DSDGS)( vvfi 截止區(qū)截止區(qū)當(dāng)當(dāng)vGSVT時(shí)，導(dǎo)電溝道尚時(shí)，導(dǎo)電溝道尚未形成，未形成，iD0，為截止工，為截止工作狀態(tài)。作狀態(tài)。第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 （1）

7、輸出特性及大信號(hào)特性方程）輸出特性及大信號(hào)特性方程const.DSDGS)( vvfi 可變電阻區(qū)可變電阻區(qū) vDS（vGSVT） )(22DSDSTGSnDvvv VKi由于由于vDS較小，可近似為較小，可近似為DSTGSnD )(vvVKi 2常數(shù)常數(shù) GSDDSdsoddvvir)(TGSnVK v21rdso是一個(gè)受是一個(gè)受vGS控制的可變電阻控制的可變電阻 3. 3. V V- -I I 特性曲線及大信號(hào)特性方程特性曲線及大信號(hào)特性方程第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 （1）輸出特性及大信號(hào)特性方程）輸出特性及大信號(hào)特性方程 可變電阻區(qū)可變電阻區(qū) D

8、STGSnD )(vvVKi 2)(TGSndsoVKr v21其中其中Kn為電導(dǎo)常數(shù)，單位：為電導(dǎo)常數(shù)，單位：mA/VmA/V2 23. 3. V V- -I I 特性曲線及大信號(hào)特性方程特性曲線及大信號(hào)特性方程第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 （1）輸出特性及大信號(hào)特性方程）輸出特性及大信號(hào)特性方程 飽和區(qū)飽和區(qū)（恒流區(qū)又稱放大區(qū)）（恒流區(qū)又稱放大區(qū)）vGSGS VT ，且，且vDSDS（v vGSGSVT）2)(TGSnDVKi v221)(TGSTn VVKv2TGSDO) 1(VIv2TnDOVKI是是vGSGS2 2VT時(shí)的時(shí)的iD D V V-

9、-I I 特性：特性：3. 3. V V- -I I 特性曲線及大信號(hào)特性方程特性曲線及大信號(hào)特性方程第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 （2 2）轉(zhuǎn)移特性）轉(zhuǎn)移特性const.GSDDS)( vvfi21)(TGSDOD VIiv3. 3. V V- -I I 特性曲線及大信號(hào)特性方程特性曲線及大信號(hào)特性方程第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 3.1.2 N3.1.2 N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSFETMOSFET1. 1. 結(jié)構(gòu)和工作原理簡(jiǎn)述（結(jié)構(gòu)和工作原理簡(jiǎn)述（N N溝道）溝道）二氧化硅絕緣層中摻有大量的正離子二氧化硅絕緣層

10、中摻有大量的正離子 可以在正或負(fù)的柵源電壓下工作，而且基本上無柵流可以在正或負(fù)的柵源電壓下工作，而且基本上無柵流第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 2. V-I 特性曲線及大信號(hào)特性方程特性曲線及大信號(hào)特性方程 21)(PGSDSSDVIiv 21)(TGSDOD VIiv（N N溝道增強(qiáng)型）溝道增強(qiáng)型）3.1.2 N3.1.2 N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSFETMOSFET第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 3.1.3 P3.1.3 P溝道溝道MOSFETMOSFET第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大

11、電路 3.1.4 MOSFET3.1.4 MOSFET的主要參數(shù)的主要參數(shù)一、直流參數(shù)一、直流參數(shù)1. 1. 開啟電壓開啟電壓V VT T （增強(qiáng)型參數(shù)）（增強(qiáng)型參數(shù)）2. 2. 夾斷電壓夾斷電壓V VP P （耗盡型參數(shù)）（耗盡型參數(shù)）3. 3. 飽和漏電流飽和漏電流I IDSSDSS （耗盡型參數(shù)）（耗盡型參數(shù)）4. 4. 直流輸入電阻直流輸入電阻R RGSGS （10109 910101515 ）二、交流參數(shù)二、交流參數(shù) 1. 1. 輸出電阻輸出電阻r rdsds GSDDSdsVir v第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 DS GSDmVigv 2. 2

12、. 低頻互導(dǎo)低頻互導(dǎo)g gm m 二、交流參數(shù)二、交流參數(shù) 考慮到考慮到 2TGSnD)(VKi v則則DSDSGS2TGSnGSDm)(VVVKigvvv )(2TGSnVK vnDTGS)(KiV vDn2iK 3.1.5 MOSFET3.1.5 MOSFET的主要參數(shù)的主要參數(shù)第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 end三、極限參數(shù)三、極限參數(shù) 1. 1. 最大漏極電流最大漏極電流I IDMDM 2. 2. 最大耗散功率最大耗散功率P PDMDM 3. 3. 最大漏源電壓最大漏源電壓V V（BRBR）DSDS 4. 4. 最大柵源電壓最大柵源電壓V V（BR

13、BR）GSGS 3.1.5 MOSFET3.1.5 MOSFET的主要參數(shù)的主要參數(shù)第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 3.2 MOSFET3.2 MOSFET放大電路放大電路3.2.1 MOSFET3.2.1 MOSFET放大電路放大電路1. 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算2. 2. 圖解分析圖解分析3. 3. 小信號(hào)模型分析小信號(hào)模型分析第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 3.2.1 MOSFET3.2.1 MOSFET放大電路放大電路1. 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算

14、（1）簡(jiǎn)單的共源極放大電路）簡(jiǎn)單的共源極放大電路（N溝道）溝道）共源極放大電路共源極放大電路直流通路直流通路第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算（1）簡(jiǎn)單的共源極放大電路）簡(jiǎn)單的共源極放大電路（N溝道）溝道）DDg2g1g2GSVRRRV 2)(TGSnDVVKI dDDDDSRIVV 假設(shè)工作在飽和區(qū)，即假設(shè)工作在飽和區(qū)，即)(TGSDSVVV 驗(yàn)證是否滿足驗(yàn)證是否滿足)(TGSDSVVV 如果不滿足，則說明假設(shè)錯(cuò)誤如果不滿足，則說明假設(shè)錯(cuò)誤須滿足須滿足VGS VT ，否則工作在截止區(qū)，否則工作在截止區(qū)

15、再假設(shè)工作在可變電阻區(qū)再假設(shè)工作在可變電阻區(qū))(TGSDSVVV 即即dDDDDSRIVV DSTGSnD )(vvVKI 23.2.1 MOSFET3.2.1 MOSFET放大電路放大電路第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 假設(shè)工作在飽和區(qū)假設(shè)工作在飽和區(qū)滿足滿足)(TGSDSVVV 假設(shè)成立，結(jié)果即為所求。假設(shè)成立，結(jié)果即為所求。解：V2V5406040 DDg2g1g2GSQ VRRRVmA2 . 0mA)12()2 . 0()(22TGSnDQ VVKIV2V)152 . 05(dDDDDSQ RIVV例：設(shè)設(shè)Rg1=60k ，Rg2=40k ，Rd=1

16、5k ，220V/mA.n K試計(jì)算電路的靜態(tài)漏極電流試計(jì)算電路的靜態(tài)漏極電流IDQ和漏源和漏源電壓電壓VDSQ 。VDD=5V， VT=1V，第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算（2）帶源極電阻的）帶源極電阻的NMOS共源極放大電路共源極放大電路2)(TGSnDVVKI 飽和區(qū)飽和區(qū)需要驗(yàn)證是否滿足需要驗(yàn)證是否滿足)(TGSDSVVV SGGSVVV )()(dDSSDDDSRRIVVV )(SSSSDDg2g1g2VVVRRR )(SSDVRI 3.2.1 MOSFET3.2.1 MOSFET放大電路放大電路第第3 3章章 第

17、第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 2. 圖解分析由于負(fù)載開路，交流負(fù)由于負(fù)載開路，交流負(fù)載線與直流負(fù)載線相同載線與直流負(fù)載線相同 3.2.1 MOSFET3.2.1 MOSFET放大電路放大電路第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 3. 小信號(hào)模型分析2TGSnD)(VKi v2TgsGSQn)(VVK v2gsTGSQn)(v VVK2gsngsTGSQn2TGSQn)(2)(vvKVVKVVK （1）模型）模型DQI gsmvg 2gsnvK 靜態(tài)值靜態(tài)值（直流）（直流）動(dòng)態(tài)值動(dòng)態(tài)值（交流）（交流）非線性非線性失真項(xiàng)失真項(xiàng) 當(dāng)當(dāng)，vgs 2(

18、2(VGSQ- - VT ) )時(shí)，時(shí)，DQDIi gsmvg dDQiI 3.2.1 MOSFET3.2.1 MOSFET放大電路放大電路第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 3. 小信號(hào)模型分析（1）模型）模型DQDIi gsmvg dDQiI gsmdvgi 高頻小信號(hào)模型高頻小信號(hào)模型3.2.1 MOSFET3.2.1 MOSFET放大電路放大電路第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 3. 3. 小信號(hào)模型分析小信號(hào)模型分析DQIGSQVDSQV)(2TGSQnmVVKg（2）放大電路分析）放大電路分析s解：直流解：直流靜態(tài)工

19、作點(diǎn)計(jì)算同前例（略）：靜態(tài)工作點(diǎn)計(jì)算同前例（略）：第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 （2）放大電路分析）放大電路分析dgsmoRg vv )1()(mgsgsmgsiRgRg vvvvRgRgAmdmio1 vvvg2g1i| RRR doRR siisiiososRRRAA vvvvvvvvs3. 3. 小信號(hào)模型分析小信號(hào)模型分析第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 （2）放大電路分析）放大電路分析)|()|)(dsgsmgsdsgsmiorRgrRgAvvvvvv 1)|(1)|(dsmdsm rRgrRg)()|(1)|(

20、 siidsmdsmsiiososRRRrRgrRgA vvvvvvv共漏放大電路共漏放大電路3. 3. 小信號(hào)模型分析小信號(hào)模型分析第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 （2）放大電路分析）放大電路分析g2g1i| | RRR mdsmdstto1| | 111grRgrRiR v3. 3. 小信號(hào)模型分析小信號(hào)模型分析第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 3.3 3.3 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 3.3.1 JFET3.3.1 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理的結(jié)構(gòu)和工作原理 3.3.2 JFET3.3.2 JFET的特性曲線及參數(shù)的特性

21、曲線及參數(shù) 3.3.3 JFET3.3.3 JFET放大電路的小信號(hào)模型分析法放大電路的小信號(hào)模型分析法 第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 3.3.1 JFET3.3.1 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理的結(jié)構(gòu)和工作原理1. 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 2. 2. 工作原理工作原理 vGS對(duì)溝道的控制作用對(duì)溝道的控制作用當(dāng)當(dāng)vGS0時(shí)時(shí)（以（以N溝道溝道JFET為例）為例） 當(dāng)溝道夾斷時(shí)，對(duì)應(yīng)的當(dāng)溝道夾斷時(shí)，對(duì)應(yīng)的柵源電壓柵源電壓vGS稱為稱為夾斷電壓夾斷電壓VP （ 或或VGS(off) ）。）。對(duì)于對(duì)于N溝道的溝道

22、的JFET，VP 0。PN結(jié)反偏結(jié)反偏耗盡層加厚耗盡層加厚溝道變窄。溝道變窄。 vGS繼續(xù)減小，溝道繼續(xù)變窄。繼續(xù)減小，溝道繼續(xù)變窄。第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 2. 2. 工作原理工作原理（以（以N N溝道溝道JFETJFET為例）為例） vDS對(duì)溝道的控制作用對(duì)溝道的控制作用當(dāng)當(dāng)vGS=0時(shí)，時(shí)，vDS iD g、d間間PN結(jié)的反向結(jié)的反向電壓增加，使靠近漏極電壓增加，使靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道處的耗盡層加寬，溝道變窄，從上至下呈楔形變窄，從上至下呈楔形分布。分布。 當(dāng)當(dāng)vDS增加到使增加到使vGD=VP 時(shí)，在緊靠漏時(shí)，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。

23、極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。此時(shí)此時(shí)vDS 夾斷區(qū)延長(zhǎng)夾斷區(qū)延長(zhǎng)溝道電阻溝道電阻 iD基本不變基本不變第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 （以（以N N溝道溝道JFETJFET為例）為例） vGS和和vDS同時(shí)作用時(shí)同時(shí)作用時(shí)當(dāng)當(dāng)VP vGS0 時(shí)，導(dǎo)電溝道更容易夾斷，時(shí)，導(dǎo)電溝道更容易夾斷，對(duì)于同樣的對(duì)于同樣的vDS ， iD的值比的值比vGS=0時(shí)的值要小。時(shí)的值要小。在預(yù)夾斷處在預(yù)夾斷處vGD=vGS- -vDS =VP 2. 2. 工作原理工作原理第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 綜上分析可知綜上分析可知 溝道中只有一種類型的多數(shù)載

24、流子參與導(dǎo)電，溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電， 所以場(chǎng)效應(yīng)管也稱為單極型三極管所以場(chǎng)效應(yīng)管也稱為單極型三極管。 JFET是電壓控制電流器件，是電壓控制電流器件，iD受受vGS控制?？刂啤?預(yù)夾斷前預(yù)夾斷前iD與與vDS呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷后，呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷后， iD趨于飽和。趨于飽和。 JFET柵極與溝道間的柵極與溝道間的PN結(jié)是反向偏置的，因結(jié)是反向偏置的，因 此此iG 0，輸入電阻很高。，輸入電阻很高。第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 3.3.2 JFET3.3.2 JFET的特性曲線及參數(shù)的特性曲線及參數(shù)const.DSDGS)( vvfi2. 轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性 const.GSDDS)( vvfi1. 輸出特性輸出特性 2PGSDSSD)1(VIiv (VPvGS0)第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 與與MOSFET類似類似3. 主要參數(shù)主要參數(shù)3.3.2 JFET3.3.2 JFET的特性曲線及參數(shù)的特性曲線及參數(shù)第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 3.3.3 JFET3.3.3 JFET放大電路的小信號(hào)模型分析法放大電路的小信號(hào)模型分析法1. JFET小信號(hào)模型小信號(hào)模型（1）低頻模型）低頻模型第第3 3章章 第第5 5講：講：場(chǎng)效應(yīng)管放大