IGBT在電焊機(jī)中的應(yīng)用ppt課件

1、IGBT在逆變焊機(jī)中的運(yùn)用和RT4的推行電焊機(jī)簡(jiǎn)介逆變焊機(jī)中 IGBT 運(yùn)用特點(diǎn)IGBT的主要參數(shù)選擇RT4模塊引見(jiàn)及優(yōu)勢(shì)內(nèi)容簡(jiǎn)介電焊機(jī)簡(jiǎn)介-分類(lèi)按焊接機(jī)理分類(lèi)：電焊機(jī)簡(jiǎn)介-開(kāi)展歷程電焊機(jī)開(kāi)展歷程：逆變直流電焊機(jī)開(kāi)展歷程：晶閘管式逆變焊機(jī)晶體管式逆變焊機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管式逆變焊機(jī)IGBT逆變焊機(jī)變壓器型電源晶閘管整流電源逆變直流電源電焊機(jī)簡(jiǎn)介-IGBT逆變焊機(jī)種類(lèi)、型號(hào)和輸出特性種類(lèi)CO2氣體保護(hù)焊機(jī)（NBC系列）手工電弧焊（ZX7系列）鎢極氬弧焊（WS系列）脈沖鎢極氬弧焊（WSM系列）等離子切割機(jī)（LGK系列）埋弧焊（MZ系列）型號(hào)2002503505006301602002503154005006

2、3014016020031540050020025031540040608010063080010001250種類(lèi)和型號(hào)：IGBT 運(yùn)用特點(diǎn)逆變焊機(jī)80A - 250A中大功率逆變焊機(jī)380V input小功率逆變焊機(jī)220V input600VDiscrete IGBTMOSFET250A - 630A正激半橋600V34mm600VDiscrete IGBTMOSFET1200V IGBT34mm62mm半橋全橋全橋IGBT的運(yùn)用特點(diǎn)- 在焊機(jī)中的運(yùn)用IGBT的運(yùn)用特點(diǎn)- 焊機(jī)拓?fù)錁?gòu)造焊機(jī)拓?fù)錁?gòu)造：輸入 一次整流 逆變 隔離降壓 二次整流 輸出 從圖中可以看出，IGBT主要運(yùn)用在逆變單元I

3、GBT的運(yùn)用特點(diǎn)- 逆變拓?fù)錁?gòu)造半橋拓?fù)淙珮蛲負(fù)溆查_(kāi)關(guān)全橋拓?fù)滠涢_(kāi)關(guān)全橋拓?fù)淞汶妷很涢_(kāi)關(guān)全橋拓?fù)淞汶娏鬈涢_(kāi)關(guān)全橋拓?fù)浜笝C(jī)中常用的逆變拓?fù)錁?gòu)造：IGBT的運(yùn)用特點(diǎn)- 硬開(kāi)關(guān)、軟開(kāi)關(guān)硬開(kāi)關(guān)開(kāi)經(jīng)過(guò)程硬開(kāi)關(guān)關(guān)斷過(guò)程軟開(kāi)關(guān)開(kāi)經(jīng)過(guò)程軟開(kāi)關(guān)關(guān)斷過(guò)程 從圖中可以看出，在硬開(kāi)關(guān)時(shí)，IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)電流與電壓有交點(diǎn)，IGBT損耗交大，軟開(kāi)關(guān)時(shí)，IGBT的電流與電壓沒(méi)有交點(diǎn)，損耗為零。 零電流ZCS)：指IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)電流為零。 零電壓ZVS)：指IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)電壓為零IGBT的運(yùn)用特點(diǎn)- 半橋型電路拓?fù)涮攸c(diǎn)： IGBT 開(kāi)關(guān)損耗大；IGBT上接受的電流為全橋時(shí)的兩倍。建議： 選用關(guān)斷損耗小的 IGBT。引薦：采用

4、INFINEON 開(kāi)關(guān)損耗小的KS4 芯片封裝的100 300A/1200V 的IGBT模塊。拓?fù)涮攸c(diǎn)： IGBT 開(kāi)關(guān)時(shí)電壓、電流不為零，開(kāi)關(guān)損耗大。建議： 選用關(guān)斷損耗小的 IGBT。引薦：采用 INFINEON開(kāi)關(guān)損耗小S4 芯片封裝的的IGBT模塊。IGBT的運(yùn)用特點(diǎn)- 硬開(kāi)關(guān)全橋電路電路特點(diǎn)： IGBT 導(dǎo)通時(shí)間長(zhǎng)，損耗主要為通態(tài)損耗建議： 選擇通態(tài)損耗小的 IGBT。引薦：采用 INFINEON 導(dǎo)通損耗小的 DN2、T4芯片封裝的 IGBT 模塊。IGBT的運(yùn)用特點(diǎn)- 軟開(kāi)關(guān)ZVS全橋型電路電路特點(diǎn)：超前臂實(shí)現(xiàn)ZVS，IGBT開(kāi)關(guān)損耗小，導(dǎo)通損耗占總損耗比艱苦。滯后臂實(shí)現(xiàn)ZCS，

5、IGBT導(dǎo)通時(shí)間長(zhǎng)，通態(tài)損耗大。建議： 選擇IGBT通態(tài)損耗小的IGBT，即低通態(tài)型IGBT模塊。引薦：采用 INFINEON 導(dǎo)通損耗小的DN2、T4芯片封裝的 IGBT 模塊。IGBT的運(yùn)用特點(diǎn)- 軟開(kāi)關(guān)ZVZCS全橋型電路IGBT 主要參數(shù)選擇主要參數(shù)選擇-電焊機(jī)主要參數(shù)電壓：三相交流輸入經(jīng)過(guò)整流和濾波后，直流母線電壓的最大值：VDC= ，IGBT的額定電壓普通要求高于直流母線電壓的兩倍，可以選額定電壓值1200V。 電焊機(jī)主要參數(shù)：以一臺(tái)500A的電焊機(jī)為例，輸入電壓：380V AC,輸出電流為：500A,頻率為20KHz，空載電壓為70V。 500A焊機(jī)在滿負(fù)荷任務(wù)條件下，輸出濾波電

6、感的電流的平均值為500A，主變壓器變比K=513V/70V=7.3。 變壓器原邊平均電流為500A/7.3=68.5A，在選用耗散功率足夠的散熱器和良好的風(fēng)道設(shè)計(jì)的條件，選在 IGBT 的IC=100A。電流：17通 態(tài) 壓 降：低通態(tài)損耗，適用于軟開(kāi)關(guān)。 開(kāi) 關(guān) 損 耗：低開(kāi)關(guān)損耗，高頻或硬開(kāi)關(guān)。溫 度 系 數(shù)：正溫度系數(shù)適宜于多管芯并聯(lián)。熱 阻：決議了IGBT的溫升。功率循環(huán)周次：決議IGBT的壽命。熱 循 環(huán) 周 次：決議IGBT的壽命。17主要參數(shù)選擇-選型時(shí)應(yīng)留意的問(wèn)題選型時(shí)應(yīng)該主要的問(wèn)題：主要參數(shù)選擇-引薦表裕能達(dá)推薦表焊機(jī)規(guī)格全橋電路半橋電路315A軟開(kāi)關(guān)FF50R12RT4硬

7、開(kāi)關(guān)F4-50R12MS4/ F4-50R12KS4FF100R12KS4/FF150R12RT4400A軟開(kāi)關(guān)FF75R12RT4硬開(kāi)關(guān)F4-75R12MS4/ F4-75R12KS4FF150R12KS4500A軟開(kāi)關(guān)FF100R12RT4硬開(kāi)關(guān)FF100R12KS4/FF150R12RT4FF200R12KS4630A軟開(kāi)關(guān)FF150R12RT4硬開(kāi)關(guān)FF150R12KS4FF300R12KS4RT4芯片引見(jiàn)及優(yōu)勢(shì)IGBT4模塊：Tvjop,max = 150C！概念：在開(kāi)關(guān)任務(wù)條件下，IGBT4模塊的最高允許結(jié)溫規(guī)格為 150C，比IGBT3/IGBT2模塊1200V和1700V的規(guī)格

8、提高25C！出發(fā)點(diǎn)：順應(yīng)芯片小型化實(shí)現(xiàn)：IGBT4模塊內(nèi)部焊線工藝的改良可靠性要素：焊線工藝決議了模塊的可靠性目的之一-功率循環(huán)PC次數(shù)。PC次數(shù)與結(jié)溫有關(guān)，在一樣的結(jié)溫?cái)[幅下，結(jié)溫越高，PC次數(shù)越低。要提高結(jié)溫規(guī)格，必需改良焊線工藝，才干保證模塊用于更高的結(jié)溫時(shí)，其PC次數(shù)運(yùn)用壽命不減。結(jié)果： 1IGBT4模塊的可靠性PC次數(shù)大幅添加 2IGBT4模塊的電流輸出才干增大運(yùn)用功率 3以較小的封裝尺寸實(shí)現(xiàn)一樣的電流規(guī)格功率密度RT4模塊-優(yōu)點(diǎn)50A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無(wú)特殊說(shuō)明Tj=125）型號(hào)BSM50GB120DN2FF50R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全

9、兼容，Ic50A(Tc=80)50A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)3.1V2.15VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off2215驅(qū)動(dòng)電阻推薦值差別不是很大，驅(qū)動(dòng)電路更改不大。Eon7mJ6.5mJRT4的性能稍好，開(kāi)關(guān)損耗有所降低。Eoff4.5mJ4mjRjc(IGBT) 0.3K/W0.53K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode) 0.6K/W0.84K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：用RT

10、4替代DN2只需更改驅(qū)動(dòng)電路，替代容易！RT4模塊-與INFINEON DN2系列模塊的比較75A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無(wú)特殊說(shuō)明Tj=125）型號(hào)BSM75GB120DN2FF75R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic75A(Tc=80)75A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)3.1V2.15VRT4性能更好，導(dǎo)通損耗小。Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off152.2驅(qū)動(dòng)電阻推薦值差別較大，驅(qū)動(dòng)電路要做更改。Eon13mJ9.5mJRT4的性能更好，開(kāi)關(guān)損耗小。Eof

11、f8mJ6.5mjRjc(IGBT) 0.2K/W0.38K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量。Rjc(Diode) 0.5K/W0.58K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。結(jié)論：用RT4替代DN2只需對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)展修正，替代起來(lái)比較容易。RT4模塊-與INFINEON DN2系列模塊的比較100A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無(wú)特殊說(shuō)明Tj=125）型號(hào)BSM100GB120DN2KBSM100GB120DN2FF100R12RT4結(jié)論封裝34mm62mm34mmDN2K與RT4散熱器安裝尺寸完全兼容，DN2與RT4的安裝尺

12、寸不能兼容！Ic100A(Tc=80)100A(Tc=80)100A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)3.1V3.1V2.05VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小Tj(度）150150175RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off6.86.81.6驅(qū)動(dòng)電阻推薦值有差別，驅(qū)動(dòng)電路需要更改！Eon17.5mJ17.5mJ9.5mJRT4的性能更好，開(kāi)關(guān)損耗小Eoff11mJ11mJ9mjRjc(IGBT) 0.18K/W0.16K/W0.27K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode) 0.36K/W0.3K

13、/W0.48K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：RT4替代DN2K只需對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)展修正，但替代DN2還需對(duì)散熱器進(jìn)展修正。RT4模塊-與INFINEON DN2系列模塊的比較150A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無(wú)特殊說(shuō)明Tj=125）型號(hào)BSM150GB120DN2FF150R12RT4結(jié)論封裝62mm34mmDN2與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic150A(Tc=80)150A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,)3.1V2.05VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小Tj(度）150175R

14、T4性能更好，熱余量更大Rgon/off9.11.1驅(qū)動(dòng)電阻推薦值有差別，驅(qū)動(dòng)電路需要更改！Eon17.5mJ13.5mJRT4的關(guān)斷損耗略高于ND2Eoff11mJ13.5mjRjc(IGBT) 0.1K/W0.19K/WRT4的熱阻比較大！Rjc(Diode) 0.25K/W0.31K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：150A的RT4替代150A的DN2比較困難！RT4模塊-與INFINEON DN2系列模塊的比較150A的RT4和100A的KS4 的模塊的性能比較（如無(wú)特殊說(shuō)明Tj=125）型號(hào)FF100R12KS4FF150R12RT4結(jié)論封

15、裝62mm34mmKS4與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic100A(Tc=80)150A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=80A,Vge=15v,)3.85V1.65VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off9.11.1驅(qū)動(dòng)電阻推薦值有差別，驅(qū)動(dòng)電路需要更改！Eon9.5mJ9.5mJRT4的關(guān)斷損耗略高于KS4Eoff7.7mJ11 mJRjc(IGBT) 0.16K/W0.19K/WRT4的熱阻稍大！Rjc(Diode) 0.3K/W0.31K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更

16、好結(jié)論：用150A的RT4替代100A的KS4,要根據(jù)實(shí)踐電路來(lái)確定能否替代。RT4模塊-與INFINEON KS4系列模塊的比較 總的來(lái)說(shuō)，RT4系列產(chǎn)品的飽和壓降有大幅的降低，開(kāi)關(guān)損耗也有所降低，特別適宜軟開(kāi)關(guān)拓?fù)錁?gòu)造的焊機(jī)。但是RT4系列產(chǎn)品的熱阻相當(dāng)于DN2系列來(lái)說(shuō)都要大一些。還有就是RT4系列的引薦驅(qū)動(dòng)電阻值都比較小，交換時(shí)要留意對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)展修正。RT4模塊-與INFINEON 模塊的比較RT4模塊-與SEMIKRON 模塊的比較SEMIKRON 在焊機(jī)運(yùn)用上主要有以下幾款：123系列：SKM75GB123D SKM100GB123D SKM150GB123D SKM200GB12

17、3D128系列：SKM75GB128D SKM100GB128D SKM150GB128D SKM200GB128DT4系列：SKM75GB12T4 SKM100GB12T4 SKM100GB12T4G SKM150GB12T4 SKM150GB12T4G SKM200GB12T4 SKM300GB12T4 正在推行RT4模塊-與SEMIKRON的比較50的RT4和西門(mén)康的模塊的性能比較（如無(wú)特殊說(shuō)明Tj=125）型號(hào)FF50R12RT4SKM75GB123DSKM50GB12T4SKM75GB128D結(jié)論封裝34mm34mm34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic(Tc=100)50A4

18、9A52A59A電流能力相差不大。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)2.15V25V2.2V2.1V128D的導(dǎo)通損耗最小。Tj(度）175150175150T4芯片結(jié)溫較高。Rgon/off15228.26驅(qū)動(dòng)電阻推薦值有差別，驅(qū)動(dòng)電路需要更改。Eon6.5mJ8mJ5.5mJ6mJ123D的開(kāi)關(guān)損耗較大。Eoff4mJ5mJ4.5mJ8mJRjc(IGBT) 0.53K/W0.27K/W0.53K/W0.3K/W123D的熱阻小。Rjc(Diode) 0.84K/W0.5K/W0.84K/W0.6K/WVf(V)1.65V1.6V2.18V1.8V123D的反并二極管管壓降最低

19、。結(jié)論：RT4與123D相比，在開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗上都在有優(yōu)勢(shì)，只是熱阻較大。與128D相比開(kāi)關(guān)損耗較低。與西門(mén)康最新的T4系列性能相差不大。75的RT4和西門(mén)康的模塊的性能比較（如無(wú)特殊說(shuō)明Tj=125）型號(hào)FF75R12RT4SKM100GB123DSKM75GB12T4SKM100GB128D結(jié)論封裝34mm34mm34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic(Tc=100)75A81A75A85A128D的電流能力最大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)2.15V3.1V2.25V2.1VRT4和128D的性能較好,導(dǎo)通損耗小。Tj(度）175150175150T4芯片結(jié)溫

20、高。Rgon/off2.21514.7驅(qū)動(dòng)電阻推薦值有差別，驅(qū)動(dòng)電路需要更改！Eon9.5mJ10mJ11mJ9mJRT4的開(kāi)關(guān)損耗較小。Eoff6.5mj8mJ6.9mJ7.5mJRjc(IGBT) 0.38K/W0.18K/W0.38K/W0.21K/W123D的熱阻?。jc(Diode) 0.58K/W0.5K/W0.58K/W0.5K/WVf(V)1.65V1.8V2.11V1.8VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。RT4模塊-與SEMIKRON的比較結(jié)論：RT4與123D相比，在開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗上都在有優(yōu)勢(shì)，只是熱阻交大。與128D和西門(mén)康最新的T4系列性能相差不大。RT4模塊-與

21、SEMIKRON 模塊的比較100的RT4和西門(mén)康的模塊的性能比較（如無(wú)特殊說(shuō)明Tj=125）型號(hào)FF100R12RT4SKM150GB123DSKM100GB12T4SKM150GB128D結(jié)論封裝34mm62mm62mm62mmRT4尺寸較小。Ic(Tc=100)100A100A100A108A電流能力相差不大。Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)2.05V2.5V2.2V2.1VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小。Tj(度）175150175150T4芯片結(jié)溫高Rgon/off1.66.88.28驅(qū)動(dòng)電阻推薦值有差別，驅(qū)動(dòng)電路需要更改！Eon9.5mJ13mJ16.1mJ10mJ12

22、3D的開(kāi)關(guān)損耗較大！Eoff9mJ11mJ8.6mJ9mJRjc(IGBT) 0.27K/W0.15K/W0.29K/W0.15K/W123D的熱阻小！Rjc(Diode) 0.48K/W0.3K/W0.49K/W0.3K/WVf(V)1.65V1.8V2.18V1.8VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。結(jié)論：RT4與123D相比，在開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗上都在有優(yōu)勢(shì)，只是熱阻交大。與128D相比，熱阻較大。和西門(mén)康最新的T4系列相比，開(kāi)關(guān)損耗較小。RT4模塊-與SEMIKRON 模塊的比較150的RT4和西門(mén)康的模塊的性能比較（如無(wú)特殊說(shuō)明Tj=125）型號(hào)FF150R12RT4SKM200GB1

23、23DSKM150GB12T4SKM200GB128D結(jié)論封裝34mm62mm62mm62mmRT4尺寸較小。Ic(Tc=100)150A145A150A180A電流能力相差不大。Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,)2.05V2.5V2.2V2.1VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小。Tj(度）175150175150T4芯片結(jié)溫高Rgon/off1.15.617驅(qū)動(dòng)電阻推薦值有差別，驅(qū)動(dòng)電路需要更改！Eon13.5mJ24mJ19.2mJ18mJ123D的開(kāi)關(guān)損耗較大！Eoff13.5mj17mJ15.8mJ15mJRjc(IGBT) 0.19K/W0.09K/W0.19K/W0.095

24、K/W123D的熱阻小！Rjc(Diode) 0.31K/W0.18K/W0.31K/W0.25K/WVf(V)1.65V1.8V2.07V1.8VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。結(jié)論：RT4與123D相比，在開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗上都在有優(yōu)勢(shì)，只是熱阻交大。與128D相比，熱阻較大。和西門(mén)康最新的T4系列相比，開(kāi)關(guān)損耗較小。RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較斯達(dá)在焊機(jī)運(yùn)用上主要有以下幾款：HFL系列(低損耗快速：GD50HFL120C1S GD75HFL120C1S GD100HFL120C1S GD100HFL120C2S GD150HFL120C2S50A的RT4和斯達(dá)模塊的性能比較（如無(wú)特殊說(shuō)明

25、Tj=125）型號(hào)GD50HFL120C1SFF50R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic50A(Tc=80)50A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)2.0V2.15V斯達(dá)模塊的導(dǎo)通損耗小。Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off1815驅(qū)動(dòng)電阻推薦值差別不是很大，驅(qū)動(dòng)電路更改不大。Eon4.1mJ6.5mJ斯達(dá)模塊的性能更好，導(dǎo)通損耗小。Eoff4.7mJ4mjRjc(IGBT) 0.38K/W0.53K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode)

26、 0.65K/W0.84K/W并聯(lián)二極管Vf(V)2.2V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較結(jié)論：斯達(dá)模塊的飽和壓降和開(kāi)關(guān)損耗都比較低。RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較75A的RT4和斯達(dá)模塊的性能比較（如無(wú)特殊說(shuō)明Tj=125）型號(hào)GD75HFL120C1SFF75R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic75A(Tc=80)75A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)2.0V2.15V斯達(dá)模塊的導(dǎo)通損耗略小。Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off152.2驅(qū)

27、動(dòng)電阻推薦值差別不是很大，驅(qū)動(dòng)電路更改不大。Eon9.0mJ9.5mJ開(kāi)關(guān)損耗相差不大。Eoff7.4mJ6.5mjRjc(IGBT) 0.19K/W0.38K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode) 0.48K/W0.58K/W并聯(lián)二極管Vf(V)2.0V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：RT4模塊的熱阻較高，其他性能相差不大。RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較100A的RT4和斯達(dá)模塊的性能比較（如無(wú)特殊說(shuō)明Tj=125）型號(hào)GD100HFL120C1SGD75HFL120C2SFF100R12RT4結(jié)論封裝34mm62mm34mmRT4與C1

28、尺寸兼容，與C2尺寸不兼容，需要修改散熱器。Ic100A(Tc=80)100A(Tc=80)100A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)2.0V2.0V2.05V斯達(dá)模塊的性能略好。Tj(度）150150175RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off381.6驅(qū)動(dòng)電阻推薦值有差別，驅(qū)動(dòng)電路需要更改！Eon9.8mJ8.4mJ9.5mJ開(kāi)關(guān)損耗相差不大。Eoff8.7mJ5.8mJ9mjRjc(IGBT) 0.16K/W0.15K/W0.27K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode) 0.34K/

29、W0.29K/W0.48K/W并聯(lián)二極管Vf(V)2.2V2.2V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：RT4與斯達(dá)模塊的飽和壓降和導(dǎo)通損耗相差不大，但是熱阻較大。RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較150A的RT4和斯達(dá)模塊的性能比較（如無(wú)特殊說(shuō)明Tj=125）型號(hào)GD150HFL120C2SFF150R12RT4結(jié)論封裝62mm34mmDN2與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic150A(Tc=80)150A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,)2.1V2.05VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗略小Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大Rg

30、on/off6.81.1驅(qū)動(dòng)電阻推薦值有差別，驅(qū)動(dòng)電路需要更改！Eon16.7mJ13.5mJRT4的性能更好，開(kāi)關(guān)損耗小。Eoff15.3mJ13.5mjRjc(IGBT) 0.09K/W0.19K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode) 0.24K/W0.31K/W并聯(lián)二極管Vf(V)2.2V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：RT4的導(dǎo)通損耗要比斯達(dá)的小，熱阻稍大。RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較 斯達(dá)50、75、100A的模塊從飽和壓降和開(kāi)關(guān)損耗、熱阻等方面來(lái)說(shuō)要高于我們的RT4芯片，但是在市場(chǎng)上客戶對(duì)他們的模塊的反響并不是很好！這主要是由

31、于他們的模塊穩(wěn)定性不好！這就涉及到了IGBT的另外一個(gè)性能熱循環(huán)周次和功率循環(huán)周次。熱循環(huán)周次：在每次傳熱時(shí)，DCB和銅基板也會(huì)產(chǎn)生熱脹冷縮，由于膨脹率不同，長(zhǎng)時(shí)間后，就會(huì)使DCB與銅基板接觸不良，使IGBT失效。功率循環(huán)周次：綁定線，經(jīng)過(guò)電流發(fā)熱后，會(huì)熱脹冷縮發(fā)生變形。在一定次數(shù)后就會(huì)出現(xiàn)裂紋，導(dǎo)致IGBT失效。RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較RT4模塊-與宏微模塊的比較宏微在焊機(jī)運(yùn)用上主要有以下幾款：B系列(ABB芯片：MMG50S120B MMG75S120B MMG100S120B MMG100D120B MMG150D120BRT4模塊-與宏微模塊的比較50A的RT4和宏微模塊的性能比較

32、（如無(wú)特殊說(shuō)明Tj=125）型號(hào)MMG50S120BFF50R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic50A(Tc=80)50A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)2.0V2.15VRT4的導(dǎo)通損耗略高于宏微模塊。Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off1815驅(qū)動(dòng)電阻推薦值差別不是很大，驅(qū)動(dòng)電路更改不大。Eon8.4mJ6.5mJRT4的性能好，開(kāi)關(guān)損耗低。Eoff5.8mJ4mjRjc(IGBT) 0.3K/W0.53K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(D

33、iode) 0.6K/W0.84K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.9V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：RT4的各項(xiàng)性能幾乎都優(yōu)于宏微的模塊，用RT4替代宏微的模塊只需更改驅(qū)動(dòng)電路，替代容易！RT4模塊-與宏微模塊的比較75A的RT4和宏微模塊的性能比較（如無(wú)特殊說(shuō)明Tj=125）型號(hào)MMG75S120BFF75R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic75A(Tc=80)75A(Tc=100)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)2.0V2.15VRT4的導(dǎo)通損耗略高于宏微模塊。Tj(度）150175RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off152.2驅(qū)動(dòng)電阻推薦值差別較大，驅(qū)動(dòng)電路要做更改。Eon10.3mJ9.5mJRT4的性能更好，開(kāi)關(guān)損耗小。Eoff7.8mJ6.5mjRjc(IGBT) 0.2K/W0.38K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量。Rjc(Diode) 0.5K/W0.58K/W并聯(lián)