關(guān)于多線切割線痕問題

1、1.硅片表面出現(xiàn)單一的一條陰刻線（凹槽）、一條陽刻線（凸出），并不是由于碳化硅微粉的大顆粒造成的，單晶硅、多晶硅在拉制過程中出現(xiàn)的硬質(zhì)點造成跳線，而形成的線痕；2硅片表面集中在同一位置的線痕，很亂且不規(guī)則；機械原因、導輪心震過大、多晶硅鑄錠的大塊硬質(zhì)晶體；3硅片切割第一刀出現(xiàn)線痕，硅片表面很多并不太清晰：沙漿粘度不夠、碳化硅微粉粘浮鋼線少、切削能力不夠，碳化硅微粉有大顆粒物，鋼線圓度不夠、帶沙量降低，鋼線的張力太小產(chǎn)生的位移劃錯，鋼線的張力太大、線弓太小料漿帶不過去，打沙漿的量不夠，線速過高、帶沙漿能力降低，沙、液比例不合適，熱應力線膨脹系數(shù)太大，各參數(shù)適配性差。4切割中集中在某一段的廢片，是

2、由于跳線引起的；跳線的原因：導輪使用時間太長、嚴重磨損引起的跳線（導輪使用次數(shù)一般為75-85次），沙漿的雜質(zhì)進入線槽引起的跳線。5常見陰刻線線痕，由于晶棒本身有生成氣孔，切割硅片后可見像硅表面一樣亮的陰刻線,并不是線痕。6常見線痕：進刀口：由于剛開始切割，鋼線處在不穩(wěn)定狀態(tài)，鋼線的波動產(chǎn)生的線痕（進線點質(zhì)硬，加墊層可消除線擺）；倒角處的線痕：由于在粘結(jié)硅棒時底部殘留有膠，到倒角處鋼線帶膠切割引起的線痕，硅棒后面的線痕：鋼線磨損、造成光潔度、圓度都不夠,帶沙量低、切削能力下降、線膨脹系數(shù)增大引起的線痕。單晶硅片制作流程生產(chǎn)工藝流程具體介紹如下：固定：將單晶硅棒固定在加工臺上。切片：將單晶硅棒切

3、成具有精確幾何尺寸的薄硅片。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。退火：雙工位熱氧化爐經(jīng)氮氣吹掃后，用紅外加熱至300500C,硅片表面和氧氣發(fā)生反應，使硅片表面形成二氧化硅保護層。倒角：將退火的硅片進行修整成圓弧形，防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。分檔檢測：為保證硅片的規(guī)格和質(zhì)量，對其進行檢測。此處會產(chǎn)生廢品。研磨：用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規(guī)格。此過程產(chǎn)生廢磨片劑。清洗：通過有機溶劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)去除硅片表面的有

4、機雜質(zhì)。此工序產(chǎn)生有機廢氣和廢有機溶劑,并且脫去外套蓋在女孩身上。RCA清洗：通過多道清洗去除硅片表面的顆粒物質(zhì)和金屬離子,mbtlami。SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很強的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液，并將有機污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有機污物和部分金屬。此工序會產(chǎn)生硫酸霧和廢硫酸。DHF清洗：用一定濃度的氫氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。此過程產(chǎn)生氟化氫和廢氫氟酸。APM清洗：APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液組

5、成，硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親水性），該氧化膜又被NH4OH腐蝕，腐蝕后立即又發(fā)生氧化，氧化和腐蝕反復進行，因此附著在硅片表面的顆粒和金屬也隨腐蝕層而落入清洗液內(nèi)。此處產(chǎn)生氨氣和廢氨水。HPM清洗：由HCI溶液和H2O2溶液按一定比例組成的HPM,用于去除硅表面的鈉、鐵、鎂和鋅等金屬污染物。此工序產(chǎn)生氯化氫和廢鹽酸。DHF清洗：去除上一道工序在硅表面產(chǎn)生的氧化膜。磨片檢測：檢測經(jīng)過研磨、RCA清洗后的硅片的質(zhì)量，不符合要求的則從新進行研磨和RCA清洗。腐蝕A/B：經(jīng)切片及研磨等機械加工后，晶片表面受加工應力而形成的損傷層，通常采用化學腐蝕去除。腐蝕A是酸性腐蝕，用混酸

6、溶液去除損傷層，產(chǎn)生氟化氫、NOX和廢混酸；腐蝕B是堿性腐蝕，用氫氧化鈉溶液去除損傷層，產(chǎn)生廢堿液。本項目一部分硅片采用腐蝕A，一部分采用腐蝕Bo分檔監(jiān)測：對硅片進行損傷檢測，存在損傷的硅片重新進行腐蝕。粗拋光：使用一次研磨劑去除損傷層，一般去除量在1020um,uggcardy。此處產(chǎn)生粗拋廢液。精拋光：使用精磨劑改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下，從而的到高平坦度硅片。產(chǎn)生精拋廢液。檢測：檢查硅片是否符合要求，如不符合則從新進行拋光或RCA清洗。檢測：查看硅片表面是否清潔，表面如不清潔則從新刷洗，直至清潔。包裝：將單晶硅拋光片進行包裝。硅片等級分類及標準NewRoman一、優(yōu)等

7、品1：硅片表面光滑潔凈。2：TV：22020pmo3：幾何尺寸：邊長1250.5mm；對角1500.5mm、1480.5mm、1650.5mm；邊長1030.5mm、對角1350.5mm；邊長1500.5mm、1560.5mm、對角2030.5mm、2000.5mm。同心度：任意兩個弧的弦長之差W1mm。垂直度：任意兩邊的夾角：900.3。二、合格品一級品：1：表面有少許污漬、輕微線痕。2：22020pmTV22030pm。3：幾何尺寸：邊長1250.5mm；對角1500.5mm、1480.5mm、1650.5mm；邊長1030.5mm、對角1350.5mm；邊長1500.5mm、1560.5

8、mm、對角2030.5mm、2000.5mm。同心度：任意兩個弧的弦長之差W1.2mm。垂直度：任意兩邊的夾角：900.5,cheapradiishoes。二級品：1：表面有少許污漬、線痕、凹痕，輕微崩邊。2：22030pmTV22040pm。3：凹痕：硅片表面凹痕之和W30pmo4：崩邊范圍：崩邊口不是三角形狀，崩邊口長度Wlmm,深度W0.5mm5：幾何尺寸：邊長1250.52mm；對角1500.52mm、1480.52mm、1650.52mm；邊長1030.52mm、對角1350.52mm；邊長1500.52mm、1560.52mm、對角2030.52mm、2000.52mm。同心度：任意兩個弧的弦長之差Wl.5mm。垂直度：任意兩邊的夾角：900.8。三級品：1：表面有油污但硅片顏色不發(fā)黑，有線痕和硅落現(xiàn)象。2：22040pmWTVW22060pm。3：硅落：整張硅片邊緣硅晶脫落或部分硅晶脫落。三、不合格品嚴重線痕、厚薄片：TV22060pm。崩邊片：有缺損但可以改103的硅片。氣孔片：硅片中間有穿孔。外形片