超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目環(huán)境影響評價(jià)報(bào)告書

1、最新精品文檔，知識共享!總論項(xiàng)目背景現(xiàn)代社會(huì)已進(jìn)入以微電子技術(shù)為核心的信息時(shí)代，信息產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為現(xiàn)代經(jīng)濟(jì)的重 要支柱產(chǎn)業(yè)。微電子技術(shù)和微電子工業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ)，又是一個(gè)國家科技水 平、工業(yè)水平和綜合國力的體現(xiàn)。微電子技術(shù)和微電子工業(yè)的代表是集成電路產(chǎn)業(yè)，該 產(chǎn)業(yè)屬于技術(shù)、人才與資本密集型產(chǎn)業(yè)。.隨著信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，通訊1S備、網(wǎng)絡(luò)設(shè) 備和個(gè)人言十算機(jī)需求持續(xù)增長，大大促迤了集成電路市場的擴(kuò)大。為此，58期20002010 年全世界集成電路的年平均增長率可達(dá) 2025%,近年來，國際上集成電路的加工生產(chǎn) 重心己轉(zhuǎn)移到亞太地區(qū)。我國擁有發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)最重要的人力和智力資源，在面對世界

2、經(jīng)濟(jì)激烈競爭的時(shí)刻，加快發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)是一項(xiàng)緊迫而長期的任務(wù)，意義十分重大。XXXX集成電路制造（XX）有限公司超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目是國內(nèi)建 設(shè)深亞微米集成電路的重大工程。深亞微米工藝技術(shù)已是國際上的主流生產(chǎn)技術(shù)，本項(xiàng) 目的實(shí)施可以推廣在國內(nèi)微電子技術(shù)的升級發(fā)展，提高電子產(chǎn)品開發(fā)、生產(chǎn)能力，并促 進(jìn)我國集成電路產(chǎn)業(yè)走向國際。目前，我國的超大規(guī)模集成電路芯片設(shè)計(jì)大部分采用國內(nèi)設(shè)計(jì)、境外加工的流程， 一些設(shè)計(jì)在真正轉(zhuǎn)化成芯片時(shí)，會(huì)出現(xiàn)轉(zhuǎn)換受阻和模塊兼容性等問題，需要花費(fèi)相當(dāng)長 的時(shí)間進(jìn)行整改。本項(xiàng)目的建設(shè)可以加強(qiáng)設(shè)計(jì)與加工的交流與合作， 這是縮短投片時(shí)間、 提高芯片質(zhì)量的重要環(huán)節(jié)。本項(xiàng)

3、目建設(shè)單位是XXXX集成電路制造有限公司，它是一家在開曼群島注冊的股份 有限公司，從事包括芯片代理加工在內(nèi)的各種經(jīng)營項(xiàng)目，包括：各類半導(dǎo)體（硅片及各 類化合物半導(dǎo)體）集成電路芯片制造及測試，與集成電路有關(guān)的開發(fā)設(shè)計(jì)服務(wù)、技術(shù)服 務(wù)、光掩膜制造、測試封裝，銷售自產(chǎn)產(chǎn)品等。公司計(jì)劃以XX投資為主，有計(jì)劃地在XX建立芯片的加工生產(chǎn)線，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。本項(xiàng)目建于XX經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi)。擬建設(shè)8 0.350.18 N項(xiàng) 預(yù)計(jì)量產(chǎn)時(shí)，月投 片30000片；12先進(jìn)制程線，0.130.09小日月投產(chǎn)3000片。集成電路產(chǎn)業(yè)是電子 信息產(chǎn)業(yè)的核心，隨著科技的發(fā)展，電子信息產(chǎn)業(yè)將以更快的速度發(fā)展。微電子技術(shù)的 發(fā)展目

4、標(biāo)是不斷提高集成電路的性能和性價(jià)比，不斷縮小半導(dǎo)體器件的特征尺寸。本項(xiàng)目建設(shè)期確定為8年，建設(shè)期2年（20022003年，實(shí)際1.25年），建設(shè)投產(chǎn) 期2年，達(dá)產(chǎn)期4年?？偼顿Y為12.5億美元，所需的資金由投資方以注冊資本投入 6 億美元，5000萬美元由投資方自籌，6億美元通過境內(nèi)外銀行貸款解決。本項(xiàng)目預(yù)計(jì)5.78年后即可收回全部投資，達(dá)產(chǎn)年平均創(chuàng)利稅19469.88萬美元，說明該項(xiàng)目有較好的盈利能力。“XXXX集成電路制造（XX）有限公司超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目”是XX經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)的建設(shè)項(xiàng)目之一，也進(jìn)一步加速推動(dòng)了國外集成電路產(chǎn)業(yè)向我國轉(zhuǎn)移， 使我國盡快成為世界集成電路生產(chǎn)制造基地

5、之一。2003年6月5日國家發(fā)展和改革委員會(huì)頒發(fā)了發(fā)改高技2003604號文”印發(fā)國家最新精品文檔，知識共享！發(fā)展改革委員會(huì)關(guān)于審批 XXXX集成電路制造（XX）有限公司建設(shè)超大規(guī)模集成電路 芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目建議書的請示的通知” ，2003年6月30日XX市發(fā)展計(jì)劃委員會(huì)頒發(fā)了 京計(jì)高技文20031059號文“關(guān)于轉(zhuǎn)發(fā)國家發(fā)展改革委關(guān)于 XXXX集成電路芯片生產(chǎn) 線項(xiàng)目建議書的請示的通知”。根據(jù)中華人民共和國環(huán)境保護(hù)法、建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境保護(hù)管理?xiàng)l例（國務(wù)院令253 號）和國家環(huán)境總局的有關(guān)規(guī)定，該項(xiàng)目屬國家環(huán)?？偩謱徟?xiàng)目。受XXXX集成電路制造（XX）有限公司的委托，XX市環(huán)境保護(hù)科學(xué)研究院承擔(dān)本

6、 項(xiàng)目的環(huán)境影響報(bào)告書的編制工作。編制依據(jù)環(huán)保政策、法規(guī).中華人民共和國環(huán)境保護(hù)法，1989年12月；.中華人民共和國環(huán)境影響評價(jià)法，2003年9月1日起實(shí)施；.中華人民共和國大氣污染防治法,2000年4月；.中華人民共和國水污染防治法，1996年5月；.中華人民共和國環(huán)境噪聲污染防治條例，1996年10月；.中華人民共和國固體廢物污染環(huán)境防治法，1995年10月；.建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境保護(hù)管理?xiàng)l例,國務(wù)院令第253號，1998年11月；.關(guān)于加強(qiáng)工業(yè)節(jié)水工作的意見國經(jīng)貿(mào)資源 20001015號；.關(guān)于推行清潔生產(chǎn)的若干意見，國家環(huán)保局環(huán)控19970232號，1997年4月;. GB18597-200

7、1危險(xiǎn)廢物貯存污染控制標(biāo)準(zhǔn)；.關(guān)于危險(xiǎn)廢物轉(zhuǎn)移聯(lián)單管理辦法；. XX市環(huán)境保護(hù)局”關(guān)于執(zhí)行危險(xiǎn)廢物轉(zhuǎn)移聯(lián)單管理辦法的通知”；.中華人民共和國清潔生產(chǎn)促進(jìn)法，2002年6月；.XX市環(huán)境空氣質(zhì)量功能區(qū)劃；.XX市水環(huán)境功能區(qū)劃；.XX市國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十五個(gè)計(jì)劃綱要.亦莊衛(wèi)星城總體規(guī)劃（2001-2020年）。立項(xiàng)文件國家發(fā)展和改革委員會(huì)文件發(fā)改高技2003604號文“印發(fā)國家發(fā)展改革委員會(huì)關(guān)于 審批XXXX集成電路制造（XX）有限公司建設(shè)超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目建議 書的請示的通知”。批復(fù)文件.國家發(fā)展和改革委員會(huì)文件發(fā)改高技2003483號文“國家發(fā)展改革委關(guān)于審批 XXXX集成電

8、路制造（XX）有限公司建設(shè)超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目建議書的 請示”；. XX市發(fā)展計(jì)劃委員會(huì)的京計(jì)高技文20031059號文“關(guān)于轉(zhuǎn)發(fā)國家發(fā)展改革委最新精品文檔，知識共享！關(guān)于XXXX集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目建議書的請示的通知”. XX經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)管委會(huì)文件京技管2002233號關(guān)于外商獨(dú)資XX中芯環(huán)球 半導(dǎo)體有限公司微電子廠房可行性研究報(bào)告的批復(fù)；.XXXX集成電路制造（XX）有限公司建設(shè)超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目 環(huán)境影響評價(jià)大綱，2003年6月；.關(guān)于XXXX集成電路制造（XX）有限公司建設(shè)超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線 項(xiàng)目環(huán)境影響評價(jià)大綱的評估意見，國環(huán)評估綱2003143號。

9、技術(shù)導(dǎo)則HJ/T2.12.3 93環(huán)境影響評價(jià)技術(shù)導(dǎo)則；HJ/T2.4 1995環(huán)境影響評價(jià)技術(shù)導(dǎo)則一聲環(huán)境；技術(shù)文件.信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計(jì)研究院承擔(dān)編制的 XX中芯環(huán)球半導(dǎo)體有限公司超大 規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目初步設(shè)計(jì)；.國家危險(xiǎn)廢物名錄；. XXXX1成電路制造（上海）有限公司的一期工程“三同時(shí)”竣工驗(yàn)收環(huán)境保護(hù) 設(shè)施監(jiān)測報(bào)告；. XXXX成電路制造（上海）有限公司提供的各種監(jiān)測和測試報(bào)告。1.2.6任務(wù)委托書XXXX集成電路制造（XX）有限公司環(huán)境影響評價(jià)任務(wù)委托書。評價(jià)工作總體設(shè)計(jì)本評價(jià)核心問題是在XX經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi)，XXXX集成電路制造（XX）有限公司 建設(shè)超大規(guī)模集成電路芯

10、片生產(chǎn)線項(xiàng)目， 從環(huán)保角度分析是否可行。圍繞這一核心問題， 評價(jià)工作將從以下幾個(gè)方面?zhèn)戎丶右杂懻摚涸u價(jià)區(qū)環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀；結(jié)合 XX市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)總體規(guī)劃（亦莊衛(wèi)星城總體規(guī)劃），論證廠址選擇的環(huán)境可行性；從水資源的 供給和利用等方面論證項(xiàng)目選址的可行性，進(jìn)一步分析并提出節(jié)水途徑和措施；擬建項(xiàng) 目的清潔生產(chǎn)水平；對有毒危險(xiǎn)品的儲(chǔ)運(yùn)及使用進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)分析；污染治理措施；污染物 達(dá)標(biāo)排放分析等七個(gè)方面進(jìn)行全面闡述。以實(shí)現(xiàn) XX市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)的經(jīng)濟(jì)效益、社 會(huì)效益和環(huán)境效益協(xié)調(diào)發(fā)展為最終目的。評價(jià)目的和工作原則評價(jià)目的通過對項(xiàng)目擬建地周圍地區(qū)環(huán)境現(xiàn)狀調(diào)查，以及對擬建項(xiàng)目生產(chǎn)工藝、工程污染源 的調(diào)查與分析，

11、預(yù)測項(xiàng)目投產(chǎn)后對環(huán)境可能造成的影響程度、范圍以及當(dāng)?shù)丨h(huán)境可能發(fā) 生的變化狀況，并在此基礎(chǔ)上，對擬建項(xiàng)目建設(shè)的可行性從環(huán)境角度做出結(jié)論。同時(shí)提 出相應(yīng)的環(huán)保治理措施與建議，為領(lǐng)導(dǎo)的決策、設(shè)計(jì)部門的設(shè)計(jì)和建設(shè)單位的管理提供 依據(jù)。最新精品文檔，知識共享！本次評價(jià)最終目的就是結(jié)合芯片生產(chǎn)項(xiàng)目的特點(diǎn)和環(huán)境敏感問題,及早發(fā)現(xiàn)該項(xiàng)目可能發(fā)生的環(huán)境問題，提出解決這些環(huán)境問題的途徑，給出環(huán)境監(jiān)管和治理措施方案。 做到既對環(huán)境保護(hù)管理的法律、法規(guī)、制度和技術(shù)保障負(fù)責(zé)，也要對建設(shè)單位負(fù)責(zé)。評價(jià)原則在工程項(xiàng)目的評價(jià)中，要認(rèn)真貫徹執(zhí)行國家、XX市和XX經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)的有關(guān)法律和法規(guī)，在貫徹執(zhí)行“一控雙達(dá)標(biāo)”和清潔生產(chǎn)

12、的前提下，以確保擬建項(xiàng)目實(shí)施后 的環(huán)境污染問題得到有效解決，做到既要發(fā)展生產(chǎn)，又要保護(hù)環(huán)境的宗旨，實(shí)現(xiàn)可持續(xù) 發(fā)展的戰(zhàn)略。具體評價(jià)方法如下：.根據(jù)（86）國環(huán)宇第117號文件精神，在保證報(bào)告書質(zhì)量的前提下，盡量收集 利用已有的資料和數(shù)據(jù)，并結(jié)合必要的調(diào)查和監(jiān)測，適應(yīng)建設(shè)項(xiàng)目的需要。.結(jié)合XX市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)發(fā)展總體規(guī)劃、環(huán)境功能區(qū)劃，論證廠址選擇的環(huán) 境可行性。.本工程所需用水全部來自城市自來水， 對水量的需求相當(dāng)大。XX是水資源緊缺 地區(qū)，為了地區(qū)的持續(xù)發(fā)展，必須節(jié)約用水。本評價(jià)重點(diǎn)是節(jié)水問題，擴(kuò)大廢水回用率， 確保節(jié)水、減污方針得以落實(shí)。.本工程屬于新建項(xiàng)目，環(huán)境影響評價(jià)工作需要算清楚項(xiàng)目

13、按計(jì)劃實(shí)施后公司各 種污染物的實(shí)際排放量。根據(jù)上海同類產(chǎn)品實(shí)測資料，結(jié)合本項(xiàng)目的產(chǎn)量和工藝特點(diǎn)進(jìn) 行污染源強(qiáng)的核算。.按照清潔生產(chǎn)、總量控制、達(dá)標(biāo)排放的原則，項(xiàng)目建成后，公司污染物排放濃 度和總量報(bào)請主管環(huán)保管理部門，作為本公司核定總量控制指標(biāo)的依據(jù)。1.5評價(jià)等級環(huán)境空氣質(zhì)量等級根據(jù)環(huán)境影響評價(jià)技術(shù)導(dǎo)則大氣環(huán)境（HJ/T2.293）的有關(guān)要求，評價(jià)工作 的分級參照主要大氣污染物的等標(biāo)排放量和地形條件來確定，見下式：式中：PiQiCoi9等標(biāo)排放量（m3/h）；Qi單位時(shí)間排放量（t/h）；Coi大氣環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（mg/m3）。本項(xiàng)目處于平原地區(qū)，大氣污染源中主要污染物為HR HCl、NH和N

14、O等，具等標(biāo)排放量（Pi）見表1-1表1-1擬建工程主要污染物等標(biāo)排放量（Pi）序號污染物Pi1HF0.44 x 1072HCl0.30 x 107最新精品文檔，知識共享!3NH30.03x 1074NQ0.001X 107由表1-1可知，HF等標(biāo)排放量最大，P為0.44 X 107,遠(yuǎn)小于2.5 X108,據(jù)此，將 大氣環(huán)境影響評價(jià)工作等級定為三級。水環(huán)境影響評價(jià)等級本項(xiàng)目建成后生產(chǎn)廢水和生活污水將納入市政污水管網(wǎng)，建設(shè)項(xiàng)目污水水質(zhì)復(fù)雜程度為中等，污水排放量約3666m3/do因此，本項(xiàng)目將分析該工程廢污水經(jīng)處理后是否符 合市政污水管網(wǎng)排放標(biāo)準(zhǔn)。據(jù)此，按照環(huán)境影響評價(jià)技術(shù)導(dǎo)則地面水環(huán)境（HJ

15、/T2.3 93）的有關(guān)規(guī)定，可以將本項(xiàng)目的水環(huán)境影響評價(jià)工作等級定為三級。噪聲評價(jià)工作等級本項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)位于工業(yè)區(qū)，離居民生活區(qū)較遠(yuǎn)，預(yù)計(jì)本工程項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，噪 聲對居民不會(huì)有很大影響。根據(jù)聲環(huán)評導(dǎo)則，本項(xiàng)目噪聲評價(jià)工作定為三級。6評價(jià)工作重點(diǎn)根據(jù)擬建項(xiàng)目的工程性質(zhì)和當(dāng)?shù)氐淖匀缓蜕鐣?huì)環(huán)境特點(diǎn)，確定本評價(jià)的重點(diǎn)為：.工程分析、工程所排大氣污染物、水污染物、固體廢棄物及噪聲的污染防治措 施及其對周圍環(huán)境的影響。.清潔生產(chǎn)中節(jié)水措施分析，從水資源角度論述本項(xiàng)目的可行性。.7評價(jià)范圍大氣評價(jià)范圍以工程擬建地為中心，東-西方向邊長4km,北-南方向邊長4km,評價(jià)面積約為16kme水環(huán)境影響評價(jià)范圍

16、擬建工程排水口至受納市政下水道有關(guān)管段。噪聲評價(jià)范圍廠界外1m （廠界圍墻）處。1. 8環(huán)境保護(hù)目標(biāo)從本項(xiàng)目所處的地理位置及周邊環(huán)境分析，項(xiàng)目開發(fā)區(qū)內(nèi)沒有重要文物古跡和珍稀 動(dòng)植物，因此把在評價(jià)范圍內(nèi)的居民區(qū)、學(xué)校和醫(yī)院等受影響人群作為本次評價(jià)的環(huán)境 保護(hù)敏感點(diǎn)。主要有：旭東房地產(chǎn)、卡爾生活館、大雄房地產(chǎn)等本項(xiàng)目以西和西北側(cè)的 一片居民區(qū)和學(xué)校，還有XX職教園和北工大實(shí)驗(yàn)學(xué)院等 。主要環(huán)境保護(hù)目標(biāo)見表1-2 c表1-2主要環(huán)境保護(hù)目標(biāo)序號主要環(huán)境保護(hù)目標(biāo)距離（m方位（相對與本項(xiàng)目）開發(fā)區(qū)內(nèi)的地塊號1多倫多國際醫(yī)院1750北側(cè)最新精品文檔，知識共享!2亦莊衛(wèi)生院1875西北側(cè)3貴園北里五區(qū)200

17、0西北側(cè)4貴北一區(qū)1900西北側(cè)5貴園南里五區(qū)1850西北側(cè)6貴園南里一區(qū)1750西北側(cè)7貴南四區(qū)1725西北側(cè)8貴南一區(qū)1650西北側(cè)9富園南里三區(qū)1500西北側(cè)10亦鳴春曉1600西北側(cè)11新康家園1700北側(cè)112昕濤雅園1500北側(cè)13東晶國際公寓1525北側(cè)14大雄城市花園1650北側(cè)215一棟洋房1225北側(cè)1116鹿鳴苑1375北側(cè)1217長新別墅1350北側(cè)1218金地四季翠園950北側(cè)1819獅城白驪1000北側(cè)1720卡爾生活館750北側(cè)2421旭東房地產(chǎn)650北側(cè)2522大雄房地產(chǎn)800北側(cè)2623星島三四期2275西北側(cè)24青年公寓1500南側(cè)X1225北工大實(shí)驗(yàn)學(xué)院8

18、00西南側(cè)X426XX職教園1075東南側(cè)X527亦莊中學(xué)1725西北側(cè)28亦莊小學(xué)1930西北側(cè)29開發(fā)區(qū)實(shí)驗(yàn)學(xué)校1325西北側(cè)830社區(qū)體育中心1325西北側(cè)831雙語幼兒園1250西北側(cè)932同仁醫(yī)院1175東南側(cè)6233三海子公園1825西側(cè)1. 9評價(jià)因子的確定根據(jù)項(xiàng)目所在地區(qū)的環(huán)境特征和保護(hù)目標(biāo)敏感程度，并參照篩選結(jié)果，選定下列因 子作為評價(jià)因子：1.9.1大氣評價(jià)因子.環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀評價(jià)因子TSP、 PM10、SO2、 NO2、氟化物、HCl、CI2、NH、硫酸霧、非甲烷總姓和 惡臭共11項(xiàng)。.環(huán)境影響預(yù)測因子HF、HCl、硫酸霧、Cl2、NH3、非甲烷總始和 NOx共7項(xiàng)。最新精

19、品文檔，知識共享!1.9.2水評價(jià)因子.排水評價(jià)因子PH、CODcr、BOD5、SS、F、NH3-N、TOC 和 AOX 共 8 項(xiàng)。.地下水水質(zhì)現(xiàn)狀評價(jià)因子除常規(guī)外，主要為鴇、硼2項(xiàng)。1.9.3聲環(huán)境評價(jià)因子.環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀評價(jià)因子環(huán)境背景值（廠界噪聲（Leq）.環(huán)境影響預(yù)測因子廠界噪聲（Leq）固體廢物評價(jià)因子水處理污泥、生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的廢溶劑、廢酸、廢異丙醇等物質(zhì)以及生活垃圾等。土壤評價(jià)因子/（As）、硼（B）、氟（F）和鴇（W） 共4項(xiàng)。施工期環(huán)境影響分析因子施工揚(yáng)塵和噪聲總量控制因子.大氣污染物總量控制因子HF02,水污染物總量控制因子CODcr、NH-N。3,固體廢物總量控制因子各類

20、工業(yè)固體廢物和生活垃圾。1.10評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)大氣評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)新建生產(chǎn)線大氣排放標(biāo)準(zhǔn)（部分污染物）執(zhí)行 GB16297-1996大氣污染物綜合排 放標(biāo)準(zhǔn)中（表2）新污染源二級標(biāo)準(zhǔn)，氨執(zhí)行 GB14554-93惡臭污染物排放標(biāo)準(zhǔn)中 氨的限值，PH、H3PO4和SiH4等采用荷蘭排放導(dǎo)則中的標(biāo)準(zhǔn)，具體指標(biāo)見表 1-3。表1-3大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)污染物最高允許排放濃度（mg/m 3）最高允許排放速率(kg/h)20m30m40m50m60mHSO霧452.68.8152333最新精品文檔，知識共享!NO2401.34.47.51216氟化物90.170.591.01.52.2HCl100

21、0.431.42.63.85.4Cl 265-0.872.95.07.7非甲烷總嫌1201753100-氨1-8.72035-75HPO5.0 *20.05 *2SiH4*25.00.05 *2PH1.0 *20.01 *2*1取自GB14554-93中氨的限值*2荷蘭排放導(dǎo)則本項(xiàng)目建有天然氣鍋爐房和 VOC!用天然氣，其污染物排放標(biāo)準(zhǔn)，執(zhí)行 XX市地方標(biāo) 準(zhǔn)鍋爐污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)(DB11/139-2002)中燃?xì)忮仩t的規(guī)定，見表1-4。表1-4鍋爐大氣污染物排放限值污染物名稱最高允許排放濃度(mg/Nm 3)標(biāo)準(zhǔn)來源(DB11/139-2002)煙塵10全部區(qū)域、全部段SO220NOx20

22、0環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境空氣質(zhì)量執(zhí)行 GB3095-1996環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)(2000年修改本)中的二級 標(biāo)準(zhǔn)和TJ36-79工業(yè)企業(yè)設(shè)計(jì)衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)居住區(qū)大氣中有害物質(zhì)的最高允許濃度，大 氣環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)限值見表1-5。表1-5 各項(xiàng)污染物的濃度限值單位：mg/m3污染物取值時(shí)間濃度限值(二級)標(biāo)準(zhǔn)來源SO2年平均0.06環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)(GB3095-1996)日平均0.151小時(shí)平均0.50TSP年平均0.20日平均0.30NO2年平均0.08日平均0.121小時(shí)平均0.24PM10年平均0.10日平均0.15氟化物(F-)日平均7(科 g/Nm3)1小時(shí)平均20(科 g/Nm3)NH3最 高

23、允 許一次0.20工業(yè)企業(yè)設(shè)計(jì)衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)HCl一次0.05(TJ36-79)日平均0.015硫酸霧一次0.30居住區(qū)大F中后害物質(zhì)的取茴允許濃度日平均0.10最新精品文檔，知識共享!Cl2濃 度一次0.10日平均0.03總煌*日平均2.0以色列國家標(biāo)準(zhǔn)1小時(shí)平均5.0*作為非甲烷總姓標(biāo)準(zhǔn)的參考值惡臭廠界標(biāo)準(zhǔn)值執(zhí)行國家 GB1454-93中氨的標(biāo)準(zhǔn)，見表1-6表1-6 惡臭污染物廠界標(biāo)準(zhǔn)值控制項(xiàng)目單位廠界二級惡臭濃度無量綱20水評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)廢水排放標(biāo)準(zhǔn)本項(xiàng)目污水按規(guī)劃排入開發(fā)區(qū)污水處理廠，最終匯入涼水河。目前，開發(fā)區(qū)污水處 理廠已建成，排水水質(zhì)按照XX市水污染物排放標(biāo)準(zhǔn)（試行）中“排入城市下水道的 水

24、污染物排放標(biāo)準(zhǔn)”中的 B標(biāo)準(zhǔn)和污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)（GB8978-1996）中的三級標(biāo) 準(zhǔn)中的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)限值執(zhí)行。本項(xiàng)目污染物最高允許排放濃度見表1-7 o表1-7 本項(xiàng)目水污染物最高允許排放濃度（單位：mg/L,除PH外）項(xiàng)目CODcrPH一FSSBODAOXTOC氨氮最高允許排放濃度5006-9104003008.0-采用標(biāo)準(zhǔn)名稱XX市水污染物排放標(biāo)準(zhǔn) 排入市政下水道標(biāo)準(zhǔn)中的 B 標(biāo)準(zhǔn)污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)中的三級標(biāo)準(zhǔn)地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)涼水河水質(zhì)評價(jià)采用 GB3838-2002地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)中的V類標(biāo)準(zhǔn)，見表1-8表1-8地表水V類標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目NH3-NCODBOD高鎰酸鹽 指數(shù)石機(jī)溶解氧陰離子 表面

25、活性劑標(biāo)準(zhǔn)值2.04010151.020.3固體廢物標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行中華人民共和國固體廢物污染環(huán)境防治法、關(guān)于危險(xiǎn)廢物轉(zhuǎn)移聯(lián)單管理辦法、 危險(xiǎn)廢物貯存污染控制標(biāo)準(zhǔn)以及XX市環(huán)境保護(hù)局”關(guān)于執(zhí)行危險(xiǎn)廢物轉(zhuǎn)移聯(lián)單管 理辦法的通知”中的有關(guān)規(guī)定。噪聲標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)XX市噪聲功能區(qū)的劃分，該地區(qū)屬于噪聲環(huán)境功能區(qū)的 3類區(qū)。因此，擬建最新精品文檔，知識共享！地周圍的環(huán)境噪聲執(zhí)行國家城市區(qū)域噪聲標(biāo)準(zhǔn) (GB3096-93)中3類標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)限值 見表1-9,廠界噪聲執(zhí)行工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標(biāo)準(zhǔn) (GB1234890)中“III類”地區(qū)的 規(guī)定，見表1-10。表1-9 城市區(qū)域環(huán)境噪聲標(biāo)準(zhǔn)單位：dB(A)適用標(biāo)準(zhǔn)晝間夜間適用

26、范圍城市區(qū)域環(huán)境噪聲標(biāo)準(zhǔn)3類6555工業(yè)區(qū)表1-10工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標(biāo)準(zhǔn)等效聲級：dB(A)類別晝夜III6555施工期噪聲施工期噪聲應(yīng)執(zhí)行建筑施工場界噪聲限值標(biāo)準(zhǔn)(GB12523-90)的有關(guān)規(guī)定，具體數(shù)值詳見表表1-11。 表1-11施工期噪聲執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)施工階段主要噪聲源噪聲限值dB(A)晝間夜間土石方推土機(jī)、挖掘機(jī)、裝載機(jī)等7555打樁各種打樁機(jī)等85禁止施工結(jié)構(gòu)混凝土攪拌機(jī)、振搗棒、電鋸等7055裝修吊車、升降機(jī)等6555土壤環(huán)境本項(xiàng)目所在區(qū)域的神(As)采用土壤環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)(GB15618-1995中的二級 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評價(jià)，其標(biāo)準(zhǔn)值見表1-12。表1-12土壤環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)值mg/Kg指標(biāo)

27、PH7.5神(旱地)w403025綠化標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行XX市城市綠化管理?xiàng)l例中的有關(guān)規(guī)定，即“新建住宅區(qū)和其它成片建設(shè)地 區(qū)的綠化，要與建設(shè)工程同時(shí)規(guī)劃，同時(shí)設(shè)計(jì)，在郊區(qū)其綠化面積不得少于百分之 三十”的規(guī)定?！弊钚戮肺臋n，知識共享!2工程概況項(xiàng)目投資方情況項(xiàng)目投資方及法定代表人投資方名稱：XXXX成電路制造有限公司（以下簡稱 XXXX Semiconductor Manufacturing International Corporation（以下簡稱SMIQ公司注冊地址：PO Box 309, Grand Cyman 法定代表人：Richard R.Chang （張汝京）經(jīng)營范圍包括各類半導(dǎo)體（硅

28、片及各類化合物半導(dǎo)體）集成電路芯片制造、針測及測試，與 集成電路有關(guān)的開發(fā)服務(wù)、技術(shù)服務(wù)、光掩摸制造、測試封裝，銷售自產(chǎn)產(chǎn)品。擬建項(xiàng)目基本情況項(xiàng)目性質(zhì)、投資及建設(shè)地點(diǎn)項(xiàng)目名稱：XXXX集成電路制造（XX）有限公司超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)I項(xiàng)目注冊地址：XX市XX經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道18號建設(shè)性質(zhì)：新建項(xiàng)目企業(yè)性質(zhì)：外企獨(dú)資建設(shè)地點(diǎn)：XX經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道18號，XX經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)41和47地塊 上，擬建項(xiàng)目在開發(fā)區(qū)位置見圖 2-1,開發(fā)區(qū)地理位置見圖2-2。項(xiàng)目總規(guī)劃用地：240030m；其中一期工程占地136753 m2項(xiàng)目一期建設(shè)面積：180422.43 m2項(xiàng)目一期投資：12.

29、5億美元項(xiàng)目實(shí)施方案和進(jìn)度實(shí)施方案總項(xiàng)目分兩期規(guī)劃建設(shè)4個(gè)Fab （生產(chǎn)廠房），環(huán)評按一期2個(gè)Fab進(jìn)行評價(jià)。 項(xiàng)目進(jìn)度本項(xiàng)目實(shí)施計(jì)劃見表2-1。表2-1項(xiàng)目實(shí)施計(jì)劃最新精品文檔，知識共享!時(shí)間進(jìn)度要點(diǎn)2003年06月立項(xiàng)審批2003年08月可行性報(bào)告批準(zhǔn)、編寫環(huán)境影響評價(jià)報(bào)告書2004年02月土建（結(jié)構(gòu)）完成2004年03月動(dòng)力設(shè)備、凈化安裝完成2004年04月工藝設(shè)備安裝完成2004年06月Fab4月產(chǎn)2000片2005年01月Fab4月產(chǎn)16000片2005年07月Fab4月產(chǎn)28000片2004年11月Fab5 土建完成2005年03月Fab5凈化間安裝完成2005年05月Fab5工藝

30、設(shè)備安裝完成2005年06月Fab5月產(chǎn)2000片2005年08月Fab5月產(chǎn)3000片人員編制及生產(chǎn)制度人員編制本項(xiàng)目員工預(yù)計(jì)2500人，其中生產(chǎn)及輔助人員1700人，技術(shù)人員800人。生產(chǎn)班次采用4班2運(yùn)轉(zhuǎn)，每天2班，每班12小時(shí)，2天上班2天休息的工作制度，每年 除7天動(dòng)力檢修外連續(xù)工作。投資估算和資金籌備公司總投資為12.5億美元，所需的資金由投資方以注冊資本投入6億美元，5000萬美元由投資方自籌，6億美元由投資方通過境內(nèi)外銀行代款解決?？偼顿Y中建設(shè)投資113967.00萬美元，流動(dòng)資金11033.00萬美元。環(huán)保投資約為1億美元，約占項(xiàng)目總投資的8%。建設(shè)規(guī)模和產(chǎn)品方案項(xiàng)目一期生產(chǎn)

31、規(guī)模和產(chǎn)品：.建設(shè)8 0.350.18 pm IC Foundry 生產(chǎn)線，月投片30000片，實(shí)現(xiàn)芯片制造 的規(guī)模化生產(chǎn)；.建設(shè)12先導(dǎo)線，0.130.09 月投片3000片。2.4項(xiàng)目組成和主要設(shè)備項(xiàng)目組成本項(xiàng)目由生產(chǎn)設(shè)施、動(dòng)力設(shè)施、化學(xué)品設(shè)施、氣體設(shè)施、環(huán)保設(shè)施、安全衛(wèi)生設(shè)施、 消防設(shè)施、管理服務(wù)設(shè)施以及相應(yīng)的建筑物組成。芯片項(xiàng)目組成見表2-2o表2-2芯片項(xiàng)目組成表序號設(shè)施名稱內(nèi)容最新精品文檔，知識共享!1生產(chǎn)設(shè)施生產(chǎn)廠房（FAB4 FAB5）、支持廠房（FAB6C包括：集成電路芯片生產(chǎn)設(shè)施、集成電路測試設(shè)施、實(shí)驗(yàn)設(shè)施、各種庫房、生產(chǎn) 管理設(shè)施。2動(dòng)力設(shè)施動(dòng)力廠房（CUB2,包括：水泵

32、房、純水站、空壓站、冷凍站、鍋爐房、真 空站、凈化、通風(fēng)和排風(fēng)系統(tǒng)、消防等；變電站（PS2）、柴油發(fā)電機(jī)房（備用）、大宗氣體供應(yīng)站（空分裝置）。3輔助設(shè)施化學(xué)品庫（CW2、硅烷站（SiH4）、天然氣調(diào)壓站（NG、特殊氣體供應(yīng)系統(tǒng)、 大宗氣體供應(yīng)系統(tǒng)，空分主裝置（PL-2E）,包括：主空氣壓縮機(jī)，氮?dú)鈮嚎s機(jī)。工廠空氣裝置（CDA,包括：空氣壓縮機(jī)。4環(huán)保設(shè)施工業(yè)廢水處理系統(tǒng)、生活污水處理系統(tǒng)、廢氣處理系統(tǒng)、廢液、廢渣收集 系統(tǒng)、綠化、雨水回收處理系統(tǒng)。5服務(wù)設(shè)施辦公樓（OS2,包括：辦公、會(huì)議、餐廳等用房；停車場6廠外設(shè)施排水管線、蒸汽管線、天然氣管線、工藝物料外管線、高壓輸電線注：本項(xiàng)目新鮮水

33、、電、蒸汽、天然氣的供給及生產(chǎn)、生活污水末端處理依托開發(fā)區(qū)2.4.2生產(chǎn)線設(shè)備生產(chǎn)線設(shè)備主要包括：大圓片生產(chǎn)設(shè)備探針測試（p/w）設(shè)備組裝、可靠性測試及成品測試設(shè)備計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（CAD設(shè)備工藝設(shè)備主要包括氧化擴(kuò)散爐、低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）、常態(tài)化學(xué)氣相沉積（APCVD）、 高壓氣相沉積PECVD、步進(jìn)光刻機(jī)、涂膠顯影系統(tǒng)、刻蝕系統(tǒng)、濕法腐蝕清洗系統(tǒng)、 離子注入機(jī)、金屬化濺射系統(tǒng)、電子束光刻系統(tǒng)等。本項(xiàng)目主要設(shè)備的數(shù)量和供貨方見表 2-3和表2-4。表2-3 8 英寸生產(chǎn)線引進(jìn)設(shè)備清單序號設(shè)備名稱廠家數(shù)量1Dishing & Errosion 檢測設(shè)備KLA-Tencor/USA12D

34、ielectric thickness measurement 介質(zhì)厚度測量THERMAWA VE (USA)/Rudolph (USA)33Metal Thickness Measurement 金屬厚度測量Rudolph (USA)/Nanometrics (USA)14High Resolution Profiler圖清晰度菲模機(jī)KLA-TENCOR (UAS)15Overlay measurement覆蓋度量測機(jī)ACCENT (USA)/KLA-Tencor (USA)96StarLight Mask Inspection System星光罩檢查系統(tǒng)KLA-TENCOR (USA)17

35、Field Patterened Wafers 面圖案晶圓KLA-TENCOR (USA)38Defect Review缺陷復(fù)查器KLA-TENCOR (USA)/AMAT (USA)19Review Station 檢查站Leica (GER)/SONY (JAP)410Sheet Resistance薄膜電阻檢查機(jī)KLA-TENCOR (USA)/KE (USA)311Stress Gauge壓力標(biāo)準(zhǔn)檢查器KLA-TENCOR (USA)/KE (USA)2最新精品文檔，知識共享!序號設(shè)備名稱廠家數(shù)量12TXRF X射線光譜分析設(shè)備Philips Technos (HOLLAND)213I

36、n-line WAT Tester 測試機(jī)Keithley (USA)/Agilent (USA)314In-line WAT Prober 探查機(jī)TEL (JAP)/TSK (JAP)315Defect Inspection 缺陷檢查機(jī)AMA T (USA)/KLA-Tencor (USA)716Auto Macro Defect Inspection自動(dòng)宏觀缺陷檢查機(jī)Nikon (JAP)/Nidek (JAP)317Dose Measurement劑量檢測機(jī)THERMAWA VE (USA)118Optistation-(AEI、ADI)光學(xué)臺(tái)Nikon (JAP)/Nidek (JAP

37、)719Profiler靠模工具機(jī)KLA-TENCOR (USA)220Particle Counter微粒計(jì)數(shù)器KLA-TENCOR (USA)/AMAT (USA)821FTIR傅立葉變換紅外光譜儀ACCENT (USA)122Backside Thickness Measurement晶背厚度檢測器Philips Technos (HOLLAND) /KLA-TENCOR (USA)123Reticle Charger /Macro Check Station 宏觀檢測器HOGAN-SMIC (CN)124Microscope/Wafer Loader 顯微鏡Nikon (JAP)/Ni

38、dek (JAP)825Surface Charge Analyzer 表面電荷分析KLA-TENCOR (USA)/SDI (USA)126Ammonia Detector 氨檢測儀MOLECULAR (USA)/Yokogawa (JAP)127SEM掃描電鏡HITACHI (JAP)/KLA-TENCOR (USA)2228Film Thickness膜厚測量儀THERMAWA VE (USA)/AMA T (USA)629WAT IV Tester 測試儀Keithley (USA)/Agilent (USA)130XRF X射線熒光光譜儀RIGAKU (JAP)131Backside

39、 grinder 倒角機(jī)DISCO (JAP)132Cu CMP銅化學(xué)機(jī)械拋光AMA T (USA)/LAM (USA)633Ash去灰設(shè)備Mattson (USA)/Axcelis (USA)134Al Etch鋁刻蝕設(shè)備Lam (USA)/AMA T (USA)135Oxide Etcher氧化物刻蝕TEL (JAP)/SCCM (USA)1036Alloy furnace合金爐管設(shè)備TEL (JAP)/KE (JAP)137Polyimide cure聚酰亞胺復(fù)原設(shè)備TEL (JAP)/KE (JAP)438BARC coater BARC 覆膜設(shè)備TEL (JAP)/KE (JAP)1

40、39Polyimide coat-4C聚酰亞胺4C覆膜設(shè)備FSI (USA)/TEL (JAP)140Polyimide develop聚酰亞胺顯影設(shè)備FSI (USA)/TEL (JAP)141CMP（ Poly、STI、W、Oxide）化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備AMA T (USA)/LAM (USA)2142barrier & seed 光柵和種源AMA T (USA)/Novellus (USA)543ECD Cu銅制程電導(dǎo)檢測器；AMA T (USA)/Novellus (USA)344FSG dep第一石墨化階段設(shè)備AMA T (USA)/Novellus (USA)245SiN and S

41、iON 氮化硅和氮氧化硅生成設(shè)備AMA T (USA)/Novellus (USA)346Wafer Scrubber 擦片機(jī)TEL (JAP)/DNS (JAP)1847BPTEOS硼磷有機(jī)硅涂層設(shè)備AMAT (USA)/Novellus (USA)448IMD_HDP/FSG 中電流_高密度電漿生成器AMA T (USA)/Novellus (USA)949Nitride PASS Dep 氮化物測試設(shè)備AMA T (USA)/Novellus (USA)250INORGANIC ARC & PEOxide_IMD 無機(jī)電弧&高密度電漿氧化機(jī)AMA T (USA)/Novellus (US

42、A)7最新精品文檔，知識共享!序號設(shè)備名稱廠家數(shù)量51HDP_STI高密度電漿量測儀AMA T (USA)/Novellus (USA)352PETEOS Cap_ILD高密度電漿有機(jī)硅覆蓋設(shè)備AMA T (USA)/Novellus (USA)553W CVD鴇化學(xué)氣相淀積AMA T (USA)/Novellus (USA)554WSix CVD 鴇聚硅化學(xué)氣相淀積AMA T (USA)/TEL (JAP)155wet clean清洗設(shè)備Semitool (USA)/Mattson (USA)356Detape去膜封設(shè)備TAKA TORI (JAP)157Resist Strip-(Gene

43、ric、Co、Metal)光刻膠、金屬去除AXCELIS (USA)/Mattson (USA)1858Backside Etch晶背蝕刻設(shè)備SEZ (Austria)/TEL (JAP)159Oxide Etch-氧化物刻蝕TEL (JAP)/LAM (USA)1660Metal/W Etchback Etch 金屬/鴇晶背蝕刻設(shè)備Lam (USA)/AMA T (USA)861Nitride Etch-Spacer(Nitride 、Oxide)氮化物蝕刻設(shè)備Lam (USA)/AMA T (USA)562Poly Etch-Poly(1)(2)聚硅蝕刻設(shè)備Lam (USA)/AMA T

44、(USA)563Trench Etch深槽刻蝕TEL (JAP)/LAM (USA)464UV Curing-MET 深紫外固膠機(jī)AXCELIS (USA)/AMA T (USA)165Hot Plate前烘設(shè)備TEL (JAP)/FSI (USA)266n-Line( DUV、I-Line) Track 深紫外光清洗設(shè)備TEL (JAP)/FSI (USA)2567High Energy IMP 圖能離子注入設(shè)備AXCELIS (USA)/AMA T (USA)268High Current IMP 圖速流離子注入設(shè)備AXCELIS (USA)/AMA T (USA)1069Medium C

45、urrent IMP 中速流離子注入設(shè)備AXCELIS (USA)/AMA T (USA)770BARC/PR Coater正光阻涂布機(jī)TEL (JAP)/FSI (USA)271In-Line I-Line Stepper曝光對準(zhǔn)機(jī)AMA T (USA)/CANON (JAP)472Polyimide Coater聚胺正光阻涂布機(jī)TEL (JAP)/FSI (USA)173Polyimide Developer/PR Reworker聚胺正光阻顯影TEL (JAP)/FSI (USA)174Polyimide Reworker Dryer before cure 聚胺重工烘干設(shè)備SEMITO

46、OL (USA)/SES (JAP)175In-Line DUV Scanner深紫外光刻機(jī)ASML (Holland)/CANON (JAP)1076I-Line Scanner I 線光刻機(jī)ASML (Holland)/ CANON(JAP)1277Sputter濺射設(shè)備AMA T (USA)/Novellus (USA)878CVD TiN氮化鈦化學(xué)氣相沉積AMA T (USA)/Novellus (USA)679RTA快速熱退火AMA T (USA)/AXCELIS (USA)980Tape封膜機(jī)TAKA TORI (JAP)181VF LP Alloy 低壓合金垂直爐管TEL (JA

47、P)/KE (JAP)282VF Poly Oxide/Anneal(Post Metal)聚合氧化膜垂直爐管TEL (JAP)/KE (JAP)483VF BPSG Flow 硼磷有機(jī)硅垂直爐管TEL (JAP)/KE (JAP)284VF LPCVD Poly-Doped 聚硅低壓化學(xué)氣相沉積垂直爐管TEL (JAP)/KE (JAP)785VF Oxide氧化物淀積垂直爐管TEL (JAP)/KE (JAP)2186VF LPCVD低壓化學(xué)氣相沉積垂直爐管TEL (JAP)/KE (JAP)2087VAPOR HF氣相氫氟酸清洗設(shè)備FSI (USA)1最新精品文檔，知識共享!序號設(shè)備名稱

48、廠家數(shù)量88WAT Prober晶圓最終測試探針TEL (JAP)/KFI (USA)589WAT Tester晶圓最終測試儀Agilent (USA)/Keithley (USA)590W.S. CoSi CR Strip 鉆硅顯影設(shè)備SCP (USA)/Mattson (USA)191W.S. Clean清洗設(shè)備SCP (USA)/Mattson (USA)1292W.S. Oxide Etch氧化層蝕刻設(shè)備SCP (USA)/Mattson (USA)193W.S. P.M.D.晶圓清洗設(shè)備SCP (USA)/Mattson (USA)194W.S. PR strip正光阻清洗設(shè)備SCP

49、 (USA)/Mattson (USA)795W.S. Nitride strip氮化硅蝕刻設(shè)備SCP (USA)/Mattson (USA)196W.S. WAT WS晶圓最終測試儀SCP (USA)/Mattson (USA)197Horizontal Tube Clean 水平爐管清洗LUMAX (USA)198Quartz Parts Stocker石英部件暫存處SJTC (USA)/Boscien (USA)199Cleaner (Etch)清洗設(shè)備(蝕刻)SJTC (USA)/Boscien (USA)3100N2 parts stocker box (Etch)氮?dú)獠考捍婧?蝕

50、刻)SJTC (USA)/Boscien (USA)4101Bake Oven晶圓烤爐SJTC (USA)/Boscien (USA)17102Ultrasonic+Brush (Etch)超聲波刷洗設(shè)備SJTC (USA)/Boscien (USA)1103Ultrasonic cleaner (Etch)超聲波清洗設(shè)備SJTC (USA)/Boscien (USA)1104Aceton Cleaner (Photo-Track Cup)丙酮清洗設(shè)備SJTC (USA)/Boscien (USA)1105Reticle ALU 光罩標(biāo)準(zhǔn)操作面板ASYST (USA)/Brooks (USA)

51、1106Ammonia Detector for Litho曝光區(qū)環(huán)境微氨偵測器MOLECULAR (USA)/Yokogawa (JAP)1107Reticle Stocker光罩貯存器ASYST (USA)/DAIFUKU (JAP)2108Pod Cleaner晶片貯盒清洗設(shè)備Semitool (USA)/Boscien (USA)1109Ultrasonic cleaner (TF)超聲波清洗設(shè)備SJTC (USA)/Boscien (USA)1110HF Cleaner (TF)氫氟酸清洗設(shè)備SJTC (USA)/Boscien (USA)2111N2 parts stocker b

52、ox (TF) 氮?dú)獠考捍婧蠸JTC (USA)/Boscien (USA)2112Sink晶圓專用化學(xué)槽Polyconcepts (USA)1113POD/Cassette Clean晶片貯盒清洗設(shè)備SEMITOOL (USA)/SES (JAP)1114WS Reclaim WS 回收設(shè)備SES (USA)/Mattson (USA)4115POD/Cassette Inspection晶片貯盒微粒檢查設(shè)備METRON (USA)/ KLA-TENCOR (USA)1116Aceton Cleaner內(nèi)酮?dú)庀嗲逑丛O(shè)備SJTC (USA)/Boscien (USA)2117Acid sin

53、k/H2O2 & DI (TF) 酸槽SJTC (USA)/Boscien (USA)1118ACT140 Cleaner (Etch) ACT140 清洗設(shè)備SJTC (USA)/Boscien (USA)1119ALU標(biāo)準(zhǔn)操作面板ASYST (USA)/Brooks (USA)4120Cup Stocker光阻承接器Boscien (USA)/SJTC (USA)1121(DIW、HF、Ultrasonic) Cleaner (Photo 、TF、Etch)清洗槽Boscien (USA)/SJTC (USA)8122Horizontal Tube Clean 水平爐管清洗LUMAX (U

54、SA)2123N2 box (Etch、Imp、TF)充氮貯存盒Boscien (USA)/SJTC (USA)18124Parts Clean working station (Imp)部件清洗站Boscien (USA)/SJTC (USA)2125Quartz Parts Stocker石英部件貯存器Boscien (USA)/SJTC (USA)5126Reticle ALU光罩標(biāo)準(zhǔn)操作面板ASYST (USA)/Brooks (USA)1最新精品文檔，知識共享!序號設(shè)備名稱廠家數(shù)量127Single Ultrasonic (Diff)單超聲清洗設(shè)備Boscien (USA)/SJTC

55、 (USA)1128Ultrasonic+Brush (Etch)超聲波刷洗設(shè)備Boscien (USA)/SJTC (USA)1129Vertical Tube Clean垂直爐管清洗設(shè)備LUMAX (JAP)2130Wafer Sort硅片排序機(jī)ASYST (USA)/RECIF (USA)27131Wafer Marker硅片打標(biāo)機(jī)NEC (JAP)/Intergen (USA)1132Wafer RS&Thk/Flat 硅片平坦儀ADE (USA)1133Wafer transfer硅片傳輸設(shè)備EVER TEAM (USA)/ 九佳科技(CN)4小計(jì)605表2-4 12英寸生產(chǎn)線引進(jìn)設(shè)

56、備清單序號設(shè)備名稱）商數(shù)量1Alph_step臺(tái)階儀KLA-TENCOR (USA) or al.12Ammonia Detector 氨檢測儀MOLECULAR (USA) or al.13Backside Poly Etch 背卸刻蝕SEZ (EUROPE)14CMP Oxide or Metal or Cu化學(xué)機(jī)械研J若氧化層/金屬/銅AMAT (USA)/EBARA (JAPAN) / LAM (USA)35Coater/Developer/BARC Track 黃光設(shè)備TEL (JAPAN)/DNS (JAPAN)36Cu electrofill銅鍍膜設(shè)備NOVELLUS (USA)

57、/AMAT (USA)27Cu seeding銅送料系統(tǒng)NOVELLUS (USA)/AMAT (USA)28CVD TiN氮化鈦化學(xué)氣相淀積AMA T (USA)/TEL (JAPAN)29Defect Inspection 缺陷檢測儀KLA-TENCOR (USA)/AMAT (USA)110Dose Measurement 計(jì)量儀THERMAWA VE (USA)/ KLA TENCOR (USA)111DUV Scanner深紫外光刻機(jī)ASML (EUROPE)/CANON (JAPAN) /NIKON (JAPAN)312膜厚測量儀THERMAWA VE (USA)/KLA-TENC

58、OR (USA)/ROUDOLPH (USA)/NANOMETRICS (USA)313FTIR傅立葉變換紅外分光計(jì)Accent (USA) or al.114HDP Oxide高密度等離子體氧化物淀積AMAT (USA)/NOVELLUS (USA)215High Current IMP 圖束流離子注入設(shè)備VARIAN (USA)/AXCELIS (USA) /AMAT (USA)216Hot Plate-MET前烘設(shè)備TEL (JAPAN)217I-Line Sacnner I 線光刻機(jī)ASML (EUROPE)/CANON (JAPAN) /NIKON (JAPAN)318INORGAN

59、IC ARC 無機(jī)物消反射涂層AMAT (USA)/NOVELLUS (USA)219Macro Defect Inspection 宏缺陷檢測OLYMPUS (JAPAN)/LEICA (EUROPE) /NIKON (JAPAN)220Mask Inspection 掩膜檢測KLA-TENCOR (USA)121Medium Current IMP中束流離子注入設(shè)備VARIAN (USA)/AXCELIS (USA) /AMAT (USA)222MeV IMP兆伏離子注入機(jī)VARIAN (USA)/AXCELIS (USA) /AMAT (USA)123Metal Etch金屬刻蝕機(jī)AMA

60、 T (USA)/LAM (USA)324Metal Sputter金屬濺射臺(tái)AMAT (USA)/ULV AC (JAPAN)2最新精品文檔，知識共享!序號設(shè)備名稱）商數(shù)量25Microscope 顯微鏡NIKON (JAPAN)/LEICA (EUROPE)326Nitride Dep氮化物淀積AMAT (USA)/NOVELLUS (USA)227Nitride Etch氮化物刻蝕AMAT (USA)/TEL (JAPAN)/LAM (USA)228Optistation光學(xué)工作臺(tái)KLA-TENCOR (USA)/NIKON (JAPAN)/LEICA (EUROPE)229Overla