雙向可控硅10個(gè)原則

1、ApplicationNote閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則ANI0I2IPhilipsSemiconductorsPHILIPSPhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 ApplicationNoteAN10121ApplicationNote閘流管和雙向可控硅成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則ANI0I2AuthorNickHamNumberofpages:12Date:2002JanII2002KoiwikUjkePluHpsElectronicsN.V.Alllightsarereserved.Reproductioninwholeoiiii

2、partisproliibitedwithouttliepriorwrittenconsentoftliecopyrightowner.Tlieinformationpresentedintliisdocumentdoesnotformpaitofanyquotationorcontract,isbelievedtobeaccurateandreliableandmaybechangedwithoutnotice.Noliabilitywillbeacceptedbythepublisherforanyrconsequenceofitsuse.Publicationtliereofdoesno

3、tconveynoiimplyanylicenseundeupatent-orotlierindustrialorintellectualpiropertyrights.PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 ApplicationNoteAN10121PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 #PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 正向電庇雪崩慣穿這篇技術(shù)文獻(xiàn)的目標(biāo)是提供有趣的、描述性的.實(shí)際的介紹，幫助讀者在功率控制方而成功應(yīng)用閘流管和雙向可控硅，提出指

4、導(dǎo)工作的I條黃金規(guī)則。閘流管閘流管是一種可控制的整流管，由門極向陰極送出微小信號電流即可觸發(fā)單向電流rI陽極流向陰極圖1.Thyristor（閘流管）正問電流反向電圧反向特性線截止反向電流圖2閘流管V/I特性曲線導(dǎo)通讓門極相對陰極成止極性，使產(chǎn)生門極電流，閘流管立即導(dǎo)通。當(dāng)門極電壓達(dá)到閥值電壓vGT,并導(dǎo)致門極電流達(dá)到閥值Igt，經(jīng)過很短時(shí)間如（稱作門極控制導(dǎo)通時(shí)間）負(fù)載電流從正極流向陰極。假如門極電流由很窄的脈沖構(gòu)成，比方說lus,它的峰值應(yīng)增大，以保證觸發(fā)。當(dāng)負(fù)載電流達(dá)到閘流管的閂鎖電流值II時(shí)，即使斷開門極電流，負(fù)載電流將維持不變。只要有足夠的電流繼續(xù)流動(dòng)，閘流管將繼續(xù)在沒有門極電流的條

5、件下導(dǎo)通。這種狀態(tài)稱作閂鎖狀態(tài)。注意，Vgt，Igt和k參數(shù)的值都是25C下的數(shù)據(jù)。在低溫下這些值將增大，所以驅(qū)動(dòng)電路必須提供足夠的電壓、電流振幅和持續(xù)時(shí)間，按可能遇到的.最低的運(yùn)行溫度考慮。規(guī)則1為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），必須有門極電流MIgt，直至負(fù)載電流達(dá)到MIl。這條件必須滿足，并按可能遇到的最低溫度考慮a靈緻的門極控制閘流省;，如BT150,容易在髙溫下因陽極至陰極的漏電而導(dǎo)通。假如結(jié)溫h高于Tg,將達(dá)到一種狀態(tài)，此時(shí)漏電流足以觸發(fā)靈敏的閘流管門極。閘流管將喪失維持截止?fàn)顟B(tài)的能力，沒有門極電流觸發(fā)已處于導(dǎo)通。要避免這種口發(fā)導(dǎo)通，可采用下列解決辦法中的一種或兒種：確保溫度不超過采

6、用門極靈敏度較低的閘流管，如BT151,或在門極和陰極間串入lkQ或阻值更小的電阻，降低已有閘流管的靈敏度。若由于電路要求，不能選用低靈敏度的閘流管，可在截止周期采用較小的門極反向偏流。這措施能增大Ilo應(yīng)用負(fù)門極電流時(shí)，特別要注意降低門極的功率耗散。截止（換向）要斷開閘流管的電流，需把負(fù)載電流降到維持電流L之下，并歷經(jīng)必要時(shí)間，讓所有的載流子撤出結(jié)。在直流電路中可用“強(qiáng)迫換向”,而在交流電路中則在導(dǎo)通半周終點(diǎn)實(shí)現(xiàn)。（負(fù)載電路使負(fù)載電流降到零，導(dǎo)致閘流管斷開，稱作強(qiáng)迫換向。）然后，閘流管將回復(fù)至完全截止的狀態(tài)。假如負(fù)載電流不能維持在Ih之下足夠長的時(shí)間，在陽極和陰極之間電壓再度上升之前，閘流管

7、不能回復(fù)至完全截止的狀態(tài)。它可能在沒有外部門極電流作用的情況下，回到導(dǎo)通狀態(tài)。注意，Ih亦在室溫下定義，和II一樣，溫度高時(shí)其值減小。所以，為保證成功的切換，電路應(yīng)充許有足夠時(shí)間，讓負(fù)載電流降到Ih之下，并考慮可能遇到的最高運(yùn)行溫度。規(guī)則2要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅），負(fù)載電流必須5,并維持足夠長的時(shí)間,使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài)。任可能的最髙運(yùn)行溫度下必須滿足上述條件。雙向可控硅雙向可控硅可看作為“雙向閘流管”，因?yàn)樗茈p向?qū)?。對?biāo)準(zhǔn)的雙向可控硅，電流能沿任一方向在主端子MT1和MT2間流動(dòng)，用MT1和門極端子間的微小信號電流觸發(fā)。PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控

8、硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 ApplicationNoteAN10121PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 #PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 #MT2MT19圖3Triac（雙向可控硅）導(dǎo)通和閘流管不同，雙向可控硅可以用門極和HT1間的止向或負(fù)向電流觸發(fā)。（VGT,IGT和II的選擇原則和閘流管相同，見規(guī)則1）I大I而能在四個(gè)“彖限”觸發(fā)，如圖4所示。VMT24MT2*Ml2*nIGJMT,1-1*MT13MT23+MT2-XI一oJQ.MT1MT1圖4.雙向可控硅觸發(fā)象限OUAOHAVT2

9、,導(dǎo)通狀態(tài)OUADKANTT2+反向l-.正向電壓h/電壓1、1H*1阻斷狀態(tài)LnQUADHAKT反向OUADKANT31電流4圖5雙向可控硅WI特性曲線在負(fù)載電流過零時(shí)，門極用直流或單極脈沖觸發(fā)，優(yōu)先采用負(fù)的門極電流，理由如下。若運(yùn)行在3-象限，由于或向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，門極離主載流區(qū)域較遠(yuǎn)，導(dǎo)致下列后果：1.髙Igt-需要高峰值Ig。由Ig觸發(fā)到負(fù)載電流開始流動(dòng)，兩者之間遲后時(shí)間較長-要求Ig維持較長時(shí)間。低得多的dIT/dt承受能力一若控制負(fù)載具有高dl/dt值（例如白熾燈的冷燈絲），門極可能發(fā)生強(qiáng)烈退化.高II值（廣工況亦如此）一對于很小的負(fù)載，若在電源半周起始點(diǎn)導(dǎo)通，可能需要較長時(shí)間

10、的Ig，才能讓負(fù)載電流達(dá)到較髙的II。在標(biāo)準(zhǔn)的AC相位控制電路中，如燈具調(diào)光器和家用電器轉(zhuǎn)速控制，門極和MT2的極性始終不變。這表明，工況總是在和3象限，這里雙向可控硅的切換參數(shù)相同。這導(dǎo)致對稱的雙向可控硅切換，門極此時(shí)最靈敏。說明:以ir,3和3標(biāo)志四個(gè)觸發(fā)象限,完全是為了簡便,例如用取代“MT2G等等。這是從雙向可控硅的71特性圖導(dǎo)出的代號。止的MT2相應(yīng)止電流進(jìn)入MT2.相反也是（見圖5）o實(shí)際上，工況只能存在1和3象限中。上標(biāo)+和-分別表示門極輸入或輸出電流。規(guī)則3.設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí),只要有可能,就要避開3象限（WT2G+）,其它導(dǎo)通方式還有一些雙向可控硅的導(dǎo)通方式是我們不希望

11、發(fā)生的。其中有些不損傷設(shè)備，另一些則可能破壞設(shè)備。（a）電子噪聲引發(fā)門極信號在電子噪聲充斥的環(huán)境中，若干擾電壓超過Vgt，并有足夠的門極電流，就會(huì)發(fā)生假觸發(fā)，導(dǎo)致雙向可控硅切換。第一條防線是降低臨近空間的雜波。門極接線越短越好，并確保門極驅(qū)動(dòng)電路的共用返回線直接連接到MTI管腳（對閘流管是陰極）o若門極接線是硬線，可采用螺旋雙線，或干脆用屏蔽線，這些必要的措施都是為了降低雜波的吸收。為增加對電子噪聲的抵抗力，可在門極和MT1之間串入lkQ或更小的電阻，以此降低門極的靈敏度。假如已采用高頻旁路電容，建議在該電容和門極間加入電阻，以降低通過門極的電容電流的邯值，減少雙向可控硅門極區(qū)域?yàn)檫^電流燒毀的

12、可能。另一解決辦法，選用H系列的雙向可控硅（例如.BT139-600H）o這些是低靈敏度型號，規(guī)格10mAminIgt，專為增強(qiáng)抗干擾能力所設(shè)計(jì)。PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 ApplicationNoteAN10121PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 #PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 #規(guī)則4.為減少雜波吸收,門極連線長度降至最低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若用硬線,用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1間加電阻lkQ或更小。髙頻旁

13、路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法,選用H系列低靈敏度雙向可控硅。（b）超過最大切換電壓上升率dVcoM/dt驅(qū)動(dòng)高電抗性的負(fù)載時(shí)，負(fù)載電壓和電流的波形間通常發(fā)生實(shí)質(zhì)性的相位移動(dòng)。當(dāng)負(fù)載電流過零時(shí)雙向可控硅發(fā)生切換，由于相位差電壓并不為零（見圖6）這時(shí)雙向可控硅須立即阻斷該電壓。產(chǎn)生的切換電壓上升率若超過允許的dVcoM/dt.會(huì)迫使雙向可控硅回復(fù)導(dǎo)通狀態(tài)。因?yàn)檩d流子沒有充分的時(shí)間口結(jié)上撤出。髙dVcoEt承受能力受二個(gè)條件影響：dlcoM/dt為切換時(shí)負(fù)載電流下降率。dlcoM/dt高，則dVcoWdt承受能力下降。接面溫度Tj越高，dVcoSdt承受能力越下降。假如雙向可控硅的dVcow

14、/dt的允許值有可能被超過，為避免發(fā)生假觸發(fā)，可在MT1和MT2間裝置RC緩沖電路，以此限制電壓上升率。通常選用100Q的能承受浪涌電流的碳膜電阻，lOOnF的電容。另一種選擇，采用Hi-Com雙向可控硅注意，緩沖電路中無論如何不能省略電阻。沒有這限流電阻，電容向雙向可控硅釋放電荷時(shí)可能形成高的dIT/dt,在不利的切換條件下有破壞性。V時(shí)間圖6TriacdlCOM/dt和dVC0M/dt.（C）超出最大的切換電流變化率dlcoM/dt導(dǎo)致高dlcoM/dt值的因素是，高負(fù)載電流、髙電網(wǎng)頻率（假設(shè)止弦波電流）或者非止弦波負(fù)載電流。非止眩波負(fù)載電流和髙dlcoM/dt的常見原因是整流供電的電感性

15、負(fù)載。常常導(dǎo)致普通雙向可控硅切換失敗，一旦電源電壓降到負(fù)載反電勢之下，雙向可控硅電流向零跌落。該效應(yīng)見圖7。雙向可控硅處于零電流狀態(tài)時(shí)，負(fù)載電流繞著橋式整流器“空轉(zhuǎn)”這類負(fù)載產(chǎn)生的dlcoM/dt如此之高，使雙向可控硅甚至不能支持50Hz波形由零上升時(shí)不大的dV/dto這里增加緩沖電路并無好處，因?yàn)閐VCoM/dt不是問題所在。增加一個(gè)幾mH的電感，和負(fù)載串連，可以限制dlcoM/dto另一種解決辦法，釆用Hi-Com雙向可控硅。（cl）超出最大的斷開電壓變化率dVD/dt若截止的雙向可控硅上（或門極靈敏的閘流管）作用很髙的電壓變化率，盡管不超過V和（見圖8）,電容性內(nèi)部電流能產(chǎn)生足夠大的門極

16、電流，并觸發(fā)器件導(dǎo)通。門極靈敏度隨溫度而升髙。假如發(fā)生這樣的問題，HT1和MT2間（或陽極和陰極間）應(yīng)該加上RC緩沖電路，以限制dVD/dto若用的是雙向可控硅，采用Hi-Com型雙向可控硅更為有利。圖8.借號超出dv0/dt.導(dǎo)通取向可控硅PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 ApplicationNoteAN10121PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 #PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 #規(guī)則5若dVJdt或dVco/dt可能引起問題,在M

17、T1和MT2間加入RC緩沖電路。若髙dlcWdt可能引起問題,加入一兒mH的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法,采用HiSX乂向可控硅。（e）超出截止?fàn)顟B(tài)下反復(fù)電壓峰值Vdrm遇到嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程，NIT2電壓可能超過Vdrm，此時(shí)MT2和MT1間的漏電將達(dá)到一定程度，并使雙向可控硅口發(fā)導(dǎo)通（見圖9）o圖9.信號超岀Vdrm.導(dǎo)通雙向可控硅若負(fù)載允許髙涌入電流通過，在硅片導(dǎo)通的小而積上可能達(dá)到極高的局部電流密度。這可能導(dǎo)致硅片的燒毀。白熾燈、電容性負(fù)載和消弧保護(hù)電路都可能導(dǎo)致強(qiáng)涌入電流。由于超過Vdrm或dVD/dt導(dǎo)致雙向可控硅導(dǎo)通，這不完全威脅設(shè)備安全。而是隨之而來的dl*dt很可能

18、造成破壞。原因是，導(dǎo)通擴(kuò)散至整個(gè)結(jié)需要時(shí)間，此時(shí)允許的dlddt值低于止常情況下用門極信號導(dǎo)通時(shí)的允許值。假如過程中限制dR/dt到一較低的值，雙向可控硅可能可以幸存。為此，可在負(fù)載上串聯(lián)一個(gè)兒PH的不飽和（空心）電感。假如上述解決方法不能接受，或不實(shí)際，可代替的方法是增加過濾和箝位電路，防止尖峰脈沖到達(dá)雙向可控硅?？赡芤玫浇饘傺趸镒冏杵鳎∕OV）,作為“軟”電壓箝位器，跨接在電源上，MOV上游增加電感、電容濾波電路。有些廠家懷疑，電路中采用MOV是否可靠，因?yàn)樗麄兊弥?，在高溫環(huán)境下MOV會(huì)失控并導(dǎo)致嚴(yán)重事故。原因是它們的工作電壓有顯著的負(fù)溫度系數(shù)。但是，假如推薦電壓等級275VRMS用于

19、230V電源,MOV事故的可能極其微小。選用250VRMS往往會(huì)發(fā)生事故，對于高溫下的230V電源這是不夠的。規(guī)則6.假如雙向可控硅的Vdrm在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出,采用下列措施之#負(fù)載上串聯(lián)電感量為兒UH的不飽和電感,以限制dh/dt：用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。導(dǎo)通時(shí)的dIT/dt當(dāng)雙向可控硅或閘流管在門極電流觸發(fā)下導(dǎo)通，門極臨近處立即導(dǎo)通，然后迅速擴(kuò)展至整個(gè)有效而積。這遲后的時(shí)間有一個(gè)極限，即負(fù)載電流上升率的許可值。過髙的dh/dt可能導(dǎo)致局部燒毀，并使MT1-KIT2短路。若在3+象限觸發(fā)，局部的機(jī)理進(jìn)一步降低dIT/dt的許可值。初始的、急劇的電流

20、上升率可立即使門極進(jìn)入反向雪期擊穿狀態(tài)。這可能不會(huì)立即導(dǎo)致破壞。反復(fù)作用下，門極MT1結(jié)將逐步地?zé)龤?，阻值下降。表現(xiàn)為，Igt逐步上升，直至雙向可控硅不能再觸發(fā)。高靈敏的雙向可控硅容易受到彩響。Hi-Com雙向可控硅不工作在3+彖限，所以不受此影響。高dk/dt承受能力決定于門極電流上升率dIGdt和峰值Ig。較高的dIG/dt值和峰值R（不超出門極功率條件下），就有較高的dk/dt承受能力。規(guī)則7選用好的門極觸發(fā)電路,避開3+象限工況,可以最大限度提髙雙向可控硅的dlj/dt承受能力。前而已提到過，具有高初始涌入電流的常見負(fù)載是白熾燈，冷態(tài)下電阻低。對于這種電阻性負(fù)載，若在電源電壓的峰值開始

21、導(dǎo)通，dl/dt將具有最大值。假如這值有可能超過雙向可控硅的dg/dt值，最好在負(fù)載上串聯(lián)一只兒UH的電感加以限制，或串聯(lián)負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。重中，電感在最大電流下不能飽和。一旦飽和，電感將跌落，再也不能限制dIT/dto無鐵芯的電感符合這個(gè)條件。一個(gè)更巧妙的解決辦法是采用零電壓導(dǎo)通，不必接入任何限制電流的器件。電流可以從止弦波起點(diǎn)開始逐漸上升。注意：應(yīng)該提酶，零電壓導(dǎo)通只能用在電阻性負(fù)載。對于電感性負(fù)載，由于電壓和電流間存在相位差，使用這方法會(huì)引起“半波或單極導(dǎo)通，可能使電感性負(fù)載飽和，導(dǎo)致破壞性的髙峰電流，以及過熱。這種場合，更先進(jìn)的控制技術(shù)采用零電流切換或變相位角觸發(fā)。PhilipsS

22、emiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 ApplicationNoteAN10121PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 #PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 規(guī)則8若雙向可控硅的dl/dt有可能被超出，負(fù)載上最好串聯(lián)一個(gè)幾UH的無鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻另一種解決辦法:對電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。斷開由于雙向可控硅用于交流電路，口然在負(fù)載電流每個(gè)半周的終點(diǎn)斷開，除非門極電流設(shè)置為后半周起點(diǎn)導(dǎo)通。對In的規(guī)則和閘流管相同,見規(guī)則2。Hi-Com雙向可控硅Hi-C

23、om雙向可控硅和傳統(tǒng)的雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有差別。差別之一是內(nèi)部的二個(gè)“閘流管”分隔得更好，減少了互相的影響。這帶來下列好處：高dVcoM/dt。能控制電抗性負(fù)載，在很多場合下不需要緩沖電路，保證無故障切換。這降低了元器件數(shù)量、底板尺寸和成本，還免去了緩沖電路的功率耗散。髙dICOM/dto切換高頻電流或非止弦波電流的性能大為改善，而不需要在負(fù)載上串聯(lián)電感，以限制dlcoM/dto高dVz/dt0雙向可控硅在髙溫下更為靈敏。高溫下，處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，容易因髙d7dt下的假觸發(fā)而導(dǎo)通。HiCom雙向可控硅減少了這種傾向。從而可以用在高溫電器，控制電阻性負(fù)載，例如廚房和取曖電器，而傳統(tǒng)的雙向可控硅則

24、不能用。內(nèi)部結(jié)構(gòu)差別的另一反映是3象限觸發(fā)是不可能的。在大部分情況下這不成為問題，因?yàn)檫@個(gè)觸發(fā)彖限最少描述，也最少應(yīng)用。所以直接用HiCom雙向可控硅取代相當(dāng)型號的傳統(tǒng)雙向可控硅兒乎總是可以的。Hi-Com雙向可控硅在飛利浦的二份資料中有詳細(xì)介紹：Factsheet013-Hi-Com以向可控硅原理；Factsheet014-Hi-Com雙向可控硅應(yīng)用。雙向可控硅按裝方法對負(fù)載小，或電流持續(xù)時(shí)間短（小于1秒鐘）的雙向可控硅，可在自由空間工作。但大部分情況下，需要安裝在散熱器或散熱的支架上。雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種，夾子壓接、螺栓固定和挪接。前二種方法的安裝工具很容易取得。很多場合

25、下，挪接不是一種推薦的方法。夾子壓接這是推薦的方法，熱阻最小。夾子對器件的塑封施加壓力。這同樣適用于非絕緣封裝（SOT82和SOT78）和絕緣封裝（SOT186F-pack和更新的SOT186AX-pack）注意：SOT78就是TO220AB.螺栓固定SOT78組件帶有M3成套安裝零件，包括矩形墊圈，墊圈放在螺栓頭和接頭片之間。應(yīng)該不對器件的塑料體施加任何力量。安裝過程中，螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量。和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理，保證平坦，10mm上允許偏差0.02mm。4安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在0.55Nm和0.8Nm之間。應(yīng)避免使用口攻絲螺釘，因?yàn)閿D壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起，影

26、響器件和散熱器之間的熱接觸（見上面第3點(diǎn)）安裝力矩?zé)o法控制，也是這種安裝方法的缺點(diǎn)。器件應(yīng)首先機(jī)械固定，然后焊接引線。這可減少引線的不適當(dāng)應(yīng)力。釧接除非I分小心，釧接不是推薦的安裝方法，因?yàn)檫@種操作中可能產(chǎn)生很大的力，可能使接口變形，晶片裂紋，器件損壞。假如要采用釧接，為了減少廢品，必須遵守下列規(guī)則：散熱器必須為器件提供一個(gè)平整、光潔的表|們。散熱器安裝孔的直徑不要比器件接頭片安裝孔的直徑大。釧釘應(yīng)和接頭片孔有間隙，而和散熱器安裝孔無間隙。器件接口片一側(cè)應(yīng)是釧釘頭，而不是心軸。釧釘和接口應(yīng)成90度（釧釘頭在整個(gè)園周上和接口片相接觸）O釧接后，挪釘頭不接觸器件的塑料體。PhilipsSemico

27、nductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 ApplicationNoteAN10121PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 #PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 #先把器件固定，散熱器裝上印刷線路板，然后焊接引線。這可把引線的應(yīng)力降到最小。規(guī)則9.器件固定到散熱器時(shí),避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把挪釘芯軸放任器件接口片一側(cè)。在最高環(huán)境溫度下，結(jié)溫升至最高允許結(jié)溫Tjmax,由此得出結(jié)溫最大允許提升值。這提供溫升To根據(jù)選定的安裝方法，SC03手冊提供際卜誠和

28、Rihmb-h數(shù)據(jù)。應(yīng)用前面的熱阻公式血j尸Rthrmb+Rtbmb.h+Rh.a，可最后求得散熱器熱阻Rtbh-aoPhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 #PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 #熱阻熱阻Rm是限制熱流口結(jié)散出的熱阻。熱阻和電阻是相似的概念。如同電阻公式R=va,有相應(yīng)的熱阻公式R=T/P,這里T是溫升，以K（Kelvin）為單位;P是功率耗散，以W為單位：因此的單位為KWo對于垂直安裝在大氣中的器件，熱阻決定于結(jié)至環(huán)境熱阻RthJ.ao對SOT82組件的典型數(shù)據(jù)是100K/W,對SOT78組件是60KW.而對絕緣的F-pack和X-pack為55K/W。對于安裝在散熱器上的非絕緣器件，結(jié)至環(huán)境熱阻是個(gè)總值由結(jié)至安裝基面熱阻、安裝基而至散熱器熱阻和散熱器至環(huán)境熱阻相加Rthj-a=Rchj-mb+Rthmbh+Ra廣因溜回10.SOT223i0.401mmPhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 #PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則 #圖11.SOT54仃092).0.480.40PhilipsSemiconductors閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的