射頻PA行業(yè)生態(tài)技術(shù)發(fā)展分析

1、射頻PA行業(yè)生態(tài)技術(shù)發(fā)展分析技術(shù)創(chuàng)新 變革未來射頻模塊是無線通信設(shè)備的核心模塊3圖：手機(jī)射頻架構(gòu)圖：基站射頻架構(gòu)無線通信主要是利用電磁波實(shí)現(xiàn)多個設(shè)備之間 的信息傳輸。射頻是可以輻射到空間的電磁頻 率,頻率范圍從300KHz300GHz之間。射頻模塊 是用于發(fā)射和/或接收兩個裝置之間的無線電信 號的電子設(shè)備，是無線通信設(shè)備實(shí)現(xiàn)信號收發(fā) 的核心模塊。圖：無線通信圖射頻PA是決定通信質(zhì)量的關(guān)鍵器件，6圖：手機(jī)射頻前端架構(gòu)圖功率放大器是能夠向天線提 供足夠信號功率的放大電路 主要功能是將調(diào)制振蕩電路 所產(chǎn)生的功率很小的射頻信 號放大（緩沖級、中間放大 級、末級功率放大級）并饋 送到天線上輻射出去，是無

2、 線通信設(shè)備射頻前端最核心 的組成部分，其性能直接決 定了無線終端的通訊距離、 信號質(zhì)量和待機(jī)時間（或耗 電量），它也是射頻前端功 耗最大的器件。射頻功率放大器在雷達(dá)、無 線通信、導(dǎo)航、衛(wèi)星通信、 電子對抗設(shè)備等系統(tǒng)中有著 廣泛的應(yīng)用，是現(xiàn)代無線通 信的關(guān)鍵設(shè)備。資料來源：GlobalFoundries ,華西證券研究所5G應(yīng)用場景18資料來源：Yole，華西證券研究所5G關(guān)鍵技術(shù)19資料來源：Yole，華西證券研究所手機(jī)射頻PA單機(jī)用量大幅增加27新增一個頻段將會增加2顆PA的使用量，新增三個頻段大概增加6顆左右 的PA芯片，4G多模多頻手機(jī)需要5-7顆PA，預(yù)測5G多模多頻手機(jī)內(nèi)的PA芯

3、片最多或?qū)⑦_(dá)到16顆。圖：3G、4G、5G手機(jī)射頻前端器件大幅度增多資料來源：MWRF ，華西證券研究所射頻PA的工藝及演進(jìn)43資料來源：GLOBALFOUNDRIES ，華西證券研究所圖：射頻PA工藝演進(jìn)目前射頻PA的常見工藝有GaAs、 SiGe BiCMOS、CMOS和RF-SOI。GaAs 具有射頻性能好、擊穿電壓高等優(yōu) 勢，但成本高、難于集成，未來發(fā) 展方向主要在于開發(fā)更大尺寸晶圓 技術(shù)降低制造成本。其他三者均是 以硅為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體工藝，具有集 成度好、成本低等優(yōu)勢，但材料性 能局限明顯。四者優(yōu)劣勢及發(fā)展方向見下表：工藝優(yōu)勢劣勢發(fā)展方向GaAsRF性能好、擊穿電壓高成本高、難于集成開

4、發(fā)200mm晶圓技術(shù)，更大的尺寸將降低制造成本SiGe BiCMOS高頻特性好、集成度高、 良率和成本優(yōu)勢截止頻率與擊穿電壓過低， 功率消耗較高提高截止頻率和擊穿電壓，降低功 耗CMOS低成本、高集成度高噪聲、低絕緣度與Q值、改 善性能將增加制程成本、功 放面積與GaAs比過大短期在對性能不十分苛求的市場領(lǐng) 域依靠成本優(yōu)勢開拓市場，長期需 要CMOS PA架構(gòu)重大的突破和創(chuàng)新RF-SOI功耗、易于集成在擊穿電壓方面面臨挑戰(zhàn)提升它們的擊穿電壓，以實(shí)現(xiàn)好的 線性度和大信號處理能力GaN產(chǎn)業(yè)鏈GaN:蘇州納維，東 莞中鎵SiC:山東天岳，天科合達(dá)Si:重慶超硅，寧夏 銀和，天津中環(huán)Sumitomo

5、ChemIQEAllos Siltronic襯底外延設(shè)計(jì)制造封測Marfinisar Qualcomm GaN System OromisWin GCS OMMIC II-VI NXPFiltronic STIII-V LabDiamond microwaveASEIDM:Qorvo,Wolfspeed,Hittite,Infineon,ADI,MACOM,RFHIC,UMSIDM:中電科13所，中電科55所，中科院微電子所，蘇州能訊，益本電子，凝慧電子69資料來源：材料深一度， 華西證券研究所蘇州晶湛蘇州能訊安普隆海思半導(dǎo)體中興微電子三安集成 海威華芯 益豐電子長電科技華天科技GaN:Sum

6、itomo,Mits 中 ubishi,Furukawa,K 國 yma,OromisSiC:Cree,II-大VI,Dow陸Corning,Rohm,Nippon Steel 以Si:Shin- 外Etsu,GlobalWafer,Sitronic中 國 大 陸行業(yè)整合持續(xù)，重點(diǎn)公司尋求全品類供應(yīng)72資料來源：百度 ，華西證券研究所時間事件背景2012 年-2013年muRata 收購Renesas 的手機(jī)用PA事業(yè)部瑞薩擁有以硅實(shí)現(xiàn)多模多頻型PA的要素技術(shù)，擁有以Si-LDMOS工藝實(shí)現(xiàn)PA的技術(shù)RFMD收購Amalfi半導(dǎo)體Amalfi為入門級手機(jī)提供RF和混合信號芯片，擁有在RF CM

7、OS技術(shù)上的RF和混合信號特長2014 年-2015年RFMD和TriQuint合并為 Qorvo兩家公司實(shí)現(xiàn)了在功率放大器、電源管理、天線控制、開關(guān)以及優(yōu)質(zhì)濾波器等領(lǐng)域的優(yōu) 勢互補(bǔ)ADI收購HITTITEHittite是RF、微波和毫米波應(yīng)用高性能集成電路、模塊等領(lǐng)域設(shè)計(jì)公司及制造商Murata收購PeregrinePeregrine專注于射頻前端的美國公司，射頻 SOI（絕緣體上硅）技術(shù)創(chuàng)始人Qualcomm收購BlackSandBlackSand發(fā)布了全球首款3G CMOS PA，并將效率做到39%紫光集團(tuán)收購RDARDA主要從事射頻和混合信號芯片的設(shè)計(jì)、開發(fā)、和銷售。2018年展訊通信

8、和銳迪科微電 子正式合并紫光展銳NXP118 億 美 元 并 購 FreescaleFreescale是世界上最早的半導(dǎo)體公司之一，收購后NXP保留原屬于飛思卡爾、技術(shù)實(shí)力 更強(qiáng)的RF部門，并將自己的RF功率部門剝離，即是后來的Ampleon2016年Avago 370 億美元收購Broadcom博通是有線和無線通信半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者和創(chuàng)新者，全球最大的Wi-Fi芯片制造商Skyworks收購RFaxisRFaxis提供的集成且具有成本效益的CMOS RF前端集成電路技術(shù)與Silicon Labs的芯片Qualcomm 與TDK 聯(lián)手成 立RF360結(jié)合TDK在微米聲波RF濾波、封裝、

9、以及模組整合等方面的技術(shù)，導(dǎo)入高通在先進(jìn)無線技 術(shù)方面的專長，提供完全集成射頻解決方案。2019年高通收購RF360剩余股權(quán)并控股。2017年MTK收購絡(luò)達(dá)絡(luò)達(dá)做藍(lán)牙，射頻PA器件2019年MTK入股VanchipMTK宣布解散絡(luò)達(dá)PA部門，未來手機(jī)PA產(chǎn)品的開發(fā)將交由Vanchip負(fù)責(zé)射頻器件本質(zhì)上是半導(dǎo)體器件，4G普及高峰過后，射頻器件廠商成長性衰退，2014年以來，射頻器件廠商收購兼并 持續(xù)進(jìn)行，產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)寡頭競爭格局，競爭門檻不斷提高。整合的方向包括功放和濾波器廠商合并、基帶和射頻前 端廠商合并、硅基功放廠商被合并。表：全球射頻廠商通過合并整合強(qiáng)者越強(qiáng)總體而言，海外寡頭占據(jù)絕對份額全球

10、射頻前端芯片市場主要被Murata、Skyworks、Broadcom、Qorvo、Qualcomm等國外 領(lǐng)先企業(yè)長期占據(jù)。根據(jù)Yole Development數(shù)據(jù)，2018年，前五大射頻器件提供商占 據(jù)了射頻前端市場份額的八成，其中包括Murata 26%，Skyworks 21%，Broadcom 14%， Qorvo 13%，Qualcomm 7%。國際領(lǐng)先企業(yè)起步較早，底蘊(yùn)深厚，在技術(shù)、專利、工藝等方面具有較強(qiáng)的領(lǐng)先性， 同時通過一系列產(chǎn)業(yè)整合擁有完善齊全的產(chǎn)品線，并在高端產(chǎn)品的研發(fā)實(shí)力雄厚。另 一方面，大部分企業(yè)以IDM模式經(jīng)營，擁有設(shè)計(jì)、制造和封測的全產(chǎn)業(yè)鏈能力，綜合實(shí)力強(qiáng)勁。7

11、3資料來源：Yole，華西證券研究所圖：全球射頻前端芯片市場格局Murata, 26%Skyworks, 21%Broadcom, 14%Qorvo, 13%Qualcomm, 7%其他, 19%射頻PA,歐美IDM大廠寡頭壟斷74資料來源：Strategy Analytics，穩(wěn)懋公告，華西證券研究所Skyworks（32.3%） Qorvo（26%）Broadcom（9.1%）WIN Semi（6%）SEI（3.3%）Analog Devices（2.9%）Murata（2.9%）Raytheon（1%） Mitsubishi Electric（1.9%）M/A.COM（2.8%）Othe

12、rs（12%）根據(jù)Strategy Analytics之研究報告中指出，2018年全球砷化鎵元件市場(含IDM廠之 組件產(chǎn)值)總產(chǎn)值約為88.7億美元，達(dá)到歷史新高，較2017年之88.3億美元成長0.5%， Skyworks、Qorvo、Broadcom三家歐美IDM大廠占據(jù)了67.4%的市場份額。圖：手機(jī)射頻PA市場格局（2018年）重點(diǎn)射頻芯片，供應(yīng)商和客戶對照資料來源：Yole，華西證券研究所75高通：基帶射頻天線全套方案提供商RF360控股公司是高通和TDK株式會社于2017年2月成立的合資公司，公司業(yè)務(wù)可支持高 通提供完整的4G/5G射頻前端解決方案。高通持有RF360控股公司51

13、%的股權(quán)，TDK株式 會社持有49%，并且在交易完成的30個月后，高通有權(quán)收購合資企業(yè)的剩余股份。RF360控股公司擁有包括表面聲波（SAW）、溫度補(bǔ)償表面聲波（TC-SAW）和體聲波（BAW）在內(nèi)的一系列全面的濾波器和濾波技術(shù)。2019年9月，高通宣布已完成對RF360控股新 加坡有限公司剩余股份的收購。至此，高通 的射頻前端產(chǎn)品組合也變得非常豐富，包括 采用體聲波（BAW）、表面聲波（SAW）、溫 度補(bǔ)償表面聲波（TC-SAW）以及薄膜式表面 聲波（Thin Film SAW）等射頻前端濾波器 技術(shù)的集成式和分立式微聲器件。高通宣布 了其對5G解決方案的統(tǒng)一命名“驍龍 X55 5G調(diào)制解調(diào)

14、器及射頻系統(tǒng)”，這是高通 目前所提供的旗艦解決方案，集成了商用5G 調(diào)制解調(diào)器、射頻收發(fā)器、射頻前端、毫米 波天線模組以及軟件框架，以支持OEM廠商 快速開發(fā)5G終端。76資料來源：21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報道，華西證券研究所圖： 高通擁有完整的5G解決方案SKYWORKS：手機(jī)射頻器件龍頭廠商思佳訊解決方案公司是一家無線半導(dǎo)體公司，設(shè)計(jì)并生產(chǎn)應(yīng)用于移動通信領(lǐng)域的射頻及完整半導(dǎo)體系統(tǒng)解決方 案。該公司向全球范圍內(nèi)的無線手持設(shè)備和基礎(chǔ)設(shè)施客戶供應(yīng)前端模塊、射頻子系統(tǒng)及系統(tǒng)解決方案。產(chǎn)品組 合包括放大器，衰減器，循環(huán)器，解調(diào)器，檢測器，二極管，定向耦合器，前端模塊，混合器，基礎(chǔ)設(shè)施RF子 系統(tǒng)，隔離器，照明和

15、顯示解決方案，混頻器，調(diào)制器，光耦合器，光隔離器，移相器，PLL /合成器/ VCO， 功率分配器/組合器，電源管理設(shè)備，接收器，開關(guān)和工業(yè)陶瓷。服務(wù)于航空航天，汽車，寬帶，蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施 家庭，工業(yè)，醫(yī)療，軍事，智能手機(jī)，平板電腦和可穿戴設(shè)備等多個市場。公司擁有約3,500項(xiàng)全球?qū)＠推渌?知識產(chǎn)權(quán)，擁有廣泛的技術(shù)能力，并且是業(yè)界最完整的無線通信產(chǎn)品組合之一。公司經(jīng)營采用IDM模式，在手機(jī)射頻PA領(lǐng)域，2018年市場份額排名第一，是全球手機(jī)射頻PA主要的供應(yīng)商之一。77資料來源：公司官網(wǎng)，華西證券研究所Qorvo：強(qiáng)強(qiáng)合并，BAW濾波器供應(yīng)商78資料來源：公司官網(wǎng)，華西證券研究所Qorvo由R

16、FMD和TriQuint合并而成，是一家為移動、基礎(chǔ)設(shè)施與國防/航空航天市場提供核心技術(shù)及射頻 (RF) 解決方案的全球領(lǐng)先的IDM廠商，公司業(yè)務(wù)主要分兩塊， MP(移動產(chǎn)品業(yè)務(wù))是為各種移動設(shè)備提供 射頻和Wi-Fi解決方案的全球供應(yīng)商，IDP(基礎(chǔ)設(shè)施和國防產(chǎn)品)是全球射頻和系統(tǒng)芯片(SoC)解決方案的 供應(yīng)商。公司兩大業(yè)務(wù)中移動產(chǎn)業(yè)業(yè)務(wù)占比超過70%，但基礎(chǔ)設(shè)施和國防業(yè)務(wù)近幾年占比在逐年提升。在 手機(jī)端，公司2018年在全球射頻PA領(lǐng)域市場份額占比25%，排名前三，在無線基礎(chǔ)設(shè)施中，公司陸續(xù)推出 新型功率放大器和前端模塊，進(jìn)一步擴(kuò)展了其適用于大規(guī)模MIMO和5G基站的RF產(chǎn)品組合，支持準(zhǔn)

17、5G和5G 架構(gòu)的所有適用頻段（從3GHz至39GHz）。從2018年1月到2019年2月，Qorvo已提供了超過1億件5G無線基 礎(chǔ)設(shè)施元器件。公司是除博通外極少數(shù)能提供BAW濾波器的廠家。公司為美國國防部提供最全面的 GaN/GaAs 代工流程和先進(jìn)的封裝專業(yè)知識產(chǎn)品組合。公司的產(chǎn)品組合包含在全球業(yè)界領(lǐng)先的高性能和高產(chǎn)出 GaN MMIC 流程，涵蓋 L、S、X、Ku、Ka 頻段。2020年公司完成對Decawave、Decawave的收購。憑借RF Fusion 5G芯片組解決方案贏得久負(fù)盛名的GTI 大獎。圖： 公司概況穩(wěn)懋：砷化鎵全球最大晶圓代工廠資料來源：公司官網(wǎng)，華西證券研究所穩(wěn)

18、懋目前已進(jìn)入量產(chǎn)的產(chǎn)品包括1微米 HBT 、 2 微 米 HBT 、 0.5 微 米 pHEMT Switch 、0.5 微米power pHEMT和先進(jìn) 的高頻0.15 微米、 0.1 微米pHEMT 。 2018年公司晶圓A、B、C廠合計(jì)月產(chǎn)能32,000片，是全球最大產(chǎn)能的砷化鎵 晶圓廠， 2019 年預(yù)計(jì)產(chǎn)能擴(kuò)充為 36,00037,000片。79圖： 2020Q1公司細(xì)分業(yè)務(wù)占比穩(wěn)懋半導(dǎo)體成立于1999年，是全球首座以六英寸晶圓生產(chǎn) 砷化鎵微波集成電路的專業(yè)晶圓代工服務(wù)公司。公司擁有 完整的技術(shù)團(tuán)隊(duì)及最先進(jìn)的砷化鎵微波電晶體及集成電路 制造技術(shù)及生產(chǎn)設(shè)備，客戶群除了全球射頻集成電路設(shè)

19、計(jì) 公司外，并致力于吸引與全球IDM大廠合作。在無線寬頻通 訊的微波高科技領(lǐng)域中，穩(wěn)懋目前提供兩大類砷化鎵電晶 體制程技術(shù)：異質(zhì)結(jié)面雙極型電晶體（HBT）和應(yīng)變式異質(zhì) 結(jié)面高遷移率電晶體（pHEMT），兩者均為最尖端的制程技 術(shù)。2017年底穩(wěn)懋與Avago(Braodcom集團(tuán))簽署備忘錄，同意該 公司將其HBT生產(chǎn)線之機(jī)器設(shè)備出售予穩(wěn)懋，該公司HBT生 產(chǎn)線產(chǎn)品未來將全數(shù)委托穩(wěn)懋代工生產(chǎn)。圖： 公司代工工藝方案一覽國內(nèi)廠商起步晚，從分立式起步80資料來源：高通,華西證券研究所相比之下，國內(nèi)射頻芯片公司由于起步較晚，基礎(chǔ)薄弱，并且主要集中在無晶圓設(shè)計(jì)領(lǐng)域。較 之國際領(lǐng)先企業(yè)在技術(shù)積累、產(chǎn)業(yè)環(huán)

20、境、人才培養(yǎng)、創(chuàng)新能力等方面仍有明顯滯后，與美國、 日本、歐洲等廠商仍存在較大差距。國內(nèi)射頻芯片廠商從相對成熟的分立射頻芯片起步，在5G手機(jī)廣泛普及前的窗口期，逐步實(shí)現(xiàn) 中低端機(jī)型射頻前端進(jìn)口替代，同時積累模組能力，逐步走向全品類供應(yīng)。圖：濾波器和射頻開關(guān)組成FEM，F(xiàn)EM加上PA組成PAM，從分立到模組，循序漸進(jìn)從分立，到模組，循序漸進(jìn)81資料來源：Yole,華西證券研究所以iPhone X為例，用到了一顆Broadcom的發(fā)射模組芯片，內(nèi)部包含多個分立的芯片，通過SiP封 裝為一顆大芯片。在這顆大芯片之中，具體包含2顆PA，12顆BAW濾波器，2顆射頻開關(guān)，一顆控 制IC。除此之外，還有1

21、0顆電感和30顆電容。目前本土射頻廠商提供的產(chǎn)品主要集中于分立器件，搶占中低端市場份額，且所提供的產(chǎn)品趨 于同質(zhì)化，從而導(dǎo)致市場價格下降、行業(yè)利潤縮減等狀況。結(jié)合芯片設(shè)計(jì)行業(yè)的特點(diǎn)，唯有在 新技術(shù)、新產(chǎn)品等方面持續(xù)投入，構(gòu)建具有自主發(fā)展能力和核心競爭力的產(chǎn)業(yè)鏈，才能逐步縮 減與國際領(lǐng)先企業(yè)的距離。圖：射頻模組內(nèi)部由多個射頻分立芯片組成圖：iPhone主板上的一個射頻模組從華為射頻芯片供應(yīng)商變遷看自主可控82資料來源：Yole，華為，華西證券研究所2018年之前，華為P系列和Mate系列的旗艦機(jī)型，射頻芯片的主要供應(yīng)商是Murata、 Skyworks、Qorvo和Epcos。2018年美國制裁

22、之后，華為供應(yīng)鏈逐步放棄美國供應(yīng)商， 采用海思自研和加快引入國內(nèi)供應(yīng)商，在2019Q4的Mate 30手機(jī)中，射頻芯片主要來 自于Murata、海思和卓勝微。圖：2015Q42019Q4，華為旗艦機(jī)型（P和Mate系列）中，主要射頻芯片供應(yīng)商變化華為自研射頻PA，國內(nèi)代工迎機(jī)遇83資料來源：芯智訊，Tech Insights，華西證券研究所為了對抗美國打壓，華為也開始自研射頻PA，“自研+國產(chǎn)+日系”組成華為的射頻核心器件架 構(gòu)，國內(nèi)射頻代工企業(yè)也迎來發(fā)展機(jī)遇。目前華為自研射頻芯片主要是分立式器件、中集成度 器件為主，高集成度的仍以海外廠商為主。華為P40 Pro的射頻功率放大器用到了海思Hi

23、6D05；華為Mate30 5G版用到了海思Hi6D03 MB/HB 功率放大器模塊、海思Hi6D05功率放大器模塊。圖：華為Mate30 5G版拆解圖：華為P40 Pro部分器件型號非5G頻段射頻降價將帶來機(jī)會84資料來源：Fact.MR ，華西證券研究所未來隨著5G的普及，非5G頻段手機(jī)面臨著降成本的壓力，2G、3G、4G頻 段及WiFi的射頻前端有快速降價的需求，在性能可以滿足需求的情況 下，國產(chǎn)廠商有替代的機(jī)會。圖：5G手機(jī)滲透情況預(yù)測國內(nèi)廠商滲透率有望加速85時間事件2019.4聯(lián)發(fā)科控股唯捷創(chuàng)芯，唯捷創(chuàng)芯（Vanchip）是由前RFMD人員成立，以主流的GaAs工藝切入射頻PA市

24、場。其4G PA出貨量是國內(nèi)最大的，出貨覆蓋前幾大手機(jī)設(shè)計(jì)公司以及小米。2020.2小米入股昂瑞微，推動5G器件國產(chǎn)化。昂瑞微創(chuàng)辦于2012年7月，是中國領(lǐng)先的射頻前端芯片和射頻SoC芯片的供應(yīng)商，每年芯片的出貨量達(dá)7億顆。2020.2銳石創(chuàng)芯推出全球首創(chuàng)極具性價比優(yōu)勢的5G射頻前端解決方案。為了應(yīng)對手機(jī)廠商對5G射頻前端成本 及布板面積的巨大挑戰(zhàn)，銳石創(chuàng)芯推出了業(yè)內(nèi)首創(chuàng)能同時支持5G SA和NSA ENDC技術(shù)的射頻前端產(chǎn)品 RR88643-91。RR88643-91是業(yè)內(nèi)首顆兼容5G N41及支持N41/B41 PC2的射頻前端模塊。也同樣支持NSA 模式下的LB+n41和MB+n41等E

25、NDC模式。2020.3搭載慧智微Agi5G首批手機(jī)終端批量生產(chǎn)。Agi5G是慧智微推出的可重構(gòu)5G射頻前端方案。為了推 動5G射頻前端兼容性，Agi5G基于通用方案Phase2(LTE)和Phase7(5G NR)的管腳進(jìn)行設(shè)計(jì)，為客戶提供了一套簡潔高效的5G射頻前端整體解決方案。2020.6國產(chǎn)射頻芯片廠商飛驤科技宣布，經(jīng)過兩年的全力研發(fā)，于2020年6月正式發(fā)布一套完整的5G射頻前 端方案。實(shí)現(xiàn)了兩個第一：第一套完整支持所有5G頻段的國產(chǎn)射頻前端解決方案，第一套采用國產(chǎn)工 藝實(shí)現(xiàn)5G性能的射頻前端模塊。經(jīng)過多年的發(fā)展，國內(nèi)擁有昂瑞微、華為海思、紫光展銳、卓勝微、唯捷創(chuàng)芯等20多家射頻有源

26、 器件供應(yīng)商。根據(jù)2019年底昂瑞微董事長發(fā)表的題為全球5G射頻前端發(fā)展趨勢和中國公司的應(yīng) 對之策的報告顯示，截至報告日，國內(nèi)廠家在2G/3G市場占有率高達(dá)95%；在4G方面有30%的占 有率，產(chǎn)品以中低端為主，銷售額占比僅有10%。在中美貿(mào)易摩擦背景下，近兩年國內(nèi)廠商也在不斷加快布局，無論是資本層面還是產(chǎn)品層面都頻 頻有布局，我們判斷未來國產(chǎn)射頻PA的滲透率有望加速。圖：近兩年部分國內(nèi)射頻PA廠商大事記資料來源：百度，搜狐，華西證券研究所整理GaN射頻產(chǎn)業(yè)仍是國外廠商主導(dǎo)86圖：GaN RF工藝主導(dǎo)者及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)度SiC襯底市場由美國Cree（Wolfspeed）、-公司、日本羅姆半導(dǎo)體（RO

27、HM）三者 合計(jì)占據(jù)75%左右的市場份額，其中Cree公司占據(jù)整個市場40%左右的份額，市場份 額排名第一。全球GaN射頻器件IDM廠商中，Cree（WolfSpeed）、住友電工 (SEDI)、 Qorvo和 MACOM均是行業(yè)的主要競爭者，其中Cree和SEDI市場占有率均超過30%。2016年， MACOM宣布戰(zhàn)略性放棄SiC基氮化鎵產(chǎn)品，將方向轉(zhuǎn)移至研發(fā)基于硅襯底的高功率氮 化鎵技術(shù)。工藝主導(dǎo)者產(chǎn)業(yè)化進(jìn)度GaNonSiC住友電工（SEDI）、 Cree(Wolfspeed）和Qorvo目前主導(dǎo)了RF GaN市場，已滲透到4G LTE無線基礎(chǔ)設(shè)施 市場，預(yù)計(jì)將部署在5G sub-6GHz

28、基站中。GaNonSiMACOM-ST聯(lián)盟目前處于小批量生產(chǎn)階段，市場推廣早期GaNonDiamondRFHIC和Akash Systems研發(fā)期。Akash Systems是一家專注于GaN on Diamond 技術(shù)的初創(chuàng)公司，2019年在A輪融資中籌集了1,450萬美 元，該技術(shù)工藝瞄準(zhǔn)如高功率基站、軍事和衛(wèi)星通信等 性能驅(qū)動型應(yīng)用場景。資料來源：百度文庫，華西證券研究所全球GaN射頻廠商地圖87資料來源：Yole,華西證券研究所氮化鎵射頻技術(shù)的專利申請穩(wěn)步增長88資料來源：MEMS，華西證券研究所自2011年以來，與RF GaN-on-Silicon相關(guān)的專利申請一直在穩(wěn)步增長。該技術(shù)

29、方向的主要專利權(quán) 人為英特爾和MACOM，其次包括住友電工、英飛凌、松下、海威華芯、中國電科、富士通和三菱電 機(jī)。GaN射頻大廠不斷強(qiáng)化市場競爭力89資料來源：公開信息整理，華西證券研究所時間事件背景2014MACOM 收 購 北 卡 羅 來 納 州 的 NitronexNitronex是一個擁有大量硅基氮化鎵專利的公司，MACOM通過收購Nitronex進(jìn)入GaN領(lǐng)域。2015美國EPC和美國IDT 宣布合作開 發(fā)采用GaN技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品雙方的合作開發(fā)內(nèi)容主要分為三個方面：第一是面向通信設(shè)備及計(jì)算機(jī)基礎(chǔ)設(shè)施等的功率 器件；第二是無線供電；第三是面向通信基礎(chǔ)設(shè)施市場的RF器件NXP收購Fre

30、escale兩個公司業(yè)務(wù)具有較強(qiáng)的互補(bǔ)性，在射頻功率領(lǐng)域，由于Freescale更強(qiáng)，因此NXP保留了原屬于飛思卡爾、技術(shù)實(shí)力更強(qiáng)的RF部門，而將自身RF部門剝離并最終賣給了建廣資本Qorvo成功地將GaN on SiC工藝 技術(shù)擴(kuò)展用于在6英寸晶圓上預(yù)計(jì)從4英寸過渡到6英寸晶圓，大約能使Qorvo公司的碳化硅基氮化鎵生產(chǎn)能力增加一倍， 并且有利于降低制造成本2018Cree 收購Infineon 射頻功率業(yè) 務(wù)該交易包括英飛凌無線基礎(chǔ)設(shè)施的射頻功率業(yè)務(wù)，同時包括LDMOS和GaN on SiC技術(shù)的封裝 和測試，這次收購使得Cree無論在LDMOS還是GaN領(lǐng)域都具有較強(qiáng)的競爭力住友電工子公

31、司SEDI與-公 司合作建立150mm晶圓制造平臺該平臺主要用于制造下一代5G無線網(wǎng)絡(luò)的GaN on SiC HEMT器件，將SEDI業(yè)界領(lǐng)先的HEMT器 件技術(shù)與-的150mm制造平臺相結(jié)合，將加速兩家公司的寬帶RF產(chǎn)品路線圖，并在未來 許多年內(nèi)確保領(lǐng)先的技術(shù)和市場地位意法半導(dǎo)體與MACOM 宣布一份 GaN on Si合作開發(fā)協(xié)議據(jù)此協(xié)議，意法半導(dǎo)體為MACOM制造硅上氮化鎵射頻晶片，此協(xié)議可獲得更高的晶片產(chǎn)能和 優(yōu)化的成本結(jié)構(gòu)，取代現(xiàn)有的LDMOS芯片，加快GaN on Si在主流市場上的應(yīng)用2019Cree宣布將投資10 億美元建世 界上最大的碳化硅工藝生產(chǎn)線該次擴(kuò)產(chǎn)主要針對汽車功率器

32、件和射頻器件，這將進(jìn)一步提升公司在SiC和GaN工藝的全球 競爭力Qorvo收購Active-SemiActive-Semi的可編程模擬功率解決方案與Qorvo的領(lǐng)先產(chǎn)品和技術(shù)組合的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手會帶來大量機(jī)會，開發(fā)更高集成度的系統(tǒng)解決方案，進(jìn)軍5G基礎(chǔ)設(shè)施等新的高增長市場法國Soitec半導(dǎo)體公司以3,000 萬歐元現(xiàn)金收購EpiGaN公司EpiGaN是GaN外延硅片材料供應(yīng)商，產(chǎn)品主要用于射頻、5G、電子元器件和傳感器應(yīng)用，利 用EpiGaN的GaN on silicon和 GaN on SiC外延片，Soitec如今可以在基站及手機(jī)的功率放 大器市場上占有一席之地未來GaN射頻PA代工有望成熟

33、90資料來源：Yole，華西證券研究所除了Cree,大部分GaN廠商都是由GaAs產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)入。GaN技術(shù)的外延工藝非常重要會影響到 器件的品質(zhì)與可靠性，領(lǐng)先的廠商傾向于采用IDM模式以保證產(chǎn)品品質(zhì)和維持競爭力， 而原LDMOS廠商傾向于通過代工的模式以應(yīng)對不斷擴(kuò)大的GaN市場，如NXP和Ampleon。隨 著技術(shù)的成熟以及代工能力的提升，代工模式有望快速發(fā)展。圖：2018-2023年射頻GaN市場商業(yè)模式對比NXP（Freescale）：基站射頻PA龍頭NXP是一家運(yùn)營超過50年的半導(dǎo)體公司，截至2018年底，公司收入94億美元，在全球各大半導(dǎo)體公司中總收入 排名第13。公司提供包括高性能混合信

34、號（High Performance Mixed Signal，HPMS）解決方案和標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn) 品，具體如下：（1）HPMS:包括四條業(yè)務(wù)線，分別是汽車、安全識別解決方案、安全連接設(shè)備、安全接口和 基礎(chǔ)設(shè)施，通過依托于公司在射頻、模擬、電源管理、接口、安全技術(shù)和數(shù)字處理等領(lǐng)域的專業(yè)優(yōu)勢，向終 端客戶提供關(guān)鍵領(lǐng)域的解決方案以幫助客戶產(chǎn)品迅速推向市場。（2）標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品：包括各種標(biāo)準(zhǔn)化的半導(dǎo)體 元器件，例如小信號放大器、功率放大器、標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件等，公司標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品常常是用在自己提供的HPMS解 決方案中。NXP過去通過自建或與其它半導(dǎo)體廠商共建工廠來實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的生產(chǎn)封測，但是未來公司傾向于將更多的晶圓代

35、 工和封裝服務(wù)外包給第三方制造商以增加公司的靈活度以及應(yīng)對不斷增長的市場。在射頻領(lǐng)域，公司提供專為通信和工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的LDMOS，GaAs，GaN和SiGe RF功率解決方案，擁有超過 400多種RF功率放大器的綜合庫，針對于5G基站的RFPA產(chǎn)品適用于蜂窩基站的大功率放大器，涵蓋宏蜂窩和小 型蜂窩應(yīng)用。9102040608010020172018標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品02040608020142015201620172018中國大陸 美國德國新加坡 日本 韓國 圖：NXP主要業(yè)務(wù)收入（億美元） 圖：NXP主要區(qū)域收入（億美元）201420152016高性能混合信號 公司往來及其他資料來源：WIND，華西

36、證券研究所Cree（WolfSpeed）：碳化硅襯底龍頭Cree成立至今超過30年，是寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn) 品領(lǐng)域的創(chuàng)新者，公司業(yè)務(wù)主要分為兩大模 塊：子公司W(wǎng)olfSpeed主要負(fù)責(zé)SiC、GaN材料 以及硅基和寬禁帶半導(dǎo)體材料基底的功率器 件和射頻器件、LED產(chǎn)品。公司的射頻器件產(chǎn)品主要包括GaN 襯底、 HEMTs晶體管、單片微波集成電路(MMICs)和 橫向擴(kuò)散MOSFET (LDMOS)功率晶體管等，這 些產(chǎn)品主要用在下一代無線通信設(shè)備、軍事 以及其他商業(yè)用途上，公司也提供代工服務(wù)。 通過2018年收購英飛凌的射頻功率業(yè)務(wù)，目 前WolfSpeed的業(yè)務(wù)已經(jīng)占Cree總收入的比重 達(dá)到50

37、%。Cree目前是最大的碳化硅襯底龍頭。資料來源：公司官網(wǎng)，華西證券研究所0%60%082018LED Products收入（億美元92）20162017Wolfspeed收入（億美元）Wolfspeed收入占比圖： 公司各業(yè)務(wù)收入及Wolfspeed收入占比640%420%2時間公司發(fā)展里程碑1991發(fā)布世界第一顆商用SiC晶圓1998發(fā)布業(yè)內(nèi)首款GaN HEMT on SiC,擁有創(chuàng)紀(jì)錄的功率密度1999發(fā)布4英寸SiC晶圓2000成功制造出業(yè)內(nèi)首款GaN HEMT MMIC on SiC2002發(fā)布600V商用SiC JBS肖特基二極管2006發(fā)布業(yè)界首個1200V SiC肖特基二極管2

38、007發(fā)布商用100毫米，zero micropipe SiC襯底2008發(fā)布了90W GaN HEMT樣品2009展示基于數(shù)字預(yù)失真技術(shù)的高效GaN HEMT Dohetry放大器2010發(fā)布業(yè)界首個1700V SiC肖特基二極管;開發(fā)了高質(zhì)量的 150mm碳化硅襯底2011發(fā)布業(yè)界首款SiC MOSFET2014推出行業(yè)首款1200V SiC 25mQ2 MOSFET；推出行業(yè)首款1700V SiC半橋模塊；成為國防部認(rèn)可的GaN晶圓廠2015收購功率模塊和電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者APEI；推 出業(yè)內(nèi)首款900V碳化硅MOSFET；發(fā)布200mm SiC晶圓2016業(yè)內(nèi)首款1000V

39、MOSFET；發(fā)布了應(yīng)用于L波段雷達(dá)的最大 功率模塊2017發(fā)布了應(yīng)用于電動驅(qū)動列車的900 v.10mQ MOSFET碳化硅模塊，使得電動驅(qū)動列車逆變器的損耗降低了78%2018收購英飛凌射頻功率業(yè)務(wù)住友電工(SEDI)：日本射頻大廠93資料來源：公司官網(wǎng)，華西證券研究所日本住友電器設(shè)備創(chuàng)新公司(SEDI)是住友電工株式會社的子公司，主要負(fù)責(zé)電子器件、光 學(xué)數(shù)據(jù)連接器、光學(xué)器件的生產(chǎn)銷售，公司采用IDM模式的半導(dǎo)體廠商，產(chǎn)品包括GaAs低噪 聲放大器（LNA）、GaN放大器、光收發(fā)器及模塊，其中GaN放大器可應(yīng)用于衛(wèi)星通信、無線 基站、雷達(dá)站等領(lǐng)域，基站端GaN放大器包括驅(qū)動級PA和末級PA

40、。全球GaN射頻器件供應(yīng)商 中，住友電工是龍頭企業(yè)，在無線通信領(lǐng)域市場份額較大，是華為基站GaN射頻主要供應(yīng)商， 未來在基站射頻PA領(lǐng)域的市場份額有望進(jìn)一步提升。2018年公司宣布于II-VI展開戰(zhàn)略合作建立垂直整合的150mm晶圓制造平臺，用于制造下一 代5G無線網(wǎng)絡(luò)的GaN on SiC HEMT器件。表： 公司部分產(chǎn)品線MACOM：硅基氮化鎵技術(shù)主導(dǎo)者M(jìn)ACOM設(shè)計(jì)和制造用于數(shù)據(jù)中心、電信以及工業(yè)和 國防應(yīng)用的半導(dǎo)體產(chǎn)品，總部位于馬薩諸塞州洛厄爾，公司擁有超過65年的射頻和微波產(chǎn)品運(yùn)營經(jīng)驗(yàn)。MACOM主要有兩大塊業(yè)務(wù)，一是射頻和微波產(chǎn)品， 另一個是光通信產(chǎn)品。從收購Mimix擴(kuò)展單片集成

41、 的微波產(chǎn)品開始，到收購Nitronex，公司進(jìn)入氮化 鎵（GaN）領(lǐng)域，Nitronex是一個擁有大量硅基氮 化鎵專利的公司。2018年MACOM與意法半導(dǎo)體宣布一份GaN on Si合作開發(fā)協(xié)議來推動該技術(shù)的市場應(yīng)用。94資料來源：公司官網(wǎng)，華西證券研究所0246820172018電信數(shù)據(jù)中心工業(yè)與國防圖： 公司產(chǎn)品在各應(yīng)用市場的收入（億美元）圖： 公司近30年發(fā)展大事記目錄95射頻PA是射頻前端核心器件，決定無線通信質(zhì)量的關(guān)鍵要素從手機(jī)、基站到物聯(lián)網(wǎng)，萬物互聯(lián)時代射頻PA市場廣闊通信技術(shù)持續(xù)迭代，射頻PA行業(yè)技術(shù)革新永不止步海外廠商擁有先發(fā)優(yōu)勢，國內(nèi)廠商奮起直追前景可期重點(diǎn)企業(yè)介紹資料來

42、源：公司公告，華西證券研究所公司成立于2012年，是一家以射頻芯片為主 的IC設(shè)計(jì)公司，射頻開關(guān)、LNA芯片已覆蓋全球 領(lǐng)先手機(jī)品牌如三星、小米、華為、vivo、 OPPO等。射頻開關(guān)與LNA為目前營收主要來源，公司基 于自主創(chuàng)新的拼版式集成射頻開關(guān)方法，率 先以RF CMOS工藝實(shí)現(xiàn)射頻低噪聲放大器產(chǎn)品， 是國際上先行推出集成射頻低噪聲放大器和 開關(guān)的單芯片產(chǎn)品企業(yè)之一，成功打入全球 領(lǐng)先手機(jī)品牌供應(yīng)，正處于份額提升的快速 放量階段。公司募投項(xiàng)目的主要方向：現(xiàn)有產(chǎn)品的技術(shù) 升級，濾波器、功放及模組新產(chǎn)品開發(fā)，物 聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)布局。公司目前主要兩塊業(yè)務(wù)為射頻前端產(chǎn)品和IP 授權(quán)。射頻前端產(chǎn)品方面，

43、包括射頻開關(guān)、 射頻低噪聲放大器和低功耗藍(lán)牙微控制器芯 片。2018年公司射頻前端產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)銷量22.23 億顆，同比增長20.69%，其中射頻開關(guān)銷量 為17.88億顆，同比增長27.06%，公司的產(chǎn)品 需求保持一定的增長態(tài)勢。重點(diǎn)推薦：卓勝微2006年4月7日卓勝開曼成立2006年7月17日卓勝開曼出資成 立卓勝上海2008年8月12日卓勝開曼出資成 立卓勝香港2012年8月10日 卓勝有限成立接連收購卓勝香 港和卓勝上海2017年8月25 日卓勝有限整體變 更為股份有限公 司2019年6月18日卓勝微上市，共 募集8.82億元1.113.855.925.615.12153.85%247.2

44、5%53.59%-5.32%169.98%-50%0%50%100%150%200%250%300%0481216201520162019962017營收（億元）2018營收同比圖： 公司發(fā)展歷程圖： 公司20152019年?duì)I收及同比增速97資料來源：卓勝微官網(wǎng)，Wind，華西證券研究所重點(diǎn)推薦：卓勝微圖：射頻開關(guān)、LNA、濾波器、接收模組產(chǎn)品細(xì)分品類已覆蓋產(chǎn)品說明全球手機(jī)射頻前端市場空間（億美元）20182025ECAGR射頻開關(guān)是已量產(chǎn)695%天線開關(guān)是已量產(chǎn)51213%LNA是已量產(chǎn)3816%濾波器是已量產(chǎn)31517%接收模組是小批量試產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年量 產(chǎn)25292%PA模組是研發(fā)中

45、601048%WiFi模組是WiFi PA樣品階段，預(yù)計(jì)2020 年量產(chǎn)；WiFi模組研發(fā)中20316%AiP模組否暫未涉及13表：卓勝微產(chǎn)品布局98資料來源：Wind，華西證券研究所重點(diǎn)推薦：韋爾股份圖：2015-2019年韋爾股份營收、歸母凈利潤和同比增速除去被市場廣泛認(rèn)知的CIS圖像傳感器業(yè)務(wù)，韋爾股份也有射頻芯片業(yè)務(wù)。近年來，公司不斷投 資豐富自研產(chǎn)品類型，通過內(nèi)部研發(fā)產(chǎn)品線的整合與協(xié)助，持續(xù)加大了在射頻及微傳感器領(lǐng)域 的產(chǎn)品研發(fā)投入，在 RF Switch、Tuner、LNA 等產(chǎn)品領(lǐng)域研發(fā)出了具有市場競爭優(yōu)勢的成果。 公司射頻產(chǎn)品采用 CMOS 工藝設(shè)計(jì)，依靠新設(shè)計(jì)、新工藝和新材料

46、的結(jié)合，突破了傳統(tǒng)的保守 的設(shè)計(jì)思路。多款 RF Switch、LTE LNA 已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)銷售，2020年進(jìn)一步升級既有產(chǎn)品。Tuner 高頻調(diào)諧器目前研發(fā)進(jìn)展順利，適應(yīng)智能穿戴產(chǎn)品的發(fā)展需求。此外，公司針對5G應(yīng)用需求進(jìn) 行研發(fā)立項(xiàng)，以確保在5G商用時代到來之際把握住機(jī)會，迅速推出應(yīng)用于5G 移動通訊的產(chǎn)品。160250%30%27.39%140136.32200%25%23.41%120100150%20%19.26%20.12%20.54%80100%15%60402019.831.1521.611.4224.061.3739.641.394.6650%0%10%5%5.44%6.08%

47、5.13%2.92%5.17%0-50%0%20152016201720182019營收（億）歸母凈利（億）營收同比歸母凈利同比20152016201720182019銷售毛利率銷售凈利率圖：2015-2019年韋爾股份銷售毛利率和銷售凈利率99資料來源：公司公告，華西證券研究所公司以終端天線業(yè)務(wù)起家，在收購萊爾德切入蘋果供應(yīng)鏈后，逐步實(shí)現(xiàn)手機(jī)天線份額 提升，并延伸到PC天線、Macbook天線，穩(wěn)定的供貨能力和配套服務(wù)能力保障公司進(jìn)一 步的擴(kuò)展供應(yīng)金屬小件、射頻連接器、金屬彈片等多種產(chǎn)品。在新產(chǎn)品拓展方面，公 司繼續(xù)圍繞射頻主業(yè)豐富新產(chǎn)品線，已研發(fā)量產(chǎn)濾波器等射頻前端器件，積極開發(fā)射 頻前端

48、模組、5G毫米波LCP射頻傳輸線、多種型號的5G基站天線振子等。公司增資德清 華瑩擴(kuò)產(chǎn)濾波器，控股瑞強(qiáng)通信拓展射頻PA等設(shè)計(jì)、分銷業(yè)務(wù)，公告擬定增30億元投 入射頻芯片等項(xiàng)目，將有利于公司結(jié)合現(xiàn)有的全球大客戶平臺優(yōu)勢，加速完善射頻前 端產(chǎn)業(yè)布局，快速提高公司射頻前端產(chǎn)品的市場占有率，迎接5G射頻前端市場爆發(fā)。重點(diǎn)推薦：信維通信1324.1334.3547.0751.3460.94%85.61%42.35%37.04%0%20%9.07%40%60%80%100%02040602015201620192017營收（億元）2018營收同比圖： 公司主營業(yè)務(wù)圖： 公司20152019年?duì)I收及同比增速

49、100資料來源：Wind，華西證券研究所公司電感產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備，而以智能手機(jī)為主，重點(diǎn)客戶包括華為、OPPO、 vivo、小米等。智能手機(jī)電感行業(yè)升級的方向是小型化、精密化，0805、0603、0402、 0201、01005，尺寸越來越小，精度越來越高，難度越來越大，全球有能力的廠商越 來越少。公司已經(jīng)形成疊層、繞線兩大工藝平臺，產(chǎn)品具備國際競爭力，高端01005 已經(jīng)開始量產(chǎn)，主要競爭對手日本村田，手機(jī)用電感正處于行業(yè)小型化升級疊加5G需 求釋放的紅利初期。我們測算，5G手機(jī)電感用量比4G手機(jī)提升50%以上，價值量提升 比例高于數(shù)量提升比例，看好順絡(luò)電子的長期發(fā)展。重點(diǎn)推薦：順絡(luò)電

50、子13.1917.3619.8823.6226.9313.48%31.61%14.47%18.84%14.02%0%20%40%0510152025302015201620192017營收（億元）2018營收同比2.633.593.414.794.0223.76%36.36%-4.97%40.23%-16.07%-20%0%20%40%60%01234562015201620192017歸母凈利（億元）2018同比圖： 公司營收及同比增速圖： 公司歸母凈利潤及同比增速101資料來源：Wind，華西證券研究所公司是全球LED芯片龍頭，重點(diǎn)投資-族化合物半導(dǎo)體，子公司三安集成2019年實(shí)現(xiàn)銷售收

51、入 2.41 億元，同比增長 40.67%。砷化鎵射頻出貨客戶累計(jì)超過 90 家，客戶地區(qū)涵蓋國內(nèi) 外；氮化鎵射頻產(chǎn)品重要客戶已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，產(chǎn)能正逐步爬坡；電力電子產(chǎn)品推出的高功率 密度碳化硅功率二極管及 MOSFET 及硅基氮化鎵功率器件主要應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、光 伏逆變器等電源市場，客戶累計(jì)超過 60 家，27種產(chǎn)品已進(jìn)入批量量產(chǎn)階段；光通訊業(yè)務(wù)產(chǎn)品 主要應(yīng)用于光纖到戶，5G 通信基站傳輸及消費(fèi)類終端的3D感知探測等應(yīng)用市場，光通訊在保 持及擴(kuò)大現(xiàn)有中低速 PD/MPD 產(chǎn)品的市場領(lǐng)先份額外，在附加值高的高端產(chǎn)品如 10G APD/25G PD、以及發(fā)射端 10G/25G VCSE

52、L 和 10G DFB 均已在行業(yè)重要客戶處實(shí)現(xiàn)驗(yàn)證通過，進(jìn)入實(shí)質(zhì) 性批量試產(chǎn)階段；濾波器產(chǎn)品開發(fā)性能優(yōu)越，生產(chǎn)線持續(xù)擴(kuò)充及備貨中，預(yù)計(jì) 2020 年會實(shí)現(xiàn) 銷售。重點(diǎn)推薦：三安光電圖：2015-2019年三安光電份營收、歸母凈利潤和同比增速48.5862.7383.9483.6474.616.9521.6731.6428.312.98-60%-40%-20%0%20%40%60%908070605040302010020192015營收（億）20162017歸母凈利（億）2018營收同比歸母凈利同比46.14%48.79%44.71%29.37%35.97%41.65%34.54%37.70

53、%33.83%17.41%0%10%20%30%40%50%60%20152017201820192016銷售毛利率銷售凈利率圖：2015-2019年三安光電銷售毛利率和銷售凈利率產(chǎn)業(yè)關(guān)注：昂瑞威102資料來源：公司官網(wǎng)，華西證券研究所公司創(chuàng)辦于2012年7月，是中國領(lǐng)先的射頻前端芯片和射頻SoC芯片的供應(yīng)商，每年芯片的出貨量 達(dá)7億顆。研發(fā)、運(yùn)營、財務(wù)總部位于北京，在海外、中國香港和廣州設(shè)有研發(fā)中心，在韓國和中 國臺灣設(shè)有辦事處，在上海和深圳設(shè)有銷售和技術(shù)支持中心。公司專注于射頻/模擬集成電路和 SoC系統(tǒng)集成電路的開發(fā)，以及應(yīng)用解決方案的研發(fā)和推廣。主要產(chǎn)品：面向手機(jī)終端的2G/3G/4G

54、 全系列射頻前端芯片、面向物聯(lián)網(wǎng)的無線連接芯片，支持高通、聯(lián)發(fā)科、展訊、英特爾等基帶平 臺。產(chǎn)品應(yīng)用于功能手機(jī)、智能手機(jī)、平板電腦、智能手表、智能家居、藍(lán)牙音箱等消費(fèi)類產(chǎn)品。圖：公司部分產(chǎn)品列表，覆蓋PA模組、LNA、接收開關(guān)、Tuner等產(chǎn)業(yè)關(guān)注：唯捷創(chuàng)芯103資料來源：公司官網(wǎng)，華西證券研究所2010年公司成立于天津?yàn)I海新區(qū)，在上海、北京、深圳、蘇州設(shè)有研發(fā)中心及辦事處。公司致力 于射頻與高端模擬集成電路的研發(fā),是集設(shè)計(jì)、測試、銷售一體化的集成電路設(shè)計(jì)公司。公司目前 的主要產(chǎn)品是射頻功率放大器,廣泛應(yīng)用于2G/3G/4G手機(jī)及其它智能移動終端。 公司總計(jì)申請國 內(nèi)專利48項(xiàng)，其中45項(xiàng)發(fā)明

55、專利，6項(xiàng)已授權(quán)；3項(xiàng)實(shí)用新型授權(quán)。國際PCT申請25項(xiàng)，其中15件 PCT申請歐美授權(quán)。美國授權(quán)5項(xiàng)其中1項(xiàng)同時在歐洲授權(quán)。集成電路布圖登記授權(quán)62項(xiàng)。軟件著作 權(quán)登記1項(xiàng)。圖：2019年公司獲得MTK投資入股產(chǎn)業(yè)關(guān)注：紫光展銳作為紫光集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中的核心企業(yè)，紫光展銳致力于移動通信和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域核心芯片的自主 研發(fā)及設(shè)計(jì)，產(chǎn)品涵蓋2G/3G/4G/5G移動通信基帶芯片、物聯(lián)網(wǎng)芯片、射頻芯片、無線連接芯片、 安全芯片、電視芯片。目前，紫光展銳的員工數(shù)量超過4500人，在全球擁有14個技術(shù)研發(fā)中心，8 個客戶支持中心，致力成為全球前三的手機(jī)基帶芯片設(shè)計(jì)公司、中國領(lǐng)先的泛芯片供應(yīng)商和中國 領(lǐng)先的

56、5G通信芯片企業(yè)，并通過自主創(chuàng)新和國際合作的雙輪驅(qū)動，穩(wěn)步成為世界數(shù)一數(shù)二的芯片 設(shè)計(jì)企業(yè)。2020年4月20日，海信發(fā)布首款5G智能手機(jī)F50，搭載了紫光展銳虎賁T7510。104資料來源：公司官網(wǎng)，華西證券研究所圖：海信5G手機(jī)F50手機(jī)圖：4G平臺虎賁T618、T610，5G平臺T7520、AIoT產(chǎn)品春藤V5663產(chǎn)業(yè)關(guān)注：慧智微105資料來源：公司官網(wǎng)，華西證券研究所慧智微電子是領(lǐng)先的高性能微波射頻前端芯片提供商，致力于通過軟件定義的射頻芯片使能萬物 互聯(lián)的智能世界。慧智微電子秉承“慧聚創(chuàng)新，智享無線”的理念，通過自主創(chuàng)新，研發(fā)出有基 礎(chǔ)專利的射頻前端可重構(gòu)技術(shù)，在全球率先實(shí)現(xiàn)技術(shù)突

57、破及規(guī)模商用，使射頻前端器件可以通過 軟件配置實(shí)現(xiàn)不同頻段、模式、制式和場景下的復(fù)用，取得性能、成本、尺寸多方面優(yōu)化，幫助 客戶化繁為簡、與時俱進(jìn)。基于可重構(gòu)技術(shù)平臺，推出面向4G/5G 和NB-IoT的系列射頻前端芯片， 廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦、無線通信模塊、車載智能后視鏡、智能手表等產(chǎn)品?；壑俏gi5G射頻前端解決方案于2019年Q4量產(chǎn)并交付Alpha客戶驗(yàn)證，首批搭載該方案的手機(jī) 終端于近期批量生產(chǎn)。圖：搭載慧智微Agi5G的客戶PCBA射頻部分照片圖：S55255： Agi5G n77/n79雙頻L-PAMiF芯片產(chǎn)品框圖產(chǎn)業(yè)關(guān)注：安譜隆（Ampleon）106資料來源：WI

58、ND，華西證券研究所Ampleon集團(tuán)原為全球著名半導(dǎo)體企業(yè)NXP的射頻功率部門，在射頻功率芯片行業(yè)擁有超過50年的運(yùn)營經(jīng)驗(yàn)，后經(jīng)剝離成立公司并由建廣資產(chǎn)成功競標(biāo)。根據(jù)研究機(jī)構(gòu)ABI Research的統(tǒng)計(jì)，2016年Ampleon集團(tuán)在射頻功率半導(dǎo)體行業(yè)的市場占有 率為19.6%，全球排名第二。公司的射頻功率芯片主要供應(yīng)各大通訊基站設(shè)備制造商。 Ampleon的經(jīng)營模式介于IDM模式與Fabless模式之間，其業(yè)務(wù)涵蓋射頻功率芯片的設(shè)計(jì)、封 裝測試以及最終的銷售環(huán)節(jié)，但不包括晶圓采購、芯片制造及測試等中間環(huán)節(jié)。公司擁有Si LDMOS技術(shù)以及最新一代高端半導(dǎo)體射頻氮化鎵技術(shù)，GaN業(yè)務(wù)主要通

59、過由晶圓廠商（UMS） 代工的方式實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品出貨。公司基站芯片業(yè)務(wù)占業(yè)務(wù)總收入的88%。圖： Ampleon集團(tuán)業(yè)務(wù)范圍圖： Ampleon集團(tuán)業(yè)務(wù)版圖高功率射頻功率芯片當(dāng)前領(lǐng)域通訊 基站廣播航空國防ISM行業(yè)新興領(lǐng)域射頻 火花 塞食物 烹飪等離 子照 明產(chǎn)業(yè)關(guān)注：無錫好達(dá)107資料來源：公司官網(wǎng)，華西證券研究所無錫市好達(dá)電子有限公司是知名的聲表面波器件生產(chǎn)廠商，主要產(chǎn)品包括聲表面波濾波器、雙工 器、諧振器，應(yīng)用于手機(jī)、通信基站，LTE模塊，物聯(lián)網(wǎng)，車聯(lián)網(wǎng)，智能家居，及其它射頻通訊領(lǐng) 域。公司擁有一支強(qiáng)大的專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，并與國內(nèi)著名的研究機(jī)構(gòu)、大學(xué)有著廣泛的合作，具有 很強(qiáng)的創(chuàng)新能力，擁有許多自

60、主知識產(chǎn)權(quán)。公司擁有先進(jìn)的生產(chǎn)線，目前有3000平米萬級、500平 米千級、150平米百級、120平米十級的凈化廠房，有能生產(chǎn)0.25um微線條芯片生產(chǎn)線，有能生產(chǎn) CSP倒裝產(chǎn)品封裝的生產(chǎn)線，可生產(chǎn)產(chǎn)品尺寸為1.8*1.4的雙工器、1.1*0.9的濾波器。圖：公司手機(jī)用雙工器和濾波器、聲表濾波器產(chǎn)業(yè)關(guān)注：德清華瑩108資料來源：公司官網(wǎng)，華西證券研究所中電科技德清華瑩電子有限公司最早創(chuàng)建于1978年，是國家重點(diǎn)扶持高新技術(shù)企業(yè)，位于國家級 湖州莫干山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)。公司從1983年產(chǎn)學(xué)研結(jié)合的“德清模式”起步，經(jīng)歷了三十多 年的科技創(chuàng)新和發(fā)展，主營業(yè)務(wù)已擴(kuò)展到聲表面波器件、壓電、光電晶體