半導(dǎo)體行業(yè)深度報告：新興技術(shù)驅(qū)動硅片需求-國產(chǎn)廠商成長可期

1、半導(dǎo)體行業(yè)深度報告：新興技術(shù)驅(qū)動硅片需求_國產(chǎn)廠商成長可期1 三代半導(dǎo)體襯底材料互為補充，硅基半導(dǎo)體市占率達 90%半導(dǎo)體材料是指在常溫下導(dǎo)電性能介于絕緣體與導(dǎo)體之間的材料，半導(dǎo) 體材料包括半導(dǎo)體制造材料、半導(dǎo)體封測材料兩大類。半導(dǎo)體制造材料包括襯 底材料（以硅片為主）、電子特氣、光掩模、拋光液、光刻膠及配套化學(xué)品、 高純靶材等。半導(dǎo)體制造材料的市場規(guī)模隨著下游半導(dǎo)體產(chǎn)品市場需求的持續(xù)擴張呈 現(xiàn)快速增長的態(tài)勢，半導(dǎo)體襯底材料為半導(dǎo)體制造的核心材料。據(jù) SEMI 數(shù)據(jù) 顯示，2020 年全球半導(dǎo)體制造材料市場規(guī)模為 348.35 億美元，同比增長 6.49%；其中以硅片為代表的半導(dǎo)體襯底材料的銷

2、售額逾 122.04 億美元，占全 球半導(dǎo)體制造材料的市場份額高于 34.98%；市場份額占比極高。半導(dǎo)體襯底材料通常依據(jù)被投入使用的時間劃分為三代，第一代半導(dǎo)體 材料以硅（Si）和鍺(Ge)為代表，第二代化合物半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs） 為代表，第三代化合物半導(dǎo)體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表。這三代半導(dǎo)體材料無絕對的替代關(guān)系，而是在特定的應(yīng)用場景中存在各自的 比較優(yōu)勢，互為補充。第一代半導(dǎo)體晶圓襯底材料以硅（Si）和鍺(Ge)為代表，廣泛應(yīng)用于集成 電路，據(jù)統(tǒng)計 90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品為硅基半導(dǎo)體；基于硅材料的禁帶寬度 較窄、擊穿電壓閾值較低等特性，其主要用于低壓、低頻

3、、低功率的晶體管和探測器中。第二代化合物半導(dǎo)體晶圓襯底材料以砷化鎵（GaAs）為代表，GaAs 的電 子遷移率較高，適用于高頻傳輸；同時化合物半導(dǎo)體具有直接帶隙，這是和硅 半導(dǎo)體所不具備的，可適用于光電領(lǐng)域。砷化鎵半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用于制作高 速、高頻、大功率光電、微電子器件。第二代半導(dǎo)體材料的局限性在于鎵（地 殼含量僅 0.0015%）、銦（地殼含量僅 0.001%）材料資源稀缺，成本較高；砷 材料會造成嚴(yán)重的污染環(huán)境。第三代化合物半導(dǎo)體晶圓襯底材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代 表，其具有禁帶寬度較大、耐高壓、耐高溫等特性，適宜于高電壓、高頻率場 景，同時還能實現(xiàn)較少的電能消耗，獲

4、得更高的運行能力。目前 GaN 及 sic 材 料的發(fā)展受制于技術(shù)成熟度、器件成本、配套封裝技術(shù)等因素。2 第一代半導(dǎo)體襯底材料硅片硅基材料為目前業(yè)界應(yīng)用最為廣泛的半導(dǎo)體材料，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn) 品由硅基材料制成。相較于“競爭對手”“鍺（世界上第一只晶體管為鍺晶體 管），硅具有易提純、易刻蝕、制作工藝方便、禁帶寬度更大耐高壓性能較強、 熔點高等特性。同時硅在地殼中的占比約為 28.2%，為除氧元素之外儲量第二 豐富的元素，成本優(yōu)勢顯著；深受半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的青睞。半導(dǎo)體用單晶硅材料純度達到 99.9999999%（9 個 9）以上的超純多晶硅 提純制備而成，對于純度要求較高。硅材料的制備過程為：提

5、純沙子、礦石中 的二氧化硅，制成純度 98%以上的金屬硅。經(jīng)過進一步提純形成純度達 99.9999999%至 99.999999999%（9-11 個 9）的超純多晶硅。超純多晶硅在石 英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元素改變其導(dǎo)電能力，放入籽晶確 定晶向，經(jīng)過單晶生長，制成具有特定電性功能的單晶硅錠。半導(dǎo)體用單晶硅錠由電子用多晶硅通過直拉法（CZ）或區(qū)熔（FZ）制備 而成；單晶硅錠尺寸及晶體質(zhì)量受熔體的溫度、提拉速度、籽晶/石英坩堝的 旋轉(zhuǎn)速度等影響；單晶硅錠的電特性受元素硼(P)、磷（B）等的摻雜濃度影響。 拉制工藝等因素影響硅片的徑向電阻率均勻性、硅片翹曲度。硅棒經(jīng)過切片、 倒角

6、、研磨等硅片加工工序后形成硅片。2.1 半導(dǎo)體硅片分類半導(dǎo)體硅片可以按照硅片尺寸和制備工藝進行分類。2.1.1 硅片按尺寸分類為：硅片直徑增大提升生產(chǎn)效率及良率，8 英 寸及 12 英寸為市場主力硅片硅片按尺寸劃分為 12 英寸（300mm）,8 英寸（200mm），6 英寸（150mm）， 5 英寸（125mm），4 英寸（100mm）5 種規(guī)格。硅片直徑不斷增大的驅(qū)動力即來自于晶圓良率和生產(chǎn)效率的提升；大尺 寸的晶圓可切割出更多完整、性能良好的芯片。12 英寸晶圓的面積為 8 英寸 晶圓的 2.25 倍，以 100mm2 芯片為例，8 英寸晶圓可切割出 269 片，12 英寸 晶圓則可切割

7、出 640 片，生產(chǎn)效率大幅提升，同時性能良好的芯片數(shù)量增多。 晶圓直徑增大所帶來的收益遠大于其所造成的生產(chǎn)成本的提升時，業(yè)界遂有 巨大的動力推進晶圓尺寸的更迭。目前 8 英寸及 12 英寸為市場主力硅片。2.1.2 硅片按工藝分類為拋光片、SOI 硅片及外延片硅片通常按工藝可分類為拋光片、SOI 硅片（絕緣底上硅）及外延片三 類。拋光片是硅片通過拋光工藝，去除加工表面殘留的損傷層，提高硅片表面 的平整度、降低硅片表面顆粒度后獲取。拋光片可以直接用于半導(dǎo)體器件的制 備，也可作為外延片、SOI 硅片的襯底材料。外延片主要通過在拋光片的基礎(chǔ) 上進行外延生長獲得；外延片制備技術(shù)的重點包括外延層厚度及

8、其均勻性、電 阻率均勻性、體金屬控制、顆?？刂?、層錯、位錯等缺陷控制等。SOI 硅片是 差異化、功能性集成電路襯底材料；SOI 硅片在拋光片襯底上通過鍵合或離 子注入等方式制作，制備的重難點包括頂層硅厚度厚度均勻性，制備工藝較為 復(fù)雜，技術(shù)壁壘較高。外延片相較于拋光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了柵氧化層的 完整性，降低了溝道中的漏電率，從而材料可靠性更強。半導(dǎo)體硅外延片主要 用于對穩(wěn)定性、耐高壓性及電流耐受性有更高要求的元器件，如功率器件 （MOSFET，晶體管等）、模擬器件（如 CIS、PMIC 等）。SOI 硅片相較于拋光片具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、低壓低功耗、集 成密度高、速

9、度快等優(yōu)勢；由于其引入了絕緣層，大幅降低了硅片的寄生電容 以及漏電率。從而 SOI 硅片適合應(yīng)用耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度 高的芯片上，如射頻前端芯片、功率器件、傳感器以及硅光子器件等芯片產(chǎn)品。2.2 硅片制造行業(yè)特征顯著，市場集中度高，頭部優(yōu)勢顯著2.2.1 行業(yè)進入壁壘高企半導(dǎo)體硅片行業(yè)屬于技術(shù)密集型行業(yè)、資金密集型行業(yè)，行業(yè)進入壁壘極 高。半導(dǎo)體硅片制造包括硅單晶生長、切割、研磨、拋光、研磨、清洗、熱處 理、外延、硅片分析等多個環(huán)節(jié)，涉及一系列的技術(shù)積累；具有技術(shù)優(yōu)勢的半 導(dǎo)體硅片企業(yè)會通過申請專利為自身的技術(shù)提供保護，構(gòu)建護城河。半導(dǎo)體硅片制造和其下游晶圓代工制造相似，屬于資本

10、密集型產(chǎn)業(yè)。建設(shè) 初期的資金投入較高，廠房、產(chǎn)線建設(shè)成本，半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)所需要的設(shè)備如 拉晶設(shè)備、拋光機、外延設(shè)備等購置成本高企，例如一組拋光機設(shè)備的價格就 可能高達數(shù)千萬元。300mm 硅片產(chǎn)線的資金投入高達數(shù)十億元，如滬硅產(chǎn)業(yè) 的募投項目：集成電路制造用 300mm 高端硅片研發(fā)與先進制造項目預(yù)計所 耗費的資金總額達 46.03 億元。新產(chǎn)線的建成之后，還需經(jīng)歷設(shè)備調(diào)試期產(chǎn)能釋放、工藝研發(fā)及小批量 試制、產(chǎn)品認證等階段；從而半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)線從投產(chǎn)至達到設(shè)計產(chǎn)能，需要經(jīng)歷較長的周期，企業(yè)會經(jīng)歷營收規(guī)模增長不敵大額固定資產(chǎn)投資帶來 的新增折舊的陣痛期，會面臨盈利能力被削弱、資金壓力增大等風(fēng)險

11、。2.2.2 產(chǎn)品進入產(chǎn)業(yè)鏈認證耗時較長，客戶粘性較強半導(dǎo)體硅片是芯片制造的核心材料，下游客戶晶圓代工企業(yè)對于半導(dǎo)體 硅片的品質(zhì)要求極高，在供應(yīng)商選擇層面制定有嚴(yán)格的選擇標(biāo)準(zhǔn)和招采流程， 客戶粘性較強。通常芯片代工企業(yè)先要對硅片產(chǎn)品進行認證，認證通過后才會對硅片供 應(yīng)企業(yè)納入供應(yīng)鏈。半導(dǎo)體硅片的認證周期根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域和客戶規(guī)模的不同， 時間長度為 9 個月-5 年不等。如廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路的拋光片和外延 片產(chǎn)品的認證周期為 9-18 個月，對于可靠性要求極高的汽車電子、工業(yè)電子 等行業(yè)的半導(dǎo)體硅片認證周期則長達 3-5 年。由于半導(dǎo)體硅片的質(zhì)控對于芯 片制造尤為重要，且產(chǎn)品認證所耗費的時間

12、成本及資金成本較高，下游客戶 的粘性較高，通常認證通過后就不會輕易更換供應(yīng)商。2.2.3 市場集中度較高，頭部優(yōu)勢較為顯著半導(dǎo)體硅片具有技術(shù)壁壘高，資金投入大，產(chǎn)品進入產(chǎn)業(yè)鏈認證耗時較 長、盈利等待期較長，客戶粘性極高等特性，從而半導(dǎo)體硅片的市場集中度極 高，頭部優(yōu)勢顯著。據(jù)滬硅產(chǎn)業(yè)募集說明書及芯思想研究員數(shù)據(jù)顯示，2018 年至今年半導(dǎo)體硅片行業(yè) CR5（信越化學(xué)，SUMCO，Siltronic、環(huán)球晶圓及SK siltron）穩(wěn)定高于 85%，2020 年全球前五大半導(dǎo)體硅片企業(yè)市占率為 89.45%。率排名第六的索特克（Soitec）市占率僅約 5.7%。半導(dǎo)體硅片行業(yè)頭部企業(yè)在技術(shù)積累

13、、成本控制、客戶積累、市占率及議 價能力等方面具有優(yōu)勢；頭部優(yōu)勢較為顯著。對于市場新進入者而言，其產(chǎn)品 質(zhì)量和市場競爭力與頭部企業(yè)有一定的差距，因此在銷售單價也相對較低，同 時行業(yè)新進者尚處于產(chǎn)能爬坡期，新增固定資產(chǎn)帶來的折舊位于高位階段，產(chǎn) 品單位成本隨之升高，盈利表現(xiàn)較弱；行業(yè)追趕者實現(xiàn)彎道超車存在較大的 挑戰(zhàn)性。2.2.4 行業(yè)周期性顯著，頭部企業(yè)通過收并購提升市場競爭力半導(dǎo)體行業(yè)受宏觀經(jīng)濟波動的影響，具有周期性特征；由于半導(dǎo)體硅片行 業(yè)處于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游，因此半導(dǎo)體行業(yè)的周期性波動對上游半導(dǎo)體硅 片行業(yè)的出貨量及營收增長影響較為明顯。2000 年互聯(lián)網(wǎng)泡沫、2008 年全球金融危機

14、、2019 年-2020 年疫情席卷 全球器件硅片出貨量增幅及全球晶圓制造材料銷售額皆出現(xiàn)了顯著的下滑； 但從長期趨勢來看隨著互聯(lián)網(wǎng)、通信技術(shù)的進步，硅片行業(yè)發(fā)展呈上行趨勢。當(dāng)行業(yè)位于周期種底部時，頭部企業(yè)由于擁有更多的優(yōu)質(zhì)客戶、產(chǎn)品較為 多元化、具備規(guī)模優(yōu)勢及議價能力等特性，有更強的抗風(fēng)險能力；而規(guī)模較小 的企業(yè)則囿于產(chǎn)品單一化，成本高企，議價能力較弱等不足，更易陷入舉步維 艱的困境中。頭部企業(yè)通常可借此機會通過并購的方式擴張自身的業(yè)務(wù)版圖， 獲取優(yōu)質(zhì)資產(chǎn)，進一步提升市占率及技術(shù)競爭力。2.3 硅片市場規(guī)模 30 年年均復(fù)合增長率達 6.6%；受益于 物聯(lián)網(wǎng)、5G 通信技術(shù)等新興技術(shù)驅(qū)動，市

15、場規(guī)模穩(wěn)步上行1990 年至今，互聯(lián)網(wǎng)、移動通信、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的不斷發(fā)展持續(xù)提振硅 片行業(yè)的發(fā)展，據(jù)硅片制造行業(yè)龍頭企業(yè) SUMCO 的年報統(tǒng)計，1990 至今的 30 年內(nèi)硅片市場規(guī)模的年均復(fù)合增長率達 6.6%。2017 年以來受益于傳統(tǒng)計 算機、移動通信、工業(yè)電子等領(lǐng)域的穩(wěn)定增長及 5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源及人工 智能等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，全球硅片市場規(guī)模由 87 億美元增長至 112 億美 元，年均復(fù)合增長率為 13.15%。據(jù) SUMCO 預(yù)測，受物聯(lián)網(wǎng)、5G 通信技術(shù)、 數(shù)字化轉(zhuǎn)型浪潮的驅(qū)動，2020 年至 2025 年硅片市場規(guī)模保持穩(wěn)定增長，預(yù) 計年均復(fù)合增速將保持在 6.6%左右

16、。隨著下游需求的穩(wěn)定上行，半導(dǎo)體硅片銷售價格穩(wěn)定于較高水平；2020 年末至今受下游市場需求增長超預(yù)期影響，半導(dǎo)體硅片的產(chǎn)能供應(yīng)呈緊張態(tài) 勢，硅片大廠信越化學(xué)、環(huán)球晶圓及 SUMCO 先后發(fā)布漲價通知；預(yù)計 2021 及 2022 年度半導(dǎo)體硅片價格走高。據(jù) Semi 數(shù)據(jù)顯示，2018 年至 2020 年全 球半導(dǎo)體硅片（不含 SOI 硅片）銷售單價分別為 0.91 美元/平方英寸，0.96 美元/平方英寸，0.91 美元/平方英寸。2021 年 3 月信越化學(xué)宣布從 4 月起對 其所有硅產(chǎn)品的銷售價格提高 10%-20%，2021 年 2 季度 SUMCO 表示將提 升其 8 英寸及 12

17、 英寸晶圓售價。2.3.1 8 英寸及 12 英寸硅片合計市占率高于 90%，中長期需求強勁大尺寸硅片有助于提升芯片良率及生產(chǎn)效率，可切割出更多完整、性能良 好的芯片，經(jīng)濟效益更佳。目前市場主流硅片產(chǎn)品為 8 英寸（200mm），12 英寸（300mm）硅片；且由于 18 英寸晶圓的經(jīng)濟性存疑，導(dǎo)致其研發(fā)停滯 不前；長期來看 8 英寸及 12 英寸硅片仍將穩(wěn)居行業(yè)主流地位。據(jù) SEMI 統(tǒng) 計，2019 年度 8 英寸及 12 英寸硅片合計市占率首次超過 90%。2020 年 12 英寸硅片和 8 英寸硅片市場份額分別為 69.15%和 23.94%，合計市占率約 為 93%。下游客戶晶圓代工

18、廠的產(chǎn)能分布可以有效反饋市場對不同尺寸硅片的需 求。2006 年開始業(yè)界將投資主要集中于 12 英寸晶圓線的建設(shè)，8 英寸晶圓 產(chǎn)線新投資減少，2009 年至今全球 12 英寸晶圓廠數(shù)量快速增長，截至 2020 年已達 129 座。12 英寸硅片市場需求隨之快速提升。從硅片出貨市占率來看，2011 年至 2020 年，8 英寸半導(dǎo)體硅片的市占 率穩(wěn)定在 25-27%之間，2018 年，受益于汽車電子、工業(yè)電子、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng) 用領(lǐng)域的強勁需求，疊加功率器件、傳感器等生產(chǎn)商將部分產(chǎn)能從 6 英寸轉(zhuǎn) 移至 8 英寸，帶動 8 英寸晶圓市場需求上行，8 英寸硅片出貨面積達到 32.78 億平方英寸，同比

19、增長 6.25%；2019 年及 2020 年受疫情及貿(mào)易摩擦影響， 8 英寸晶圓出貨量微幅下滑。預(yù)計今年受下游消費電子、汽車電子等需求超預(yù) 期影響，8 英寸硅片出貨量上行。2010 年至 2020 年，12 英寸硅片市占率顯 著提升，據(jù) SEMI 統(tǒng)計，全球 12 英寸半導(dǎo)體硅片的出貨面積從 2011 年的 50.91 億平方英寸增長至 2020 年的 84.76 億平方英寸，市場份額從 57.34% 進一步提升至 69.15%。8 英寸晶圓線的成本優(yōu)勢、技術(shù)特性及工藝穩(wěn)定性等優(yōu)勢，其市場需求具 有不可替代性。中短期受“缺芯”潮影響，下游晶圓代工企業(yè)擴產(chǎn) 8 英寸晶 圓線產(chǎn)能；Semi 預(yù)測

20、受本次晶圓代工擴張潮影響，2020 年至 2024 年全球 8 英寸晶圓代工廠產(chǎn)能將提升 17%，則以 2020 年 8 英寸硅片出貨量為基數(shù)， 保守預(yù)計 2020 年至 2024 年全球 8 英寸硅片出貨量增幅或高于 20%。中長 期受 6 英寸晶圓線產(chǎn)能轉(zhuǎn)移，汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子、企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn) 型等領(lǐng)域需求持續(xù)上升的影響，預(yù)計 8 英寸硅片市場需求穩(wěn)中有增。基于 12 英寸硅片及晶圓代工技術(shù)的不斷成熟，12 英寸晶圓的經(jīng)濟性優(yōu) 勢疊加下游 5G 引發(fā)的換機潮、物聯(lián)網(wǎng)帶動智慧終端需求提升、汽車智能駕駛 普及率提升等因素影響，12 英寸硅片的市場需求將穩(wěn)步提升。SEMI預(yù)計 2022 年

21、 12 英寸半導(dǎo)體硅片需求將超 90 億平方英尺，12 英寸市場份額提升至約 70%。中國大陸市場，2020 年 12 英寸硅片的月需求量約為 105 萬片，本輪晶 圓代工產(chǎn)能擴張浪潮中大陸晶圓代企業(yè)將新增 8 家 12 英寸晶圓代工廠， SEMI 預(yù)計中國大陸 12 英寸芯片制造產(chǎn)能占比將從 2015 年的 8%提高至 2024 年的 20%；中國大陸 12 英寸硅片市場需求增長空間較大。供給端，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的供需失衡也傳導(dǎo)至產(chǎn)業(yè)鏈上游硅片行業(yè)，全球部 分硅片制造企業(yè)開啟了擴產(chǎn)模式，如環(huán)球晶圓 2020 年 6 月宣布擴建中德分 公司擴建 12 英寸產(chǎn)能，預(yù)計 2022 年中期產(chǎn)能進入釋放期；

22、2021 年滬硅產(chǎn)業(yè) 擴產(chǎn) 12 英寸產(chǎn)能，項目實施后，將新增 30 萬片/月可應(yīng)用于先進制程的硅片 產(chǎn)能；立昂微月產(chǎn) 15 萬片的 12 英寸硅片項目處于建設(shè)階段。據(jù) SEMI 的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2020 年全球 12 英寸半導(dǎo)體硅片的出貨量約為 627 萬片/月，預(yù) 計 2022 年 12 英寸硅片出貨量上升至 700 萬片/月。據(jù) SUMCO 預(yù)測，受智 能手機、PC、數(shù)據(jù)中心等終端需求的拉動，12 英寸硅片緊俏態(tài)勢仍將維持。中國大陸約 95%以上的 12 英寸硅片正片來自進口，增量市場及存量市 場的國產(chǎn)化替代空間巨大；目前國內(nèi)掌握且能實現(xiàn) 12 英寸硅片量產(chǎn)的企業(yè)較 少，國內(nèi)硅片龍頭企業(yè)

23、滬硅產(chǎn)業(yè)、立昂微等具備比較優(yōu)勢。不同尺寸、技術(shù)成熟度的硅片所適配的芯片制程存在差異；12 英寸硅片 通常應(yīng)用于 90nm 及以下的工藝制程，如常見的 90nm、65nm、55nm、45nm、 28nm、14nm 及以下先進制程等；8 英寸芯片制造對應(yīng)的是 90nm 以上的大 節(jié)點工藝制程。據(jù) SEMI 統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2020 年度 40nm 及以下制程芯片市 占率約為 59%，其中 20nm 及以下先進制程芯片市占率為 48.4%。預(yù)計未來 4 年 20nm 及以下先進制程芯片市占率將持續(xù)提升，2024 年市占率或可達 56%。預(yù)期滿足先進制程技術(shù)要求的 12 英寸硅片出貨量增幅最高，提振硅片

24、 制造企業(yè)盈利能力。目前國內(nèi)企業(yè)滬硅產(chǎn)業(yè) 12 英寸半導(dǎo)體硅片產(chǎn)品可應(yīng)用于 40-28nm、65nm、90nm 制程，可用于 20-14nm 制程的 12 英寸半導(dǎo)體硅片 現(xiàn)處于研發(fā)階段。2.3.2 5G 移動通信+汽車電子+物聯(lián)網(wǎng)推動 SOI 硅片市場規(guī)模持續(xù)上 行，6 年年復(fù)合增長率 19.1%不同工藝制備的硅片應(yīng)用范圍具備一定差異。SOI 硅片作為特殊硅基材 料，其通過在頂層硅和支撐襯底之間引入了氧化物絕緣埋層，大幅降低了硅片 的寄生電容及漏電率；具有低壓低損耗、傳輸速度快、耐高壓能力強、集成度 高等優(yōu)勢；SOI 硅片主要應(yīng)用于無線通信設(shè)備的射頻前端芯片，功率器件、傳 感器等，其應(yīng)用終端

25、覆蓋手機、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)智能終端、汽車電子等領(lǐng)域。 基于下游需求的拉動，全球 SOI 硅片市場規(guī)?？焖僭鲩L；據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)顯示， 截至 2020 年 SOI 硅片市場規(guī)模已達 10.33 億美元，6 年年均復(fù)合增速為 19.1%。由于 SOI 具備較高的技術(shù)壁壘，生產(chǎn)工藝更復(fù)雜、研發(fā)及生產(chǎn)成本 更高，全球范圍內(nèi)僅有 Soitec、信越化學(xué)、環(huán)球晶圓、SUMCO 及滬硅產(chǎn)業(yè) 集團等少數(shù)龍頭企業(yè)有能力生產(chǎn)，SOI 硅片銷售單價高于拋光片及外延片。目前海外市場的 SOI 產(chǎn)業(yè)鏈較為成熟，SOI 產(chǎn)品銷售額占比接近 90%。 國內(nèi)企業(yè)在下游智能手機、智慧終端、新能源汽車等領(lǐng)域迅速發(fā)展，對射頻前

26、端模塊、傳感器、功率元器件等芯片產(chǎn)品的需求持續(xù)上行，2017 年之前射頻 前端模塊和器件基本依賴進口。但隨著國內(nèi)中芯國際、華虹等國內(nèi)晶圓代工企 業(yè)在基于 SOI 工藝的芯片制造領(lǐng)域布局建設(shè)，2017 年至 2020 年中國大陸 SOI 硅片銷售額進入高增長階段。隨著 5G 通訊，新能源汽車、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的快速發(fā)展， SOI 硅片的傳輸速度快、低功耗、高集成度等特性將更具備市場競爭力。SEMI 預(yù)計未來三年全球 SOI 硅片市場規(guī)模仍將保持較高增速。移動通信領(lǐng)域，5G 頻譜的提升需要更多射頻器件和更高性能，天線、開 關(guān)、濾波器、低噪聲放大器、功率放大器等都需要提高集成度；會顯著提升對 SOI 硅片及 GaN 的需求。據(jù) SOitec 統(tǒng)計，2020 年移動通信領(lǐng)域 SOI 硅片 的市場需求約為 60mm2，預(yù)計 2025 年移動通信領(lǐng)域 SOI 硅片及 GAN 市場 需求將增至約 170mm2，市場需求 5 年年均復(fù)合增長率高于 20%。汽車電子領(lǐng)域，隨著新能源汽車市占率的提升及智能駕駛系統(tǒng)的完善和 普及，汽車電子（汽車控制到汽車電子化智能化、車載網(wǎng)絡(luò)通信、輔助駕駛系 統(tǒng)）的市場需求不斷提升提振 SOI 硅片的市場需求。SOitec 統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示， 20