3物質(zhì)結(jié)構(gòu)性質(zhì)命題規(guī)律與熱點(diǎn)題型-《奇招制勝》2017年高考化學(xué)熱點(diǎn)題型全突破含解析

1、學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精1、能夠聯(lián)合元素推斷察看電子排布式、軌道表示式，會(huì)判斷電離能、電負(fù)性的相對(duì)大小。2、能夠判斷成鍵種類、分子構(gòu)型及晶體構(gòu)造、掌握晶體的性質(zhì)。3、認(rèn)識(shí)晶格能的見解；4、掌握晶胞的有關(guān)計(jì)算熱點(diǎn)題型一、原子核外電子排布原理典例一、【考點(diǎn)定位】察看原子、離子的核外電子排布1、【2016新課標(biāo)1節(jié)選】鍺（Ge）是典型的半導(dǎo)體元素，在電子、資料等領(lǐng)域應(yīng)用寬泛.回答以下問題:1）基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為Ar_,有_個(gè)未成對(duì)電子。2）Ge與C是同族元素，C原子之間能夠形成雙鍵、叁鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子構(gòu)造角度剖析,原因是_。2、【2016江蘇卷節(jié)選】Zn2+

2、基態(tài)核外電子排布式為_.學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精【答案】1、（1）3d104s24p(2）Ge原子半徑大，原子間形成的單鍵較長(zhǎng)，p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能夠重疊，難以形成鍵;2、1s22s22p62s23p63d10（或Ar3d10）熱點(diǎn)題型二、分子的立體構(gòu)型和性質(zhì)典例二、【考點(diǎn)定位】此題主假如察看分子中原子的雜化軌道種類、共價(jià)鍵、等電子體以及配位鍵等有關(guān)判斷學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精2016江蘇卷節(jié)選】Zn（CN)42在水溶液中與HCHO發(fā)生以下反響：4HCHO+Zn（CN)42+4H+4H2O=Zn(H2O）42+4HOCH2CN（1)1molHCHO分子中含有鍵的數(shù)目為_m

3、ol.（2)HOCH2CN分子中碳原子軌道的雜化種類是_.（3）與H2O分子互為等電子體的陰離子為_。4）Zn（CN)42中Zn2+與CN的C原子形成配位鍵。不考慮空間構(gòu)型，Zn(CN)42的構(gòu)造可用表示圖表示為_?！敬鸢浮浚?）3（2）sp3和sp（3）NH2(4）學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精的解決物質(zhì)構(gòu)造的問題。熱點(diǎn)題型三、晶體的組成與性質(zhì)典例三、【考點(diǎn)定位】察看晶體種類的判斷和分子晶體熔沸點(diǎn)比較2016全國(guó)卷1節(jié)選】（3）比較以下鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，剖析其變化規(guī)律及原因_.學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精GeCl4GeBr4GeI4熔點(diǎn)-49.526146沸點(diǎn)83。1186約400【答案】(3

4、）GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸點(diǎn)依次增高.原因是分子構(gòu)造相像，分子量依次增大，分子間相互作使勁漸漸加強(qiáng)。熱點(diǎn)題型四、常有晶體模型與晶胞計(jì)算典例四、【考點(diǎn)定位】晶胞的計(jì)算2016全國(guó)卷1節(jié)選】（6）晶胞有兩個(gè)基本要素：原子坐標(biāo)參數(shù),表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)地點(diǎn)，以以下圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為（0,0,0)；B為（1,0,11122）；C為(，,0）。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為_。22晶胞參數(shù)，描繪晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565。76pm，其密度為_gcm-3學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精（列出計(jì)算式即可）.【答案】（6）(1，1，1）；8733107.444

5、6.02565.76典例五、【考點(diǎn)定位】察看核外電子排布、電離能、原子半徑、雜化軌道、空間構(gòu)型以及晶胞構(gòu)造判斷與計(jì)算等2016全國(guó)卷3】化學(xué)選修3：物質(zhì)構(gòu)造與性質(zhì)砷化鎵（GaAs）是優(yōu)秀的半導(dǎo)體資料,可用于制作微型激光器或太陽能電池的資料等?；卮鹨韵聠栴}：（1）寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式_。2）依照元素周期律，原子半徑Ga_As，第一電離能Ga_As。（填“大于”或“小于”)3）AsCl3分子的立體構(gòu)型為_，其中As的雜化軌道種類為_。(4）GaF3的熔點(diǎn)高于1000,GaCl3的熔點(diǎn)為77。9,其學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精原因是_。（5）GaAs的熔點(diǎn)為1238，密度為gcm-3,其晶

6、胞結(jié)構(gòu)以以下圖。該晶體的種類為_,Ga與As以_鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGagmol1和MAsgmol-1，原子半徑分別為rGapm和rAspm，阿伏加德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_。【答案】(1）1s22s22p63s23p63d104s24p3或Ar3d104s24p3（2）大于小于（3)三角錐形sp3（4）GaF3是離子晶體，GaCl3是分子晶體，離子晶體GaF3的熔沸點(diǎn)高;（5）原子晶體；共價(jià)鍵41030NA(rGa3rAs3)100%3(MGaMAs)學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精【名師議論】物質(zhì)構(gòu)造包括原子構(gòu)造（原子核外電子排布、原子的雜

7、化方式、元素電負(fù)性大小比較、元素金屬性、非金屬性的強(qiáng)弱）、分子構(gòu)造(化學(xué)鍵、分子的電子式、構(gòu)造式、構(gòu)造簡(jiǎn)式的書寫、化學(xué)式的種類、官能團(tuán)等)、晶體構(gòu)造(晶體種類的判斷、物質(zhì)熔沸點(diǎn)的高低、影響要素、晶體的密度、均派方法的應(yīng)用等).此題察看物質(zhì)構(gòu)造內(nèi)容，波及前36號(hào)元素核外電子排布式的書寫、元素周期律、第一電離能規(guī)律、空間構(gòu)型、雜化軌道、晶體熔點(diǎn)高低的判斷、晶體種類、以及晶胞的計(jì)算等知識(shí)，這部分知識(shí)要求考生掌握基礎(chǔ)知識(shí)，做到知識(shí)的靈便運(yùn)用等，考學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精查了學(xué)生綜合運(yùn)用所學(xué)化學(xué)知識(shí)解決有關(guān)化學(xué)識(shí)題的能力。只有掌握這些,才能夠更好的解決物質(zhì)構(gòu)造的問題.物質(zhì)的構(gòu)造與性質(zhì)在新課標(biāo)卷中近三年

8、的高考考點(diǎn)分布以下：考大綱求高考考點(diǎn)察看難度考題統(tǒng)計(jì)（新課標(biāo)）1、能夠結(jié)原子核外2016新課標(biāo)I,37,合元素推電子排布2016新課標(biāo)，37斷察看電原理2016新課標(biāo)，37子排布式、分子的立2015新課標(biāo)I,37軌道表示體構(gòu)造和2015新課標(biāo)，37式,會(huì)判斷性質(zhì)2015新課標(biāo)，37電離能、電晶體的組2014新課標(biāo)I,37負(fù)性的相成與性質(zhì)2014新課標(biāo)，37對(duì)大小。常有晶胞2、能夠判模型與晶斷成鍵胞計(jì)算種類、分子構(gòu)型及晶體構(gòu)造、掌握晶體學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精的性質(zhì)。3、認(rèn)識(shí)晶格能的見解；4、掌握晶胞的相關(guān)計(jì)算【命題規(guī)律】此題型為選修題,在四年高考取察看9次(共9份試卷），試題整體難度中等。高

9、考取此題型?？贾R(shí)點(diǎn)有：（1）電子排布式、軌道表示式、成對(duì)未成對(duì)電子、全滿半滿(2）分子立體構(gòu)型(3)氫鍵（4）晶體種類、特點(diǎn)、性質(zhì)（5)分子的極性（6)性質(zhì)比較：熔沸點(diǎn)、穩(wěn)固性、溶解性、電負(fù)性、電離能（7）雜化（8）晶胞（9）配位鍵、配合物(10）等電子體(11）鍵和鍵（12)周期表的分區(qū)等等。在復(fù)習(xí)過程中針對(duì)?？贾R(shí)點(diǎn)，要確實(shí)地回歸課本狠抓重要知識(shí)點(diǎn),加強(qiáng)骨干知識(shí)的穩(wěn)固和運(yùn)用。2017年高考說明增加了“價(jià)電子的電子排布式和軌道表達(dá)式”;“認(rèn)識(shí)共價(jià)鍵的形成、極性、種類（鍵和鍵）,認(rèn)識(shí)配位鍵的含義。；“認(rèn)識(shí)范德華力的含學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精義及對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響?！?；“認(rèn)識(shí)氫鍵的含義；“認(rèn)識(shí)晶格能的見解,認(rèn)識(shí)晶格能對(duì)離子晶體性