X射線衍射分析技術(shù)課件

X射線衍射分析技術(shù)X射線1X射線衍射分析技術(shù)X射線1第一節(jié)X射線衍射分析基礎(chǔ)X射線的發(fā)現(xiàn)1895年11月8日，德國物理學(xué)家倫琴在研究真空管高壓放電現(xiàn)象是偶然發(fā)現(xiàn)的X射線又稱倫琴射線倫琴獲得1901諾貝爾物理學(xué)獎2第一節(jié)X射線衍射分析基礎(chǔ)X射線的發(fā)現(xiàn)2X衍射分析歷史1895年倫琴發(fā)現(xiàn)具有特別強(qiáng)的穿透力的X射線1912年德國物理學(xué)家勞埃發(fā)現(xiàn)X射線通過晶體時產(chǎn)生衍射現(xiàn)象，證明了X射線的波動性和晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)的周期性1912年小布拉格提出著名的布拉格方程1913年老布拉格設(shè)計出第一臺X射線分光計，并發(fā)現(xiàn)了特征X射線3X衍射分析歷史1895年倫琴發(fā)現(xiàn)具有特別強(qiáng)的穿透力的X射線3X射線的產(chǎn)生燈絲中發(fā)出的電子達(dá)到一定的能量，電子受高壓電場的作用以高速轟擊靶面，會把靶面材料中的K層電子空出，處于激發(fā)態(tài)，其它層的電子躍入，能量降低，發(fā)出X射線波長范圍0.05~0.25nm，穿透力強(qiáng)X射線管：陽極靶＋陰極燈絲常用Cu、Cr、Fe、Ni等4X射線的產(chǎn)生燈絲中發(fā)出的電子達(dá)到一定的能量，電子受高壓電場熱陰極X射線管示意圖5熱陰極X射線管示意圖5X射線譜連續(xù)譜X射線由高速電子與陽極靶的原子碰撞時，電子失去動能所發(fā)射的光子所形成特征譜X射線其產(chǎn)生與陽極物質(zhì)的原子內(nèi)部結(jié)構(gòu)緊密相關(guān)在X射線多晶衍射中，主要利用K系輻射，它相當(dāng)于一束單色X射線6X射線譜連續(xù)譜X射線6Cu靶產(chǎn)生的X射線譜連續(xù)X射線特征X射線CuKaradiation,l=1.54178?KαKβ

7Cu靶產(chǎn)生的X射線譜連續(xù)X射線特征X射線CuK第二節(jié)X射線衍射的基本原理衍射：光線照射到物體邊沿后通過散射繼續(xù)在空間發(fā)射的現(xiàn)象由于干涉的存在，產(chǎn)生不同的衍射花樣，可用于分析晶體的性質(zhì)必須事先建立X射線衍射的方向和強(qiáng)度與晶體結(jié)構(gòu)之間的對應(yīng)關(guān)系8第二節(jié)X射線衍射的基本原理衍射：光線照射到物體邊沿后通過X射線衍射方向衍射方向?qū)嶋H上就是衍射條件問題，可用布拉格方程描述選擇反射只有當(dāng)l、q和d三者之間滿足布拉格方程時才能發(fā)生反射產(chǎn)生衍射的極限條件能夠被晶體衍射的電磁波的波長必須小于參加反射的晶體中最大面間距的2倍（l<2d）當(dāng)X射線的波長一定時，晶體中有可能參加反射的晶面族也是有限的，必須滿足d>l/2衍射級數(shù)n稱為衍射級數(shù)n=1稱為一級衍射，n=2稱為二級衍射9X射線衍射方向衍射方向?qū)嶋H上就是衍射條件問題，可用布拉格方程X射線分析應(yīng)用布拉格方程把晶體的周期性的特點(diǎn)d、X射線的本質(zhì)l與衍射規(guī)律q結(jié)合起來，利用衍射實驗只要知道其中兩個就可以計算出第三個已知l，測定q

，計算d可以確定晶體的周期結(jié)構(gòu)——晶體結(jié)構(gòu)分析（XRD）已知d，測定q

，計算出l，可以研究產(chǎn)生X射線特征波長，從而確定物質(zhì)是由何種元素組成的，含量多少——X射線波譜分析（XRF）10X射線分析應(yīng)用布拉格方程把晶體的周期性的特點(diǎn)d、X射線的本質(zhì)晶體對X光的衍射11晶體對X光的衍射11第三節(jié)X射線衍射儀器與制樣衍射儀的組成X光管樣品臺測角儀檢測器12第三節(jié)X射線衍射儀器與制樣衍射儀的組成121313ZnO的XRD圖衍射強(qiáng)度－2q衍射曲線14ZnO的XRD圖衍射強(qiáng)度－2q衍射曲線14常規(guī)的照相法與X射線衍射儀法記錄到的衍射圖譜之差異15常規(guī)的照相法與X射線衍射儀法記錄到的衍射圖譜之差異15樣品制備粉體樣品的制備樣品的顆粒度對X射線的衍射強(qiáng)度以及重現(xiàn)性有很大的影響顆粒越大，則參與衍射的晶粒數(shù)就越少，還會產(chǎn)生初級消光效應(yīng)，使得強(qiáng)度重現(xiàn)性較差一般要求粉體樣品的顆粒度大小在0.1-10mm范圍16樣品制備粉體樣品的制備16樣品制備粉體樣品的制備選擇參比物質(zhì)時，盡可能選擇結(jié)晶完好，晶料小于5mm，吸收系數(shù)小的樣品MgO、Al2O3、SiO2采用壓片、膠帶粘、石蠟分散的方法進(jìn)行制樣由于X射線的吸收與其質(zhì)量密度有關(guān)，要求樣品制備均勻，否則嚴(yán)重影響定量結(jié)果的重現(xiàn)性17樣品制備粉體樣品的制備17樣品制備薄膜樣品的制備需要注意薄膜的厚度一般適合比較厚的薄膜要求樣品具有比較大的面積，薄膜比較平整以及表面粗糙度要小特殊樣品的制備對于樣品量比較少的粉體樣品分散在膠帶紙上黏結(jié)或分散在石蠟油中，形成石蠟糊分散均勻且每次分散量控制相同18樣品制備薄膜樣品的制備181919第四節(jié)X射線衍射分析X射線衍射分析可給出材料中物相的結(jié)構(gòu)及元素的狀態(tài)信息XRD物相定性分析利用XRD衍射角位置及強(qiáng)度，鑒定未知樣品是由哪些物相所組成對比粉末衍射標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)合會（JCPDS）出版的粉末衍射卡片（PDF卡片）看“三強(qiáng)線”20第四節(jié)X射線衍射分析X射線衍射分析可給出材料中物相的結(jié)構(gòu)2121PDF卡片每張PDF卡片列出一種單相物質(zhì)（包括元素單質(zhì)、合金、無機(jī)化合物、礦物、有機(jī)化合物和金屬有機(jī)化合物）的多晶X射線衍射數(shù)據(jù)PDF卡片號51-0939，并標(biāo)出衍射數(shù)據(jù)的質(zhì)量(圖中為C)，分別是：★（高質(zhì)量實測數(shù)據(jù)），C（根據(jù)實測的單晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)計算而得的理論數(shù)據(jù)），I（衍射圖已指標(biāo)化，數(shù)據(jù)可靠），Q（數(shù)據(jù)質(zhì)量符合要求），D（已被質(zhì)量更高的卡片所替代）列出物質(zhì)的分子式，英文名稱和有關(guān)的參考文獻(xiàn)列出化合物的CA(ChemicalAbstracts)序列號22PDF卡片每張PDF卡片列出一種單相物質(zhì)（包括元素單質(zhì)、PDF卡片列出物質(zhì)的結(jié)晶學(xué)數(shù)據(jù)，包括：分子量，晶胞體積，理論和實測比重，所屬空間群，晶胞參數(shù)等列出了有關(guān)的實驗數(shù)據(jù)，包括：同樣質(zhì)量的樣品最強(qiáng)衍射線與a-Al2O3(剛玉)最強(qiáng)衍射線的強(qiáng)度比，實驗中所用的X射線種類和波長，實驗中是否使用了單色器和濾色片等等列出粉末衍射的棒圖，衍射峰角度(或d值)，相對強(qiáng)度，衍射指標(biāo)等PDF卡片是進(jìn)行物相鑒定的重要依據(jù)有光盤版發(fā)行，可根據(jù)實測的多晶X射線衍射圖譜自動進(jìn)行物相檢索23PDF卡片列出物質(zhì)的結(jié)晶學(xué)數(shù)據(jù)，包括：分子量，晶胞體積，理論2424物相定量分析每一種物相都有各自的特征衍射線，而衍射的強(qiáng)度與物相的質(zhì)量成正比，各物相衍射線的強(qiáng)度隨該相含量的增加而增加K是與測試條件、第J相的晶體結(jié)構(gòu)以及所選擇的衍射線有關(guān)的常數(shù)；μ為樣品對入射X射線的質(zhì)量吸收系數(shù)，隨樣品中物相組成的改變而變化；CJ為第J相在樣品中的體積分?jǐn)?shù)，即樣品中第J相的體積與樣品總體積之比25物相定量分析每一種物相都有各自的特征衍射線，而衍射的強(qiáng)度與物物相定量分析方法單線條法內(nèi)標(biāo)法直接比較法增量法26物相定量分析方法單線條法26單線條法是最簡單的定量方法，但精確稍差把多相混合物中待測物相的某根衍射線強(qiáng)度與該相純試樣的同指數(shù)衍射強(qiáng)度相比較要求兩次實驗時儀器的狀態(tài)和條件必須嚴(yán)格相同樣品中該物相與純相相近27單線條法是最簡單的定量方法，但精確稍差27內(nèi)標(biāo)法將一種己知物相百分含量的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)添加到含有未知物相的測試樣品中，充分混合以獲得待測物相含量的方法最常用最有效該物相的情況基本與純相相近28內(nèi)標(biāo)法將一種己知物相百分含量的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)添加到含有未知物相的測直接比較法以試樣自身中某相作為標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行強(qiáng)度比較的方法適合于粉體和塊狀樣品的定量容易受樣品中物相自身狀況影響29直接比較法以試樣自身中某相作為標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行強(qiáng)度比較的方法29增量法在多相混合物中，對待測物相進(jìn)行一次增量，然后根據(jù)測定的衍射強(qiáng)度進(jìn)行計算，獲得待測相的含量30增量法在多相混合物中，對待測物相進(jìn)行一次增量，然后根據(jù)測定的晶粒大小的測定多晶材料的晶粒大小是決定其物理化學(xué)性質(zhì)的一個重要因素對于納米材料，其晶粒大小直接影響到材料的性能XRD測量納米材料晶粒大小原理：衍射線的寬度與材料晶粒大小有關(guān)限制：晶粒要小于100nm31晶粒大小的測定多晶材料的晶粒大小是決定其物理化學(xué)性質(zhì)的一個重晶粒大小的測定Scherrer公式計算中還需要考慮儀器的影響，尤其是儀器的寬化效應(yīng)根據(jù)晶粒大小還可以計算晶胞的堆垛層數(shù)D是沿晶面垂直方向的厚度，也可以認(rèn)為是晶粒大小K是衍射峰形Scherrer常數(shù)，一般取0.89是入射X射線的波長是布拉格衍射角B1/2是衍射的半峰寬，單位為弧度32晶粒大小的測定Scherrer公式D是沿晶面垂直方向的厚度，TiO2納米材料晶粒大小測定對于TiO2納米粉體，衍射峰2q為21.5°，為101晶面當(dāng)采用CuKa，波長為0.154nm，衍射角的2q為25.30°，半高寬為0.375°根據(jù)Scherrer公式，可以計算獲得晶粒的尺寸D101＝21.5nm33TiO2納米材料晶粒大小測定對于TiO2納米粉體，衍射峰2q根據(jù)晶粒大小還可以計算出晶胞的堆垛層數(shù)N=D101/d101=21.5/0.352=61根據(jù)晶粒大小，還可以計算納米粉體的比表面積當(dāng)已知納米材料的晶體密度r和晶粒大小利用公式s=6/rD進(jìn)行比表面計算34根據(jù)晶粒大小還可以計算出晶胞的堆垛層數(shù)34小角X射線衍射在納米多層膜材料中，兩薄膜層材料反復(fù)重疊，形成調(diào)制界面周期良好的調(diào)制界面，產(chǎn)生相干衍射，形成明銳的衍射峰對于制備良好的小周期納米多層膜可以用小角度XRD方法測定其調(diào)幅周期大周期多層膜調(diào)制界面的XRD衍射峰因衍射角度太小而無法觀察35小角X射線衍射在納米多層膜材料中，兩薄膜層材料反復(fù)重疊，形成納米TiN/AlN薄膜樣品的XRD譜S2樣品在2q=4.43°時出現(xiàn)明銳的衍射峰,其對應(yīng)的調(diào)制周期為1.99nmS3.5樣品的2q=2.66°,調(diào)制周期為3.31nm分別與其設(shè)計周期2nm和3.5nm近似相等36納米TiN/AlN薄膜樣品的XRD譜S2樣品在2q=4.43小角X射線衍射XRD的小角衍射可以用來研究納米介孔材料的介孔結(jié)構(gòu)介孔材料可以形成很規(guī)整的孔，可以看作多層結(jié)構(gòu)通過測定測定孔壁之間的距離來獲得介孔的直徑是目前測定納米介孔材料結(jié)構(gòu)最有效的方法之一對于排列不規(guī)整的介孔材料不能獲得其孔徑大小37小角X射線衍射XRD的小角衍射可以用來研究納米介孔材料的介孔已二胺處理前后粘土的XRD曲線處理土的晶面間距(d001)由原來的13.1?膨脹到14.0?說明有機(jī)陽離子與粘土晶層間的水合陽離子進(jìn)行了交換38已二胺處理前后粘土的XRD曲線處理土的晶面間距(d001)由應(yīng)力的測定殘余應(yīng)力是指當(dāng)產(chǎn)生應(yīng)力的各種因素不復(fù)存在時，由于形變，相變，溫度或體積變化不均勻而存留在構(gòu)件內(nèi)部并自身保持平衡的應(yīng)力在無應(yīng)力存在時，各晶粒的同一{hkl}晶面族的面間距都為d039應(yīng)力的測定殘余應(yīng)力是指當(dāng)產(chǎn)生應(yīng)力的各種因素不復(fù)存在時，由于形薄膜厚度和界面結(jié)構(gòu)測定

XRD研究Au/Si薄膜材料的界面物相分布40薄膜厚度和界面結(jié)構(gòu)測定

XRD研究Au/Si薄膜材料的界面物質(zhì)狀態(tài)的鑒別不同的物質(zhì)狀態(tài)對X射線的衍射作用是不相同的，因此可以利用X射線衍射譜來區(qū)別晶態(tài)和非晶態(tài)一般非晶態(tài)物質(zhì)的XRD譜為一條直線漫散型峰的XRD一般是由液體型固體和氣體型固體所構(gòu)成微晶態(tài)具有晶體的特征，但由于晶粒小會產(chǎn)生衍射峰的寬化彌散，而結(jié)晶好的晶態(tài)物質(zhì)會產(chǎn)生尖銳的衍射峰41物質(zhì)狀態(tài)的鑒別不同的物質(zhì)狀態(tài)對X射線的衍射作用是不相同的，因不同材料狀態(tài)以及相應(yīng)的XRD譜示意圖42不同材料狀態(tài)以及相應(yīng)的XRD譜示意圖42第五節(jié)納米材料表征中的XRD應(yīng)用

納米材料合成中的物相結(jié)構(gòu)分析非晶態(tài)配合物法合成納米材料是一種有效的軟化學(xué)方法這類配合物具有組成穩(wěn)定、可溶解、可自身成膜等特點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)真正意義上的原子水平的均相混合利用該方法可以在低于正常合成溫度400-500度的條件下合成具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的納米材料43第五節(jié)納米材料表征中的XRD應(yīng)用

納米材料合成中的物相結(jié)LaCoO344LaCoO344合成溫度對SrAl2O4物相結(jié)構(gòu)的影響A:800℃;B:850℃;C:900℃;D:950℃;E:1000℃合成溫度對晶粒大小的影響45合成溫度對SrAl2O4物相結(jié)構(gòu)的影響合成溫度對晶粒大小的影SrAl2O4水解產(chǎn)物納米線的結(jié)構(gòu)納米線是SrCO3物相組成，Al(OH)3為吸附在表面的雜質(zhì)相46SrAl2O4水解產(chǎn)物納米線的結(jié)構(gòu)納米線是SrCO3物相組成納米材料晶粒度的分析Temperature/℃,for2hours500℃600℃700℃800℃900℃Averagegrainsize,Dg/nm15-202025100-150200Averagecrystalsize,Dc/nmAmorphous15.318.623.732.847納米材料晶粒度的分析Temperature/℃,for2納米介孔結(jié)構(gòu)的測定六方孔形MCM-41密堆積排列示意圖48納米介孔結(jié)構(gòu)的測定六方孔形MCM-41密堆積排列示意圖48A以5°為中心有一包峰，其中心角對應(yīng)孔徑為1.7nm左右有微孔結(jié)構(gòu)存在，且孔徑分布較寬，規(guī)整性也較差B升溫過程中，骨架結(jié)構(gòu)塌陷，孔結(jié)構(gòu)消失TiCl4-PEG法制備中孔粉體XRD結(jié)果（A）煅燒前（B）400℃下煅燒1小時49A以5°為中心有一包峰，其中心角對應(yīng)孔徑為1.7nm左右T小角度區(qū)域均有峰信號，存在孔結(jié)構(gòu)對應(yīng)孔徑分別為3.07nm和3.37nm鈦酸酯-十八胺法制備中孔粉體前驅(qū)體XRD結(jié)果（A）常溫常壓下沉化（B）加溫加壓下沉化50小角度區(qū)域均有峰信號，存在孔結(jié)構(gòu)鈦酸酯-十八胺法制備中孔粉體薄膜催化劑研究TiO2薄膜/Si的XRD衍射譜摻雜薄膜在加氫還原后的XRD譜TiO2均以銳鈦型晶相結(jié)構(gòu)存在摻雜劑不影響銳鈦型結(jié)構(gòu)摻雜劑以高分散態(tài)存在加氫還原后晶粒有明顯的長大Pd粒度很小，且高度分散Pt粒子較大，且在還原過程中發(fā)生聚集51薄膜催化劑研究TiO2薄膜/Si的XRD衍射譜摻雜焙燒過程對TiO2薄膜晶型的影響21.3o的峰屬于基底氧化物的信號，說明在所有薄膜中都發(fā)生了界面氧化反應(yīng)25.5o的峰對應(yīng)銳鈦型TiO2的特征峰所有樣品中都存在上述峰說明制備過程并未受到界面擴(kuò)散反應(yīng)的影響52焙燒過程對TiO2薄膜晶型的影響21.3o的峰屬于基底氧化物納米催化劑中毒研究LaCoO3樣品具有很好的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)500oC下中毒3h轉(zhuǎn)為非晶態(tài)700oC下中毒3h重新出現(xiàn)晶態(tài)，但組成復(fù)雜53納米催化劑中毒研究LaCoO3樣品具有很好的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)53單層分散研究在TiO2載體表面負(fù)載不同含量CuO的納米催化劑的XRD譜XRD測定CuO在TiO2載體表面的單層分散閾值CuO在TiO2載體上單層分散量為6.2mgCuO/1gTiO254單層分散研究在TiO2載體表面負(fù)載不同含量CuO的納米催化劑X射線衍射分析技術(shù)X射線55X射線衍射分析技術(shù)X射線1第一節(jié)X射線衍射分析基礎(chǔ)X射線的發(fā)現(xiàn)1895年11月8日，德國物理學(xué)家倫琴在研究真空管高壓放電現(xiàn)象是偶然發(fā)現(xiàn)的X射線又稱倫琴射線倫琴獲得1901諾貝爾物理學(xué)獎56第一節(jié)X射線衍射分析基礎(chǔ)X射線的發(fā)現(xiàn)2X衍射分析歷史1895年倫琴發(fā)現(xiàn)具有特別強(qiáng)的穿透力的X射線1912年德國物理學(xué)家勞埃發(fā)現(xiàn)X射線通過晶體時產(chǎn)生衍射現(xiàn)象，證明了X射線的波動性和晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)的周期性1912年小布拉格提出著名的布拉格方程1913年老布拉格設(shè)計出第一臺X射線分光計，并發(fā)現(xiàn)了特征X射線57X衍射分析歷史1895年倫琴發(fā)現(xiàn)具有特別強(qiáng)的穿透力的X射線3X射線的產(chǎn)生燈絲中發(fā)出的電子達(dá)到一定的能量，電子受高壓電場的作用以高速轟擊靶面，會把靶面材料中的K層電子空出，處于激發(fā)態(tài)，其它層的電子躍入，能量降低，發(fā)出X射線波長范圍0.05~0.25nm，穿透力強(qiáng)X射線管：陽極靶＋陰極燈絲常用Cu、Cr、Fe、Ni等58X射線的產(chǎn)生燈絲中發(fā)出的電子達(dá)到一定的能量，電子受高壓電場熱陰極X射線管示意圖59熱陰極X射線管示意圖5X射線譜連續(xù)譜X射線由高速電子與陽極靶的原子碰撞時，電子失去動能所發(fā)射的光子所形成特征譜X射線其產(chǎn)生與陽極物質(zhì)的原子內(nèi)部結(jié)構(gòu)緊密相關(guān)在X射線多晶衍射中，主要利用K系輻射，它相當(dāng)于一束單色X射線60X射線譜連續(xù)譜X射線6Cu靶產(chǎn)生的X射線譜連續(xù)X射線特征X射線CuKaradiation,l=1.54178?KαKβ

61Cu靶產(chǎn)生的X射線譜連續(xù)X射線特征X射線CuK第二節(jié)X射線衍射的基本原理衍射：光線照射到物體邊沿后通過散射繼續(xù)在空間發(fā)射的現(xiàn)象由于干涉的存在，產(chǎn)生不同的衍射花樣，可用于分析晶體的性質(zhì)必須事先建立X射線衍射的方向和強(qiáng)度與晶體結(jié)構(gòu)之間的對應(yīng)關(guān)系62第二節(jié)X射線衍射的基本原理衍射：光線照射到物體邊沿后通過X射線衍射方向衍射方向?qū)嶋H上就是衍射條件問題，可用布拉格方程描述選擇反射只有當(dāng)l、q和d三者之間滿足布拉格方程時才能發(fā)生反射產(chǎn)生衍射的極限條件能夠被晶體衍射的電磁波的波長必須小于參加反射的晶體中最大面間距的2倍（l<2d）當(dāng)X射線的波長一定時，晶體中有可能參加反射的晶面族也是有限的，必須滿足d>l/2衍射級數(shù)n稱為衍射級數(shù)n=1稱為一級衍射，n=2稱為二級衍射63X射線衍射方向衍射方向?qū)嶋H上就是衍射條件問題，可用布拉格方程X射線分析應(yīng)用布拉格方程把晶體的周期性的特點(diǎn)d、X射線的本質(zhì)l與衍射規(guī)律q結(jié)合起來，利用衍射實驗只要知道其中兩個就可以計算出第三個已知l，測定q

，計算d可以確定晶體的周期結(jié)構(gòu)——晶體結(jié)構(gòu)分析（XRD）已知d，測定q

，計算出l，可以研究產(chǎn)生X射線特征波長，從而確定物質(zhì)是由何種元素組成的，含量多少——X射線波譜分析（XRF）64X射線分析應(yīng)用布拉格方程把晶體的周期性的特點(diǎn)d、X射線的本質(zhì)晶體對X光的衍射65晶體對X光的衍射11第三節(jié)X射線衍射儀器與制樣衍射儀的組成X光管樣品臺測角儀檢測器66第三節(jié)X射線衍射儀器與制樣衍射儀的組成126713ZnO的XRD圖衍射強(qiáng)度－2q衍射曲線68ZnO的XRD圖衍射強(qiáng)度－2q衍射曲線14常規(guī)的照相法與X射線衍射儀法記錄到的衍射圖譜之差異69常規(guī)的照相法與X射線衍射儀法記錄到的衍射圖譜之差異15樣品制備粉體樣品的制備樣品的顆粒度對X射線的衍射強(qiáng)度以及重現(xiàn)性有很大的影響顆粒越大，則參與衍射的晶粒數(shù)就越少，還會產(chǎn)生初級消光效應(yīng)，使得強(qiáng)度重現(xiàn)性較差一般要求粉體樣品的顆粒度大小在0.1-10mm范圍70樣品制備粉體樣品的制備16樣品制備粉體樣品的制備選擇參比物質(zhì)時，盡可能選擇結(jié)晶完好，晶料小于5mm，吸收系數(shù)小的樣品MgO、Al2O3、SiO2采用壓片、膠帶粘、石蠟分散的方法進(jìn)行制樣由于X射線的吸收與其質(zhì)量密度有關(guān)，要求樣品制備均勻，否則嚴(yán)重影響定量結(jié)果的重現(xiàn)性71樣品制備粉體樣品的制備17樣品制備薄膜樣品的制備需要注意薄膜的厚度一般適合比較厚的薄膜要求樣品具有比較大的面積，薄膜比較平整以及表面粗糙度要小特殊樣品的制備對于樣品量比較少的粉體樣品分散在膠帶紙上黏結(jié)或分散在石蠟油中，形成石蠟糊分散均勻且每次分散量控制相同72樣品制備薄膜樣品的制備187319第四節(jié)X射線衍射分析X射線衍射分析可給出材料中物相的結(jié)構(gòu)及元素的狀態(tài)信息XRD物相定性分析利用XRD衍射角位置及強(qiáng)度，鑒定未知樣品是由哪些物相所組成對比粉末衍射標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)合會（JCPDS）出版的粉末衍射卡片（PDF卡片）看“三強(qiáng)線”74第四節(jié)X射線衍射分析X射線衍射分析可給出材料中物相的結(jié)構(gòu)7521PDF卡片每張PDF卡片列出一種單相物質(zhì)（包括元素單質(zhì)、合金、無機(jī)化合物、礦物、有機(jī)化合物和金屬有機(jī)化合物）的多晶X射線衍射數(shù)據(jù)PDF卡片號51-0939，并標(biāo)出衍射數(shù)據(jù)的質(zhì)量(圖中為C)，分別是：★（高質(zhì)量實測數(shù)據(jù)），C（根據(jù)實測的單晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)計算而得的理論數(shù)據(jù)），I（衍射圖已指標(biāo)化，數(shù)據(jù)可靠），Q（數(shù)據(jù)質(zhì)量符合要求），D（已被質(zhì)量更高的卡片所替代）列出物質(zhì)的分子式，英文名稱和有關(guān)的參考文獻(xiàn)列出化合物的CA(ChemicalAbstracts)序列號76PDF卡片每張PDF卡片列出一種單相物質(zhì)（包括元素單質(zhì)、PDF卡片列出物質(zhì)的結(jié)晶學(xué)數(shù)據(jù)，包括：分子量，晶胞體積，理論和實測比重，所屬空間群，晶胞參數(shù)等列出了有關(guān)的實驗數(shù)據(jù)，包括：同樣質(zhì)量的樣品最強(qiáng)衍射線與a-Al2O3(剛玉)最強(qiáng)衍射線的強(qiáng)度比，實驗中所用的X射線種類和波長，實驗中是否使用了單色器和濾色片等等列出粉末衍射的棒圖，衍射峰角度(或d值)，相對強(qiáng)度，衍射指標(biāo)等PDF卡片是進(jìn)行物相鑒定的重要依據(jù)有光盤版發(fā)行，可根據(jù)實測的多晶X射線衍射圖譜自動進(jìn)行物相檢索77PDF卡片列出物質(zhì)的結(jié)晶學(xué)數(shù)據(jù)，包括：分子量，晶胞體積，理論7824物相定量分析每一種物相都有各自的特征衍射線，而衍射的強(qiáng)度與物相的質(zhì)量成正比，各物相衍射線的強(qiáng)度隨該相含量的增加而增加K是與測試條件、第J相的晶體結(jié)構(gòu)以及所選擇的衍射線有關(guān)的常數(shù)；μ為樣品對入射X射線的質(zhì)量吸收系數(shù)，隨樣品中物相組成的改變而變化；CJ為第J相在樣品中的體積分?jǐn)?shù)，即樣品中第J相的體積與樣品總體積之比79物相定量分析每一種物相都有各自的特征衍射線，而衍射的強(qiáng)度與物物相定量分析方法單線條法內(nèi)標(biāo)法直接比較法增量法80物相定量分析方法單線條法26單線條法是最簡單的定量方法，但精確稍差把多相混合物中待測物相的某根衍射線強(qiáng)度與該相純試樣的同指數(shù)衍射強(qiáng)度相比較要求兩次實驗時儀器的狀態(tài)和條件必須嚴(yán)格相同樣品中該物相與純相相近81單線條法是最簡單的定量方法，但精確稍差27內(nèi)標(biāo)法將一種己知物相百分含量的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)添加到含有未知物相的測試樣品中，充分混合以獲得待測物相含量的方法最常用最有效該物相的情況基本與純相相近82內(nèi)標(biāo)法將一種己知物相百分含量的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)添加到含有未知物相的測直接比較法以試樣自身中某相作為標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行強(qiáng)度比較的方法適合于粉體和塊狀樣品的定量容易受樣品中物相自身狀況影響83直接比較法以試樣自身中某相作為標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行強(qiáng)度比較的方法29增量法在多相混合物中，對待測物相進(jìn)行一次增量，然后根據(jù)測定的衍射強(qiáng)度進(jìn)行計算，獲得待測相的含量84增量法在多相混合物中，對待測物相進(jìn)行一次增量，然后根據(jù)測定的晶粒大小的測定多晶材料的晶粒大小是決定其物理化學(xué)性質(zhì)的一個重要因素對于納米材料，其晶粒大小直接影響到材料的性能XRD測量納米材料晶粒大小原理：衍射線的寬度與材料晶粒大小有關(guān)限制：晶粒要小于100nm85晶粒大小的測定多晶材料的晶粒大小是決定其物理化學(xué)性質(zhì)的一個重晶粒大小的測定Scherrer公式計算中還需要考慮儀器的影響，尤其是儀器的寬化效應(yīng)根據(jù)晶粒大小還可以計算晶胞的堆垛層數(shù)D是沿晶面垂直方向的厚度，也可以認(rèn)為是晶粒大小K是衍射峰形Scherrer常數(shù)，一般取0.89是入射X射線的波長是布拉格衍射角B1/2是衍射的半峰寬，單位為弧度86晶粒大小的測定Scherrer公式D是沿晶面垂直方向的厚度，TiO2納米材料晶粒大小測定對于TiO2納米粉體，衍射峰2q為21.5°，為101晶面當(dāng)采用CuKa，波長為0.154nm，衍射角的2q為25.30°，半高寬為0.375°根據(jù)Scherrer公式，可以計算獲得晶粒的尺寸D101＝21.5nm87TiO2納米材料晶粒大小測定對于TiO2納米粉體，衍射峰2q根據(jù)晶粒大小還可以計算出晶胞的堆垛層數(shù)N=D101/d101=21.5/0.352=61根據(jù)晶粒大小，還可以計算納米粉體的比表面積當(dāng)已知納米材料的晶體密度r和晶粒大小利用公式s=6/rD進(jìn)行比表面計算88根據(jù)晶粒大小還可以計算出晶胞的堆垛層數(shù)34小角X射線衍射在納米多層膜材料中，兩薄膜層材料反復(fù)重疊，形成調(diào)制界面周期良好的調(diào)制界面，產(chǎn)生相干衍射，形成明銳的衍射峰對于制備良好的小周期納米多層膜可以用小角度XRD方法測定其調(diào)幅周期大周期多層膜調(diào)制界面的XRD衍射峰因衍射角度太小而無法觀察89小角X射線衍射在納米多層膜材料中，兩薄膜層材料反復(fù)重疊，形成納米TiN/AlN薄膜樣品的XRD譜S2樣品在2q=4.43°時出現(xiàn)明銳的衍射峰,其對應(yīng)的調(diào)制周期為1.99nmS3.5樣品的2q=2.66°,調(diào)制周期為3.31nm分別與其設(shè)計周期2nm和3.5nm近似相等90納米TiN/AlN薄膜樣品的XRD譜S2樣品在2q=4.43小角X射線衍射XRD的小角衍射可以用來研究納米介孔材料的介孔結(jié)構(gòu)介孔材料可以形成很規(guī)整的孔，可以看作多層結(jié)構(gòu)通過測定測定孔壁之間的距離來獲得介孔的直徑是目前測定納米介孔材料結(jié)構(gòu)最有效的方法之一對于排列不規(guī)整的介孔材料不能獲得其孔徑大小91小角X射線衍射XRD的小角衍射可以用來研究納米介孔材料的介孔已二胺處理前后粘土的XRD曲線處理土的晶面間距(d001)由原來的13.1?膨脹到14.0?說明有機(jī)陽離子與粘土晶層間的水合陽離子進(jìn)行了交換92已二胺處理前后粘土的XRD曲線處理土的晶面間距(d001)由應(yīng)力的測定殘余應(yīng)力是指當(dāng)產(chǎn)生應(yīng)力的各種因素不復(fù)存在時，由于形變，相變，溫度或體積變化不均勻而存留在構(gòu)件內(nèi)部并自身保持平衡的應(yīng)力在無應(yīng)力存在時，各晶粒的同一{hkl}晶面族的面間距都為d093應(yīng)力的測定殘余應(yīng)力是指當(dāng)產(chǎn)生應(yīng)力的各種因素不復(fù)存在時，由于形薄膜厚度和界面結(jié)構(gòu)測定

XRD研究Au/Si薄膜材料的界面物相分布94薄膜厚度和界面結(jié)構(gòu)測定

XRD研究Au/Si薄膜材料的界面物質(zhì)狀態(tài)的鑒別不同的物質(zhì)狀態(tài)對X射線的衍射作用是不相同的，因此可以利用X射線衍射譜來區(qū)別晶態(tài)和非晶態(tài)一般非晶態(tài)物質(zhì)的XRD譜為一條直線漫散型峰的XRD一般是由液體型固體和氣體型固體所構(gòu)成微晶態(tài)具有晶體的特征，但由于晶粒小會產(chǎn)生衍射峰的寬化彌散，而結(jié)晶好的晶態(tài)物質(zhì)會產(chǎn)生尖銳的衍射峰95物質(zhì)狀態(tài)的鑒別不同的物質(zhì)狀態(tài)對X射線的衍射作用是不相同的，因不同材料狀態(tài)以及相應(yīng)的XRD譜示意圖96不同材料狀態(tài)以及相應(yīng)的XRD譜示意圖42第五節(jié)納米材料表征中的XRD應(yīng)用

納米材料合成中的物相結(jié)構(gòu)分析非晶態(tài)配合物法合成納米材料是一種有效的軟化學(xué)方法這類配合物具有組成穩(wěn)定、可溶解、可自身成膜等特點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)真正意義上的原子水平的均相混合利用該方法可以在低于正常合成溫度400-500度的條件下合成具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的納米材料97第五節(jié)納米材料表征中的XRD應(yīng)用

納米材料合成中的物相結(jié)LaCoO398LaCoO344合成溫度對SrAl2