
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


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文檔簡介
電子論相比1.布洛赫理論作了哪些基本近似?它與金屬有哪些改進(jìn)?答:布洛赫理論作了3條基本假設(shè),即①認(rèn)為離子實固定在其瞬時位置上,可把電子的運動與離子實的運動分開來處理,這就是絕熱近似
;②認(rèn)為一個電子在離子實和其它電子所形成的勢場中運動,這就是單電子近似
;③假設(shè)所有電子及離子實產(chǎn)生的場都具有晶格周期性,這就是周期場近似
。布洛赫電子論相比于金屬 電子論,考慮了電子和離子實之間的相互作用,也考慮了電子與電子的相互作用。2.周期場對能帶形成是必要條件嗎?答:周期場對能帶的形成是必要條件,這是由于在周期場中運動的電子的波函數(shù)是一個周期性調(diào)幅的平面波,即是一個布洛赫波。由此使能量本征值也稱為波矢的周期函數(shù),從而形成了一系列的能帶。3.一個能帶有N個準(zhǔn)連續(xù)能級的物理原因是什么?答:這是由于晶體中含有的總原胞數(shù)N通常都是很大的,所以k的取值是十分密集的,相應(yīng)的能級也同樣十分密集,因而便形成了準(zhǔn)連續(xù)的能級。4.禁帶形成的原因如何?您能否用一物理圖像來描述?答:對于在倒格矢Kh中垂面及其附近的波矢k,即布里淵區(qū)OABCDkE(k)Δ>0Δ<0界面附近的波矢k,由于采用簡并微擾計算,致使能級間產(chǎn)生排斥作用,從而使
E(K)函數(shù)在布里淵區(qū)界面處“斷開”,即發(fā)生突變,從而產(chǎn)生了禁帶。模型各有何特點?它們有相同解:所謂近 電子模型就是認(rèn)為電子接近于 電子狀態(tài)的情況,而緊 模型則認(rèn)為電子在一個原子附近時,將主要受到該原子場的作用,把其它原子場的作用看成微擾作用。這兩種模型的相同之處是:選取一個適當(dāng)?shù)木哂姓恍院屯陚湫缘牟悸搴詹ㄐ问降暮瘮?shù)集,然后將電子的波函數(shù)在所選取的函數(shù)集中展開,其展開式中有一組特定的展開系數(shù),將展開后的電子的波函數(shù)代入薛定諤方程,利用函數(shù)集中各基函數(shù)間的正交性,可以得到一組各展開系數(shù)滿足的久期方程。這個久期方程組是一組齊次方程組,由齊次方程組有解條件可求出電子能量的本征值,由此便揭示出了系統(tǒng)中電子的能帶結(jié)構(gòu)。5.近 電子模型與緊之處?6.試述晶體中的電子作準(zhǔn)經(jīng)典運動的條件和準(zhǔn)經(jīng)典運動的基本公式。解:在實際問題中,只有當(dāng)波包的尺寸遠(yuǎn)大于原胞的尺寸,才能把晶體中的電子看做準(zhǔn)經(jīng)典粒子。準(zhǔn)經(jīng)典運動的基本公式有:晶體電子的準(zhǔn)動量為:晶體電子受到的外力為:晶體電子的速度為:在外加電磁場作用下,晶體電子的狀態(tài)變化滿足:1v
E(k)
kdtp
kF
dkk
k晶體電子的倒有效質(zhì)量張量為:1
1
2
E(k)m*
2dk
e
(Ε
v
B)dt
m*dtdv
e
(Ε
v
B)解:有效質(zhì)量實際上是包含了晶體周期勢場作用的電子質(zhì)量,它的引入使得晶體中電子準(zhǔn)經(jīng)典運動的加速度與外力直接聯(lián)系起來了,就像經(jīng)典力學(xué)中牛頓第二定律一樣,這樣便于處理外力作用下晶體電子的動力學(xué)問題。當(dāng)滿帶頂附近有空狀態(tài)k時,整個能帶中的電流,以及電流在外電磁場作用下的變化,完全如同存在一個帶正電荷e和具有正質(zhì)量|m*|、速度v(k)的粒子的情況一樣,這樣一個假想的粒子稱為空穴??昭ǖ囊胧沟脻M帶頂附近缺少一些電子的問題和導(dǎo)帶底有少數(shù)電子的問題十分相似,給研究半導(dǎo)體和某些金屬的導(dǎo)電性能帶來了很大的方便。7.試述有效質(zhì)量、空穴的意義。引入它們有何用處?答:在導(dǎo)體中,除去完全充滿的一系列能帶外,還有只是部分地被電子填充的能帶,后者可以起導(dǎo)電作用,稱為導(dǎo)帶。在半導(dǎo)體中,由于存在一定的雜質(zhì),或由于熱激發(fā)使導(dǎo)帶中存有少數(shù)電子,或滿帶中缺了少數(shù)電子,從而導(dǎo)致一定的導(dǎo)電性。在絕緣體中,電子恰好填滿了最低的一系列能帶,再高的各帶全部都是空的,由于滿帶不產(chǎn)生電流,所以盡管存在很多電子,并不導(dǎo)電。8.試述導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體能帶結(jié)構(gòu)的基本特征。格常數(shù)為a,電子的波函數(shù)為:;;ak
(x)
sin
xa3
k
(x)
i
cos
xi試求電子在這些狀態(tài)的波矢。解:布洛赫函數(shù)可寫成:
k
(x)
e
uk
(x)ikx其中
uk
(x
a)
uk
(x)
或?qū)懗?/p>
k
(x
a)
e
(x)ikak(1)aakk
(x
a)
sin
x
a
sin
x
(x)9.一維周期場中電子的波函數(shù)應(yīng)當(dāng)滿足布洛赫定理。若晶(1)(2)(3)
k
(x)
f
(x
ia)(其中為f某個確定的函數(shù))。
1eikak
ae
sin
xakai
xaak
e u
(x)
(x)
ei x
i
xuk
(x
a)
uk
(x)顯然有:aka故
(x)
sin
x
的波矢是
。(2)kk
(x
a)
i
cos
3(x
a)
i
cos
3x
(x)a
a
1eikak
aa3xi
cosa
e
a
uk
(x)
i
x
k
(x)
e
a
ei x
i
xuk
(x
a)
uk
(x)顯然有:故。ax
的波矢是ak3
(x)
i
cos(3)
(x
a)
f
(x
a
ia)
f
[x
(i
1)a]
f
(x
ma)
(x)k
k
i
i
meika
1k
0ki
0
xi
0ak
e u
(x)f
(
x
ia)
i
(x)
e故
k
(x)
f
(x
ia)的波矢是0。i要說明的是,上述所確定的波矢k并不是唯一的,這些k
值加上任一倒格矢都是所需的解。因為k空間中相差任一倒格矢的兩個k
值所描述的狀態(tài)是一樣的。10.已知電子在周期場中的勢能為:xb
na
b時2(xbmxU)2
],當(dāng)nana,當(dāng)
1)(0)(
xbanxaUb時2(
)
1
2
[其中:a
4b
,為常數(shù)。畫出勢能曲線,并求出其平均值;用近 電子模型求出此晶體的第1及第2個禁帶寬度。解:(1)該周期場的勢能曲線如下所示:7b
5b3bbO
b3b5b21
m
2b2xU64bb
1
1
m
2b2m
2
(b2
x
2
)dxU
b
dxbU
(x)dx3b3b
b2
dx其勢能平均值為:U
(x)dx
(2)根據(jù)近電子模型,此晶體的第1及第2個禁帶寬度為:E1
2U1
E2
2U
23211
14mb
22b其中U1和U2表示周期場U(x)展開成傅立葉級數(shù)的第一和第二個傅立葉系數(shù)。于是有:b
meb2d2(2)
()
U1
eUd
4b4b
bi
214b4b
3bi
2122112m
2b
2b4bb
m
2(b2
2
)d
U
(
)d
eU
2
e4b
bi
2
2
14b
3bi
2
2
4b故此晶體的第1及第2個禁帶寬度為:8m
2b2
3E1
2U1
m
2b2
2E2
2U
2
式中a是晶格常數(shù)。試求(1)能帶的寬度;87
1ma
2
8E(k)
(
cos
ka
cos
2ka)
2電子在波矢k的狀態(tài)時的速度;能帶底部和頂部電子的有效質(zhì)量。解:(1)在能帶底k=0處,電子能量為:在能帶頂k=/a處,電子能量為:故能帶寬度為:E(0)
0E( )
a
ma
2
2
2ma
2a2
2E
E( )
E(0)
11.已知一維晶體的電子能帶可寫成:(2)電子在波矢k的狀態(tài)時的速度為v(k)
1
dE
(sin
ka
1
sin
2ka)
dk
ma
4(3)電子的有效質(zhì)量為:在能帶頂部電子的有效質(zhì)量為:2于是有在能帶底部電子的有效質(zhì)量為:dk
2d
2
E
mcos
ka
1
cos
2kam*
2
/1m*
2m32*2m
m12.設(shè)二維正三角形晶格中原子間距為a,試根據(jù)緊近似的結(jié)果,求出s能帶E(k)的表達(dá)式,并求出相應(yīng)的電子速度v(k)和有效質(zhì)量的各個分量m。解:當(dāng)只計及最近鄰格點的相互作用時,根據(jù)緊近似可得該晶格由原子s態(tài)的形成的能帶表達(dá)式為:sR
s
近鄰kRJ
(R
)es
0
sE(k)
J
(1)上式中:2J
0
i
(ξ)
[U
(ξ)
V
(ξ)]dξ
0*ξ
dξ
(0i
s
isJ
(R
)
(ξ
R
)[U
ξ
V(()ξ)](其中U
(ξ)表示晶體中的周期性勢場,也即各格點原子勢場之和。V
(ξ)為某格點的原子勢場)在此二維晶格中,取原點為參考點,則其六個近鄰格點坐標(biāo)值為:223
a)2222(
1
a
,3
a) (
1
a
,23
a
) (
1
a,2(a,0) (
-a,0)
(
1
a
,
3
a
),2
2x
yxe
1
ak
3
ak
1
ak
把近鄰格式代入(1)式,并考慮到s態(tài)波函數(shù)的球?qū)ΨQ性:E(
s
J0
J
e2
s
J
0
2J1[(2)上式中J1表示原點所處格點與任一最近鄰格點的波函數(shù)的積分的負(fù)值,并有J1
>0。由此可知相應(yīng)的電子速度為:kv(k)
1
E(k)21yyx
x3
ak
)j]3
cos
ak
sin2
x3
ak
)i
(
2J1a
[(sin
ak
sin
1
ak
cos
2
2xy選取k
,k
軸沿張量主軸方向,則有*xy
yxm
m*
0
,而:232
21
12yx1
x2xak
)mxx2J
a
2(cos
ak
cos
ak
cosk
2
E
2*
/yakmyy23213J
a
2
cos
ak
cos1
x2y*2
2k
2
E
/13.用緊 方法處理面心立方的s態(tài)電子,若只計及最近鄰相互作用,試導(dǎo)出其能帶為:2
2
2
2
2
20E(k)
E
A
4J
(cos
kx
a
cos
ky
a
cos
ky
a
cos
kz
a
cos
kz
a
cos
kx
a
)近似方法并求能帶底部電子的有效質(zhì)量。解:當(dāng)只計及最近鄰格點的相互作用時,用緊處理晶體的s態(tài)電子,其能帶
E(k
)
的表達(dá)式可寫為0E(k)
E
A
JekRsRs
近鄰上式中:2A
i
(ξ)
[U
(ξ)
V
(ξ)]dξ
0*i
siJ
(ξ
R
)[U
(ξ)
V
(ξ)]
(ξ)dξ
0(a/2,-a/2,0),
(-a/2,a/2,0),
(-a/2,-a/2,0)(a/2,a/2,0),(a/2,
0,
a/2),(0,
a/2,
a/2),(a/2,
0,
-a/2),(0,
-a/2,
a/2),(-a/2,
0,
a/2),(0,
a/2,
-a/2),(-a/2,
0,
-a/2)(0,
-a/2,
-a/2)(其中U
(ξ)表示晶體中的周期性勢場,也即各格點原子勢場之和。V
(ξ)為最近鄰格點的原子勢場;R
s
為最近鄰格點的位矢)對面心立方晶格,取原點為參考點,則其最近鄰的12個格點的位矢坐標(biāo)值為:將上述的12套坐標(biāo)值代入上述的E(k)表達(dá)式,可得:0a
ai
a
(k
k
)
i
a
(k
k
)
e
2
x
y
e
2
x
y
]i
(k
k
)
e
2
x
yi
(k
k
)E(k)
E
A
J{[e
2
x
yaaa
aaaaai
(k
k
)
e
2
x z
]i
(k
k
)
e
2
y z
]}i
(k
k
)
e
2
x
zi
(k
k
)
e
2
y
zi
(k
k
)
e
2
x
zi
(k
k
)
e
2
y
zi
(k
k
)[e
2
x
zi
(k
k
)[e
2
y
z2220zxyxyx
k
)
cos
a
(k
k
)
k
)
cos
a
(k
E
A
2J[cosa
(ka
a
a
cos
(kx
kz
)
cos
(ky
kz
)
cos
(ky
kz
)]2
2
22
2
2
2
2
20
E
A
4J
(cos
kx
a
cos
ky
a
cos
ky
a
cos
kz
a
cos
kz
a
cos
kx
a
)
ky
kz由于J
0
,所以當(dāng)kx
0時,E(k
)有最小值:Emin
E0
A
12J即為能帶底部。選取kx
,ky
,kx軸沿張量主軸方向,則有:而在能帶底部有:xy
m*
m*
m*
m*
m*
0yx
xz
zx
yz
zym*2*)2cos
cos22k
ak
ak
axzy2xmxx
22
k
a
2Ja
2
cos
Ja
2
(cos
x
cos2k
2
E
/2*)2cos
cos22k
ak
ak
azyy2ymyy22
k
a
2Ja2
cos
Ja2
(cos
x
cos2k
2
E
/2*2cos
cos
)222k
ak
ak
axzzy2zmzz22
k
a
2Ja2
cos
Ja
2
(cos
cosk
2
E
/的電子在外場作用下不產(chǎn)生電流的原因。答:導(dǎo)帶中只有部分狀態(tài)被電子填充,外場的作用會使布里淵區(qū)的狀態(tài)分布發(fā)生變化。所有的電子狀態(tài)以相同的速度沿著電場的反方向運動,但由于能帶是不滿帶,逆電場方向上運動的電子較多,因此產(chǎn)生電流。有外場E時,所有的電子狀態(tài)以相同的速度沿著電場的反方向運動。在滿帶的情形中,電子的運動不改變布里淵區(qū)中電子的分布。所以在有外場作用的情形時,滿帶中的電子不產(chǎn)生宏觀的電流。14.
簡述導(dǎo)帶中的電子在外場作用下產(chǎn)生電流的原因和滿帶中對于絕緣體:價電子剛好填滿了的能帶,形成滿帶。導(dǎo)帶和價帶之間存在一個很寬的禁帶,所以在電場的作用下沒有電
生。對于半導(dǎo)體:從能帶結(jié)構(gòu)來看與絕緣體的相似,但半導(dǎo)體禁帶寬度較絕緣體的窄,依靠熱激發(fā)即可以將滿帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶中,因而具有導(dǎo)電能力。15.
根據(jù)能帶理論簡述金屬、半導(dǎo)體和絕緣體的導(dǎo)電性。
答:對于金屬:電子在能帶中的填充可以形成不滿帶,即導(dǎo)帶,因此它們一般是導(dǎo)體。16.
當(dāng)電子的波矢落在布里淵區(qū)邊界上時,其有效質(zhì)量何以與真實質(zhì)量有顯著差別?答:晶體中的電子除受外場力的作用外,還和晶格相互作用.設(shè)外場力為F,晶格對電子的作用力為Fl,電子的加速度為:lma
1
(F
F
)但Fl的具體形式是難以得知的。要使上式中不顯含F(xiàn)l,又要保持上式左右恒等,則只有:m*a
F顯然,晶格對電子的作用越弱,有效質(zhì)量m*與真實質(zhì)量m的差別就越小.相反,晶格對電子的作用越強,有效質(zhì)量m*與真實質(zhì)量m的差別就越大。當(dāng)電子的波矢落在布里淵區(qū)邊界上時,與布里淵區(qū)邊界平行的晶面族對電子的散射作用最強烈。在晶面族的反射方向上,各格點的散射波相位相同,迭加形成很強的反射波
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