三極管命名方法課件

中國半導體器件型號命名方法中國半導體器件型號命名方法1半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：第一部分：用數(shù)字表示半導體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、2第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用數(shù)字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內(nèi)型。P-普通管、V3例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管4日本半導體分立器件型號命名方法日本半導體分立器件型號命名方法5三極管命名方法課件6三極管命名方法課件7三極管命名方法課件8三極管命名方法課件9三極管命名方法課件10三極管命名方法課件11美國半導體分立器件型號命名方法美國半導體分立器件型號命名方法12三極管命名方法課件13三極管命名方法課件14三極管命名方法課件15貼片電容的型號

命名方法及規(guī)則簡介貼片電容的型號

命名方法及規(guī)則簡介16三極管命名方法課件17三極管命名方法課件18貼片電容的尺寸表示法有兩種，一種是英寸為單位來表示，一種是以毫米為單位的公制來表示。貼片電容系列的型號有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225、2512等。04表示長度是0.04英寸，02表示寬度0.02英寸，其他類同。

英制英寸公制mm長度及公差寬度及公差厚度及公差

040210051.00±0.050.50±0.050.50±0.05

060316081.60±0.100.80±0.100.80±0.10

080520122.00±0.201.25±0.200.70±0.20

120632163.20±0.301.60±0.200.70±0.20

121032253.20±0.302.50±0.301.25±0.30

180845204.50±0.402.00±0.20≤2.00

181245324.50±0.403.20±0.30≤2.50

222557635.70±0.506.30±0.50≤2.50

303576907.60±0.509.00±0.05≤3.00

不同國家、廠商的命名方法不相同。貼片電容的尺寸表示法有兩種，一種是19三極管命名方法課件20三極管命名方法課件21三極管命名方法課件22三極管命名方法課件23三極管命名方法課件24三極管命名方法課件25三極管命名方法課件26三極管命名方法課件27三極管命名方法課件28三極管命名方法課件29精品課件！精品課件！30精品課件！精品課件！31三極管命名方法課件32中國半導體器件型號命名方法中國半導體器件型號命名方法33半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：第一部分：用數(shù)字表示半導體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、34第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用數(shù)字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內(nèi)型。P-普通管、V35例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管36日本半導體分立器件型號命名方法日本半導體分立器件型號命名方法37三極管命名方法課件38三極管命名方法課件39三極管命名方法課件40三極管命名方法課件41三極管命名方法課件42三極管命名方法課件43美國半導體分立器件型號命名方法美國半導體分立器件型號命名方法44三極管命名方法課件45三極管命名方法課件46三極管命名方法課件47貼片電容的型號

命名方法及規(guī)則簡介貼片電容的型號

命名方法及規(guī)則簡介48三極管命名方法課件49三極管命名方法課件50貼片電容的尺寸表示法有兩種，一種是英寸為單位來表示，一種是以毫米為單位的公制來表示。貼片電容系列的型號有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225、2512等。04表示長度是0.04英寸，02表示寬度0.02英寸，其他類同。

英制英寸公制mm長度及公差寬度及公差厚度及公差

040210051.00±0.050.50±0.050.50±0.05

060316081.60±0.100.80±0.100.80±0.10

080520122.00±0.201.25±0.200.70±0.20

120632163.20±0.301.60±0.200.70±0.20

121032253.20±0.302.50±0.301.25±0.30

180845204.50±0.402.00±0.20≤2.00

181245324.50±0.403.20±0.30≤2.50

222557635.70±0.506.30±0.50≤2.50

303576907.60±0.509.00±0.05≤3.00

不同國家、廠商的命名方法不相同。貼片電容的尺寸表示法有兩種，一種是51三極管命名方法課件