半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)測試題

第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)測試題（高三）姓名班次分?jǐn)?shù)一、選擇題1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中加入下列物質(zhì)而形成的。A、電子；B、空穴；C、三價元素；D、五價元素。TOC\o"1-5"\h\z2、在摻雜后的半導(dǎo)體中，其導(dǎo)電能力的大小的說法正確的。A、摻雜的工藝；B、雜質(zhì)的濃度：C、溫度；D、晶體的缺陷。3、晶體三極管用于放大的條件，下列說法正確的。A、發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；B、發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏;C、發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏；D、發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏;4、晶體三極管的截止條件，下列說法正確的。A、發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；B、發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏;C、發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏；D、發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏;5、晶體三極管的飽和條件，下列說法正確的。A、發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；B、發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏;C、發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏；D、發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏;6、理想二極管組成的電路如下圖所示，其AB兩端的電壓是A、一12VA、一12V；C、+6V；B、一6V；D、+12V。7、要使普通二極管導(dǎo)通，下列說法正確的A、A、運(yùn)用它的反向特性;B、鍺管使用在反向擊穿區(qū);C、硅管使用反向區(qū)域，而鍺管使用正向區(qū)域；D、都使用正向區(qū)域。8、對于用萬用表測量二極管時，下列做法正確的。A、用萬用表的RX100或RX1000的歐姆，黑棒接正極，紅棒接負(fù)極，指針偏轉(zhuǎn);B、用萬用表的RX10K的歐姆，黑棒接正極，紅棒接負(fù)極，指針偏轉(zhuǎn)；C、用萬用表的RX100或RX1000的歐姆，紅棒接正極，黑棒接負(fù)極，指針偏轉(zhuǎn);D、用萬用表的RX10，黑棒接正極，紅棒接負(fù)極，指針偏轉(zhuǎn)；9、電路如下圖所示，則A、B兩點(diǎn)的電壓正確的是.1一+15VA、UA=3.5V，Ub=3.5V，1一+15V1'25k[1只供學(xué)習(xí)與父流181d10vBl2k_■N■.15k丄+◎10k資料收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請聯(lián)系網(wǎng)站刪除資料收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請聯(lián)系網(wǎng)站刪除只供學(xué)習(xí)與交流只供學(xué)習(xí)與交流B、UA=3.5V,UB=1.0V,D截止;C、UA=1.0V,UB=3.5V,D導(dǎo)通;D、UA=1.0V，UB=1.0V，D截止。10、穩(wěn)壓二極管在電路中的接法，正確的說法。A、穩(wěn)壓管是正向并接在電路中，即穩(wěn)壓管正極接電路中電源的正極，負(fù)極接電源的負(fù)極；B、穩(wěn)壓管是反向并接在電路中，即穩(wěn)壓管正極接電路中電源的負(fù)極，負(fù)極接電源的正極；C、穩(wěn)壓管是正向串接在電路中，即穩(wěn)壓管正極串接電路中電源的高電位，負(fù)極接電源的低電位。D、穩(wěn)壓管是反向串接在電路中，即穩(wěn)壓管正極串接電路中電源的低電位，負(fù)極接電源的高電位。11、電路如下圖所示，當(dāng)電路輸入端的電壓發(fā)生變化時，會引起輸出電壓的變化，則下列四種變化中正確的A、UI下列四種變化中正確的A、UIf-U0f-IWf-IRf_URf_U0(；B、UIf-U0一IW一IR一Ur一；C、UIf-U0一IW一IR一Ur；D、UIf-U0(一IW(—IR(—Ur；-U0HLIkRlUo12、對于三極管放大作用來說，下列說法中最確切的A、三極管具有電壓放大作用；B、三極管具有功率放大作用；C、三極管具有電流放大作用；D、三極管具有能量放大作用。13、對于二極管來說，下列說法中錯誤的。A、二極管具有單向?qū)щ娦?；B、二極管同樣具有放大作用；C、二極管具有箝位功能；D、二極管具有開關(guān)等功能。14、對于三極管的輸入特性，下列說法正確的是A、三極管的輸入特性是指三極管的基極電流與Ube之間的關(guān)系；B、三極管的輸入特性是指三極管的基極電流與Uce之間的關(guān)系；C、三極管的輸入特性是指三極管的基極電流與Ic之間的關(guān)系；D、三極管的輸入特性是指三極管的基極電流與Ie之間的關(guān)系；15、下圖中兩只二極管的導(dǎo)通狀態(tài)RiR210VD1ZK3VA、D］、D2導(dǎo)通；B、D］、D2截止;RiR210VD1ZK3VC、D1導(dǎo)通、D2截止；D、D1截止、D2導(dǎo)通。16、下圖中二極管為理想二極管，則輸出電壓A、Uao=15V；B、Uao=12V；C、Uao=-15V；D、Uao=-12Vo17、下圖中二極管為理想二極管，則輸出電壓是A、Uao=15V；B、Uao=12V；-518、下圖中二極管為理想二極管，則輸出電壓是A、Uao=6V；B、Uao=-6V；C、Uao=-12V；D-518、下圖中二極管為理想二極管，則輸出電壓是A、Uao=6V；B、Uao=-6V；C、Uao=-12V；D、Uao=12Vo-HnDe6V3K-r12V19、金屬導(dǎo)體的電阻率隨溫度升高而，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度的升高而A、升高/升高;B、降低/降低；C、升高/降低；DA、升高/升高;20、下列是PN結(jié)兩端的電位值，使PN結(jié)導(dǎo)通的是.A、P端接+5V,N端通過一電阻接+7V；B、N端接+2V，P端通過一電阻接+7V；C、P端接一3V,N端通過一電阻接+7V；D、P端接+1V，N端通過一電阻接+6V。21、電路如圖所示，R=1KQ,設(shè)二管導(dǎo)通時的管壓降為0.5V，則電壓表的讀數(shù)是A、0.5V；B、15V；C、3V；D、以上答案都不對。22、如圖所示，設(shè)輸入信號ui為正弦波，幅值為IV,二極管導(dǎo)通時正22、如圖所示，設(shè)輸入信號ui為正弦波，幅值為IV,二極管導(dǎo)通時正向電壓降為關(guān)于輸出信號uo波形的說法，正確的輸出電壓值的范圍介于-0.6V—+0.6V之間；輸出電壓值的范圍介于-0V—+0.6V之間；輸出電壓值的范圍介于-0.6V—0V之間；輸出電壓值的范圍介于0V—1V之間。0.6V,A、B、C、D、RvUiUd■o23、對于3AG11C三極管的型號，下列說法正確的oA、鍺管PNP型高頻小功率晶體管；B、鍺管PNP型低頻大功率晶體管；C、硅管NPN型高頻小功率晶體管；D、硅管NPN型低頻大功率晶體管;

TOC\o"1-5"\h\z24、對于3DD80C三極管的型號，下列說法正確的。A、鍺管PNP型高頻小功率晶體管；B、鍺管PNP型低頻大功率晶體管；C、硅管NPN型高頻小功率晶體管；D、硅管NPN型低頻大功率晶體管;25、對于3DG12C三極管的型號，下列說法正確的。A、鍺管PNP型高頻小功率晶體管；B、鍺管PNP型低頻大功率晶體管；C、硅管NPN型高頻小功率晶體管；D、硅管NPN型低頻大功率晶體管26、對于3AD30B三極管的型號，下列說法正確的。A、鍺管PNP型高頻小功率晶體管；B、鍺管PNP型低頻大功率晶體管;C、硅管NPN型高頻小功率晶體管；D、硅管NPN型低頻大功率晶體管27、場效應(yīng)管屬于控制型器件,A27、場效應(yīng)管屬于控制型器件,A、電壓/電流;B、電流/電壓;晶體三極管則屬于控制器件。C、電壓/電壓；D、電流/電流28、電路其如圖所示，D為理想二極管，則u0為28、電路其如圖所示，D為理想二極管，則u0為A、3V；B、6V；C、-3V；D、-6V。29、電路如下圖所示，已知Rb=10KQ,Rc=lKQ,Ec=10V,晶體管的卩=50,Ube=0.7V，當(dāng)Ui=0V時，三極管處于。A、截止?fàn)顟B(tài)；B、放大狀態(tài)；C、飽和狀態(tài)；D、擊穿狀態(tài)。二、判斷下列說法是否正確，用“V”和“X”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體。()因為N型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電。()PN結(jié)在無光照、無外加電壓時，結(jié)電流為零。()處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運(yùn)動形成的。()結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵-源電壓應(yīng)使柵-源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其RgsGS大的特點(diǎn)。()若耗盡型N溝道MOS管的UGS大于零，則其輸入電阻會明顯變小。()GS三、寫出下圖所示各電路的輸出電壓值，設(shè)二極管導(dǎo)通電壓Ud=0.7V。2V2VO2VtO2Vt2V2V2VO2VtO2Vt2V四、已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值Uz=6V，