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太陽能電池制作流程20090318熊飛太陽能電池制作流程共13頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第1頁!太陽電池的制造過程硅片檢驗Waferincominginspection蝕刻和表面制絨Wetetchandsurfacetexture磷擴散POCL3emitterdiffusion去除磷硅玻璃PSGremoval抗反射層鍍膜SiNxARCdepositiononfront前面電極印刷和干燥FrontAgscreenprintanddry背面電極印刷和干燥RearAgscreenprintanddry背面電場印刷和干燥RearAlscreenprintanddry前后面金屬接觸共燒結Front&Rearcontactco-firing激光邊緣結隔離Laserisolation光電檢測和分類Photoelectrictestandsort入庫和出貨Storageandshippment太陽能電池制作流程共13頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第2頁!太陽電池制造過程-硅片檢驗硅片來料檢驗外觀Appearance半導體導電極性Siconductiontype電阻率Resistivity中心厚度Centralthickness平均厚度Averagethickness表面平坦度/總厚度偏差TTV(totalthicknessvariation)翹曲度Bow少數(shù)載流子壽命Minoritycarrierlifetime邊長/直徑Lengthwaferedges/Diameter太陽能電池制作流程共13頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第3頁!太陽電池制造過程-蝕刻制絨蝕刻制絨的目的:去除切割損傷層和形成粗糙的吸光表面.蝕刻機臺:RENAInTex絨面蝕刻原理:單晶硅堿溶液蝕刻Si+2NaOH+H2O→Na2SiO3+2H2↑流程為:KOH(NaOH)+IPAetch(60-90℃)DIW(去離子水)洗凈HF去除氧化層熱DIW洗凈熱風吹干多晶硅酸溶液蝕刻Si+HNO3+HFH2SiF6+HNO2+H2O+H2↑流程為:HNO3+HF+(CH3COOH)etch(5-20℃)KOH中和DIW(去離子水)洗凈HCl去除金屬離子DIW洗凈熱風吹干蝕刻深度4.5um.太陽能電池制作流程共13頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第4頁!太陽電池制造過程-擴散擴散制程目的:形成PN結.擴散機臺:TempressTubeFurnace(TS81254)原理:分為兩個過程預沉積4POCl3+3O22P2O5+6Cl2(800-900℃)磷驅入2P2O5+5Si4P+5SiO2(850-950℃)擴散深度0.3-0.5um擴散方塊電阻50-80ohm/sq.太陽能電池制作流程共13頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第5頁!太陽電池制造過程-PECVDPECVD制程目的:沉積抗反射膜(ARC)沉積機臺:OTBDEPx1500原理:NH3+SiH4(400-500℃)SiNx+H2流程為:硅片裝入加熱沉積SiNx冷卻破片清掃硅片卸出沉積厚度:~80nm.太陽能電池制作流程共13頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第6頁!太陽電池制造過程-印刷燒結FrontsidebusbarFrontsidefingerRearsidebusbar太陽能電池制作流程共13頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第7頁!太陽電池制造過程-測試分類光電測試原理:利用模擬太陽光照射測量電池的輸出電學參數(shù).光電測試條件:溫度25℃,光譜分布AM1.5,光強1000W/m2.光電測試主要參數(shù)短路電流Isc開路電壓Voc最大功率Pmax=Imax×Vmax填充因子FF=Pmax/(Isc×Voc)轉換效率η=Pmax/Pin測試完成后按照轉換效率的不同分類.太陽能電池制作流程共13頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第8頁!太陽電池制造過程-蝕刻制絨單晶硅堿蝕刻多晶硅酸蝕刻10um10um太陽能電池制作流程共13頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第9頁!太陽電池制造過程-去除磷硅玻璃制程目的:去除含磷的二氧化硅層.蝕刻機臺:RENAInOx原理:6HF+SiO2H2SiO6+2H2O(25℃)流程為:HF去除氧化層DIW洗凈熱風吹干.蝕刻速率選擇比:ER(SiO2)/ER(Si)~100太陽能電池制作流程共13頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第10頁!太陽電池制造過程-印刷燒結網(wǎng)版印刷與燒結制程目的:印刷電極圖案并且通過高溫燒結與基底形成良好的金屬接觸。印刷燒結機臺機臺:OTBMETx1500(CDF7210)流程為:背電極印刷及烘干背電場印刷及烘干正面電極印刷及烘干前后表面高溫共燒結正面主柵線(busbar)寬度:1.5mm正面副柵線(finger)寬度:120um,間距2.7mm.背面電極(busbar):4mm太陽能電池制作流程共13頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第11頁!太陽電池制造過程-邊緣隔離Laser切割制程目的:
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