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文檔簡介
掃描探針顯微術(shù)
----通向納米世界的橋梁
引言顯微術(shù)的發(fā)展歷史諾貝爾物理獎。掃描探針顯微術(shù)中最早研制成功的是掃描隧道顯微鏡(ScanningTunnelingMicroscopy,STM)。1981年在IBM公司瑞士蘇黎世實驗室工作的G.賓尼希,(G·Binning)和H.羅雷爾(H·Rohrer)利用針尖和表面間的隧道電流隨間距變化的性質(zhì)來探測表面的結(jié)構(gòu),獲得了實空間的原子級分辨圖象。光學顯微鏡,利用透鏡對光線的折射,使物體形成比自身大幾百倍的象,人們可以看到如細胞、晶粒那樣細小的物體。但是光的波動性產(chǎn)生的衍射效應(yīng)使光學顯微鏡的分辨極限只能達到光波的半波長左右,確切地以下式表示:其中λ為波長,α為物鏡的孔徑角,N為折射率,d為最小可分辨長度。顯然在可見光范圍內(nèi)d的最小值約為0.3μm。
電子的德布羅意波長
100KeV的高能電子的波長為.0037nm?!,F(xiàn)代高分辨透射電子顯微鏡(TransmissionElectronMicroscopy,TEM)分辨率優(yōu)于0.3nm,晶格分辨率可達0.1~0.2nm。
技術(shù)名稱分辨本領(lǐng)工作環(huán)境對樣品影響檢測深度
STMd:0.01nm大氣、液體d:0.1nm、真空均可無損1~2個原子層TEMd:無d:0.2nm高真空中樣品厚0.1mSEMd:低d:6~10nm高真空小1mFIMd:0.2nm高真空大1個原子層J=e2/h(k0/4π2s)vtexp(-2k0s)
j和極間距s成指數(shù)關(guān)系,若φ≈5eV,則s增加0.1nm時,電流改變一個數(shù)量級。
掃描隧道顯微鏡隧道電流含有表面電子態(tài)密度的信息,這一點在對圖象進行解釋時必須加以注意。改變偏壓V或電極間距S觀察隧道電流的變化,即可得出電流電壓隧道譜和電流間隙特性譜,隧道譜含有豐富的表面電子結(jié)構(gòu)信息。原理STM的工作模式(a)恒高度模式(保持針尖高度)。
若以針尖為一電極,被測固體表面為另一電極,當它們之間的距離小到nm數(shù)量級時,電子可以從一個電極通過隧道效應(yīng)穿過空間勢壘到達另一電極形成電流,其電流大小取決于針尖與表面間距及表面的電子狀態(tài),如果表面是由同一種原子組成,由于電流與間距成指數(shù)關(guān)系,當針尖在被測表面上方做平面掃描時,即使表面起伏僅有原子尺度的起伏,電流卻有成十倍的變化,這樣就可用現(xiàn)代電子技術(shù)測出電流的變化,它反映了表面的起伏,恒電流模式
當樣品表面起伏較大時,由于針尖離樣品僅納米高度,恒高度模式掃描會使針尖撞擊樣品表面造成針尖損壞,此時可將針尖安放在壓電陶瓷上,控制壓電陶瓷上電壓,使針尖在掃描中隨表面起伏上下移動,在掃描過程中保持隧道電流不變(即間距不變)壓電陶瓷上的電壓變化即反映了表面的起伏。.掃描隧道顯微鏡結(jié)構(gòu)Icouldnotstoplookingattheimages.Itwaslikeenteringanewworld.Thisappearedtomeastheunsurpassablehighlightofmyscientificcareerandtherefore,inaway,itisend.HeinirealizedmymoodandwhiskedmeawayforsomedaystoSt.antonien,aCharmingvillagehighupintheSwissmountains,wherewewrotethepaperon7*7------G,Binning古今之成大事業(yè)、大學問者,必經(jīng)過三種之境界昨夜西風凋碧樹。獨上高樓望盡天涯路衣帶漸寬終不悔,為伊消得人憔悴眾里尋他千百度,募然回首,那人卻在燈火闌柵處原子力顯微鏡(AtomicForceMicroscopy,AFM)
LateralForceMicroscopy
theBakerCleanJTB-1003leavesasurfacetopographythatisstatisticallyindistinguishablefromthatoftheinitialwafer.Ontheotherhand,theRCA-basedStandardCleannotonlyincreasesthemicroroughnessbutalsochangesothertopographicalfeaturesofthesurface.
其他附件圖1:用自組織方法制備的二維量子點光子晶體表面和側(cè)面的SEM圖圖2:用AFM針尖在二維量子點光子晶體表面誘導(dǎo)空位前后的AFM圖參考資料
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