晶體管原理5-1課件

第5章絕緣柵場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor，F(xiàn)ET）是另一類重要的微電子器件。這是一種電壓控制型多子導(dǎo)電器件，又稱為單極型晶體管。這種器件與雙極型晶體管相比，有以下優(yōu)點①輸入阻抗高；(有利于制做靈敏的探測器)②溫度穩(wěn)定性好；③噪聲?。虎艽箅娏魈匦院?；⑤無少子存儲效應(yīng)，開關(guān)速度高；⑥制造工藝簡單；結(jié)型柵場效應(yīng)晶體管（JFET）肖特基勢壘柵場效應(yīng)晶體管（MESFET）絕緣柵場效應(yīng)晶體管（IGFET或MOSFET)

場效應(yīng)晶體管（FET）的分類JFET和MESFET的工作原理相同。以JFET為例，用一個低摻雜的半導(dǎo)體作為導(dǎo)電溝道，在半導(dǎo)體的一側(cè)或兩側(cè)制作PN結(jié)，并加上反向電壓。利用PN結(jié)勢壘區(qū)寬度隨反向電壓的變化而變化的特點來控制導(dǎo)電溝道的截面積，從而控制溝道的導(dǎo)電能力。兩種FET的不同之處僅在于，JFET是利用PN結(jié)作為控制柵，而MESFET則是利用金-半結(jié)（肖特基勢壘結(jié)）來作為控制柵。IGFET的工作原理略有不同，利用電場能來控制半導(dǎo)體的表面狀態(tài)，從而控制溝道的導(dǎo)電能力。根據(jù)溝道導(dǎo)電類型的不同，每類FET又可分為N

溝道器件和

P

溝道器件。

MESFET的基本結(jié)構(gòu)絕緣柵場效應(yīng)晶體管按其早期器件的縱向結(jié)構(gòu)又被稱為“金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管”，簡稱為MOSFET，但現(xiàn)在這種器件的柵電極實際不一定是金屬，絕緣柵也不一定是氧化物，但仍被習(xí)慣地稱為MOSFET。

5.1MOSFET

基礎(chǔ)

5.1.1MOSFET

的結(jié)構(gòu)

MOSFET的立體結(jié)構(gòu)

5.1.2MOSFET

的工作原理當(dāng)

VGS<VT（稱為

閾電壓）時，N+

型的源區(qū)與漏區(qū)之間隔著P

型區(qū)，且漏結(jié)反偏，故無漏極電流。當(dāng)

VGS

>VT時，柵下的P

型硅表面發(fā)生

強反型

，形成連通源、漏區(qū)的N

型

溝道

，在

VDS作用下產(chǎn)生漏極電流ID。對于恒定的

VDS

，VGS越大，溝道中的電子就越多，溝道電阻就越小，ID

就越大。所以MOSFET是通過改變

VGS來控制溝道的導(dǎo)電性，從而控制漏極電流ID

，是一種電壓控制型器件。

轉(zhuǎn)移特性曲線：VDS恒定時的VGS~

ID曲線。MOSFET的轉(zhuǎn)移特性反映了柵源電壓

VGS對漏極電流

ID的控制能力。N

溝道MOSFET

當(dāng)VT>0時，稱為

增強型

，為

常關(guān)型。VT

<0時，稱為

耗盡型

，為

常開型。IDVGSVT0IDVGSVT0P

溝道MOSFET

的特性與N

溝道MOSFET

相對稱，即：(1)襯底為N

型，源漏區(qū)為P+

型。(2)VGS、VDS的極性以及ID

的方向均與N

溝相反。(3)溝道中的可動載流子為空穴。(4)VT

<0時稱為增強型（常關(guān)型），VT>0時稱為耗盡型（常開型）。

5.1.3MOSFET

的類型②過渡區(qū)隨著VDS增大，漏附近的溝道變薄，溝道電阻增大，曲線逐漸下彎。當(dāng)VDS

增大到

VDsat(飽和漏源電壓)時，漏端處的可動電子消失，這稱為溝道被

夾斷，如圖中的AB段所示。線性區(qū)與過渡區(qū)統(tǒng)稱為

非飽和區(qū)，有時也統(tǒng)稱為

線性區(qū)。③飽和區(qū)當(dāng)

VDS>VDsat后，溝道夾斷點左移，漏附近只剩下耗盡區(qū)。這時ID幾乎與

VDS無關(guān)而保持常數(shù)IDsat，曲線為水平直線，如圖中的BC段所示。實際上ID隨

VDS的增大而略有增大，曲線略向上翹。④擊穿區(qū)