學(xué)習(xí)-磁性材料與器件

Institut o Advance Material an Informatio Technolog磁性磁性材料與主講先進(jìn)材料an Ian Informatio Tech磁晶各向異性疇轉(zhuǎn)方Institut o Advance Material

ologF F退磁能磁各向異退磁能磁各向異能s六角晶 立方晶s(i)疇轉(zhuǎn)

0M2K

(

)疇轉(zhuǎn)

0Ms3Ks起(

i疇轉(zhuǎn)

0M應(yīng)力各向應(yīng)力各向異性疇轉(zhuǎn)s

F

F疇轉(zhuǎn)

F

起始磁滿足條 平衡一般(FkFFd)平衡一般

i)疇轉(zhuǎn)

2 3s磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog導(dǎo)致作

不能原返

外磁

使鐵磁具有使鐵磁重要技術(shù)應(yīng)用的磁性磁性材料磁化0以得到相應(yīng)于該磁場(chǎng)下HcHc和剩余磁化強(qiáng)度Mr它們是反磁化過(guò)程的重要物矯矯頑力表示反磁化過(guò)程M=0所需要的外磁場(chǎng)磁性材料磁化Hc和剩余磁化強(qiáng)度Mr它們是反磁化過(guò)程的重要物剩余磁化強(qiáng)在原外磁場(chǎng)方向上所剩余的磁化InstitutHc和剩余磁化強(qiáng)度Mr它們是反磁化過(guò)程的重要物剩余磁化強(qiáng)在原外磁場(chǎng)方向上所剩余的磁化0H矯矯頑力表示反磁化過(guò)程M=0所需要的外磁場(chǎng)磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Tec不可逆疇壁位移導(dǎo)致反磁化通過(guò)反磁化核生長(zhǎng)來(lái)因此，這類材料單疇顆粒材其磁化或反磁化過(guò)主要表現(xiàn)為疇轉(zhuǎn)磁主要由不可逆磁化過(guò)下面下面分別討論三種機(jī)制和相應(yīng)的矯頑力磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog180疇壁位移處于平衡狀態(tài)磁化方應(yīng)力的

20MsH

x應(yīng)力應(yīng)力 (w含雜020M x含雜0

定義HcH 雜質(zhì)

HcH

(w)20Ms x

max根據(jù)

2[ 3 磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog可以求

(w

3(

180疇壁位移處于平衡狀態(tài)設(shè)應(yīng)力的起伏變化

磁化方xx(x)02

sin2l

20MsH ((x( x

)ma

l

180疇壁發(fā)生不可逆臨界磁場(chǎng)強(qiáng)度 (w因 H

3s 20M

Hc

2 H

(w 20M x

max根據(jù)

2[ 3 磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog可以求

(w

3(

(x)02

sin2l((x( x

)ma

l

矯頑力的定義類似的計(jì)算因 H

3s 223K23H (6

//0Ms磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog求平均值得到多晶體的矯對(duì)求平均值得到多晶體的矯對(duì)于多晶體材料，一般情況外磁場(chǎng)強(qiáng)度H并不一定平于各磁疇的Ms23K23H (6

//0Ms磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog②②再進(jìn)反磁若是疇先決條①鐵磁體存在疇矛盾③②飽和 沒有向磁疇Ms均磁化反磁化磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog磁化反磁化磁化反磁化①

鐵磁體存在疇矛

實(shí)際磁體內(nèi)部，存磁場(chǎng)或其它缺陷的分反磁反磁化過(guò)程形成反磁化 盾過(guò)程指鐵磁體磁反磁

飽和 沒有Ms均Ms均

外磁反磁化疇反磁化疇進(jìn)行可不可逆疇壁位移過(guò)在外磁場(chǎng)作用反磁化核產(chǎn)生反磁化疇的長(zhǎng)大形成反④磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog反磁反磁化核的來(lái)形成穩(wěn)定反磁化核所需要外磁場(chǎng)則稱為成核導(dǎo)致導(dǎo)致成核磁應(yīng)應(yīng)力中心、結(jié)構(gòu)缺（非磁性攙雜物粒子或空隙表面缺陷（坑、刻痕）等磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog形成穩(wěn)定反磁化核所需形成穩(wěn)定反磁化核所需要外磁場(chǎng)則稱為成核mMsMscos1cos2F

2根據(jù)JGGoodenough根據(jù)JGGoodenough的理論計(jì)設(shè)想一塊晶界的面積為晶界兩側(cè)晶粒的易磁化方向并與晶界法線成θ1、在邊界的法線方向磁矩的分量故在邊界面上出現(xiàn)磁極，形成退磁由于磁極出現(xiàn)，反磁化核生成界面上的表面退磁場(chǎng)能密度---++++lH1磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog反磁化形成能反磁化形成能退磁能反磁化產(chǎn)mMsMscos1cos2F

2------++++1l只有反磁化核形成退磁能降低遠(yuǎn)比反磁化核生出現(xiàn)的疇壁能量由于磁極出現(xiàn)，反磁化核生成界面上的表面退磁場(chǎng)能密度2產(chǎn)生產(chǎn)生反磁化核有利于降低退容易形成反磁磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio TechnologmMsMs

cos2F

2-----++++1l由于磁極出現(xiàn)，反磁化核生成界面上的表面退磁場(chǎng)能密度

旋轉(zhuǎn)橢球體體 43旋轉(zhuǎn)橢球體體 43d2表面積 21、2分別是外磁場(chǎng)與晶粒和晶粒2易軸之間的2

沿長(zhǎng)軸的退磁因ld1ld

Nk2(ln2k1) 磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio TechnologmMsMscos1cos2F

2-----++++1l由于磁極出現(xiàn)，反磁化核生成界面上的表面退磁場(chǎng)能密度

FFdmFdnAs n[ S2FdmFdnAs nPHM cos cos V

2

代代表了反磁化核產(chǎn)生晶粒邊界面上能量的磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio TechnologmMsMscos1cos2F

2-----++++1l由于磁極出現(xiàn)，反磁化核生成界面上的表面退磁場(chǎng)能密度

FFdmFdnAs

2n[n[ S2NM2VHMscos1cos2V PnP代表了反磁化核本身所帶來(lái)的能量磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio TechnologmMsMscos1cos2F

2----++++1l由于磁極出現(xiàn)，反磁化核生成界面上的表面退磁場(chǎng)能密度

FFdmFdnAs n[wS2NMsVFPFnP2

HMscos1cos2VInstitut o Advance Material an Informatio Technolog假若l為常數(shù)，由平衡條

F

---++++1l ---++++1l nP2 n為單位體積內(nèi)所包含的反磁化核的數(shù)Institut o Advance Material an Informatio Technolog假若l為常數(shù)，由平衡條

F核生成時(shí)的臨界條件ΔF=0

nPn[wS2NM2V nP

Fdm

HMscos1cos2V 2b2 4Ml(cos coss s上式中bD/d1cd

n為單位體積內(nèi)所包含的反磁化核的磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog假若l為常數(shù)，由平衡條

F核生成時(shí)的臨界條件ΔF=0可以求出反Hn>0時(shí)，說(shuō)明：反磁化核形成的若沒有外磁場(chǎng)幫助反磁化核不會(huì)當(dāng)Hn<0時(shí)，說(shuō)明：晶粒邊退磁場(chǎng)3b2(3 Fdm 2b2

可以從左式直接求得Hn>0的條 4Ml(cos cos

3 3b2

w

dm上式中bD/d1cd

2b2 磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog假設(shè)c假設(shè)c=1/30，b≈2.66，則左下式Fd3332b220w 2m 2cos2s12Hn>0時(shí)，說(shuō)明：反磁化核形成的若沒有外磁場(chǎng)幫助反磁化核3b2(3 Fdm 2b2

當(dāng)Hn<0時(shí)，說(shuō)明：晶粒邊退磁當(dāng)Hn<0時(shí)，說(shuō)明：晶粒邊退磁場(chǎng) 4Ml(cos cos

3 3b2

w

dm上式中bD/d1cd

2b2 磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog假設(shè)c假設(shè)c=1/30，b≈2.66，則左下式Fd3332b220w 2m 2cos2s12Hn>0時(shí)，說(shuō)明：反磁化核形成的若沒有外磁場(chǎng)幫助反磁化核

1疇壁能w4A1K1

s當(dāng)Hn<0時(shí)，說(shuō)當(dāng)Hn<0時(shí)，說(shuō)明：晶粒邊退磁場(chǎng) 2L(cos

cos )

可以從左式直接求得Hn>0的條最后

23

Fd

3

1

3

2b2

11得到24011

A

磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog

1

1、晶粒的平均直徑L假設(shè)c=1/30，b≈2.66，則左下式Fd假設(shè)c=1/30，b≈2.66，則左下式Fd3332b220w 2m 2cos2s12各個(gè)晶粒的易磁化軸方向基本一3、減小Ms的數(shù)4、適當(dāng)提高材料的磁晶各向異性常數(shù)疇壁能w4A1K1 sHcK1密 HcK1最 L(cos最2

cos )這與要求Hc小這與要求Hc小時(shí)！

1240A1K1

2s 磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog因此，還需因此，還需 L(cos

H0H

1、晶粒的平均直徑LHn>0只說(shuō)明材料具有高矩形度的條Hn>0只說(shuō)明材料具有高矩形度的條完成回線在轉(zhuǎn)角處才達(dá)到或接近3、減小Ms的數(shù)4、適當(dāng)提高材料的磁晶各向異性常數(shù)

cos )這與要求Hc小時(shí)這與要求Hc小時(shí)！HcK1

1240A1K1

2s 磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio TechnologHn>0Hn>0只說(shuō)明材料具有高矩形度的條完成回線在轉(zhuǎn)角處才達(dá)到或接近H-0-因H-0-因此，還需 L(cos

cos )

1240A1K1

2s H-0-ΔV所帶來(lái)的靜磁能的變化好與晶粒邊界上退磁場(chǎng)表面能的變化等，即達(dá)到平衡，可以表示Institut o Advance Material an Informatio Technolog磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio TechnologD2F2HD2F2H0MsH0Ms晶粒邊界上退表面能密度的ΔV所帶來(lái)的靜磁能的好與晶粒邊界上退磁場(chǎng)表面能的變化等，即達(dá)到平衡，可以表示為磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio TechnologD2F2H0MsH0Mscos1cos2為反磁化核體積ΔV所帶來(lái)的靜磁能的好與晶粒邊界上退磁場(chǎng)表面能的變化等，即達(dá)到平衡，可以表示為磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio TechnologD2F2H0MsH0Mscos1cos2ΔV所帶來(lái)的靜磁能的好與晶粒邊界上退磁場(chǎng)表面能的變化等，即達(dá)到平衡，可以表示為磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio TechnologD2F2H0MsHnH H 03b2(3wFm4Msl(cos1cos22b216scos122 1 coscosΔV所帶來(lái)的靜磁能的好與磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog反磁化核原來(lái)的方向沿x

20Ms2、磁壁表面積增加ds壁能量

w反磁化核長(zhǎng)大成為反磁需要克服一定的y

3、反磁化核長(zhǎng)大，也是疇壁向外位移 20MsH0dV4、反磁化核長(zhǎng)大，其形狀要引起退磁場(chǎng)能發(fā)生變化ldθldθ 反磁化核生長(zhǎng)

20MsHdV20MsH0dVwds磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog1、磁場(chǎng)作用能

20Ms2、磁壁表面積增加ds壁能量

w 反磁化核生長(zhǎng)

3、反磁化核長(zhǎng)大，也是疇壁向外位移 20MsH0dV4、反磁化核長(zhǎng)大，其形狀要 引起退磁場(chǎng)能發(fā)生變化 20MsHdV20MsH0dVwds磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog退磁退磁場(chǎng)能Fd等于反磁化核形成時(shí)，磁化強(qiáng)度Ms從0°到180°時(shí)所需能ylθdlθd反磁化核生長(zhǎng)

反磁化核的磁化方反磁化核的與反磁化核的磁化方反磁化核的與材料磁化wds磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog退磁場(chǎng)退磁場(chǎng)能Fd等于反磁化核形成時(shí)，磁化強(qiáng)度Ms從0°到180°時(shí)所需能反磁化核的磁化方反磁化核的與材料磁化由由反磁化核內(nèi)的磁化Ms所受的轉(zhuǎn)動(dòng)力矩ylθdlθd反磁化核生長(zhǎng)

20MsHdV20MsH0dVwds磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog反磁反磁化核的退H反磁化核的退HyNyMssin反磁化核內(nèi)的Ms所受到的轉(zhuǎn)動(dòng)力矩LLHxMyHyMxHxMssinHyMsNxMs NxMscosNyMssin

yldθldθ反磁化核生長(zhǎng)

20MsHdV20MsH0dVwds磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog轉(zhuǎn)動(dòng)過(guò)程所做的功等于轉(zhuǎn)動(dòng)過(guò)程所做的功等于FFdV0

反磁HxNxMsNxMscosHyNyMssin反磁化核內(nèi)的Ms所受到的轉(zhuǎn)動(dòng)力矩L NNcosNcos

LHMHMHMsinHMs 2NM

yldθldθ反磁化核生長(zhǎng)

20MsHdV20MsH0dVwds磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog已知細(xì)長(zhǎng)的旋轉(zhuǎn)橢球在x軸的退磁因子轉(zhuǎn)動(dòng)過(guò)程所做的功等于退磁場(chǎng)轉(zhuǎn)動(dòng)過(guò)程所做的功等于退磁場(chǎng) ln2k1,k l/FFdV0

k 4ld NNcosNcos sldθ 2NMldθ

y

2ld變換下dF20MsHdVwdS20MsH0dV 20MsHdV20MsH0dV反磁化核生長(zhǎng)

wds磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog已知細(xì)長(zhǎng)的旋轉(zhuǎn)橢球在x軸的退磁因子轉(zhuǎn)動(dòng)過(guò)程所做的功等于退磁場(chǎng)轉(zhuǎn)動(dòng)過(guò)程所做的功等于退磁場(chǎng) ln2k1,k l/xFFdV0

kld NNcosNcos sldθ 2NMldθ

y

2ld變換下dF20MsHdVwdS20MsH0dV F2MHV

3

ln2k1M 反磁化核生長(zhǎng)

x20Ms

k 磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog1、沿長(zhǎng)軸lF2 V l2、沿短軸d

1 ln2k1,k l/d k 4ld3 2ld Fldθldθ

V 0MsH0dy

變換下dF20MsHdVwdS20MsH0dV F2MHV

3

ln2k1M 反磁化核生長(zhǎng)

x20Ms

k 磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog反磁化核的長(zhǎng)大反磁化核的長(zhǎng)大兩種1、沿長(zhǎng)軸l方向長(zhǎng)

Vd l2Hd l2HH00 HH0 k2dd2HH01003HH00k28s2、沿短軸dF2 Vd dyldθldθ

dF20MsHdVwdS20MsH0dV F2MHV

3

ln2k1M 反磁化核生長(zhǎng)

x20Ms

k 磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog當(dāng)當(dāng)反磁化核同時(shí)沿著兩個(gè)方向長(zhǎng)大可以得到臨界尺寸dldddk 可以 得到ln2k0 0(HH0d l2d l2HH00 HH00 k2dd1 2HH001HH00k238sd0yldθldθ

dF20MsHdVwdS20MsH0dV F2MHV

3

ln2k1M 反磁化核生長(zhǎng)

x20Ms

k 磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog當(dāng)當(dāng)反磁化核同時(shí)沿著兩個(gè)方向長(zhǎng)大可以得到臨界尺寸dldddk 可以 得到ln2k0 0(HH0dldd dldd 20HH0 HH k2 1 20HH0 HH k23 8Md其 d0

ln2k01.3ldθ 10ldθ 由于k0

(HH

)ln2

1.4s s

反磁化核生長(zhǎng)

100(HH0

Ms(HH0磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio TechnologHsH0

ds時(shí)，反磁化核才可能同時(shí)從ds時(shí)，反磁化核才可能同時(shí)從長(zhǎng)軸d 2HH HH k2 1 2HH 01 HH0 k203w8MHs稱為反磁化核開始長(zhǎng)大的發(fā)動(dòng)

因

ln2k01.3ldθ 10ldθ 由于k0

(HH

)ln2

1.4s s

反磁化核生長(zhǎng)

100(HH0

Ms(HH0磁性材料磁化的物理反磁化核的長(zhǎng)大一定要在外加磁場(chǎng)超過(guò)臨界磁場(chǎng)H0Institut o Advance Material an Informati反磁化核的長(zhǎng)大一定要在外加磁場(chǎng)超過(guò)臨界磁場(chǎng)H0ds時(shí)，ds時(shí)，反磁化核才可能同時(shí)從長(zhǎng)軸在鐵磁體內(nèi)部并非是所有磁化不均的局部區(qū)域都能形成穩(wěn)定的反磁化形成完疇壁位形成完疇壁位

0Ms dsHs稱為反磁化核開始長(zhǎng)大的發(fā)動(dòng)yldθldθx反磁化核生長(zhǎng)磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technologdsds時(shí)，反磁化核才可能同時(shí)從長(zhǎng)軸外磁場(chǎng)大于發(fā)動(dòng)場(chǎng)才有可能進(jìn)行HsH0

矯頑力0矯頑力Hs稱為反磁化核開始長(zhǎng)大的發(fā)動(dòng)yldθldθ

HcHs

H0

0Msd 當(dāng)ds→0時(shí)，當(dāng)ds→0時(shí)，無(wú)反磁化核存Hs→∝才能發(fā)生反磁化核生長(zhǎng)磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog外磁場(chǎng)大于發(fā)動(dòng)場(chǎng)才有可能進(jìn)行反磁矯頑力Hc矯頑力HcHsH0在反磁化核長(zhǎng)大成反磁化疇的過(guò)程進(jìn)行不可逆疇壁位移的臨界磁ldθ 0Msdldθ當(dāng)ds→0時(shí)當(dāng)ds→0時(shí)，無(wú)反磁化核存Hs→∝才能發(fā)生反x反磁化核生長(zhǎng)在反磁化核在長(zhǎng)大過(guò)程中所在反磁化核在長(zhǎng)大過(guò)程中所需附加磁外磁場(chǎng)大于發(fā)動(dòng)場(chǎng)才有可能進(jìn)行反磁Institut o Advance Material an Infor外磁場(chǎng)大于發(fā)動(dòng)場(chǎng)才有可能進(jìn)行反磁 cs0 矯頑力當(dāng)ds→0時(shí)，無(wú)反磁化核存Hs→∝才能發(fā)生反ldθldθx反磁化核生長(zhǎng)磁性材料磁化的物理外磁場(chǎng)大于發(fā)動(dòng)場(chǎng)才有可能進(jìn)行反磁Institut o Advance Material an Informatio Tec外磁場(chǎng)大于發(fā)動(dòng)場(chǎng)才有可能進(jìn)行反磁當(dāng) cscs反磁化HcHsyldθ當(dāng)dsldθ當(dāng)ds→0時(shí)，無(wú)反磁化核存Hs→∝才能發(fā)生

H0

矯頑力矯頑力 x反磁化核生長(zhǎng)磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio TechnologHcHs外磁場(chǎng)大于發(fā)動(dòng)場(chǎng)才有可能進(jìn)行Hc

HcHs

H0

矯頑力矯頑力當(dāng)ds→0時(shí)，無(wú)反磁化核存當(dāng)ds→0時(shí)，無(wú)反磁化核存Hs→∝才能發(fā)生-- -磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio TechnologHcHs外磁場(chǎng)大于發(fā)動(dòng)場(chǎng)才有可能進(jìn)行MHcMHcH--

H0

矯頑力矯頑力當(dāng)當(dāng)ds→0異異磁性材異異單疇的鐵粉材磁性材單疇脫粒磁過(guò)來(lái)源Institut o Advance Material an Informati單疇的鐵粉材磁性材單疇脫粒磁過(guò)來(lái)源磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog疇轉(zhuǎn)過(guò)程中總FFH設(shè)材料為單軸各向異性的單疇顆它具有的磁場(chǎng)FH0MsHyHθ單軸磁晶各yHθ

MHcos sin2 u

Ku

Ku1sin2

F 疇轉(zhuǎn)磁化過(guò)程的磁化曲線 FMHsin sin2 2 0

Hcos2Ku1

cos磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog疇轉(zhuǎn)過(guò)程中總FFH解 sinθ=0，則θ=0或解 0MsH2Ku1cos0

MHcos sin2 u cos0Ms2Ku1

F yHθ疇轉(zhuǎn)磁化過(guò)程的磁化曲yHθ FMHsin sin2 2 0

Hcos2Ku1

cos磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog當(dāng)磁場(chǎng)H>0時(shí)2當(dāng)磁場(chǎng)H>0時(shí)220總自由能F具有極值當(dāng)磁場(chǎng)H<0時(shí)，2如22Ku12Ku 0s 0s解 0MsH2Ku1cos0cos

0Ms2Ku1yHθ疇轉(zhuǎn)磁化過(guò)程的磁化yHθ FMHsin sin2 2 0

Hcos2Ku1

cos磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog2

當(dāng)磁場(chǎng)H>0

2 F F仍然具有極小

2

2則

總自由能F具有極值當(dāng)磁場(chǎng)H<0時(shí)，F(xiàn)具有極大

2

2Ku1

0M2K

2M當(dāng) uM

如

2Ku0M故 2Ku 是F（θ）的一

疇轉(zhuǎn)磁化過(guò)程的磁化0M

轉(zhuǎn)折

0

Hsin

sin2假設(shè)Ms原來(lái)在θ=0的方向

2F

0MsHcos2Ku1cos磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog則22 則22 F仍然具有極如H22M則20u當(dāng) 2KuF2 20s故 2Ku0s是F（θ）的一轉(zhuǎn)折假設(shè)Ms原來(lái)在θ=0的方向則 2Ku 之前，Ms0M

θ=0的位所以M的大小一直保持為+MCMCMBAH- -G0磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog同樣可以證明，θ=π時(shí)，M=-Ms

當(dāng)磁場(chǎng)由H>0經(jīng)過(guò)零，再經(jīng)過(guò)H<0 2Ku 之前，Ms磁化狀

0M

θ=0的位CMBAH-CMBAH- -G0

所以M的大小一直保持為+M 2Ku0M

之前，Ms仍然處θ=π

如下圖的ABC其大小是M=-Ms，如圖中DEG對(duì)于解2

cos0Ms 若帶2Ku10MsHcos2Ku1cos得到當(dāng)cos21時(shí)，與解1的結(jié)果磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog當(dāng)cosθ<1時(shí)

2Ku10Ms同樣可以證明，θ=π時(shí)，M=-Ms磁化狀

如果Ku1>0，則有H<0，這時(shí)F為極大當(dāng)磁場(chǎng)由H<0經(jīng)過(guò)零，再經(jīng)過(guò)H>0

由

2

可見，磁化曲 2Ku0M

之前，Ms仍然處θ=π

u 相應(yīng)于COGCMBAH-CMBAH- -G0對(duì)于解2

cos0Ms 若帶2Ku10MsHcos2Ku1cos得到當(dāng)cos21時(shí)，與解1的結(jié)果磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog當(dāng)cosθ<1時(shí)

2Ku10Ms根據(jù)前面的討論，當(dāng)H2Ku 0Ms

如果Ku1>0，則有H<0，這時(shí)F為極大這是使Ms經(jīng)過(guò)不可逆磁疇這是使Ms經(jīng)過(guò)不可逆磁疇C點(diǎn)到E點(diǎn)（即由+Ms到-或者由G點(diǎn)到B點(diǎn)（即由-Ms到的磁場(chǎng)

2Ku

可見，磁化曲相應(yīng)于COGCMBAH-CMBAH- -G0H2Ku0Ms磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio TechnologMH平MHH平MH這是使Ms經(jīng)過(guò)不可逆磁這是使Ms經(jīng)過(guò)不可逆磁疇C點(diǎn)到E點(diǎn)（即由+Ms到-或者由G點(diǎn)到B點(diǎn)（即由-Ms到的磁場(chǎng)所以，不可逆疇轉(zhuǎn)決定的矯頑力HcH2Ku0Ms不不同取向的單軸各向異單疇顆粒的磁滯回線由單軸各向異性的單疇顆粒組大塊材料的磁滯回線磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio Technolog磁各磁各向異應(yīng)各向異形各向單疇顆粒的矯K1材料的矯頑力單疇顆粒的矯K1 3s

Hca

cM 3

a、b、c為系數(shù)，在1—10單疇顆粒的矯可見，u1與 單疇顆粒的矯( N)MHc

(N2N1)Ms0MsInInstitut o Advance Material an Informatio Technolog樣品類型磁晶各形狀各向異應(yīng)力實(shí)驗(yàn)---Fe由于MsNi的磁致伸縮系數(shù)大，應(yīng)力形狀各向異性決定的Hc應(yīng)力各向異性決定的HcCo的磁晶各向異性為了獲得高的磁晶各向異性決定的Hc對(duì)不同性能的材料，利用其不同的磁性材料磁化的物理Institut o Advance Material an Informatio TechnologM

可逆部大部可逆部大部0

HsH

H>0-磁性材料磁化的物理In