5kW三相電壓源型逆變電路設計

遼寧工業(yè)大學交流調速控制系統(tǒng)課程設計（論文）題目5kW三相電壓源型逆變電路設計院係）： 電氣工程學院專業(yè)班級： 自動化104學號：100300111學生姓名： 張飛指導教師： （簽字）起止時間： 6.24一7.7

課程設計（論文）任務及評語院（系）：電氣工程學院 教研室：自動化學號100300111學生姓名張飛專業(yè)班級自動化104課程設計（論文）題目5kW三相電壓源型逆變電路設計課題完成的功能：本課程設計是完成微機控制下的三相電壓源型逆變電路，該逆變電路中以絕緣柵雙極晶管IGBT作為開關器件，米用單片機作為微機控制核心，實現(xiàn)IGBT驅動信號的設計。設計任務及要求：（1） 完成電壓源型逆變電路主電路設計，包括直流電壓源輸入、分立搭建IGBT器件、三相逆變電路輸出及相關輔助電路。（2） 完成IGBT驅動電路設計，要求選擇東芝公司的TLP系列、（如三菱公司的M597系列、富士公司的EXB系列、東芝公司的TLP系列、法國湯姆森公司的UA4002系列等），完成驅動電路與主電路的接口設計及相關保護電路的設計。（3） 完成控制電路設計，包括單片機最小系統(tǒng)、與上面驅動電路的控制接口及軟件流程圖設計。（4） 撰寫課程設計說明書（論文）。技術參數(shù)：額定輸入電壓：直流DC220V；輸入電壓范圍：±15%；輸入最大電流值：30A；連續(xù)工作功率輸出：5kW；逆變輸出電壓：三相380VAC±2%；逆變輸出波形：全正弦波；逆變輸出頻率值：50Hz±0.5%；轉換效率：93%；功率因數(shù)：0.99（1） 布置任務，查閱資料，確定系統(tǒng)的組成（2天）（2） 對系統(tǒng)各組成部件進行功能分析（3天）（3） 系統(tǒng)電氣電路設計及調試設計（3天）（4） 撰寫、打印設計說明書及答辯（2天）平時： 論文質量： 答辯：總成績： 指導教師簽字：年 月 日注：成績：平時20% 論文質量60% 答辯20%以百分制計算摘要三項電壓源逆變電路從出現(xiàn)到發(fā)展已經有很多年了，它的應用也已經不只是普通的應急設備了，它在節(jié)能、變頻調速以及改善電源質量等很多方面被廣泛利用。隨著電力電子器件的不斷更新?lián)Q代，更高耐壓更大功率更低損耗是逆變電源的發(fā)展趨勢。利用現(xiàn)有的功率模塊設計出優(yōu)秀的電源是研發(fā)人員的工作方向。國外在這方面比我們領先了近十年，想要迎頭趕上，首先必須清楚的了解它的設計思路，弄懂每一部分的電路原理，在這基礎上改善現(xiàn)有的設計，才能達到創(chuàng)新的目的。本文詳細地分析了在逆變電源主電路中，各個元器件的作用以及其具體的選擇方法。逆變電路是與整流電路（Rectifier）相對應，將低電壓變?yōu)楦唠妷?，把直流電變成交流電的電路稱為逆變電路。逆變電路是通用變頻器核心部件之一，起著非常重要的作用。它的基本作用是在控制電路的控制下將中間直流電路輸出的直流電源轉換為頻率和電壓都任意可調的交流電源。將直流電能變換為交流電能的變換電路?？捎糜跇嫵筛鞣N交流電源，在工業(yè)中得到廣泛應用。生產中最常見的交流電源是由發(fā)電廠供電的公共電網（中國采用線電壓方均根值為380V，頻率為50Hz供電制）。由公共電網向交流負載供電是最普通的供電方式。IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。關鍵詞：三相；逆變電路；IGBT；誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤2?-?-?-?-猜猜豬猜?-?-猜e-猜猜e-猜猜誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤誤2?-?-?-?-猜猜豬猜?-?-猜e-猜猜e-猜猜?-?-e-?-屮未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。未定義書簽。第2章課程設計方案2.1電壓源逆變電特點.......2.2電路基本原理 2.3主電路設計 2.3.1主電路圖 2.3.2主電路原理分析2.4IGBT驅動電路 2.5保護電路 2.5.1過電流保護電路 2.5.2過電壓保護電路 第3章驅動電路設計 3.1驅動芯片的選擇 3.2驅動信號的控制選擇 3.3驅動芯片EXB841 第4章控制電路的設計 4.1采用單片機控制 4.2三相電壓源逆變電路的鏈接第5章系統(tǒng)軟件設計 5.1系統(tǒng)的結構框圖 5.2系統(tǒng)的流程圖 第6章課程設計總結 第1章緒論逆變電路直流側電源是電壓源的稱為電壓型逆變電路，三相電壓型逆變電路的主電路。直流電源采用相控整流電路，由普通晶閘管組成。逆變電路由6個導電臂組成,每個導電臂均由具有自關斷能力的全控型器件及反并聯(lián)二極管組成，所以實際上也是一種全控型逆變電路。電壓型逆變電路主要用于兩方面：籠式交流電動機變頻調速系統(tǒng)。。IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。V.iVD1UV.iVD1Uvd3vd5第2章課程設計方案2.1電壓源逆變電特點直流側為電壓源或并聯(lián)大電容，直流側電壓基本無脈沖；輸出電壓為矩形波，輸出電流因負載阻抗不同而不同；阻感負載時需提供無功。為了給交流側向直流側反饋的無功提供通道，逆變橋各臂并聯(lián)反饋二極管。2.2電路基本原理在三相逆變電路中，應用最廣的是三相橋式逆變電路，采用IGBT作為開光器件的電壓型三相橋式逆變電路如下圖1所示。+oVDVD魚TTv4圖1三相電壓型橋式逆變電路三相電壓型PWM逆變電路只要實現(xiàn)功能就是將直流電壓變換成交流電壓。圖1中U、V、M三相的PWM控制通常公用一個三角波載波u，三相調制信號u、c ruuV、u一次相差1200。U、V、W各相功率開關器件的控制規(guī)律相同，現(xiàn)以U相為rvrw例。TOC\o"1-5"\h\z當u>u時，給上橋臂V以導通信號，給下橋臂V以關斷信號，則U相相對ruc 1 4于直流電源假想中點輸出電壓u =U/2。UN1d當u<u時，給V以導通信號，給V以關斷信號，則u =-U/2。但V1與Vruc 4 1 UN1 d 1 4的驅動信號始終是互補的，當給v1（V）加以導通信號時，可能V（V）導通，1 4 1 4

也可能是二極管VD(VD)續(xù)流導通，這是有阻感負載中電流方向決定，這就是三相TOC\o"1-5"\h\z1 4橋式電路的雙極型調制特性。由上分析，U一的波形是幅值為U/2的矩形波，V、M兩相情況跟U相類似。UUN所以負載線電壓U 、UUV UWU =U —UUV UNUUN所以負載線電壓U 、UUV UWU =U —UUV UN' VN'U =U —UVW VN' WN'U =U —UWUU、U為VNWNU =U —UUN UN' NN'u =U —UVN VN' NN'U =U —UWN負載中點和電源中點間電壓為_1()1(U=—(U +U+U)—(UNN1 3 UN1 VN1 WN1 3曰7是UNN1dU為WUWN' UN'負載相電壓u、UNWN'NN'+U+U)UNVNWN=—(U+U+U)。所以3UN1VN1WN1UNVNWN _U 也是矩形波，其頻率為U 的3倍，幅值為其1/3，即U/6。NN1 UN1 d三相逆變輸出的電壓與電流分析類似，負載參數(shù)已知，以u相為例，負載的阻?？菇清灰粯樱琲的波形形狀和相位都有所不同，在阻感負載下屮<—時，V從通u 3 1態(tài)轉換到斷態(tài)時，因負載電感中電流不能突變，VD先導通續(xù)流，待負載電流降為4零，V才開始導通。負載阻抗角屮越大，VD導通時間越長。在U>0時，i<04 4 nN u時為VD導通，i>0時為V導通；在u<0時，i>0時VD導通，i<0時為V1 U 1 nN U 4 U 4導通。i、i的波形與i形狀相同，相位一次相差1200。將三個橋臂電流相加可得到vw U直流側電流i。d在上述1800導電方式逆變器中，我們采用“先斷后通”的方法來防止同一相上下兩橋臂的開關器件同時導通而引起直流側電壓短路，使得在通斷信號之間留有一個短暫的死區(qū)時間。2.3主電路設計逆變電路的作用是將直流電壓轉換成梯形脈沖波，經低通濾波器濾波后，從而使負載上得到的實際電壓為正弦波。

2.3.1主電路圖+oVD]vd3VD]vd3vd5TTV4TTV4□vd4Tv/wvd6T卜vd2圖2三相電壓型橋式逆變電路2.3.2主電路原理分析圖2是采用IGBT作為開光器件的電壓型三相橋式逆變電路，可以看成由三個半橋逆變電路組成。圖1的直流側通常只有一個電容就可以了，但為了分析方便，畫作串聯(lián)的兩個電容器并標出假象中點N'。和單相半橋、全橋逆變電路相同，三相電壓型橋式逆變電路的基本工作方式也是180°導電方式，即每個橋臂的導電角度為180°，同一相（即同一半橋）上下兩個臂交替導電，各相開始導電的角度依次相差120。。這樣，在任一瞬間，將有三個橋臂同時導通。可能是上面一個臂下面兩個臂，也可能是上面兩個臂下面一個臂同時導通。因為每次換流都是在同一相上下兩個橋臂之間進行，因此也被稱為縱向換流2.4IGBT驅動電路2.4.1IGBT特點IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復合器件。它既有MOSFET易驅動的特點，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，故在較高頻率的大、中功率應用中占

據了主導地位。IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有“A級的漏電流流過，基本上不消耗功率。但IGBT的柵極-發(fā)射極間存在著較大的寄生電容（幾千至上萬pF）,在驅動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數(shù)A的充放電電流，才能滿足開通和關斷的動態(tài)要求，這使得它的驅動電路也必須輸出一定的峰值電流。IGBT作為一種大功率的復合器件，存在著過流時可能發(fā)生鎖定現(xiàn)象而造成損壞的問題。在過流時如采用一般的速度封鎖柵極電壓，過高的電流變化率會引起過電壓，為此需要采用軟關斷技術，因而掌握好IGBT的驅動和保護特性是十分必要的。柵極特性IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般只能達到20?30V，因此柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極一集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此。通常采用絞線來傳送驅動信號，以減小寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。由于IGBT的柵極一發(fā)射極和柵極一集電極間存在著分布電容Cge和Cgc,以及發(fā)射極驅動電路中存在有分布電感Le，這些分布參數(shù)的影響，使得IGBT的實際驅動波形與理想驅動波形不完全相同，并產生了不利于IGBT開通和關斷的因素。這可以用帶續(xù)流二極管的電感負載電路（見圖3）得到驗證。圖3（a）（b）圖3（a）（b）開通波柵極串聯(lián)電阻對柵極驅動波形的影響柵極驅動電壓的上升、下降速率對IGBT開通關斷過程有著較大的影響。IGBT的MOS溝道受柵極電壓的直接控制，而MOSFET部分的漏極電流控制著雙極部分的柵極電流，使得IGBT的開通特性主要決定于它的MOSFET部分，所以IGBT的開通受柵極驅動波形的影響較大。IGBT的關斷特性主要取決于內部少子的復合速率，少子的復合受MOSFET的關斷影響，所以柵極驅動對IGBT的關斷也有影響。在高頻應用時，驅動電壓的上升、下降速率應快一些，以提高IGBT開關速率降低損耗。在正常狀態(tài)下IGBT開通越快，損耗越小。但在開通過程中如有續(xù)流二極管的反向恢復電流和吸收電容的放電電流，則開通越快，IGBT承受的峰值電流越大，越容易導致IGBT損害。此時應降低柵極驅動電壓的上升速率，即增加柵極串聯(lián)電阻的阻值，抑制該電流的峰值。其代價是較大的開通損耗。利用此技術，開通過程的電流峰值可以控制在任意值。由以上分析可知，柵極串聯(lián)電阻和驅動電路內阻抗對IGBT的開通過程影響較大，而對關斷過程影響小一些，串聯(lián)電阻小有利于加快關斷速率，減小關斷損耗，但過小會造成di/dt過大，產生較大的集電極電壓尖峰。因此對串聯(lián)電阻要根據具體設計要求進行全面綜合的考慮。柵極電阻對驅動脈沖的波形也有影響。電阻值過小時會造成脈沖振蕩，過大時脈沖波形的前后沿會發(fā)生延遲和變緩。IGBT的柵極輸入電容Cge隨著其額定電流容量的增加而增大。為了保持相同的驅動脈沖前后沿速率，對于電流容量大的IGBT器件，應提供較大的前后沿充電電流。為此，柵極串聯(lián)電阻的電阻值應隨著IGBT電流容量的增加而減小。IGBT的驅動電路IGBT的驅動電路必須具備2個功能：一是實現(xiàn)控制電路與被驅動IGBT柵極的電隔離；二是提供合適的柵極驅動脈沖。實現(xiàn)電隔離可采用脈沖變壓器、微分變壓器及光電耦合器。驅動電路驅動電路圖4為采用光耦合器等分立元器件構成的IGBT驅動電路。當輸入控制信號時,光耦VLC導通，晶體管V2截止，V3導通輸出+15V驅動電壓。當輸入控制信號為零時，VLC截止，V2、V4導通，輸出一10V電壓°+15V和一10V電源需靠近驅動電路，驅動電路輸出端及電源地端至IGBT柵極和發(fā)射極的引線應采用雙絞線,長度最好不超過0.5m。構成的IGBTH一 構成的IGBTH一 -嗨片丫）工了圖5光耦合器等分立元器件圖5為由集成電路TLP250構成的驅動器。TLP250內置光耦的隔離電壓可達2500V，上升和下降時間均小于0.5”,s輸出電流達0.5A，可直接驅動50A/1200V以內的IGBT。外加推挽放大晶體管后，可驅動電流容量更大的IGBT。TLP250構成的驅動器體積小，價格便宜，是不帶過流保護的IGBT驅動器中較理想的選擇。2.5保護電路2.5.1過電流保護電路電力電子電路運行不正?；蛘甙l(fā)生故障時，可能會發(fā)生過電流。過電流分為過載和短路兩種情況。通常采用的保護措施有：快速熔斷器、直流快速斷路器和過電流繼電器。一般電力電子裝置均同時采用集中過流保護措施，以提高保護的可靠性和合理性。綜合本次設計電路的特點，采用快速熔斷器，即給晶閘管串聯(lián)一個保險絲實施電流保護。如圖6電流保護電路所示。對于所選的保險絲，遵從I2t值小于晶閘管的允許I2t值。圖6三相電壓源逆變電路的過流保護電路2.5.2過電壓保護電路電力電子裝置中可能發(fā)生的過電壓分為外因過電壓和內因過電壓兩類。外因過電壓主要來自雷擊和系統(tǒng)中的操作過程等外部原因。本設計主要用于室內，為了使用方便不考慮來自雷擊的威脅。根據以上產生過電壓的的各種原因，設計相應的保護電路。如圖7過壓保護電路所示。其中：圖中是利用一個電阻加電容進行電壓抑制，當電壓過高時，保護電路中的電容會阻礙其電壓的上升，從而使得電力電子器件IGBT管因電壓的的過高厄爾損壞。第3章驅動電路設計3.1驅動芯片的選擇EXB841是日本富士公司提供的300A/1200V快速型IGBT驅動專用模塊，整個電路延遲時間不超過Ip,最高工作頻率達40一50kHz，它只需外部提供一個+20V單電源，內部產生一個一5V反偏壓，模塊采用高速光藕隔離，射極輸出。有短路保護和慢速關斷功能。3.2驅動信號的控制選擇采用正弦脈寬調制：正弦脈寬調制是以正弦波作為逆變器輸出的期望波形，以頻率比期望波高得多的等腰三角波作為載波(Carrierwave)，并用頻率和期望波相同的正弦波作為調制波(Modulationwave)，當調制波與載波相交時，由它們的交點確定逆變器開關器件的通斷時刻，從而獲得在正弦調制波的半個周期內呈兩邊窄中間寬的一系列等幅不等寬的矩形波。3.3驅動芯片EXB841要很好使用IGBT，必須根據它的特點設計合理的、保護措施齊全的驅動電路進行控制否則很容易造成IGBT的損壞。EXB841就是驅動電路的芯片。4過電流保護電路n廠4過電流保護電路n廠1__i!圖8EXB841功能框圖EXB841主要由放大、過流保護、5V基準電壓和輸出等部分組成。其中放大部分由TLP550,V2,V4,V5和R1,C1,R2,R9組成，TLP55起信號輸人和隔離作用，V2是中間級，V4和V5組成推挽輸出；短路過流保護部分由V1,V3,V6,VZ1和C2,R3,R4,R5,R6,C3,R7,R&C4等組成，實現(xiàn)過流檢測和延時保護功能。EXB841的6腳通過快速恢復二極管接至IGBT的C極，檢測IGBT的集射之間的通態(tài)電壓降的高低來判斷IGBT的過流情況加以保護;5V電壓基準部分由R10,VZ2,C5組成，為IGBT驅動提供一5V反偏壓。時，光藕TLP550導通，A點電位迅速下降至OV，使VI,V2截止;V2截止使D點電位上升至20V,V4導通V5截止，EXB841通過V4及柵極電阻R,向IGBT提供電流使之迅速導通，IGBT的V,。下降至3V,與此同時，EXB841的V1截止使+20V電源通過B3向電容C2充電，使B點電位上升，它們由零上升到13V的時間為2.54p,由于IGBT約1ps后已導通，VCE下降至3V左右，從而使EXB841的6腳電位特制在8V左右，因此B點和C點電位不會充至13V，而是充至8V,穩(wěn)壓管VZ1的穩(wěn)壓值為13V,IGBT正常開通時不會被擊穿，V3不通，E點電位仍為20V，二極管V6截止，不影響V4,V5的正常工作。正常關斷過程，控制電路使EXB841輸人端14,15腳無電流流過，光藕TLP550不通，A點電位L升使VI,V2導通;V2導通使V4截止，V5導通，IGBT柵極電荷通過V5迅速放電，使EXB841的1腳電位迅速下降至0V,使IGBT可靠關斷,Vc;迅速上升，使EXB841的6腳“懸空”與此同時V1導通，C2通過vi更快放電，將B點和c點電位箱制在0V，使vz1仍不通，后續(xù)電路不會動作，IGBT正常關斷。保護動作過程，設IGBT正常導通，則EXB841中V1和V2截止，V4導通，V5截止，B點和C點電位穩(wěn)定在8V左右，Vzl不被擊穿，V3不通，E點電位保持在20V,二極管V6截止。若此時發(fā)生短路，IGBT承受大電流而退飽和，VCE上升很多，二極管V7截止，EXB841的6腳“懸空”,B點和C點電位由8v上升，當上升至13V時，vzl被擊穿,V3導通,C4通過R7和V3放電，E點電位逐漸下降，二極管V6導通使D點電位也逐漸下降，從而使EXB841的3腳電位也逐步下降，慢慢關斷IGBTa根據圖2和對其工作原理分析可知，EXB841的本身所謂的保護僅是通過二極管V7來檢測IGBT的極射間的電壓降來控制的，故EXB841有三個致命缺點，一是二極管V7與IGBT的集電極相連，也就是與強電相連，在煤礦550V直流架線電機車上應用，V7經常被強電高壓擊穿，EXB841和控制板被燒壞;二是它僅對短路情況下才能檢測，對于一般過載不起作用;三是提供一5V偏壓的VZ2穩(wěn)壓管易損壞，導致EXB841無法正常使用。針對以上的缺陷，在實際應用中現(xiàn)作了改進。第4章控制電路的設計4.1采用單片機控制本論文的單片機采用MSC-51或其兼容系列芯片，采用24MHZ或更高頻率晶振,以獲得較高的刷新頻率，時期顯示更穩(wěn)定。在芯片中，P1口低4位與行驅動器相連,送出行選信號；P1.5?P1.7口則用來發(fā)送控制信號。P0口和P2口空著，在有必要的時候可以擴展系統(tǒng)的ROM和RAM。

pl.Opl.lpl.2pl.3pl.4pl.5pl.7RESETX/S9C5140vccRXDTXDINTOINTITOT1WRRDp3.0p3.1p3.2p3.3p3.4p3.5p3.6p3.7XTAL2XTAL1VSS1011121315161718192021pO.OpO.lp0.2p0.3pl.Opl.lpl.2pl.3pl.4pl.5pl.7RESETX/S9C5140vccRXDTXDINTOINTITOT1WRRDp3.0p3.1p3.2p3.3p3.4p3.5p3.6p3.7XTAL2XTAL1VSS1011121315161718192021pO.OpO.lp0.2p0.3pO.斗p0.5p0.6p0.7EAALEPSENP2.7P2.6P2.5P2.斗P2.3P2.1P2.03938373635m斗32302928272625242322圖1089C51引腳圖引腳說明：電源引腳Vcc（40腳）：典型值+5V。Vss（20腳）：接低電平。外部晶振XI、X2分別與晶體兩端相連接。當采用外部時鐘信號時，X2接振蕩信號，X1接地。輸入輸出口引腳：

P0口：I/O雙向口。作輸入口時，應先軟件置“1”。P1口：I/O雙向口。作輸入口時，應先軟件置“1”。P2口：I/O雙向口。作輸入口時，應先軟件置“1”。P3口：I/O雙向口。作輸入口時，應先軟件置“1”?？刂埔_：RST/Vpd、ALE/-PROG、-PSEN、-EA/Vpp組成了MSC-51的控制總線。RST/Vpd（9腳）：復位信號輸入端（高電平有效）。ALE/-PROG（30腳）：地址鎖存信號輸出端。第二功能：編程脈沖輸入。-PSEN（29腳）：外部程序存儲器讀選通信號。-EA/Vpp（31腳）：外部程序存儲器使能端。第二功能：編程電壓輸入端（+21V）。U1Pit11PIOPHP12P13P14P15P16P17POOP01P02P03P04P05P06P0735Pl23fPE3孑Pl：43t53.Pl.6夕Plr73：Pl'-8左13212JJMllINTOP21P22P23P24P25P26P272：2：；152』C]14IXTO2.2tTT312’30pFL-VI19VI12.18X29RESETEXDTKDAL師PSEN1(RKD1no30pF17-RLwT3(TTrrt1621-■I-kJ-HALFL87C51K圖in1單片機系統(tǒng)由路JL2丿目電i壓源杲逆變勺鏈接接在三相逆變電路中，應用最廣的是三相橋式逆變電路。存在以上關系的原因是由于隨著導通飽和壓降的降低，IGBT的阻抗也降低，短路電流同時增大，短路時的功耗隨著電流的平方增大，從而造成承受短路的時間迅速縮短。采用IGBT作為可控元件的電壓型三相逆變電路如圖3.6所示，可以看出電路由三個半橋組成。1.2.背景介紹TCP/IP協(xié)議中，尋找一臺計算機到另一臺計算機的路由是很重要的.1.要判斷是否能找到路2.找到路后找一條短的路（花費時間

最?。?.在找路時不能循環(huán)4.最好還應該能動態(tài)處理路由變化，如：接口的UP或DOWN,時間花費的變化，IETF（InternetEngineeringTaskForce于1988年提出的OSPF是一個基于鏈路狀態(tài)的動態(tài)路由協(xié)議，思路如下：在自治系統(tǒng)中每一臺運行OSPF的由器收集各自的接口/鄰接信息稱為鏈路狀態(tài)，通過Flooding算法在整個系統(tǒng)廣播自己的鏈路狀態(tài)，使得在整個系統(tǒng)內部維護一個同步的鏈路狀態(tài)數(shù)據庫，根據這一數(shù)據庫，路由器計算出以自己為根，其它網絡節(jié)點為葉的一根最短的路徑樹，從而計算出自己到達系統(tǒng)內部可達的最佳路由。嚴制制路

調控電V丿VD$czpy\|嚴制制路

調控電V丿VD$CZF^^NtzzK^咖一WrV―?%—圖12三相逆變電路第5章系統(tǒng)軟件設計5.1系統(tǒng)的結構框圖系統(tǒng)的總結構框圖如圖13。圖13系統(tǒng)的結構框圖圖14系統(tǒng)總流程圖第6章課程設計總結交流課程設計終于順利完成了，其中包含著快樂，也有辛酸。我的題目是“5kW三相電壓源型逆變電路設計”開始覺得題目