標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 14140-2009 硅片直徑測(cè)量方法》相比之前的《GB/T 14140.1-1993》和《GB/T 14140.2-1993》，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新與調(diào)整：

  1. 整合性改進(jìn)：新標(biāo)準(zhǔn)將原先的兩部分（GB/T 14140.1-1993和GB/T 14140.2-1993）合并為一個(gè)統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)文檔，提高了使用的便捷性和標(biāo)準(zhǔn)的一致性。

  2. 技術(shù)方法更新：《GB/T 14140-2009》引入了更先進(jìn)的測(cè)量技術(shù)和設(shè)備要求，以適應(yīng)硅片生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展。例如，可能包括了數(shù)字化測(cè)量工具的使用指導(dǎo)，提升了測(cè)量精度和效率。

  3. 測(cè)量精度提升：新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)測(cè)量精度提出了更高要求，明確了更嚴(yán)格的公差范圍，確保硅片尺寸控制更加精確，符合現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)對(duì)硅片質(zhì)量的高標(biāo)準(zhǔn)需求。

  4. 適用范圍擴(kuò)展：隨著硅片尺寸多樣化的發(fā)展，《GB/T 14140-2009》可能擴(kuò)大了適用的硅片直徑范圍，不僅覆蓋了原有標(biāo)準(zhǔn)中的規(guī)格，還可能包含了當(dāng)時(shí)新興的大尺寸硅片，增強(qiáng)了標(biāo)準(zhǔn)的通用性和前瞻性。

  5. 術(shù)語(yǔ)和定義明確：標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)相關(guān)術(shù)語(yǔ)和定義進(jìn)行了修訂和補(bǔ)充，確保了行業(yè)內(nèi)溝通的一致性和準(zhǔn)確性，便于理解和執(zhí)行。

  6. 檢驗(yàn)規(guī)則與合格判定：新標(biāo)準(zhǔn)細(xì)化了檢驗(yàn)規(guī)則，明確了硅片直徑測(cè)量的合格判定準(zhǔn)則，為產(chǎn)品質(zhì)量控制提供了更為具體的依據(jù)。

  7. 標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)優(yōu)化：為了便于讀者理解和執(zhí)行，標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和格式也進(jìn)行了優(yōu)化，增加了條理性，使得內(nèi)容更加清晰易懂。


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  • 2009-10-30 頒布
  • 2010-06-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

犐犆犛２９．０４５

犎８２

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１４１４０—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１４１４０．１—１９９３，ＧＢ／Ｔ１４１４０．２—１９９３

硅片直徑測(cè)量方法

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀犵犱犻犪犿犲狋犲狉狅犳狊犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉狑犪犳犲狉

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書(shū)

犌犅／犜１４１４０—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ１４１４０．１《硅片直徑測(cè)量法光學(xué)投影法》和ＧＢ／Ｔ１４１４０．２《硅片直徑測(cè)量法

千分尺法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ１４１４０．１和ＧＢ／Ｔ１４１４０．２相比，主要有如下變化：

———可測(cè)量最大直徑的范圍增加到３００ｍｍ；

———?jiǎng)h除了引用標(biāo)準(zhǔn)ＧＢ１２９６２《硅單晶》；

———增加了引用標(biāo)準(zhǔn)ＧＢ／Ｔ１２９６４《硅單晶拋光片》；

———增加了引用標(biāo)準(zhǔn)ＧＢ／Ｔ６０９３《幾何量技術(shù)規(guī)范（ＧＰＳ）長(zhǎng)度標(biāo)準(zhǔn)量塊》；

———增加了術(shù)語(yǔ)、意義用途、干擾因素；

———修改了直徑模型的部分內(nèi)容；

———光學(xué)投影法參照ＡＳＴＭＦ６１３９３《半導(dǎo)體晶片直徑的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法》進(jìn)行了修訂。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)（ＳＡＣ／ＴＣ２０３）提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：劉玉芹、蔣建國(guó)、張靜雯、馮校亮。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１４１４０．１—１９９３、ＧＢ／Ｔ１４１４０．２—１９９３。

Ⅰ

書(shū)

犌犅／犜１４１４０—２００９

硅片直徑測(cè)量方法

方法１光學(xué)投影法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用光學(xué)投影儀測(cè)量硅片直徑的方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量圓形硅片的直徑，可測(cè)最大直徑為３００ｍｍ。本標(biāo)準(zhǔn)不適用于測(cè)量硅片的不

圓度。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第１部分：按接收質(zhì)量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ６０９３幾何量技術(shù)規(guī)范（ＧＰＳ）長(zhǎng)度標(biāo)準(zhǔn)量塊

ＧＢ／Ｔ１２９６４硅單晶拋光片

３術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

直徑犱犻犪犿犲狋犲狉

橫穿圓片表面，通過(guò)晶片中心點(diǎn)且不與參考面或圓周上其他基準(zhǔn)區(qū)相交的直線長(zhǎng)度。

４方法提要

利用光學(xué)投影儀，將硅片投影到顯示屏上，使用螺旋測(cè)微計(jì)和標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度塊進(jìn)行測(cè)量。以硅片投影的

兩端邊緣分別與顯示屏上的垂直坐標(biāo)軸左右兩邊相切，由其位置差求出硅片直徑。按硅片參考面不同

測(cè)量硅片的三條直徑（如圖１）。計(jì)算出平均直徑和直徑偏差。

５意義和用途

５．１在微電子制造過(guò)程中，特別是對(duì)于需要固定硅片的工序，半導(dǎo)體硅片直徑是一個(gè)重要的參數(shù)。

５．２硅片晶向偏離會(huì)使硅片呈橢圓形。本測(cè)試方法報(bào)告要求測(cè)試硅片的直徑偏差。

６干擾因素

６．１硅片邊緣沾污、波紋或參差不齊等會(huì)造成直徑測(cè)量誤差。

６．２載物臺(tái)與螺旋測(cè)微計(jì)主

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