標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 15078-2021 貴金屬電觸點(diǎn)材料接觸電阻的測(cè)量方法》相比《GB/T 15078-2008 貴金屬電觸點(diǎn)材料接觸電阻的測(cè)量方法》,主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了調(diào)整和更新:

  1. 技術(shù)內(nèi)容的更新:新版標(biāo)準(zhǔn)對(duì)貴金屬電觸點(diǎn)材料接觸電阻的測(cè)量原理、設(shè)備要求、試驗(yàn)條件、測(cè)試步驟及數(shù)據(jù)處理方法等技術(shù)細(xì)節(jié)進(jìn)行了修訂,以適應(yīng)近年來(lái)技術(shù)進(jìn)步和測(cè)量精度提升的需求。

  2. 測(cè)量精度要求提高:為了更準(zhǔn)確地反映貴金屬電觸點(diǎn)材料的性能,2021版標(biāo)準(zhǔn)對(duì)測(cè)量系統(tǒng)的精度和穩(wěn)定性提出了更高要求,確保測(cè)試結(jié)果的可比性和可靠性增強(qiáng)。

  3. 試驗(yàn)方法優(yōu)化:更新了試驗(yàn)方法,可能包括了對(duì)試樣制備、接觸形式、加載方式等方面的改進(jìn),旨在減少測(cè)試過(guò)程中的誤差源,提高測(cè)試效率和結(jié)果的一致性。

  4. 環(huán)境條件的明確:對(duì)測(cè)試環(huán)境如溫度、濕度等條件的要求進(jìn)行了更加明確的規(guī)定,以減小環(huán)境因素對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響,確保測(cè)試環(huán)境的控制更加嚴(yán)格和統(tǒng)一。

  5. 數(shù)據(jù)處理與分析:2021版標(biāo)準(zhǔn)可能引入了新的數(shù)據(jù)分析方法或?qū)υ蟹椒ㄟM(jìn)行了細(xì)化,以更科學(xué)合理的方式處理測(cè)試數(shù)據(jù),提高了數(shù)據(jù)分析的準(zhǔn)確性和深度。

  6. 適用范圍調(diào)整:雖然未直接說(shuō)明,但新版標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)根據(jù)行業(yè)發(fā)展和材料應(yīng)用的新變化,調(diào)整了適用的貴金屬電觸點(diǎn)材料類(lèi)型或應(yīng)用領(lǐng)域,使其更具廣泛性和實(shí)用性。

  7. 術(shù)語(yǔ)和定義的完善:對(duì)相關(guān)專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)和定義進(jìn)行了修訂或補(bǔ)充,以便于讀者更好地理解和執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)中的各項(xiàng)要求。


如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。

....

查看全部

  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2021-08-20 頒布
  • 2022-03-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 15078-2021貴金屬電觸點(diǎn)材料接觸電阻的測(cè)量方法_第1頁(yè)
GB/T 15078-2021貴金屬電觸點(diǎn)材料接觸電阻的測(cè)量方法_第2頁(yè)
GB/T 15078-2021貴金屬電觸點(diǎn)材料接觸電阻的測(cè)量方法_第3頁(yè)
免費(fèi)預(yù)覽已結(jié)束,剩余9頁(yè)可下載查看

下載本文檔

免費(fèi)下載試讀頁(yè)

文檔簡(jiǎn)介

ICS7712099

CCSH.21.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T15078—2021

代替GB/T15078—2008

貴金屬電觸點(diǎn)材料接觸電阻的測(cè)量方法

Testingmethodforcontactresistanceofpreciousmetalselectricalcontactmaterials

2021-08-20發(fā)布2022-03-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T15078—2021

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

本文件代替貴金屬電觸點(diǎn)材料接觸電阻的測(cè)量方法與

GB/T15078—2008《》,GB/T15078—2008

相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性修改外主要技術(shù)變化如下

,,:

增加了試驗(yàn)在下進(jìn)行見(jiàn)第章

a)10℃~40℃(5);

更改了推薦值為見(jiàn)年版

b)3.3μm/s(6.2.5,20085.2.5);

更改了電位引線(xiàn)的要求見(jiàn)年版

c)(6.4.3,20085.4.3);

增加了對(duì)試樣和探頭的要求對(duì)試樣表面清潔程度的具體觀察手段見(jiàn)

d)、(7.4);

增加了無(wú)明顯氣流流動(dòng)見(jiàn)

e)(8.1.1);

增加了-2的說(shuō)明見(jiàn)

f)1cN=10N(8.1.2);

更改了電源閉合和設(shè)備預(yù)熱次序見(jiàn)年版

g)(8.3.3,20087.3.3);

增加了將置于標(biāo)準(zhǔn)電阻選擇位置后間隔再升起探頭見(jiàn)

h)K310s,(8.4.1);

更改了由低到高的順序進(jìn)行見(jiàn)年版

i)(8.4.3,20087.4.3);

更改了電阻RRRi的單位為歐姆見(jiàn)

j)n,c,c“(Ω)”(9.1);

增加了隨著測(cè)量電流測(cè)量壓力的變大接觸電阻均會(huì)減小且與接觸時(shí)間的增長(zhǎng)表現(xiàn)為先快速

k)、,

減小而后逐漸穩(wěn)定的衰減過(guò)程基于該特征可以選擇適當(dāng)?shù)慕佑|壓力測(cè)試電流和測(cè)試時(shí)間

,,、

條件降低這些主要因素對(duì)接觸電阻測(cè)量的影響見(jiàn)

,(9.3);

更改了試驗(yàn)報(bào)告的內(nèi)容見(jiàn)第章年版第章

l)(10,20089)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出

本文件由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC243)。

本文件起草單位貴研鉑業(yè)股份有限公司哈爾濱工業(yè)大學(xué)昆明貴研金峰科技有限公司西北有色

:、、、

金屬研究院西安瑞鑫科金屬材料有限責(zé)任公司貴研中希上海新材料科技有限公司有色金屬技術(shù)

、、()、

經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司

本文件主要起草人陳松任萬(wàn)濱馬駿陳雯鄭晶尹克江謝明王靖坤朱武勛向磊吳慶偉

:、、、、、、、、、、。

本文件所代替文件的歷次版本發(fā)布情況為

:

年首次發(fā)布為年第一次修訂

———1994GB/T15078—1994,2008;

本次為第二次修訂

———。

GB/T15078—2021

貴金屬電觸點(diǎn)材料接觸電阻的測(cè)量方法

警示———使用本文件的人員應(yīng)有正規(guī)實(shí)驗(yàn)室工作的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)本文件并未指出所有可能的安全問(wèn)

題使用者有責(zé)任采取適當(dāng)?shù)陌踩徒】荡胧┎⒈WC符合國(guó)家相關(guān)法規(guī)規(guī)定的條件

。,。

1范圍

本文件規(guī)定了貴金屬電觸點(diǎn)材料靜態(tài)接觸電阻的測(cè)量方法

()。

本文件適用于貴金屬電觸點(diǎn)材料接觸電阻的測(cè)量其他金屬及合金電觸點(diǎn)材料也可參照使用

。。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

數(shù)值修約規(guī)則與極限數(shù)值的表示和判定

GB/T8170

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

靜態(tài)接觸staticcontact

觸點(diǎn)相互靜止接觸無(wú)連續(xù)性的離合動(dòng)作

、。

32

.

收縮電阻constrictionresistance

電流通過(guò)接觸面時(shí)因電流線(xiàn)急劇收縮而產(chǎn)生的電阻增量

,。

33

.

膜電阻membraneresistance

觸點(diǎn)表面膜所產(chǎn)生的電阻

34

.

接觸電阻contactresistance

電流通過(guò)觸點(diǎn)時(shí)在接觸處產(chǎn)生的總電阻包括收縮電阻與膜電阻總電阻數(shù)值為兩種電阻之和

,,。

35

.

溫馨提示

  • 1. 本站所提供的標(biāo)準(zhǔn)文本僅供個(gè)人學(xué)習(xí)、研究之用,未經(jīng)授權(quán),嚴(yán)禁復(fù)制、發(fā)行、匯編、翻譯或網(wǎng)絡(luò)傳播等,侵權(quán)必究。
  • 2. 本站所提供的標(biāo)準(zhǔn)均為PDF格式電子版文本(可閱讀打印),因數(shù)字商品的特殊性,一經(jīng)售出,不提供退換貨服務(wù)。
  • 3. 標(biāo)準(zhǔn)文檔要求電子版與印刷版保持一致,所以下載的文檔中可能包含空白頁(yè),非文檔質(zhì)量問(wèn)題。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論