工藝流程以及工序簡(jiǎn)介sj

太陽(yáng)能電池制造工藝——工藝流程以及工序簡(jiǎn)介1.前言磷擴(kuò)散層其主要是利用硅半導(dǎo)體p-n結(jié)的光生伏打效應(yīng)。即當(dāng)太陽(yáng)光照射p-n結(jié)時(shí)，便產(chǎn)生了電子-空穴對(duì)，并在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，電子驅(qū)向n型區(qū)，空穴驅(qū)向p型區(qū)，從而使n區(qū)有過(guò)剩的電子，p區(qū)有過(guò)剩的空穴，于是在p-n結(jié)的附近形成了與內(nèi)建電場(chǎng)方向相反的光生電場(chǎng)。在n區(qū)與p區(qū)間產(chǎn)生了電動(dòng)勢(shì)。當(dāng)接通外電路時(shí)便有了電流輸出。硅太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)及其工作原理：?jiǎn)尉Ч杼?yáng)電池多晶硅太陽(yáng)電池非晶硅太陽(yáng)電池下面我們就硅太陽(yáng)電池的制造工藝流程以及各工序進(jìn)行簡(jiǎn)單的介紹。晶體硅太陽(yáng)能電池制造的常規(guī)工藝流程主要包括：硅片清洗、絨面制備、擴(kuò)散制結(jié)、等離子周邊刻蝕、去PSG(磷硅玻璃)、PECVD減反射膜制備、電極(背面電極、鋁背場(chǎng)和正電極)印刷及烘干、燒結(jié)和分選測(cè)試等。同時(shí),在各工序之間還有檢測(cè)項(xiàng)目,主要有抽樣檢測(cè)制絨效果、抽樣測(cè)方塊電阻、抽樣測(cè)氮化硅減反射膜厚度和折射率等項(xiàng)目。2.硅太陽(yáng)電池的制造工藝流程等離子刻蝕捷佳創(chuàng)單晶制絨庫(kù)特勒多晶制絨擴(kuò)散工序PECVD工序絲網(wǎng)印刷工序制絨清洗工序燒結(jié)工序去PSG工序

測(cè)試分選工序成品硅太陽(yáng)能電池1）、我公司工序工藝流程布局：5.沉積減反射膜（PECVD）1.原料硅片清洗、制絨2.高溫?cái)U(kuò)散（液態(tài)擴(kuò)散）6.絲網(wǎng)印刷背電極8.絲網(wǎng)印刷背電場(chǎng)7.烘干9.烘干12.測(cè)試分選10.絲網(wǎng)印刷正電極3.等離子刻蝕11.燒結(jié)4.去磷硅玻璃（去PSG）制絨清洗工序擴(kuò)散工序去磷硅玻璃等離子刻蝕工序PECVD工序絲網(wǎng)印刷工序燒結(jié)工序測(cè)試分選工序目前硅太陽(yáng)能電池制造工序主要有：2）、工序簡(jiǎn)介(a).單晶制絨---捷佳創(chuàng)

目的與作用：

（1）去除單晶硅片表面的機(jī)械損傷層和氧化層。

（2）為了提高單晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率,根據(jù)單晶硅的各向異性的特性，利用堿(KOH)與醇(IPA)的混合溶液在單晶硅表面形成類(lèi)似“金字塔”狀的絨面,有效增強(qiáng)硅片對(duì)入射太陽(yáng)光的吸收,從而提高光生電流密度。1.

制絨清洗工序(b).

多晶制絨---RENAInTex目的與作用：

（1）去除單晶硅片表面的機(jī)械損傷層和氧化層。

（2）有效增加硅片對(duì)入射太陽(yáng)光的吸收,從而提高光生電流密度，提高單晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。擴(kuò)散的目的：制造太陽(yáng)能電池的PN結(jié)。PN結(jié)是太陽(yáng)能電池的“心臟”。制造PN結(jié)，實(shí)質(zhì)上就是想辦法使受主雜質(zhì)在半導(dǎo)體晶體內(nèi)的一個(gè)區(qū)域中占優(yōu)勢(shì)（P型），而使施主雜質(zhì)在半導(dǎo)體內(nèi)的另外一個(gè)區(qū)域中占優(yōu)勢(shì)（N型），這樣就在一塊完整的半導(dǎo)體晶體中實(shí)現(xiàn)了P型和N型半導(dǎo)體的接觸。2.

擴(kuò)散（POCl3液態(tài)擴(kuò)散）刻蝕的目的：去除片子邊緣的磷硅玻璃，使PN結(jié)不短路。等離子體刻蝕是采用高頻輝光放電反應(yīng)，使反應(yīng)氣體激活成活性粒子，如原子或游離基，這些活性粒子擴(kuò)散到需刻蝕的部位，在那里與被刻蝕材料進(jìn)行反應(yīng)，形成揮發(fā)性反應(yīng)物而被去除，這種腐蝕方法也叫做干法腐蝕。3.

等離子體周邊刻蝕4.

去磷硅玻璃---PSG

在擴(kuò)散過(guò)程中發(fā)生如下反應(yīng)：

POCl3分解產(chǎn)生的P2O5淀積在硅片表面，P2O5與Si反應(yīng)生成SiO2和磷原子：

這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2，稱(chēng)之為磷硅玻璃。去除磷硅玻璃的目的、作用：磷硅玻璃的厚度在擴(kuò)散中工藝難控制，且其工藝窗口太小，不穩(wěn)定。磷硅玻璃的折射率在1.5左右，比氮化硅折射率（2.07左右）小，若磷硅玻璃較厚會(huì)降低減反射效果。磷硅玻璃中含有高濃度的磷雜質(zhì)，會(huì)增加少子表面復(fù)合，使電池效率下降。沉積減反射膜的作用、目的：沉積減反射膜實(shí)際上就是對(duì)電池進(jìn)行鈍化。鈍化可以去掉硅電池表面的懸空鍵和降低表面態(tài)，從而降低表面復(fù)合損失，提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率。鈍化作用能使硅電池表面具有很小的反射系數(shù)，減少光反射損失，提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率。4.沉積減反射膜（PECVD）工序上電極以及正面的小柵線(xiàn)是銀漿背電極是銀鋁漿背電場(chǎng)是鋁漿背電極、上電極以及小柵線(xiàn)起到收集電子的作用。背電場(chǎng)的作用是可以提高電子的收集速度，從而提高電池的短路電流（JSC）和開(kāi)路電壓（VOC）進(jìn)而提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

5.絲網(wǎng)印刷工序正電極燒結(jié)的目的、作用：燃盡漿料的有機(jī)組分，使?jié){料和硅片形成良好的歐姆接觸，從而提高開(kāi)路電壓和短路電流并使其具有牢固的附著力與良好的可焊性。背面場(chǎng)經(jīng)燒結(jié)后形成的鋁硅合金，鋁在硅中是作為P型摻雜，它可以減少金屬與硅交接處的少子復(fù)合，從而提高開(kāi)路電壓和短路電流，改善對(duì)紅外線(xiàn)的響應(yīng)。上電極的銀、氮化硅、二氧化硅以及硅經(jīng)燒結(jié)后形成共晶，從而使電極與硅形成良好的歐姆接觸，從而提高短路電流。6.燒結(jié)工序