標準解讀

《GB/T 16880-1997 光掩模缺陷分類和尺寸定義的準則》作為中國國家標準,為光掩模制造與檢驗提供了統(tǒng)一的缺陷分類體系及尺寸界定方法。不過,您提到的對比標準未明確給出,因此無法直接提供兩者之間的具體變更點。但可以一般性地說明,當一個標準被更新或替代時,通常會涉及到以下幾個方面的變化:

  1. 缺陷分類細化或調(diào)整:新標準可能會根據(jù)技術(shù)進步和實際生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)的問題,對缺陷類型進行更細致的劃分,或者調(diào)整某些缺陷的定義以更準確反映其對半導(dǎo)體器件性能的影響。

  2. 尺寸定義的精確化:隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點的不斷縮小,對光掩模缺陷尺寸的控制要求更加嚴格。新標準可能會引入更嚴格的尺寸限定,或者采用更精密的測量技術(shù)來定義缺陷尺寸。

  3. 檢驗方法與標準的更新:隨技術(shù)發(fā)展,新的檢測設(shè)備和分析技術(shù)不斷涌現(xiàn),標準可能會納入這些新技術(shù),更新缺陷檢測的方法和標準,以提高檢測的準確性和效率。

  4. 質(zhì)量控制指標的提升:為了適應(yīng)半導(dǎo)體行業(yè)對產(chǎn)品質(zhì)量的更高要求,新標準可能會設(shè)定更為嚴格的缺陷容許度,包括缺陷數(shù)量、分布密度以及對關(guān)鍵區(qū)域的特別要求。

  5. 術(shù)語與定義的統(tǒng)一:隨著國際交流增加,新標準可能會參照國際標準或行業(yè)共識,對專業(yè)術(shù)語進行修訂或統(tǒng)一,以促進國際間的合作與互認。

  6. 可追溯性和文檔化要求:為了增強產(chǎn)品質(zhì)量管理和問題追溯能力,新標準可能會加強對缺陷記錄、數(shù)據(jù)分析及報告格式的要求。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1997-06-20 頒布
  • 1998-03-01 實施
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ICS31.020L97中華人民共和國國家標準GB/T16880--1997光掩模缺陷分類和尺寸定義的準則Guidelinesforphotomaskdefectclassificationandsizedefinition1997-06-20發(fā)布1998-03-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T16880-1997目次前言1范圍引用標準……掩模缺陷的類別4光掩模缺陷大小的定義

GB/T16880—1997前本標準等同采用1994年SEMI標準版本“微型構(gòu)圖"部分中的SEMIP22-93《光掩模缺陷分類和尺寸定義的則》(Guidelinesforphotomaskdefectelassificationandsizedefinition)。SEMI標準是國際上公認的一套半導(dǎo)體設(shè)備和材料國際標準。SEMIP22—93《光掩模缺陷分類和尺寸定義的準則》是其中的一項,它將與已經(jīng)轉(zhuǎn)化的SEMIP1一92硬面光拖模基板》SEMIP2-86《硬面光掩模用鉻薄膜》、SEMIP3-90《硬面感光板中光致抗蝕劑和電子抗蝕劑》SEMIP4-92《圓形石英玻璃光掩模基板》、SEMIP6-88《光掩模定位標記規(guī)范》及SEMIP19-92《用于集成電路制造技術(shù)的檢測圖形單元規(guī)范》和SEMIP21-92《掩模瞬光系統(tǒng)精密度和準確度表示準則》兩項SEMI標準形成-個微型構(gòu)圖標準系列,并為今后還要繼續(xù)轉(zhuǎn)化SEMIP23—93《掩模缺陷檢測系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷測試掩模及靈敏度評估方法準則》標準提供規(guī)范依據(jù)本標準是根據(jù)SEMI標準P22-93《光掩模缺陷分類和尺寸定義的準則》制定的,在技術(shù)內(nèi)容上等同地采用了該國際標準。本標準的格式和結(jié)構(gòu)按國標GB/T1.1—1993第一單元第一部分的規(guī)定編制。本標準從1998年3月1日實施。本標準由中國科學(xué)院提出。本標準由電子工業(yè)部標準化研究所歸口本標準起草單位:中國科學(xué)院微電子中心本標準主要起草人:陳寶欽、陳森錦、廖溫初。

中華人民共和國國家標準光掩模缺陷分類和尺寸定義的準則GB/T16880-1997Guidelinesforphotomaskdefectclassificationandsizedefinition花圍本準則的范圍是制定有關(guān)光拖模缺陷分類用的標準術(shù)語,并規(guī)定缺陷大小的表達方法.確定光拖模缺陷時應(yīng)遵循這個準則。2引用標準下列標準所包含的條文,通過在本標準中引用而構(gòu)成為本標準的條文。本本標準出版時,所示版本均為有效。所有標準都會被修訂,使用本標準的各方應(yīng)探討使用下列標準最新版本的可能性.SJ/T10584—94微電子學(xué)光掩蔽技術(shù)術(shù)語掩模缺陷的類別3.1掩模圖形缺陷maskpatterndefect3.1.1形狀缺陷shapedefect3.1.1.1不透明缺陷opaguedefecta)小點dot(近義詞:小島islandopaguespot)b)橋連bridge:)凸起protrusion(在不透明圖形上);d)外擴”extension(不透明圖形邊線);e)過大oversize(不透明圖形);()缺口intrusion(在透明圖形上)g)內(nèi)縮truncation(透明圖形邊線);h)過小undersize(透明圖形)。3.1.1.2透明缺陷cleardetecta)針孔hole(pinhole);b)空白space:)缺口intrusion(在不透明圖形上)d)內(nèi)縮truncation(不透明圖形邊線);e)過小、undersize(不透明圖形)f)凸起:protrusion(在透明圖形上):g)外擴°extension(透明圖形邊線);h)過大oversize(透明圖形)。3.1.2錯位誤差misplac

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