標準解讀
《GB/T 17444-1998 紅外焦平面陣列特性參數(shù)測試技術規(guī)范》是中國的一項國家標準,發(fā)布于1998年,旨在為紅外焦平面陣列(IRFPA)的特性參數(shù)測試提供統(tǒng)一的技術指導和要求。該標準詳細規(guī)定了測試紅外焦平面陣列性能所需的方法、條件、設備以及具體的參數(shù)指標,以確保測試結果的準確性和可比性。以下是該標準內(nèi)容的幾個關鍵點概述:
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適用范圍:本標準適用于以探測器單元陣列形式構成的紅外焦平面陣列,包括制冷型和非制冷型,主要用于測量其電學、光學及熱學特性參數(shù)。
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術語定義:標準首先明確了與紅外焦平面陣列及其測試相關的專業(yè)術語和定義,如響應率、噪聲等效功率、像素凈等效溫差、陣列均勻性等,為后續(xù)測試提供了共同語言基礎。
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測試環(huán)境與設備:詳細描述了進行測試所需的環(huán)境條件,如溫度、濕度、電磁干擾控制等,并規(guī)定了測試設備的精度要求,包括黑體源、低溫平臺、信號處理系統(tǒng)等,確保測試環(huán)境和設備滿足高精度測試需求。
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測試方法:
- 電學特性測試:包括暗電流、響應率、噪聲等效功率等參數(shù)的測量方法。
- 光學特性測試:規(guī)定了如何測量像素的光譜響應、量子效率及陣列的均勻性等。
- 熱學特性測試:涉及NETD(噪聲等效溫差)的測定,這是衡量紅外探測器靈敏度的重要指標。
- 動態(tài)范圍與線性度測試:確保探測器在不同輻射強度下的響應保持線性且覆蓋寬廣的動態(tài)范圍。
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數(shù)據(jù)處理與分析:標準給出了測試數(shù)據(jù)處理的具體方法,包括數(shù)據(jù)校正、統(tǒng)計分析等步驟,以確保測試結果的準確性。
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質量評估與合格判定:基于測試結果,標準提供了對紅外焦平面陣列性能進行評價的標準和方法,包括各參數(shù)的允許偏差范圍,用以判斷產(chǎn)品是否符合預定的質量標準。
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文檔簡介
ICS31.260L52中華人民共和國國家標準GB/T17444-一-1998紅外焦平面陣列特性參數(shù)測試技術規(guī)范Thetechnicalnormsformeasurementandtestofcharacteristicparametersofinfraredfocalplanearrays1998-07-18發(fā)布1999-05-01實施國家質量技術監(jiān)督局發(fā)布
GB/T17444-1998日次前言·······特性參數(shù)及相關量的定義3測試方法及測試條件附錄A(標準的附錄),響應率的其他表示附錄B(標準的附錄)空間噪聲12附錄C(標準的附錄)備用特性參數(shù)及相關量13附錄D(提示的附錄)死像元、過熱像元及平均響應率下、平均噪聲電壓可、的計算方法
GB/T17444-1998紅外焦平面陣列(以下簡稱焦平面)是紅外凝視成像和成像光譜儀等新一代紅外系統(tǒng)的核心器件國外焦平面已經(jīng)處于實用階段。國內(nèi)在國家高技術計劃安排下已進行了十年的研究。在硅化鉑、梯化和硫鍋汞等三類焦平面研究方面,分別取得了良好進展。在應用方面開展了雙波段紅外凝視成像輻射計和紅外成像制導等研究,受到用戶的重視。焦平面擁有成千上萬個像元,并帶有讀出電路,具有信號獲取與信號讀出雙重功能,比之紅外單元探測器,完全是一種新穎器件,因此,對焦平面特性的描述帶來許多新的內(nèi)容。至今尚未見到國外發(fā)表的焦平面特性參數(shù)測試技術規(guī)范。國內(nèi)技術人員都從各自的需要和理解定義了一些參數(shù),互不統(tǒng)一。隨著焦平面研究和應用工作的發(fā)展,追切需要統(tǒng)一的特性參數(shù)名稱和測試方法來評價器件。本規(guī)范是為滿足這種需要而制定的。本標準的附錄A、附錄B和附錄C是標準的附錄。本標準的附錄D是提示的附錄。本標準由中國科學院提出并歸口。本標準起草單位:中國科學院上海技術物理研究所本標準主要起草人:董亮初、丁瑞軍、梁平治、唐紅蘭、陳世軍。
中華人民共和國國家標準紅外焦平面陣列特性參數(shù)測試技術規(guī)范GB/T17444-1998Thetechnicalnormsformeasurementandtestofcharacteristicparametersofinfraredfocalplanearrays1范圍本標準所指的焦平面,是敏感紅外輻照(以下簡稱輻照)的光敏元陣列并帶有讀出電路的器件。本標準對焦平面特性參數(shù)及相關址進行了定義。本標準給出了焦平面主要特性參數(shù)的測試方法及測試條件。本標準適用于線列和面陣焦平面。特性參數(shù)及相關量的定義本標準采用下列定義2.11積分時間(integrationtime)像元累積輻照產(chǎn)生電荷的時間,符號為m,單位為秒(s)。2.2順周期(frameperiod)面陣焦平面一賴信號讀出所需要的時間,符號為mom,單位為秒(s)。2.3行周期(lineperiod)線列焦平面一行信號讀出所需要的時間,符號為em,單位為秒(s)。2.4最高像元速率(maximumpixelrate)焦平面像元信號讀出的最高速率,符號為/o.單位為赫茲(Hz)2.5電街容量(chargecapacity)焦平面像元能容納的最大信號電荷數(shù),符號為N、.單位為電子電荷(e)。2.66輻照功率(irradiationpower)入射到一個像元上的恒定輻照功率,符號為,單位為瓦(W)2.7輻照能量(irradiationenergy)輻照功率P與積分時間m之積,符號為E,單位為焦耳(J)。由式(1)表示:=PX熱·(1)2.8飽和輻照功率(saturationirradiationpower)焦平面在一定周期或行周期條件下,輸出信號達到飽和時的最小輻照功率,符號為P單位為瓦(W)。2.9
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