GB/T 19921-2018硅拋光片表面顆粒測試方法

ICS77040

H21.

中華人民共和國國家標準

GB/T19921—2018

代替

GB/T19921—2005

硅拋光片表面顆粒測試方法

Testmethodforparticlesonpolishedsiliconwafersurfaces

2018-12-28發(fā)布2019-07-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T19921—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

方法提要

4…………………4

干擾因素

5…………………5

設備

6………………………7

測試環(huán)境

7…………………7

參考樣片

8…………………8

校準

9………………………8

測試步驟

10…………………9

精密度

11……………………9

試驗報告

12…………………9

附錄規(guī)范性附錄針對線寬技術用硅片的掃描表面檢查系統(tǒng)的要求指南

A()130nm~11nm…11

附錄規(guī)范性附錄測定掃描表面檢查系統(tǒng)XY坐標不確定性的方法

B()……………18

附錄規(guī)范性附錄采用覆蓋法確定掃描表面檢查系統(tǒng)俘獲率和虛假計數(shù)率的測試方法

C()………20

Ⅰ

GB/T19921—2018

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替硅拋光片表面顆粒測試方法與相比除編

GB/T19921—2005《》,GB/T19921—2005,

輯性修改外主要技術變化如下

:

修改了適用范圍見第章年版第章

———(1,20051)。

規(guī)范性引用文件中刪除了和增加了

———ASTMF1620-1996、ASTMF1621-1996SEMIM1-0302,

GB/T6624、GB/T12964、GB/T12965、GB/T14264、GB/T25915.1、GB/T29506、SEMI

及見第章年版第章

M35、SEMIM52、SEMIM53SEMIM58(2,20052)。

術語和定義中刪除了分布圖亮點缺陷漏報的計數(shù)微粗糙度重復性再現(xiàn)性劃痕增加了

———、、、、、、,

晶體原生凹坑虛假計數(shù)率累計虛假計數(shù)率變化率水平靜態(tài)方法動態(tài)方法匹配公差標

、、、、、、、

準機械接口系統(tǒng)的定義并根據(jù)修改了部分已有術語的定義見第章年

,GB/T14264(3,2005

版第章

3)。

方法提要中增加了關于局部光散射體延伸光散射體及晶體原生凹坑霧的測試原理見

———、、(4.1、

4.3、4.4、4.5)。

根據(jù)測試方法使用情況增加了影響測試結果的干擾因素見

———,(5.2、5.4、5.10、5.12、5.13、5.14、

5.16、5.19、5.20、5.21、5.23)。

修改了測試設備明確分為晶片夾持裝載系統(tǒng)激光掃描及信號收集系統(tǒng)數(shù)據(jù)分析處理傳

———,、、、、

輸系統(tǒng)操作系統(tǒng)和機械系統(tǒng)見第章年版第章

、(6,20056)。

增加了測試環(huán)境將原標準方法概述中對環(huán)境的描述列為第章條款見第章年版

———“”,7(7,2005

第章

4)。

參考樣片中增加了關于凹坑和劃傷參考樣片的內容見

———“”“”(8.10、8.11)。

將除上述沉積聚苯乙烯乳膠球的參考樣片外有條件的用戶可選擇對掃描表面檢查系統(tǒng)的定

———“,

位準確性能力進行測定的參考樣片詳見中第章參考樣片修改為應選

。ASTMF121-968”“

擇具有有效證書的樣片作為參考樣片參考樣片應符合中的規(guī)定見年

,SEMIM53”(8.1,2005

版

7.9)。

細化了使用參考樣片校準掃描表面檢查系統(tǒng)的程序增加了中通過重復校準來確認

———(9.2),9.3

系統(tǒng)的穩(wěn)定性的要求增加了中的在靜態(tài)或動態(tài)方法條件下測試確定掃描表面檢查系

;9.4“,

統(tǒng)的XY坐標不確定性的要求增加了對掃描表面檢查系統(tǒng)的虛假計數(shù)進行評估獲得

”;9.5“,

測試系統(tǒng)的俘獲率乳膠球尺寸的標準偏差虛假計數(shù)率和累計虛假計數(shù)率的要求在中

、、”;9.6

進行設備校準前后測試結果的比對增加了有條件的可進行多臺掃描表面檢查系統(tǒng)的比對

,“,

并進行匹配公差計算增加了推薦使用中的凹坑或劃傷尺寸的參考樣片來規(guī)

”;9.7“8.10、8.11

范晶片表面的凹坑及劃傷也可將相關的標準模型保存在掃描表面檢查系統(tǒng)的軟件中的內

?！?/p>

容見第章年版第章

(9,20058)。

根據(jù)試驗結果修改了精密度的內容第章年版第章

———(11,200511)。

增加了規(guī)范性附錄規(guī)范性附錄規(guī)范性附錄見附錄附錄附錄

———A、B、C(A、B、C)。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

Ⅲ

GB/T19921—2018

本標準起草單位有研半導體材料有限公司上海合晶硅材料有限公司浙江金瑞泓科技股份有限

:、、

公司南京國盛電子有限公司有色金屬技術經濟研究院天津市環(huán)歐半導體材料技術有限公司

、、、。

本標準主要起草人孫燕劉卓馮泉林徐新華張海英駱紅劉義楊素心張雪囡

:、、、、、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T19921—2005。

Ⅳ

GB/T19921—2018

硅拋光片表面顆粒測試方法

1范圍

本標準規(guī)定了應用掃描表面檢查系統(tǒng)對拋光片外延片等鏡面晶片表面的局部光散射體進行測試

、,

對局部光散射體與延伸光散射體散射光與反射光進行區(qū)分識別和測試的方法針對

、、。130nm~11nm

線寬工藝用硅片本標準提供了掃描表面檢查系統(tǒng)的設置

,。

本標準適用于使用掃描表面檢查系統(tǒng)對硅拋光片和外延片的表面局部光散射體進行檢測計數(shù)及

、

分類也適用于對硅拋光片和外延片表面的劃傷晶體原生凹坑進行檢測計數(shù)及分類對硅拋光片和外

,、、,

延片表面的桔皮波紋霧以及外延片的棱錐乳突等缺陷進行觀測和識別本標準同樣適用于鍺拋光

、、、。

片化合物拋光片等鏡面晶片表面局部光散射體的測試

、。

注本標準中將硅鍺砷化鎵材料的拋光片和外延片及其他材料的鏡面拋光片外延片等統(tǒng)稱為晶片

:、、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅拋光片表面質量目測檢驗方法

GB/T6624

硅單晶拋光片

GB/T12964

硅單晶切割片和研磨片

GB/T12965

硅外延片

GB/T14139

半導體材料術語

GB/T14264

潔凈室及相關受控環(huán)境第部分空氣潔凈度等級

GB/T25915.11:

硅單晶拋光片

GB/T29506300mm

自動檢測硅片表面特征的發(fā)展規(guī)范指南

SEMIM35(Guidefordevelopingspecificationsfor

siliconwafersurfacefeaturesdetectedbyautomatedinspection)

關于線寬工藝用硅片的掃描表面檢查系統(tǒng)指南

SEMIM52130nm~11nm