GB/T 19922-2005硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法

ICS77.040.01H17中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T19922—2005硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法Standardtestmethodsformeasuringsitefiatnessonsiliconwafersbynoncontactscanning2005-09-19發(fā)布2006-04-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T19922一2005本標(biāo)準(zhǔn)修改采用ASTMF1530—94自動(dòng)無(wú)接觸掃描測(cè)試硅片厚度、平整度及厚度變化的標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)方法》。本標(biāo)準(zhǔn)與ASTMF1530-—94相比.僅提供了其有關(guān)局部平整度測(cè)量的內(nèi)容.并在硅片尺寸及厚度上與其有所差異。相關(guān)術(shù)語(yǔ)及測(cè)試方法的精密度采用國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A為資料性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：洛陽(yáng)單品硅有限責(zé)任公司、中國(guó)有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所。本標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)驗(yàn)證單位：北京有色金屬研究總院。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：史、蔣建國(guó)、陳興邦、賀東江、王文、鄧德翼。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)解釋本標(biāo)準(zhǔn)為首次發(fā)布

GB/T19922-2005硅片的局部平整度是直接影響到集成電路光刻等工藝線寬的質(zhì)量、成品率和可靠性的重要參數(shù)之為滿足我國(guó)硅材料的生產(chǎn)使用的實(shí)際需求，同時(shí)考慮到與國(guó)際的接軌.我們?cè)趯?duì)相關(guān)國(guó)外標(biāo)準(zhǔn)的充分理解、吸收的基礎(chǔ)上.綜合我國(guó)硅材料的生產(chǎn)使用情況及國(guó)際上硅材料的生產(chǎn)和微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和現(xiàn)狀編制了本標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)是進(jìn)行硅片表面局部平整度測(cè)量的指導(dǎo)文件，目的是為硅片的供應(yīng)方與使用方提供一種通用的方法來(lái)更確切地了解硅片是否滿足規(guī)定的幾何要求。但在雙方進(jìn)行相關(guān)性測(cè)試比較之前不建議將此測(cè)試方法作為仲裁標(biāo)準(zhǔn)

GB/T19922-2005硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用電容位移傳感法測(cè)定硅片表面局部平整度的方法本標(biāo)準(zhǔn)適用于無(wú)接觸、非破壞性地測(cè)量干燥、潔凈的半導(dǎo)體硅片表面的局部平整度。適用于直徑100mm及以上、厚度250gm及以上的腐蝕、拋光及外延硅片規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注年代的引用文件.其隨后所有的修訂單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)。然而.鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注明年代的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)ASTMF1530—94自動(dòng)無(wú)接觸掃描測(cè)試硅片厚度、平整度及厚度變化的標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)方法術(shù)語(yǔ)和定義由GB/T14264確立的及以下半導(dǎo)體術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。局部平整度Siteflatncss當(dāng)硅片的背面為理想平面時(shí),在硅片表面的局部定域內(nèi)，相對(duì)于特定參照平面的最大偏差，通常報(bào)告硅片上所有局部定域的最大值。如圖1所示。根據(jù)所選參照平面的不同，可分別用SF3R、SFLR、SFQR、SBIR或SF3D、SFLD、SFQD.SBID來(lái)表述。各術(shù)語(yǔ)的具體解釋詳見表1.表1術(shù)語(yǔ)SF3RSFLRSFQRSBIRSF3DSFLDSFQDSBID測(cè)量方式局部局部局部局部局部局部局部局部(S)(S)（S)(S)(S)（S）（S){S)參照表面正面正面背面正面正面正面正面背面(F)(F)(F)(B)（F)(F)(F)(B)三點(diǎn)總最佳局部最佳理想總最佳（L）局部最佳三點(diǎn)理想?yún)⒄掌矫妫↙)（Q)(3）(B