城市軌道交通電工電子技術(shù)單元6 常用半導(dǎo)體器件

單元6.常用半導(dǎo)體器件單元學(xué)習(xí)目標(biāo)1.了解本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體及PN結(jié)

2.掌握二極管的單向?qū)щ娦?/p>

3.了解特殊二極管的特點(diǎn)及應(yīng)用

4.掌握三極管放大作用、開關(guān)作用及所需條件一．半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體——導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。由原子組成，具有晶體結(jié)構(gòu)。

(a)硅晶體的空間排列(b)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)平面示意圖(c)1.本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體是一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。本征半導(dǎo)體又稱純凈半導(dǎo)體。當(dāng)導(dǎo)體處于熱力學(xué)溫度0K時(shí)，導(dǎo)體中沒有自由電子。當(dāng)溫度升高或受到光的照射時(shí)，價(jià)電子能量增高，有的價(jià)電子可以掙脫原子核的束縛，而參與導(dǎo)電，成為自由電子。這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)，也稱熱激發(fā)。

自由電子產(chǎn)生的同時(shí)，在其原來的共價(jià)鍵中就出現(xiàn)了一個(gè)空位，原子的電中性被破壞，呈現(xiàn)出正電性，其正電量與電子的負(fù)電量相等，人們常稱呈現(xiàn)正電性的這個(gè)空位為空穴。

因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)的，稱為電子空穴對(duì)。游離的部分自由電子也可能回到空穴中去，稱為復(fù)合。本征激發(fā)和復(fù)合在一定溫度下會(huì)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。自由電子的定向運(yùn)動(dòng)形成了電子電流，空穴的定向運(yùn)動(dòng)也可形成空穴電流，它們的方向相反。只不過空穴的運(yùn)動(dòng)是靠相鄰共價(jià)鍵中的價(jià)電子依次充填空穴來實(shí)現(xiàn)的，因此，空穴的導(dǎo)電能力不如自由電子。空穴的移動(dòng)2.雜質(zhì)半導(dǎo)體

(1)N型半導(dǎo)體

(2)P型半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量元素作為雜質(zhì)，可使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性發(fā)生顯著變化。摻入的雜質(zhì)主要是三價(jià)或五價(jià)元素。摻入雜質(zhì)后的本征半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。(1).N型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)雜質(zhì)元素，例如磷，可形成N型半導(dǎo)體,也稱電子型半導(dǎo)體。因五價(jià)雜質(zhì)原子中只有四個(gè)價(jià)電子能與周圍四個(gè)半導(dǎo)體原子中的價(jià)電子形成共價(jià)鍵，而多余的一個(gè)價(jià)電子因無共價(jià)鍵束縛而很容易形成自由電子。在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子,它主要由雜質(zhì)原子提供；空穴是少數(shù)載流子,

由熱激發(fā)形成。N型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖(2).P型半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)雜質(zhì)元素，如硼、鎵、銦等形成P型半導(dǎo)體，也稱為空穴型半導(dǎo)體。因三價(jià)雜質(zhì)原子與硅原子形成共價(jià)鍵時(shí)，缺少一個(gè)價(jià)電子而在共價(jià)鍵中留下一個(gè)空穴。

P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子，主要由摻雜形成；電子是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成。

P型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖雜質(zhì)半導(dǎo)體簡化模型

3.PN結(jié)

PN結(jié)是半導(dǎo)體的核心。 將P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體使用特殊工藝連在一起時(shí)，N區(qū)中濃度高的自由電子會(huì)擴(kuò)散到P區(qū)，并與P型半導(dǎo)體中的空穴復(fù)合。同時(shí)P區(qū)中濃度高的空穴會(huì)擴(kuò)散到N區(qū)，并與N型半導(dǎo)體中的自由電子復(fù)合。在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的交界面上，可自由移動(dòng)的空穴和自由電子相互中和形成了一個(gè)具有特殊電性能的薄層，稱為空間電荷區(qū)，即PN結(jié)。

最后多子擴(kuò)散和少子的漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。對(duì)于P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合面，離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱為

PN結(jié),在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱耗盡層。(1).PN結(jié)的正向特性

外加的正向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū)，方向與PN結(jié)內(nèi)電場方向相反，削弱了內(nèi)電場。內(nèi)電場對(duì)多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙減弱，擴(kuò)散電流加大。擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響,PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性。(2).PN結(jié)的反向特性

外加的反向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū)，方向與PN結(jié)內(nèi)電場方向相同，加強(qiáng)了內(nèi)電場。內(nèi)電場對(duì)多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙增強(qiáng)，擴(kuò)散電流大大減小。此時(shí)PN結(jié)區(qū)的少子在內(nèi)電場的作用下形成的漂移電流大于擴(kuò)散電流，可忽略擴(kuò)散電流，由于漂移電流本身就很小，PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性。在一定溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關(guān)，這個(gè)電流也稱為反向飽和電流。

PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴(kuò)散電流；PN結(jié)加反向電壓時(shí)，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?/p>

二.半導(dǎo)體二極管

1.半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)

半導(dǎo)體二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。由Ｐ區(qū)引出的電極稱為陽極，Ｎ區(qū)引出的電極稱為陰極。因?yàn)镻N結(jié)的單向?qū)щ娦?，二極管導(dǎo)通時(shí)電流方向是由陽極通過管子內(nèi)部流向陰極。二極管的型號(hào)組成及其意義第一部分（數(shù)字）第二部分（拼音）第三部分（拼音）第四部分（數(shù)字）第五部分（拼音）電極數(shù)材料和極性類型序號(hào)規(guī)格號(hào)（表示反向峰值電壓的檔次）符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義2二極管AN型鍺材料P普通管BP型鍺材料Z整流管CN型硅材料W穩(wěn)壓管DP型硅材料U光電管K開關(guān)管C參量管L整流堆S隧道管常見的二極管有2AP7、2DZ54C等，根據(jù)表可自行判斷其意義。2.半導(dǎo)體二極管的伏安特性及其檢測(cè)二極管的電流與電壓的關(guān)系曲線，稱為二極管的伏安特性。其伏安特性曲線如圖所示。二極管的核心是一個(gè)PN結(jié)，具有單向?qū)щ娦?，其?shí)際伏安特性與理論伏安特性略有區(qū)別。(1).正向特性位于圖中第一象限。當(dāng)外加正向電壓很低時(shí)，管子內(nèi)多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)沒形成，正向電流幾乎為零。當(dāng)正向電壓超過一定數(shù)值時(shí)，有明顯的正向電流，這個(gè)電壓值稱為死區(qū)電壓，硅管的死區(qū)電壓約為0.5V，鍺管的死區(qū)電壓約為0.2V。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓后，正向電流迅速增長，曲線接近上升直線，在伏安特性的這一部分，當(dāng)電流迅速增加時(shí)，二極管的正向壓降變化很小，硅管正向壓降約為0.6～0.7V，鍺管的正向壓降約為0.2～0.3V。二極管的伏安特性對(duì)溫度很敏感，溫度升高時(shí)，正向特性曲線向左移，如圖所示，這說明，對(duì)應(yīng)同樣大小的正向電流，正向壓降隨溫升而減小。研究表明：溫度每升高10C，正向壓降減小2mV。(2).反向特性

位于圖中第三象限。二極管加上反向電壓時(shí)，形成很小的反向電流，且在一定溫度下它的數(shù)量基本維持不變，因此，當(dāng)反向電壓在一定范圍內(nèi)增大時(shí)，反向電流的大小基本恒定，而與反向電壓大小無關(guān)，故稱為反向飽和電流，一般小功率鍺管的反向電流可達(dá)幾十μA，而小功率硅管的反向電流要小得多，一般在0.1μA以下，當(dāng)溫度升高時(shí)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，使反向電流增大，特性曲線下移，研究表明，溫度每升高100C，反向電流近似增大一倍。3.半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)

(1).最大整流電流IDM—二極管長期工作時(shí)，允許通過的最大的正向平均電流。

(2).反向工作峰值電壓VRM—管子不被擊穿所允許的最大反向電壓。

(3).反向峰值電流IRM—二極管加反向電壓VRM時(shí)的反向電流值。

(4).最高工作頻率?M—二極管單向?qū)щ娮饔瞄_始明顯退化的交流信號(hào)的頻率。

4.二極管的應(yīng)用電路(1).整流所謂整流,就是將交流電變?yōu)閱畏较蛎}動(dòng)的直流電。利用二極管的單向?qū)щ娦钥山M成單相、三相等各種形式的整流電路。(2).鉗位利用二極管正向?qū)〞r(shí)壓降很小的特性，可組成鉗位電路。若A點(diǎn)UA=0，二極管VD可正向?qū)ǎ鋲航岛苄?，故F點(diǎn)的電位也被鉗制在0V左右，即UF≈0(3).限幅利用二極管正向?qū)ê笃鋬啥穗妷汉苄∏一静蛔兊奶匦?，可以?gòu)成各種限幅電路，使輸出電壓幅度限制在某一電壓值以內(nèi)。

設(shè)輸入電壓Ui=10sinωt(V),Us1=Us2=5V。當(dāng)-Us2<Ui<Us1時(shí)，VD1、VD2都處于反向偏置而截止，因此I=0,Uo=Ui。當(dāng)Ui>Us1時(shí)，VD1處于正向偏置而導(dǎo)通，使輸出電壓保持在Us1。Ui<-Us1時(shí)，VD2處于正向偏置而導(dǎo)通，輸出電壓保持在-Us2。由于輸出電壓uo被限制在+Us1與-Us2之間，即|Uo|≤5V,好像將輸入信號(hào)的高峰和低谷部分削掉一樣,因此這種電路又稱為削波電路。(4).元件保護(hù)在電子線路中，常用二極管來保護(hù)其他元器件免受過高電壓的損害。在開關(guān)S接通時(shí)，電源E給線圈供電，L中有電流流過，儲(chǔ)存了磁場能量。在開關(guān)S由接通到斷開的瞬時(shí)，電流突然中斷，L中將產(chǎn)生一個(gè)高于電源電壓很多倍的自感電動(dòng)勢(shì)eL，eL與E疊加作用在開關(guān)S的端子上，在S的端子上產(chǎn)生電火花放電，這將影響設(shè)備的正常工作，使開關(guān)S壽命縮短。接入二極管VD后，eL通過二極管VD產(chǎn)生放電電流i,使L中儲(chǔ)存的能量不經(jīng)過開關(guān)S放掉，從而保護(hù)了開關(guān)S。三.特殊二極管1.穩(wěn)壓二極管硅穩(wěn)壓二極管簡稱穩(wěn)壓管，是一種特殊的二極管，它與電阻配合具有穩(wěn)定電壓的特點(diǎn)。(1).穩(wěn)壓管的伏安特性穩(wěn)壓管正向偏壓時(shí)，其特性和普通二極管一樣；反向偏壓時(shí)，開始一段和二極管一樣，當(dāng)反向電壓達(dá)到一定數(shù)值以后，反向電流突然上升，而且電流在一定范圍內(nèi)增長時(shí)，管兩端電壓只有少許增加，變化很小，具有穩(wěn)壓性能。這種“反向擊穿”是可恢復(fù)的，只要外電路限流電阻保障電流在限定范圍內(nèi)，就不致引起熱擊穿而損壞穩(wěn)壓管。(2).穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用UI是不穩(wěn)定的可變直流電壓，希望得到穩(wěn)定的電壓UO，故在兩者之間加穩(wěn)壓電路。它由限流電阻R和穩(wěn)壓管VDZ構(gòu)成，RL是負(fù)載電阻。2.發(fā)光二極管是一種將電能直接轉(zhuǎn)換成光能的固體器件，簡稱LED。發(fā)光二極管和普通二極管相似，也由一個(gè)PN結(jié)組成。發(fā)光二極管在正向?qū)〞r(shí)，由于空穴和電子的復(fù)合而發(fā)出能量，發(fā)出一定波長的可見光。光的波長不同，顏色也不同。常見的LED有紅、綠、黃等顏色。發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電壓低、工作電流小，具有很強(qiáng)的抗振動(dòng)和抗沖擊能力。發(fā)光二極管的伏安特性和普通二極管相似，死區(qū)電壓為0.9～1.1V，其正向工作電壓為1.5～2.5V，工作電流為5～15mA。反向擊穿電壓較低，一般小于10V。不同半導(dǎo)體材料制造的發(fā)光二極管發(fā)出不同顏色的光，如磷砷化鎵（GaAsP）材料發(fā)紅光或黃光，磷化鎵（GaP）材料發(fā)紅光或綠光，氮化鎵（GaN）材料發(fā)藍(lán)光，碳化硅（SiC）材料發(fā)黃光，砷化鎵（GaAs）材料發(fā)不可見的紅外線。發(fā)光二極管的應(yīng)用

電源通斷指示發(fā)光二極管作為電源通斷指示通常稱為指示燈，在實(shí)際應(yīng)用中給人提供很大的方便。發(fā)光二極管的供電電源既可以是直流的也可以是交流的，但必須注意的是，發(fā)光二極管是一種電流控制器件，應(yīng)用中只要保證發(fā)光二極管的正向工作電流在所規(guī)定的范圍之內(nèi)，它就可以正常發(fā)光。數(shù)碼管是電子技術(shù)中應(yīng)用的主要顯示器件，是用發(fā)光二極管經(jīng)過一定的排列組成的。這是最常用的七段數(shù)碼顯示。要使它顯示0—9的一系列數(shù)字只要點(diǎn)亮其內(nèi)部相應(yīng)的顯示段即可。七段數(shù)碼顯示有共陽極(b)和共陰極(c)之分。數(shù)碼管的驅(qū)動(dòng)方式有直流驅(qū)動(dòng)和脈沖驅(qū)動(dòng)兩種，應(yīng)用中可任意選擇。數(shù)碼管應(yīng)用十分廣泛，可以說，凡是需要指示或讀數(shù)的場合，都可采用數(shù)碼管顯示。3.光電二極管光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個(gè)玻璃窗口，以便于接受光照。其特點(diǎn)是，當(dāng)光線照射于它的PN結(jié)時(shí)，可以成對(duì)地產(chǎn)生自由電子和空穴，使半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的濃度提高。這些載流子在一定的反向偏置電壓作用下可以產(chǎn)生漂移電流，使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而線性增加，這時(shí)光電二極管等效于一個(gè)恒流源。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測(cè)、光電控制、自動(dòng)報(bào)警等方面。當(dāng)制成大面積的光電二極管時(shí)，可當(dāng)作一種能源而稱為光電池。此時(shí)它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。-+-+I

想一想利用特殊二極管的特性分析光電耦合器與遙控器。

四.半導(dǎo)體三極管1.三極管結(jié)構(gòu)三極管基區(qū)很薄，一般僅有1微米至幾十微米厚，發(fā)射區(qū)濃度很高，集電結(jié)截面積大于發(fā)射結(jié)截面積。使用中要注意電源的極性，確保發(fā)射結(jié)永遠(yuǎn)加正向偏置電壓，三極管才能正常工作。三極管根據(jù)基片的材料不同，分為鍺管和硅管兩大類，目前國內(nèi)生產(chǎn)的硅管多為NPN型（3D系列），鍺管多為PNP型（3A系列）；從頻率特性分，可分為高頻管和低頻管；從功率大小分，可分為大功率管、中功率管和小功率管。

常見三極管的外形2.三極管的電流分配與放大作用(1).三極管結(jié)構(gòu)特點(diǎn)a.為了便于發(fā)射結(jié)發(fā)射電子，發(fā)射區(qū)半導(dǎo)體的摻雜溶度遠(yuǎn)高于基區(qū)半導(dǎo)體的摻雜溶度，且發(fā)射結(jié)的面積較小。b.發(fā)射區(qū)和集電區(qū)雖為同一性質(zhì)的摻雜半導(dǎo)體，但發(fā)射區(qū)的摻雜溶度要高于集電區(qū)的摻雜溶度，且集電結(jié)的面積要比發(fā)射結(jié)的面積大，便于收集電子。c.聯(lián)系發(fā)射結(jié)和集電結(jié)兩個(gè)PN結(jié)的基區(qū)非常薄，且摻雜溶度也很低。

上述的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是三極管具有電流放大作用的內(nèi)因。要使三極管具有電流的放大作用，除了三極管的內(nèi)因外，還要有外部條件。三極管的發(fā)射極為正向偏置，集電結(jié)為反向偏置是三極管具有電流放大作用的外部條件。(2).三極管的電流分配關(guān)系和電流放大系數(shù)

實(shí)驗(yàn)得出如下結(jié)論：

IE=IC+IBIC≈IE

IC=βIB

三個(gè)電流之間的關(guān)系符合基爾霍夫電流定律，IB雖然很小，但對(duì)IC有控制作用，IC隨IB改變而改變。β稱為三極管的電流放大系數(shù)，它反映三極管的電流放大能力，也可以說電流IB對(duì)IC的控制能力。a.發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子

電源UBB經(jīng)過電阻Rb加在發(fā)射結(jié)上，發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子——自由電子不斷地越過發(fā)射結(jié)而進(jìn)入基區(qū)，形成發(fā)射極電流IE。同時(shí)，基區(qū)多數(shù)載流子也向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散，但由于基區(qū)很薄，可以不考慮這個(gè)電流。因此，可以認(rèn)為三極管發(fā)射結(jié)電流主要是電子流。

b.基區(qū)中的電子進(jìn)行擴(kuò)散與復(fù)合

電子進(jìn)入基區(qū)后，先在靠近發(fā)射結(jié)的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區(qū)中向集電結(jié)擴(kuò)散，被集電結(jié)電場拉入集電區(qū)，形成集電結(jié)電流IC。也有很小一部分電子與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成復(fù)合電子流。擴(kuò)散的電子流與復(fù)合電子流的比例決定了三極管的放大能力。

c.集電區(qū)收集電子

由于集電結(jié)外加反向電壓很大，這個(gè)反向電壓產(chǎn)生的電場力將阻止集電區(qū)電子向基區(qū)擴(kuò)散，同時(shí)將擴(kuò)散到集電結(jié)附近的電子拉入集電區(qū)而形成集電結(jié)主電流ICN。另外集電區(qū)的少數(shù)載流子——空穴也會(huì)產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng)，流向基區(qū)，形成反向飽和電流ICBO，其數(shù)值很小，但對(duì)溫度卻非常敏感。各極電流滿足下列分配關(guān)系：IB=IBE-ICBOIC=ICE+ICBO三極管的電流放大作用(3).三極管的特性曲線a.共射輸入特性當(dāng)UCE=0時(shí)的輸入特性（圖中曲線①）當(dāng)UCE=0時(shí)，相當(dāng)于集電極和發(fā)射極間短路，三極管等效成兩個(gè)二極管并聯(lián)，其特性類似于二極管的正向特性。

當(dāng)UCE≥1V時(shí)的輸入特性（圖中曲線②）當(dāng)UCE≥1V時(shí)，輸入特性曲線右移（相對(duì)于UCE=0時(shí)的曲線），表明對(duì)應(yīng)同一個(gè)UBE值，IB減小了，或者說，要保持IB不變，UBE需增加。這是因?yàn)榧娊Y(jié)加反向電壓，使得擴(kuò)散到基區(qū)的載流子絕大部分被集電結(jié)吸引過去而形成集電極電流IC,只有少部分在基區(qū)復(fù)合，形成基極電流IB,所以IB減小而使曲線右移。

對(duì)應(yīng)輸入特性曲線某點(diǎn)切線斜率的倒數(shù)，稱為三極管共射極接法（Q點(diǎn)處）的交流輸入電阻，記作rbe,即b.輸出特性曲線輸出特性曲線是指當(dāng)三極管基極電流IB為常數(shù)時(shí)，集電極電流IC與集電極、發(fā)射極間電壓UCE之間的關(guān)系，即：IC=f(UCE)|IB輸出特性曲線如圖所示。截止區(qū)

IB=0持性曲線以下的區(qū)域稱為截止區(qū)。此時(shí)晶體管的集電結(jié)處于反偏，發(fā)射結(jié)電壓uBE＜0，也是處于反偏的狀態(tài)。由于IB＝0，在反向飽和電流可忽略的前提下，IC也等于0，晶體管無電流的放大作用。處在截止?fàn)顟B(tài)下的三極管，發(fā)射極和集電結(jié)都是反偏，在電路中猶如一個(gè)斷開的開關(guān)。實(shí)際的情況是：處在截止?fàn)顟B(tài)下的三極管集電極有很小的電流ICE0，該電流稱為三極管的穿透電流，它是在基極開路時(shí)測(cè)得的集電極-發(fā)射極間的電流，不受IB的控制，但受溫度的影響。飽和區(qū)在圖6-21的三極管放大電路中，集電極接有電阻RC，如果電源電壓UCC一定，當(dāng)集電極電流iC增大時(shí)，uCE=UCC-iCRC將下降，對(duì)于硅管，當(dāng)uCE降低到小于0.7V時(shí)，集電結(jié)也進(jìn)入正向偏置的狀態(tài)，集電極吸引電子的能力將下降，此時(shí)IB再增大，IC幾乎就不再增大了，三極管失去了電流放大作用，處于這種狀態(tài)下工作的三極管稱為飽和。三極管截止和飽和的狀態(tài)與開關(guān)斷、通的特性很相似，數(shù)字電路中的各種開關(guān)電路就是利用三極管的這種特性來制作的。放大區(qū)三極管輸出特性曲線飽和區(qū)和截止區(qū)之間的部分就是放大區(qū)。工作在放大區(qū)的三極管才具有電流的放大作用。此時(shí)三極管的發(fā)射結(jié)處在正偏，集電結(jié)處在反偏。由放大區(qū)的特性曲線可見，特性曲線非常平坦，當(dāng)IB等量變化時(shí)，IC幾乎也按一定比例等距離平行變化。由于IC只受IB控制，幾乎與uCE的大小無關(guān)，說明處在放大狀態(tài)下的三極管相當(dāng)于一個(gè)