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文檔簡介
線性電位掃描暫態(tài)方法一、概述:控制電位:ν
=d/dt=常數(shù)線性變化,ν
:掃描速度測:i——線性電位掃描法一般ν
:mV/s,1000V/s也稱:線性電位掃描伏安法(LinearScanVoltmmotry)當(dāng):1始→2→1止——循環(huán)伏安法(CV)常用的掃描方式:(a)單程線性電位掃描(b)三角波電位掃描(CV)(c)連續(xù)三角波電位掃描(多次CV)流過電極的i:ir:電極反應(yīng)電流(Faraday電流)ic:雙電層電容的充(放)電電流【電位發(fā)生變化,導(dǎo)致雙電層充電或放電。】i=ic+ir=Cd(d/dt)+(dCd/dt)+ir
在較大的電位范圍內(nèi),變,Cd變變常數(shù)變→ic變,隨ν增大而變大。 ν增大,ic占i量增多;ν減小,ic占i量減少。足夠慢,ic相對于ir可忽略,此時(shí)關(guān)系i代表電極反應(yīng)速度。所以,穩(wěn)態(tài)極化曲線需要很小的ν,無ic的干擾。若:一定Δ內(nèi),無電化學(xué)反應(yīng),→理想極化電極此時(shí),i→ic依電位掃描范圍不同線性電位掃描暫態(tài)方法:小幅度電位掃描法:電位在10mV內(nèi),受電化學(xué)控制小幅度三角波電位掃描法:測Cd、Rr、I0
大幅度電位掃描法:寬電位范圍,擴(kuò)散信息單程,循環(huán)→觀察一定范圍內(nèi)的反應(yīng)研究反應(yīng)機(jī)理判斷可逆性表面吸脫附行為中間產(chǎn)物轉(zhuǎn)化金屬電沉積和腐蝕二、小幅度三角波電位掃描暫態(tài)方法:e→,Δ10mV測量信號(hào):電極過程:電化學(xué)極化控制且線性極化區(qū)Rr、Cd近似為恒定值,可測Cd、Rr→i0等效電路:電流響應(yīng)波形分三種情況:(1)Rl可忽略(魯金毛細(xì)管、歐姆補(bǔ)償),Rl=0Δ內(nèi)無電化學(xué)反應(yīng),Rr→∞,或Rr不存在,ir
=0等效電路:i=ic
(雙電層電容的充電和放電)Δ10mV時(shí),Cd為常數(shù),dCd/dt=0ic=dq/dt=d(CdΦ)/dt=Cd(dΦ/dt)+ΦdCd/dt i=ic=Cd(d/dt)因Cd
=常數(shù),ν=d/dt=常數(shù),同一方向,i不變響應(yīng)電流::A→B瞬間,iA→iA’因(d/dt)A→B=常數(shù)ic=dq/dt=d(CdΦ)/dt=Cd(dΦ/dt)+ΦdCd/dti=ic=Cd(d/dt)iA’=iB:B→C瞬間,iB→iB’,iB’=iC電位方向逆轉(zhuǎn),電流反向因iA’=iB=Cd(d/dt)A→B
iB’=iA=Cd(d/dt)B→CΔi=iA’-iA=iB-iB’=Cd[(d/dt)A→B-(d/dt)B→C]
=2Cd(d/dt)A→B
=2Cd[(B-A)/(T/2)]=4Cd(Δ/T)Cd=T[Δi/(4Δ)]T=2Δt=Δi/[2(d/dt)]=Δi/2ν已知Δ、T、ν,知道Δi→
Cd
(2)Rl
=0,有Rr等效電路:響應(yīng)電流:ic同(1)Δi=iA’-iA=iB-iB’
同上→CdΔi’=iB-iA’,對應(yīng)Δ→irRr=Δ/ir=Δ/Δi’=Δ/(iB-iA’)
=RT/nFi0→交換電流密度
i0(3)Rl≠0,Rr≠0等效電路響應(yīng)電流:ic同(1)Rl存在使電流突躍點(diǎn)不明確響應(yīng)電流波形由線性變成非線性?i,?i’不能直接得到外推A’、B’、C’同上可得CdΔi’=iB-iA’、流過Rr、RlRr=(Δ/Δi’)-Rl=[Δ/(iB-iA’)]-Rl若使用恒電位儀將Rl補(bǔ)償,同(2)此方法優(yōu)點(diǎn):測Cd,不受Rr影響可測導(dǎo)電的粗糙表面的真實(shí)表面積S真=Cd/Cd(N)=Cd/(20μF/cm2)電容器循環(huán)伏安法一般是通過在三電極系統(tǒng)施加循環(huán)電壓后,使測試體系的電流產(chǎn)生往復(fù)循環(huán)變化,工作電極交替循環(huán)做正負(fù)極。雙電層容量可通過公式dQ=idt和C=Q/得:式中:i一電流,A;dQ一電量微分,C;dt-時(shí)間微分,s;d
一電位微分,V在掃描速度一定的情況下,電極上通過的電流i和電極的容量C成正比例關(guān)系的。對于一個(gè)給定的電極,在一定的掃描速度下對電極進(jìn)行循環(huán)伏安測試,通過研究曲線縱坐標(biāo)上電流的變化,就可以計(jì)算出電極電容量的情況。再根據(jù)電極上活性物質(zhì)的質(zhì)量就可以計(jì)算出這種電極材料的比容量,即式中:m一電極上活性物質(zhì)的質(zhì)量,g。另外,通過循環(huán)伏安曲線計(jì)算電流與電位包圍的面積也可計(jì)算電極材料的比容量:由基本的公式i=dQ/dt及C=Q/U,經(jīng)過一系列的數(shù)學(xué)推導(dǎo),得到電流與電壓的變化關(guān)系和電容表達(dá)式:當(dāng)線性變化的電壓信號(hào)加在電容兩端時(shí),電路中電流不會(huì)像純電容那樣立刻變化到恒定電流i,而是經(jīng)過一定時(shí)間才能變化到恒定的電流。循環(huán)伏安曲線會(huì)出現(xiàn)一段有一定弧度的曲線,不象理想的平板電容一樣完全是矩形。RC稱為電容器的過渡時(shí)間.當(dāng)RC較小時(shí),曲線在外加信號(hào)改變后變化很快,很快就能達(dá)到穩(wěn)定電流i如圖(b)所示;當(dāng)RC較大時(shí),曲線在外加信號(hào)改變后需要一定的時(shí)間才能達(dá)到穩(wěn)定電流i,這樣就使曲線偏離矩形就較大。超級(jí)電容器是一種可以瞬間釋放大電流的元件,要求內(nèi)阻要非常小,以減小內(nèi)阻引起的分壓降,使得CV曲線接近矩形。研究表明,隨著電阻R的減小,循環(huán)伏安曲線矩形特征越明顯.因此,電極的循環(huán)伏安曲線形狀可以用來定性研究活性材料的電容特性。如果活性材料適合作超級(jí)電容器的活性物質(zhì),其循環(huán)伏安曲線就較接近矩形,RC也相對較小,因此可以用循環(huán)伏安曲線縱坐標(biāo)的電流變化情況來研究其比容量的變化情況。還可通過改變掃速來觀察循環(huán)伏安曲線形狀的變化,從而定性地研究不同掃度下電極的電容特性。如果在大的掃描速度下,曲線仍能呈現(xiàn)較好的矩形,說明電極的過渡時(shí)間小,電極的內(nèi)阻小,較適合在大電流下的充放電,功率特性好;反之,則電極不適合大電流工作,這種材料不適合作為超級(jí)電容器的活性電極材料。因此,電極的循環(huán)伏安曲線形狀可以用來定性研究活性材料的電容特性。如果活性材料適合作超級(jí)電容器的活性物質(zhì),其循環(huán)伏安曲線就較接近矩形,RC也相對較小,因此可以用循環(huán)伏安曲線縱坐標(biāo)的電流變化情況來研究其比容量的變化情況。三、單程線性電位掃描暫態(tài)方法測量信號(hào):響應(yīng)信號(hào):對陰極化:O+ne→R<e,i為非法拉第電流ic,=e,還原反應(yīng)開始,有ir(還原電流)>e,反應(yīng)物被消耗,電極表面濃度Cos降低,擴(kuò)散流量增加,電流增大
i擴(kuò)=-nFJ擴(kuò)=p,Cos→0,擴(kuò)散梯度最大,傳質(zhì)速度最大,ip>p,δ擴(kuò)∝t,濃度梯度減小,擴(kuò)散流量減小,i減小求解i~,需求解Fick第二定律a.對可逆電極反應(yīng)
p:峰電位,ip:峰電流1/2:極譜半波電位(查表可得)(穩(wěn)態(tài)極化曲線上的半波電位,即ν慢時(shí))p/2:半峰電位ip=0.4463nFSCo0(nF/RT)1/2Do1/2ν1/2——Randles-Sercik方程S:表面積;ν=d/dt,掃速;S-cm2,Do-cm2/s,Co0-mol/cm3,ν-V/s25℃時(shí),ip=(2.69×105)n3/2SCo0Do1/2ν1/2p=1/2-1.109(RT/nF)
=1/2-28.2/nmV(25℃)當(dāng)峰較寬時(shí),p不易準(zhǔn)確確定,用p/2p/2=1/2+1.09(RT/nF) =1/2+28.0/nmV(25℃)∣p-p/2∣≈2.2(RT/nF)=56.5/nmV(25℃)歸納:ip~ν1/2(傳質(zhì)過程由擴(kuò)散控制)
ip~Co0(2)p
、p/2與ν無關(guān),∣p-p/2∣=56.5/nmV(25℃)(3)∣p/2-1/2∣=28.0/nmV∣p-p/2∣=56.5/nmV∣p-1/2∣=(56.5-28.0)/n=28.5/nmV1/2基本位于p和p/2的中點(diǎn)(稍近p/20.5/nmV)2.完全不可逆反應(yīng)O+ne-→Rip=0.496nFSDo1/2Co0(αnαF/RT)1/2ν1/2=(2.99×105)n(αnα)1/2SDo1/2Co0ν1/2(25℃)α:常數(shù)nα:控制步驟轉(zhuǎn)移的電子數(shù)p=e-(RT/αnαF)[0.780+ln(Do1/2/K0)+ln(αnαFν/RT)1/2]或=e-(b/2.303)[0.780+ln(Do1/2/K0)+1/2ln(2.303ν/b)]其中,b=2.3RT/αnF∣p-p/2∣=1.875RT/αnαF=4.77/αnα
mV(25℃)歸納:(1)
ip~ν1/2,ip~Co0(2)p
、p/2是ν的函數(shù),且與K0(標(biāo)準(zhǔn)速度常數(shù))有關(guān)
(3)∣p-p/2∣=4.77/αnαmV(25℃)3.準(zhǔn)可逆電極反應(yīng)各個(gè)參數(shù)均于K0、D、α、ν有關(guān),用Λ表示Λ=K0(RT/nFD01-αDRαν)1/2當(dāng)Λ>15時(shí),可逆反應(yīng)(電化學(xué)平衡,符合Nernst方程)
Λ<10-2(1+α),完全不可逆反應(yīng)(電化學(xué)控制)
10-2(1+α)<Λ<15,準(zhǔn)可逆反應(yīng)Λ~ν-1/2,ν影響電極反應(yīng)可逆性,
ν減小,Λ增大——不可逆?可逆(i)ν減小到Λ>15時(shí),不可逆可轉(zhuǎn)變?yōu)榭赡妫╥i)ν增大,Λ減小,電子得失速度(電化學(xué)控制)變慢(相對)質(zhì)量傳遞(擴(kuò)散控制)快→電化學(xué)控制,可逆轉(zhuǎn)向不可逆(iii)ν增大,Λ<10-2(1+α),完全不可逆ν小,可逆,電化學(xué)平衡(符合Nernst方程)ν大,不可逆,電化學(xué)控制(不符合Nernst方程)總結(jié):(1)不管電極反應(yīng)是否可逆,ip與n、D、C0、ν有關(guān),其中ip~ν1/2(其它因素不變)→
(傳質(zhì)過程由擴(kuò)散控制)(2)可逆反應(yīng)、不可逆反應(yīng)i~形狀不一樣,可逆反應(yīng):峰的根部i與有關(guān)不可逆反應(yīng):峰的根部i與無關(guān)(3)可逆反應(yīng)p與ν無關(guān)不可逆反應(yīng)p與ν有關(guān),ν增大時(shí),p負(fù)移(4)ip/C0ν1/2為常數(shù)C
可逆反應(yīng):C由n3/2、D1/2決定不可逆反應(yīng):C由n(αnα)1/2、D決定→可求n(或αnα)和D。四 循環(huán)伏安法1→λ→1
ν-ν記錄i-
——稱CV或三角波電位掃描方法測量信號(hào):對o+ne?R響應(yīng)信號(hào):1.可逆體系:反相掃描伏安曲線的形狀取決于λ
注意:ipc的讀取當(dāng)λ
-pc≥35/n(mV)產(chǎn)物穩(wěn)定:ipa/ipc=1
Δ=pa-pc≈2.3RT/nF25℃時(shí),Δ=59/n(mV)2.準(zhǔn)可逆ipa/ipc<1峰電位與ν有關(guān)ν提高,pa正移,pc負(fù)移Δp隨ν提高而變大Δp檢驗(yàn)反應(yīng)是否可逆和不可逆程度的大?。?)Δp不隨ν改變而變化,反應(yīng)可逆Δp=2.3RT/nF(2)Δp隨ν提高而變大,準(zhǔn)可逆
Δp>2.3RT/nF(3)無回掃峰,不可逆循環(huán)伏安法測定鐵氰化鉀的電極反應(yīng)過程CV方法是將循環(huán)變化的電壓施加于工作電極和參比電極之間,記錄工作電極上得到的電流與施加電壓的關(guān)系曲線。這種方法也常稱為三角波線性電位掃描方法。圖1中表明了施加電壓的變化方式:起掃電位為+0.8V,反向/起掃電位為-0.2V,終點(diǎn)又回掃到+0.8V,掃描速度可從斜率反映出來,其值為50mV/s。虛線表示的是第二次循環(huán)。一臺(tái)現(xiàn)代伏安儀具有多種功能,可方便地進(jìn)行一次或多次循環(huán),任意變換掃描電壓范圍和掃描速度。當(dāng)工作電極被施加的掃描電壓激發(fā)時(shí),其上將產(chǎn)生響應(yīng)電流。以該電流(縱坐標(biāo))對電位(橫坐標(biāo))作圖,稱為循環(huán)伏安圖。典型的循環(huán)伏安圖如圖2所示。該圖是在1.0mol/L的KNO3電解質(zhì)溶液中,6×10-3mol/L的K3Fe(CN)6在Pt工作電極上反應(yīng)得到的結(jié)果。圖2
6×10–3
mol/L在1mol/L的KNO3溶液中的循環(huán)伏安圖,掃描速度:50mV/s,鉑電極面積:2.54mm2從圖可見,起始電位Ei為+0.8V(a點(diǎn)),電位比較正的目的是為了避免電極接通后Fe(CN)63–發(fā)生電解。然后沿負(fù)的電位掃描(如箭頭所指方向),當(dāng)電位至Fe(CN)63–可還原時(shí),即析出電位,將產(chǎn)生陰極電流(b點(diǎn))。其電極反應(yīng)為:Fe(III)(CN)63–+e–——?Fe(II)(CN)64–隨著電位的變負(fù),陰極電流迅速增加(bgd),直至電極表面的Fe(CN)63-濃度趨近零,電流在d點(diǎn)達(dá)到最高峰。然后迅速衰減(dg),這是因?yàn)殡姌O表面附近溶液中的Fe(CN)63-幾乎全部因電解轉(zhuǎn)變?yōu)镕e(CN)64-而耗盡,即所謂的貧乏效應(yīng)。當(dāng)電壓掃至-0.15V(f點(diǎn))處,雖然已經(jīng)轉(zhuǎn)向開始陽極化掃描,但這時(shí)的電極電位仍相當(dāng)?shù)呢?fù),擴(kuò)散至電極表面的Fe(CN)63-仍在不斷還原,故仍呈現(xiàn)陰極電流,而不是陽極電流。當(dāng)電極電位繼續(xù)正向變化至Fe(CN)64-的析出電位時(shí),聚集在電極表面附近的還原產(chǎn)物Fe(CN)64-被氧化,其反應(yīng)為:Fe(II)(CN)64–-e–——?Fe(III)(CN)63–
這時(shí)產(chǎn)生陽極電流(igk)。陽極電流隨著掃描電位正移迅速增加,當(dāng)電極表面的Fe(CN)64-濃度趨于零時(shí),陽極化電流達(dá)到峰值(j點(diǎn))。掃描電位繼續(xù)正移,電極表面附近的Fe(CN)64-耗盡,陽極電流衰減至最?。╧點(diǎn))。當(dāng)電位掃至+0.8V時(shí),完成第一次循環(huán),獲得了循環(huán)伏安圖。簡而言之,在正向掃描(電位變負(fù))時(shí),F(xiàn)e(CN)63-在電極上還原產(chǎn)生陰極電流而指示電極表面附近它的濃度變化的信息。在反向掃描(電位變正)時(shí),產(chǎn)生的Fe(CN)64-重新氧化產(chǎn)生陽極電流而指示它是否存在和變化。因此,CV能迅速提供電活性物質(zhì)電極反應(yīng)過程的可逆性,化學(xué)反應(yīng)歷程、電極表面吸附等許多信息。兩峰之間的電位差值為:對可逆體系的正向峰電流,由Randles–Savcik方程可表示為:
ip=2.69×105n3/2AD1/2υ1/2c在可逆電極反應(yīng)過程中,五、線性電位掃描暫態(tài)方法的應(yīng)用1.電極雙電層及反應(yīng)電阻的測量Δ<10mV,Cd為常數(shù),d/dt=常數(shù)ic=dQ/dt=Cd(d/dt)改變瞬間,ic突躍Cd=Δi/2νb.Δ<10mV,Rr為常數(shù)Rr=Δ/ir=Δ/Δi’=Δ/iB-iA’i0=RT/nFRr優(yōu)點(diǎn):(1)測Cd,不受Rr影響(2)Rr,Cd可同時(shí)測定缺點(diǎn):存在Rl時(shí)i-t非線性化外推法求Cd,Rr,存在困難,精確度很低需消除Rl2.電極過程可逆性的判斷a.用大幅度單程線性電位掃描(1)可逆反應(yīng),p、p/2與ν無關(guān)不可逆反應(yīng),p、p/2與ν有關(guān)——通過改變?chǔ)?,判別反應(yīng)是否可逆(2)可逆時(shí),應(yīng)p=1/2-1.109(RT/nF)測量值不符,則不是可逆反應(yīng)值偏差越大,不可逆性越大不可逆程度:可用α、Tafel斜率表征α:[α越大,越不可逆]p=e-(b/2.303)[0.780+ln(DO1/2/K0)+1/2ln(2.303ν/b)]不同ν→pp——logν
斜率=dp/dlogν=-b/2b=2.3RT/αnF,可得αTafel斜率:ηc=-(2.3RTlgi0)/αnF+(2.3RTlgic)/αnFη
——lgic斜率=dηc/dlgic=2.3RT/αnF斜率越小,越不可逆b.循環(huán)伏安ipa/ipc,Δp判斷反應(yīng)可逆性當(dāng)陰極回掃電位λ
-pc》35/n(mV)可逆反應(yīng):ipa/ipc=1Δp=2.3RT/nF,且ν提高,pc負(fù)移,pa正移,Δp隨ν提高而增大不可逆增大,Δp增大3.電極表面吸附現(xiàn)象的研究(1)出現(xiàn)電流峰三種情況:a.溶液中反應(yīng)物擴(kuò)散控制所引起的電流峰Q=It,t與線性,d/dt=ν峰曲線與電流軸所包含面積Qd∝C0,Qd∝ν1/2b.電化學(xué)吸附或脫附Qad∝ΔΓ(吸附量),與ν有關(guān)Q=nFAΓc.電極表面成相覆蓋層的形成或消失Qph∝成相層物質(zhì)的量,與ν有關(guān)兩者類似成相層物質(zhì)的量>吸附層物質(zhì)的量
m成相
m吸附
QphQad(2)線性電位掃描(LSV)和循環(huán)伏安(CV)研究吸附現(xiàn)象O+ne?R還若R可強(qiáng)吸附
O+ne?R吸此反應(yīng)易吸
吸<還
(較正)吸附前峰擴(kuò)散峰
Δ大小與吸附自由能有關(guān)E吸越大,Δ越大因?yàn)椴糠治?,i擴(kuò)降低,(ip)d∝ν1/2,(ip)ad∝ν當(dāng)ν提高時(shí),(ip)ad/(ip)d
提高b.反應(yīng)物強(qiáng)吸附E吸使O吸更穩(wěn)定
O+ne?R還
O吸+ne?R吸
吸
吸>還
(較負(fù))吸附后峰應(yīng)用(一):光滑鉑電極在酸性溶液中的CV曲線(1)雙電層區(qū):電極雙電層的充放電(2)氧區(qū):氧的吸附和析出吸附氧或氧化物的還原△p吸大,不可逆程度大(3)氫區(qū):氫的吸脫附反應(yīng)<0.1,析出H2△p吸小,吸脫附過程近可逆(二)研究添加可吸附物質(zhì)對電極過程影響與未添加劑相比,峰加強(qiáng)、減弱或消失對電極反應(yīng),加強(qiáng)、阻滯或抑制如:添加苯對氧在鉑上析出反應(yīng)的影響吸-脫=1.0-0.7=0.3V不可逆大,添加苯:氧吸附減弱苯的電化學(xué)氧化出現(xiàn)新的電流峰(1.5V)氧脫附峰減弱→苯的競爭使吸附氧量減小苯在鉑上陽極氧化是不可逆反應(yīng)4.電極反應(yīng)的研究a. 電流峰的數(shù)目→發(fā)生電極反應(yīng)的數(shù)目b. 電流峰電位→什么反應(yīng)c. 峰電位與ν的關(guān)系 △值→可逆性d.電流峰所包含電量~ν→擴(kuò)散控制:Q~ν1/2
吸脫附:Q與ν有關(guān)成相層消長:Q與ν有關(guān)例:銀在30%KOH中電極反應(yīng)堿性溶液:R.E:HgO+H2O+2e?Hg+2OH-在0.25、0.65、0.90出現(xiàn)三個(gè)峰2Ag+2OH-?Ag2O+H
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