GB/T 25076-2010太陽電池用硅單晶

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標(biāo)準

GB/T25076—2010

太陽電池用硅單晶

Monocrystallinesiliconofsolarcell

2010-09-02發(fā)布2011-04-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準化管理委員會

GB/T25076—2010

前言

本標(biāo)準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準由有研半導(dǎo)體材料股份公司萬向硅峰電子股份有限公司洛陽鴻泰半導(dǎo)體有限公司西安

、、、

隆基硅材料有限公司無錫尚德太陽能電力有限公司上海九晶電子材料股份有限公司起草

、、。

本標(biāo)準主要起草人孫燕張果虎盧立延樓春蘭蔣建國曹宇孫世龍袁文強

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T25076—2010

太陽電池用硅單晶

1范圍

本標(biāo)準規(guī)定了太陽電池用硅單晶的技術(shù)要求試驗方法檢驗規(guī)則以及標(biāo)志包裝運輸貯存

、,、、、。

本標(biāo)準適用于直拉摻雜制備的地面空間太陽電池用硅單晶

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T1550

硅鍺單晶電阻率測定直排四探針法

GB/T1552、

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法

GB/T1553

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

GB/T1554

半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片徑向電阻率變化的測量方法

GB/T11073

硅片直徑測量方法

GB/T14140

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

用微波反射光電導(dǎo)衰減法非接觸測量硅片載流子復(fù)合壽命的測試方法

SEMIMF1535

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4技術(shù)要求

41分類

.

硅單晶按導(dǎo)電類型分為型型兩種類型按外形可分為圓形硅單晶棒和準方形硅單晶棒

p,n;。

42規(guī)格

.

圓形硅單晶棒分為直徑?和?準方形硅單晶棒尺寸為和

150mm200mm,125mm×125mm

其他尺寸規(guī)格由供需雙方協(xié)商解決

156mm×156mm。。

43尺寸及允許偏差

.

431圓形硅單晶的直徑

..

圓形硅單晶可以分為滾圓和未滾圓兩種滾圓后的硅單晶直徑和允許偏差應(yīng)符合表的規(guī)定