標準解讀

《GB/T 25076-2018 太陽能電池用硅單晶》與《GB/T 25076-2010 太陽電池用硅單晶》相比,在多個方面進行了更新和調(diào)整。這些變化旨在更好地適應技術(shù)進步和市場需求,提高產(chǎn)品質(zhì)量和技術(shù)指標的合理性。

在新版標準中,對術(shù)語定義部分進行了細化和完善,增加了新的定義以更準確地描述材料特性及檢測方法。例如,對于某些關(guān)鍵性能參數(shù)如電阻率、少數(shù)載流子壽命等,規(guī)定了更為嚴格的測試條件和允許偏差范圍,確保了數(shù)據(jù)的一致性和可比性。

同時,《GB/T 25076-2018》還擴大了適用范圍,不僅限于傳統(tǒng)的直拉法生長的單晶硅棒,也包括了區(qū)熔法生產(chǎn)的高純度單晶硅材料,這反映了近年來光伏行業(yè)中不同生產(chǎn)工藝的應用趨勢。此外,新版本還特別強調(diào)了環(huán)保要求,在生產(chǎn)過程中應盡量減少有害物質(zhì)的使用,并采取有效措施控制廢棄物排放。

針對晶體生長過程中的缺陷控制,《GB/T 25076-2018》提出了更加具體的要求,比如明確了微缺陷密度的最大值限制以及如何通過特定方法進行評估。這一改動有助于進一步提升最終產(chǎn)品的電學性能穩(wěn)定性。

另外,新版標準還加強了對外觀質(zhì)量的要求,除了保持原有的表面平整度、無裂紋等基本條件外,還新增了一些關(guān)于顏色均勻性的指導原則,這對于保證太陽能電池片外觀一致性具有重要意義。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2018-09-17 頒布
  • 2019-06-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T25076—2018

代替

GB/T25076—2010

太陽能電池用硅單晶

Monocrystallinesiliconforsolarcell

2018-09-17發(fā)布2019-06-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T25076—2018

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替太陽電池用硅單晶與相比主要技術(shù)變化如下

GB/T25076—2010《》,GB/T25076—2010:

將標準名稱太陽電池用硅單晶修改為太陽能電池用硅單晶

———《》《》;

修改了適用范圍將適用于直拉摻雜制備的地面空間太陽電池用硅單晶改為適用于直拉摻

———,“”“

雜制備的圓形硅單晶經(jīng)加工成的準方形或方形硅單晶產(chǎn)品用于切割成硅片后進一步制作地

。

面太陽能電池見第章年版的第章

”(1,20101);

增加了引用文件及刪

———GB/T1551、GB/T14844、GB/T26068、GB/T32651YS/T28、YS/T679,

除了見第章

GB/T1552、GB/T1553、SEMIMF1535(2);

增加了牌號的規(guī)定見

———(4.1);

將年版中第章技術(shù)分類中的分類和規(guī)格單獨列為一章即增加了第章牌號

———201044.14.2,“4

及分類將按外形分類由原來的圓形和準方形年版的改為準方形和方形刪除了

”;(20104.1);

圓形硅單晶規(guī)格增加了方形硅單晶的規(guī)格見

,(4.1、4.2);

刪除了圓形硅單晶的尺寸要求見年版的修改了準方形硅單晶的端面尺寸要求

———(20104.3.1),

見圖和表年版的圖和表增加了方形硅單晶的端面尺寸要求見圖和表

(11,201012),(22);

將垂直度單列為一條并增加了準方形或方形硅單晶的端面垂直度應不大于的要求

———,“1mm”

(5.1.3);

電阻率范圍下限由改為型型見表年版的表

———0.5Ω·cmP0.2Ω·cm、N0.1Ω·cm(3,20103);

修改了硅單晶的間隙氧含量要求由小于183改為型應不大于

———,1.3×10atoms/cmP1.1×

183型應不大于183或由供需雙方協(xié)商確定見年版的

10atoms/cm,N1.0×10atoms/cm,(5.4,2010

4.6);

修改了硅單晶的代位碳含量要求由不大于173改為型應不大于

———,1.0×10atoms/cmP1.0×

173型應不大于163或由供需雙方協(xié)商確定見年

10atoms/cm,N5.0×10atoms/cm,(5.5,2010

版的

4.7);

晶體完整性中增加了無滑移位錯的要求見

———(5.6);

增加了硅單晶的體金屬含量的要求見

———(5.7);

增加了表面質(zhì)量的要求見

———(5.8);

增加了體金屬和表面質(zhì)量的試驗方法檢驗項目及檢驗結(jié)果判定的內(nèi)容見

———、(6.10、6.11、7.3、

7.4、7.5.3);

將取樣和抽樣合并改為表格的形式見表年版的和

———(4,20106.46.5)。

本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會與全國半導體設(shè)備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位有研半導體材料有限公司浙江省硅材料質(zhì)量檢驗中心隆基綠能科技股份有限

:、、

公司內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司蘇州協(xié)鑫光伏科技有限公司泰州隆基樂葉光伏科技有限公司洛

、、、、

陽鴻泰半導體有限公司宜昌南玻硅材料有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟研究院

、、。

本標準主要起草人孫燕張果虎樓春蘭楊素心劉培東宮龍飛鄧浩李建弘李洋蔣建國

:、、、、、、、、、、

張鵬

。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T25076—2010。

GB/T25076—2018

太陽能電池用硅單晶

1范圍

本標準規(guī)定了太陽能電池用硅單晶簡稱硅單晶的牌號分類要求試驗方法檢驗規(guī)則以及標

()、、、、

志包裝運輸貯存質(zhì)量證明書和訂貨單或合同內(nèi)容

、、、、()。

本標準適用于直拉摻雜制備的圓形硅單晶經(jīng)加工制成的準方形或方形硅單晶產(chǎn)品經(jīng)切割成硅片

后進一步制作太陽能電池

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

GB/T1554

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片徑向電阻率變化的測量方法

GB/

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