標準解讀

《GB/T 29504-2013 300 mm硅單晶》是一項國家標準，主要針對直徑為300毫米的硅單晶材料。該標準詳細規(guī)定了這類材料的技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及包裝、標志、運輸和貯存的要求。

技術要求部分明確了30樣的物理參數范圍，包括但不限于電阻率、位錯密度、氧濃度等關鍵指標，并對晶體結構完整性提出了具體要求。此外，還定義了幾種不同類型的缺陷允許的最大尺寸或數量限制，以確保最終產品的質量符合行業(yè)應用需求。

試驗方法章節(jié)介紹了用于驗證上述技術規(guī)格的各種測試手段及其執(zhí)行步驟，比如通過四點探針法測定電阻率值，利用X射線衍射分析來檢查晶向偏差等。這些方法旨在提供一個統(tǒng)一的標準操作流程，保證不同實驗室之間測試結果的一致性和可比性。

在檢驗規(guī)則方面，《GB/T 29504-2013》制定了詳細的抽樣方案及合格判定準則，指導生產商如何從批量產品中選取樣本進行檢測，并基于檢測結果判斷整批貨物是否達到出廠標準。

最后，在包裝、標志、運輸和貯存部分，該文件給出了關于如何妥善處理硅單晶材料的具體指導原則，包括推薦使用的包裝材料類型、外包裝上的必要信息標識（如制造商名稱、產品規(guī)格等），以及在運輸過程中需特別注意的安全事項等，確保產品在整個供應鏈環(huán)節(jié)中能夠得到良好保護，避免損壞。


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....

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  • 現行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2013-05-09 頒布
  • 2014-02-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T29504—2013

300mm硅單晶

300mmmonocrystallinesilicon

2013-05-09發(fā)布2014-02-01實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

300mm硅單晶

GB/T29504—2013

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網址

:

服務熱線

/p>

年月第一版

20136

*

書號

:155066·1-47271

版權專有侵權必究

GB/T29504—2013

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標準起草單位有研半導體材料股份有限公司中國有色金屬工業(yè)標準計量質量研究所萬向硅

:、、

峰電子股份有限公司寧波立立電子股份有限公司

、。

本標準主要起草人閆志瑞孫燕盧立延張果虎樓春蘭劉培東向磊

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29504—2013

300mm硅單晶

1范圍

本標準規(guī)定了直徑型晶向電阻率硅單晶的技術要求

300mm、p、<100>、0.5Ω·cm~20Ω·cm、

試驗方法檢驗規(guī)則以及標志包裝運輸貯存等

、、、、。

本標準適用于由直拉法制備的硅單晶主要用于制作滿足集成電路用線寬及以下技

,IC0.13m

術需求的硅單晶拋光片μ

300mm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551—2009

硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

GB/T1554

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

硅片徑向電阻率變化的測量方法

GB/T11073—2007

硅片直徑測量方法

GB/T14140

半導體材料術語

GB/T14264

非本征半導體中少數載流子擴散長度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測試方法

YS/T679

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4技術要求

41直徑

.

滾圓后的硅單晶直徑為允許偏差其他用戶要求及未滾圓硅單晶的直徑和允

301mm,±0.3mm。

許偏差由供需雙方商定

。

42電阻率

.

421硅單晶的電阻率和徑向電阻率變化應符合表的規(guī)定

..1。

表1硅單晶電學參數

電阻率徑向電阻率變化

項目導電類型摻雜元素

Ω·cm%

指標

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