GB/T 30116-2013半導體生產(chǎn)設(shè)施電磁兼容性要求

ICS31550

L95.

中華人民共和國國家標準

GB/T30116—2013

半導體生產(chǎn)設(shè)施電磁兼容性要求

Requirementsforsemiconductormanufacturingfacilityelectromagnetic

compatibility

2013-12-17發(fā)布2014-04-15實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

半導體生產(chǎn)設(shè)施電磁兼容性要求

GB/T30116—2013

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20142

*

書號

:155066·1-48178

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T30116—2013

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由全國半導體設(shè)備與材料標準化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標準起草單位工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標準化研究院安徽鑫陽電子有限公司

:、。

本標準主要起草人黃英華譚建國劉軍周歷群鐘華馮亞彬

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T30116—2013

半導體生產(chǎn)設(shè)施電磁兼容性要求

1范圍

本標準規(guī)定了為保證半導體生產(chǎn)設(shè)施與用于生產(chǎn)半導體器件的設(shè)備能一起可靠運行的電磁兼容性

要求

(EMC)。

本標準適用于生產(chǎn)半導體器件的設(shè)施和設(shè)備這些設(shè)施和設(shè)備涵蓋所有的設(shè)施警報安全通信與

,、、

控制系統(tǒng)工藝設(shè)備測量設(shè)備自動化設(shè)備以及信息技術(shù)設(shè)備

、、、。

本標準不適用于集成電路的封裝與功能測試所采用的設(shè)備和設(shè)施也不適用于可能在半導體生產(chǎn)

,

過程中產(chǎn)生的靜電

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

信息技術(shù)設(shè)備的無線電騷擾限值和測量方法

GB9254

電磁兼容試驗和測量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗

GB/T17626.2—2006

電磁兼容試驗和測量技術(shù)射頻電磁場輻射抗擾度試驗

GB/T17626.3—2006

電磁兼容試驗和測量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗

GB/T17626.4—2008

電磁兼容試驗和測量技術(shù)浪涌沖擊抗擾度試驗

GB/T17626.5—2008()

電磁兼容試驗和測量技術(shù)共模傳導騷擾抗擾度試驗

GB/T17626.16—20070Hz~150kHz

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

電磁兼容性electromagneticcompatibilityEMC

;

電子設(shè)備在電磁干擾和靜電放電環(huán)境中正常工作且不對該環(huán)境中的任何事物構(gòu)成不

(EMI)(ESD)

能承受的電磁干擾的能力

。

32

.

電磁干擾electromagneticinterferenceEMI

;

電磁波譜的非離子化亞光學部分中任何可能會引起電子設(shè)備中不希望有的反應(yīng)的電磁信號

()。

33

.

靜電放電electrostaticdischargeESD

;

具有不同靜電電位的物體相互靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移

。

34

.

超低頻磁場extremelylowfrequencymagneticELF

;

設(shè)備和設(shè)施內(nèi)電流產(chǎn)生的超低頻約為磁場

(1Hz~1kHz)