GB/T 30653-2014Ⅲ族氮化物外延片結(jié)晶質(zhì)量測試方法

ICS7704020

H21..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30653—2014

Ⅲ族氮化物外延片結(jié)晶質(zhì)量測試方法

TestmethodforcrystalqualityofⅢ-nitrideepitaxiallayers

2014-12-31發(fā)布2015-09-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T30653—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫寶娟趙麗霞王軍喜曾一平李晉閩

:、、、、。

Ⅰ

GB/T30653—2014

Ⅲ族氮化物外延片結(jié)晶質(zhì)量測試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用高分辨射線衍射儀測試族氮化物外延片結(jié)晶質(zhì)量的方法

XⅢ。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于在氧化物襯底等或半導(dǎo)體襯底等上外延生長的

(Al2O3、ZnO)(GaN、Si、GaAs、SiC)

氮化物單層或多層異質(zhì)外延片結(jié)晶質(zhì)量的測試其他異質(zhì)外延片結(jié)晶質(zhì)量的測試也可

(Ga、In、Al)N。

參考本標(biāo)準(zhǔn)

。

2術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

21

.

對稱衍射symmetricdiffraction

入射束和反射束相對于樣品晶面法線處于對稱位置入射角與反射角相等時(shí)發(fā)生的衍射

,。

22

.

非對稱衍射asymmetricdiffraction

若衍射晶面與樣品表面有個(gè)夾角χ入射束和反射束相對于樣品晶面法線處于非對稱位置入射角

,,

與反射角不相等時(shí)發(fā)生的衍射

。

23

.

斜對稱衍射skewdiffraction

入射束和反射束相對于樣品表面法線處于對稱位置而衍射晶面相對于樣品表面有個(gè)傾斜角χ此

,,

時(shí)發(fā)生的衍射為斜對稱衍射

。

24

.

螺型位錯(cuò)screwdislocation

一個(gè)晶體的某一部分相對于其余部分發(fā)生滑移原子平面沿著一根軸線盤旋上升每繞軸線一周

,,,

原子面上升一個(gè)晶面間距在中央軸線處即為一螺型位錯(cuò)

。。

25

.

刃型位錯(cuò)edgedislocation

晶體在切應(yīng)力的作用下一部分相對于另一部分沿一定的晶面滑移面和晶向滑移方向產(chǎn)生位

,()()

移從而形成多余半原子面也就形成了刃型位錯(cuò)

,,。

26

.

搖擺曲線rockingcurve

把探測器固定在樣品hkl晶面的θ位置探測器前不加狹縫試樣在衍射位置附近以θ角度搖

()2B,,Δ

擺衍射強(qiáng)度會(huì)隨著角度而發(fā)生變化記錄得到的衍射強(qiáng)度與ω的關(guān)系曲線

,,。

3符號(hào)

下列符號(hào)適用于本文件