標準解讀
《GB/T 30703-2014 微束分析 電子背散射衍射取向分析方法導則》是一項國家標準,旨在為利用電子背散射衍射技術(Electron Backscatter Diffraction, EBSD)進行材料微觀結構表征時提供指導。該標準詳細規(guī)定了從樣品準備到數(shù)據(jù)分析的一系列流程,適用于各種金屬、陶瓷及復合材料等的研究。
首先,在樣品制備方面,強調了高質量表面拋光的重要性,因為EBSD對樣品表面的平整度有較高要求。理想的表面應該是無劃痕且具有鏡面效果,這樣才能保證電子束與樣品之間有效的相互作用,并獲得清晰的Kikuchi線圖案用于后續(xù)分析。
其次,對于實驗條件的選擇,包括加速電壓、工作距離以及探測器位置等因素都給出了具體建議。合適的參數(shù)設置可以優(yōu)化信號強度和對比度,從而提高數(shù)據(jù)質量。此外,還介紹了如何通過調整相機曝光時間來獲取最佳圖像質量的方法。
再者,《GB/T 30703-2014》中提到了關于數(shù)據(jù)處理的基本步驟,如晶粒識別、相鑒定及織構分析等。它推薦使用特定軟件工具來進行自動化或半自動化的數(shù)據(jù)分析過程,以減少人為誤差并提高效率。同時,也指出了在處理復雜多相體系時可能遇到的問題及其解決策略。
最后,本標準還涵蓋了結果報告編寫的要求,建議包含實驗條件、樣品信息、主要發(fā)現(xiàn)等內容,并鼓勵采用圖表形式直觀展示研究結論。這有助于確保不同實驗室間的結果可比性,促進科學交流與發(fā)展。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權發(fā)布的權威標準文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2014-06-09 頒布
- 2014-12-01 實施





文檔簡介
ICS7104050
G04..
中華人民共和國國家標準
GB/T30703—2014/ISO241732009
:
微束分析電子背散射衍射取向
分析方法導則
Microbeamanalysis—Guidelinesfororientationmeasurementusingelectron
backscatterdiffraction
(ISO24173:2009,IDT)
2014-06-09發(fā)布2014-12-01實施
中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
GB/T30703—2014/ISO241732009
:
目次
前言
…………………………Ⅰ
引言
…………………………Ⅱ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術語和定義
3………………1
設備
4EBSD………………6
操作條件
5…………………7
指數(shù)標定所需的校正
6EBSP……………11
分析過程
7…………………14
測量不確定度
8……………14
分析結果的發(fā)布
9…………………………15
附錄資料性附錄的工作原理
A()EBSD………………16
附錄規(guī)范性附錄的試樣制備
B()EBSD………………17
附錄資料性附錄晶體學標定及其他與相關的有用資料
C()、EBSPEBSD…………22
參考文獻
……………………37
GB/T30703—2014/ISO241732009
:
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標準使用翻譯法等同采用國際標準微束分析電子背散射衍射取向測定方法
:ISO24173:2009《
導則
》。
與本標準中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對應關系的我國文件如下
:
檢測和校準實驗室能力的通用要求
———GB/T27025—2008(ISO/IEC17025:2005,IDT)。
本標準由全國微束分析標準化技術委員會提出并歸口
(SAC/TC38)。
本標準起草單位上海發(fā)電設備成套設計研究院寶鋼集團中央研究院中國科學院上海硅酸鹽研
:、、
究所
。
本標準主要起草人張作貴田青超陳家光曾毅
:、、、。
Ⅰ
GB/T30703—2014/ISO241732009
:
引言
電子背散射衍射是使用掃描電子顯微鏡或聚焦離子束或電子探針顯
(EBSD)(SEM),SEM-FIB()
微分析儀測量和面掃描晶體試樣獲得晶體學信息的技術[1、2]
(EPMA)。
電子背散射花樣是固定入射電子束照射到高傾斜的晶體試樣表面并與表層原子相互作用
(EBSP),
并發(fā)生背散射的結果為了提高背散射效率通常試樣表面法線方向與電子束成約夾角通
。,70°。EBSP
常成像在由一種閃爍計數(shù)器例如熒光屏或者單晶和電荷耦合器件相機組成的
(,YAG)(CCD)EBSD
探測器上也可以成像在照相膠片上
,。
通過分析可以測量晶粒取向也可以對一些微小區(qū)域內的相結構進行分析由于是
EBSP,,。EBSD
入射電子與試樣表面幾十納米深度范圍內的原子相互作用發(fā)生的衍射效應因此應用該技術時需要特
,
別注意試樣的制備[3]
。
的空間分辨率強烈依賴于被測材料的性質和儀器操作參數(shù)一般情況下用鎢燈絲掃描電鏡
EBSD,,
可獲得大約的空間分辨率而用場發(fā)射電子槍掃描電鏡的分辨率極限可達
0.25μm,(FEGSEM)10nm~
通常晶體取向的測量精度大約為
50nm。,0.5°。
通過對試樣某一區(qū)域的面分析可以獲取反映該區(qū)域取向的空間變化相組成質量
EBSD,、、EBSP
及其他相關測量的面分布圖這些數(shù)據(jù)能夠用于顯微組織定量分析例如測量平均晶粒尺寸或尺寸
。,,(
分布晶體學織構取向分布或者含有特殊性質的晶界如孿晶晶界數(shù)量技術結合精密的連
)、()()。EBSD
續(xù)切割技術如聚焦離子束技術可以獲取材料的三維顯微組織特征[4]
,(FIB),。
為了更好地掌握技術并進行準確的數(shù)據(jù)處理用戶應該熟悉晶體學原理和取向表征
EBSD,EBSD
的各種方法這兩方面內容也在相關文獻[5,6]中有所介紹
()。
Ⅱ
GB/T30703—2014/ISO241732009
:
微束分析電子背散射衍射取向
分析方法導則
1范圍
本標準給出了使用電子背散射衍射技術進行晶體取向測量的指南使測量數(shù)據(jù)具有較高
(EBSD),
的可靠性和重復性本標準確立了試樣制備儀器配置校正以及數(shù)據(jù)采集的一般原則
,、、。
本標準適用于對塊狀晶體樣品的晶粒取向分析
EBSD。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
檢測和校準實驗室能力的通用要求
ISO/IEC17025(Generalrequirementsforthecompetenceof
testingandcalibrationlaboratories)
測量不確定度第部分測量不確定度表示指南
ISO/IECGuide98-33:(GUM:1995)(Uncertainty
ofmeasurement—Part3:Guidetotheexpressionofuncertaintyinmeasurement(GUM:1995)
3術語和定義
下列術語和定義適用于本文件
。
31
.
晶體crystal
由在空間上規(guī)則的可重復的原子排列組成常用空間群晶系晶格常數(shù)包括棱邊長度和棱之間
、。、、(
的角度以及晶胞內的原子位置來描述[7,8]
)。
注1例如鋁晶體能用一個邊長為的面心立方單胞來表示
:,0.40494nm()。
注2分別沿著和方向觀察的鋁晶體單胞原子排列模型如圖所示圖同時給出了
:[100]、[111][110](4×4×4)1,1
與其相對應的每一晶體取向的球形菊池花樣其四次三次及二次對稱顯而易見如同鏡面
,,
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