GB/T 4937.13-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第13部分：鹽霧

ICS3108001

L40..

中華人民共和國國家標準

GB/T493713—2018/IEC60749-132002

.:

半導體器件機械和氣候試驗方法

第13部分鹽霧

:

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part13Saltatmoshere

:p

(IEC60749-13:2002,IDT)

2018-09-17發(fā)布2019-01-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T493713—2018/IEC60749-132002

.:

前言

半導體器件機械和氣候試驗方法由以下部分組成

GB/T4937《》:

第部分總則

———1:;

第部分低氣壓

———2:;

第部分外部目檢

———3:;

第部分強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗

———4:(HAST);

第部分穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗

———5:;

第部分高溫貯存

———6:;

第部分內(nèi)部水汽含量測試和其他殘余氣體分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分標志耐久性

———9:;

第部分機械沖擊

———10:;

第部分快速溫度變化雙液槽法

———11:;

第部分掃頻振動

———12:;

第部分鹽霧

———13:;

第部分引出端強度引線牢固性

———14:();

第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

———15:;

第部分粒子碰撞噪聲檢測

———16:(PIND);

第部分中子輻照

———17:;

第部分電離輻射總劑量

———18:();

第部分芯片剪切強度

———19:;

第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響

———20:;

第部分對潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標志和運輸

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分鍵合強度

———22:;

第部分高溫工作壽命

———23:;

第部分加速耐濕無偏置強加速應力試驗

———24:(HSAT);

第部分溫度循環(huán)

———25:;

第部分靜電放電敏感度試驗人體模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分靜電放電敏感度試驗機械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分靜電放電敏感度試驗帶電器件模型器件級

———28:(ESD)(CDM);

第部分閂鎖試驗

———29:;

第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗前的預處理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性內(nèi)部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐濕無偏置高壓蒸煮

———33:;

第部分功率循環(huán)

———34:;

第部分塑封電子元器件的聲學掃描顯微鏡檢查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅰ

GB/T493713—2018/IEC60749-132002

.:

第部分采用加速度計的板級跌落試驗方法

———37:;

第部分半導體存儲器件的軟錯誤試驗方法

———38:;

第部分半導體元器件原材料的潮氣擴散率和水溶解率測量

———39:;

第部分采用張力儀的板級跌落試驗方法

———40:;

第部分非易失性存儲器件的可靠性試驗方法

———41:;

第部分溫度和濕度貯存

———42:;

第部分集成電路可靠性鑒定方案指南

———43:(IC);

第部分半導體器件的中子束輻照單粒子效應試驗方法

———44:。

本部分為的第部分

GB/T493713。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用半導體器件機械和氣候試驗方法第部分

IEC60749-13:2002《13:

鹽霧

》。

與本部分中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對應關系的我國文件為

:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分引出端強度引線牢

———GB/T4937.14—201814:(

固性

)(IEC60749-14:2003,IDT);

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第部分試驗方法試驗鹽霧

———GB/T2423.17—20082:Ka:

(IEC60068-2-11:1981,IDT)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所北京大學微電子研究院無錫必創(chuàng)傳感科

:、、

技有限公司

。

本部分主要起草人張艷杰彭浩李樹杰岳振鵬崔波高金環(huán)裴選張?zhí)旄＿t雷張威陳得民

:、、、、、、、、、、、

周剛

。

Ⅱ

GB/T493713—2018/IEC60749-132002

.:

半導體器件機械和氣候試驗方法

第13部分鹽霧

:

1范圍

的本部分規(guī)定了半導體器件的鹽霧試驗方法以確定半導體器件耐腐蝕的能力本試

GB/T4937,。

驗是模擬嚴酷的海邊大氣對器件暴露表面影響的加速試驗適用于工作在海上和沿海地區(qū)的器件

。。

本試驗是破壞性試驗

。

本試驗總體上符合但鑒于半導體器件的特殊要求采用本部分的條款

IEC60068-2-11,,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分引出端強度引線牢固性

IEC60749-1414:()[Semi-

conductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part14:Robustnessofterminations(Iead

integrity)]

環(huán)境試驗第部分試驗方法試驗鹽霧

IEC60068-2-112:Ka:(Environmentaltesting—Part

2:Tests—TestKa:Saltmist)

3試驗設備

鹽霧試驗所用設備應包括

:

帶有耐腐蝕的支撐器件夾具的溫控試驗箱

a);

鹽溶液槽所用的鹽應為無水氯化鈉其碘化鈉的質量分數(shù)不超過且總雜質的含量不超

b):,0.1%,

過蒸餾水或使用的其他水的雜質含量不超過-6應通過過濾以控制溶液的

0.3%,()200×10,

雜質含量為了達到第章所要求的沉降率去離子水或蒸餾水鹽溶液的鹽濃度應為

,4,

質量百分比

0.5%~3%();

使鹽液霧化的裝置包括合適的噴嘴和壓縮空氣源

c),;

高于箱內(nèi)溫度的某溫度下保持空氣潮濕的裝置

d),;

倍倍倍倍的放大鏡

e)1~3、10~20