- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2023-09-07 頒布
- 2024-01-01 實施
文檔簡介
ICS31200
CCSL.56
中華人民共和國國家標準
GB/T42973—2023
半導體集成電路
數(shù)字模擬DA轉換器
()
Semiconductorinteratedcircuits—Diital-analoDAconverter
ggg()
2023-09-07發(fā)布2024-01-01實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標準化管理委員會
GB/T42973—2023
目次
前言
…………………………Ⅰ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術語和定義
3………………2
分類
4………………………2
概述
4.1…………………2
奈奎斯特率轉換器
4.2DA……………2
過采樣轉換器
4.3DA…………………2
技術要求
5…………………3
溫度
5.1…………………3
電特性
5.2………………3
封裝特性
5.3……………4
其他指標
5.4……………4
電特性測試方法
6…………………………4
一般說明
6.1……………4
靜態(tài)特性
6.2……………5
動態(tài)特性
6.3……………14
檢驗規(guī)則
7…………………25
一般要求
7.1……………25
檢驗分類
7.2……………25
質量評定類別
7.3………………………25
抽樣方案
7.4……………25
檢驗批構成
7.5…………………………26
鑒定檢驗
7.6……………26
質量一致性檢驗
7.7……………………26
篩選
7.8…………………29
標志
8………………………30
包裝運輸貯存
9、、…………………………30
包裝
9.1…………………30
運輸
9.2…………………30
貯存
9.3…………………30
GB/T42973—2023
前言
本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任
。。
本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出
。
本文件由全國半導體器件標準化技術委員會歸口
(SAC/TC78)。
本文件起草單位中國電子技術標準化研究院成都華微電子科技股份有限公司成都振芯科技股
:、、
份有限公司中國電子科技集團公司第五十八研究所中國電子科技集團公司第二十四研究所四川翊
、、、
晟芯科信息技術有限公司北京芯可鑒科技有限公司中國科學院半導體研究所三旗惠州電子科技
、、、()
有限公司杭州萬高科技股份有限公司
、。
本文件主要起草人李錕張馳李大剛王會影張濤雷郎成劉顯軍鐘明琛李文昌李海龍
:、、、、、、、、、、
林玲隋春娟
、。
Ⅰ
GB/T42973—2023
半導體集成電路
數(shù)字模擬DA轉換器
()
1范圍
本文件規(guī)定了數(shù)字模擬轉換器以下簡稱轉換器或的分類技術要求測試方法
(DA)(DADAC)、、、
檢驗規(guī)則標志包裝運輸和貯存
、、、。
本文件適用于采用半導體集成電路工藝設計制造的轉換器
DA。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
半導體器件第部分分立器件和集成電路總規(guī)范
GB/T4589.1—200610:
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分外部目檢
GB/T4937.3—20123:
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗
GB/T4937.4—20124:
(HAST)
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分快速溫度變化雙液槽法
GB/T4937.11—201811:
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分鹽霧
GB/T4937.13—201813:
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分引出端強度引線牢固
GB/T4937.14—201814:(
性
)
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分通孔安裝器件的耐焊
GB/T4937.15—201815:
接熱
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分可焊性
GB/T4937.21—201821:
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分高溫工作壽命
GB/T4937.2323:
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分靜電放電敏感度測試
GB/T4937.2626:(ESD)
人體模型
(HBM)
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分靜電放電敏感度測試
GB/T4937.2727:(ESD)
機器模型
(MM)
集成電路術語
GB/T9178
半導體器件集成電路第部分
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