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文檔簡介

FundamentalsofPowerElectronicsTechnology電力電子技術(shù)基礎(chǔ)第二部分電力電子器件61.6絕緣柵雙極型晶體管——IGBT的產(chǎn)生思路電力電子技術(shù)基礎(chǔ)

GTR的特點——電流驅(qū)動,電流容量大;開關(guān)速度較低,所需驅(qū)動功率大,驅(qū)動電路復(fù)雜。

MOSFET的優(yōu)點——電壓驅(qū)動,開關(guān)速度快,輸入阻抗高,熱穩(wěn)定性好,所需驅(qū)動功率小而且驅(qū)動電路簡單;容量小。

兩類器件取長補(bǔ)短結(jié)合而成的復(fù)合器件—絕緣柵雙極晶體管——IGBT的概況電力電子技術(shù)基礎(chǔ)

絕緣柵雙極晶體管(Insulated-gateBipolarTransistor——IGBT或IGT)

GTR和MOSFET復(fù)合,結(jié)合二者的優(yōu)點,具有好的特性

1986年投入市場后,取代了GTR和一部分MOSFET的市場,中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件

繼續(xù)提高電壓和電流容量,以期再取代GTO的地位——IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理電力電子技術(shù)基礎(chǔ)IGBT是GTR與MOSFET組成的達(dá)林頓結(jié)構(gòu),一個由

MOSFET驅(qū)動的厚基區(qū)PNP晶體管。

驅(qū)動原理與電力MOSFET基本相同,場控器件,通斷由柵射極電壓uGE決定。導(dǎo)通:uGE使MOSFET內(nèi)形成溝道,為晶體管提供基極電流,IGBT導(dǎo)通。關(guān)斷:柵射極間施加反壓或不加信號時,MOSFET內(nèi)的溝道消失,晶體管的基極電流被切斷,IGBT關(guān)斷。IGBT的原理————IGBT的靜態(tài)特性O(shè)有源區(qū)正向阻斷區(qū)飽和區(qū)反向阻斷區(qū)ICUGE(th)UGEOICURMUFMUCEUGE(th)UGE增加圖1-29IGBT的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性a)轉(zhuǎn)移特性b)輸出特性a)b)——IGBT的開關(guān)特性tf1——描述IGBT器件內(nèi)部的MOSFET管的關(guān)斷過程,即MOSFET管的電流下降時間。tf2——描述IGBT內(nèi)部的GTR管的關(guān)斷過程,即GTR管的電流下降時間。——IGBT的主要參數(shù)電力電子技術(shù)基礎(chǔ)1)最大集射極間電壓UCEM由內(nèi)部PNP晶體管的擊穿電壓確定2)

最大集電極電流ICEM

集電極允許承受的最大電流3)最大集電極功耗PCM

正常工作溫度下允許的最大功耗1.7其他新型電力電子器件1、傳輸時間短,工作頻率高,頻帶寬,開關(guān)速度快。

2、電流容量大,易得到高的耐壓,功率容量更大。

———靜電感應(yīng)晶體管SIT的優(yōu)點電力電子技術(shù)基礎(chǔ)DSGDSGDSGDSGN—SITP—SITSIT是電壓控制器件,而且是門極為零時,它處于導(dǎo)通狀態(tài),因此SIT是常開型器件。在門源極加負(fù)電壓,可關(guān)斷它。

———靜電感應(yīng)晶體管SIT電力電子技術(shù)基礎(chǔ)1、SIT的特點是頻率覆蓋范圍寬、功率覆蓋范圍大,廣泛應(yīng)用于高保真度的音響設(shè)備、電源、電機(jī)控制、通信機(jī)、電視差轉(zhuǎn)機(jī)以及雷達(dá)、導(dǎo)航和各種電子儀器中。2、我國SIT類器件已有一定基礎(chǔ),已研究開發(fā)二十余種SIT類器件,但功率較大的SIT仍在開發(fā)中。

3、產(chǎn)品的發(fā)展趨勢是模塊化、大功率化?!o電感應(yīng)晶體管SIT的應(yīng)用電力電子技術(shù)基礎(chǔ)SITH是兩種載流子導(dǎo)電的雙極型器件。電流容量大,開關(guān)頻率高,正向壓降低,功率損耗小。其很多特性與GTO類似,但開關(guān)速度比GTO高得多,是大容量的快速器件。SITH(StaticInductionThyristor)——場控晶閘管(FieldControlledThyristor—FCT)———靜電感應(yīng)晶閘管SITH的優(yōu)點———MOS控制晶閘管MCT電力電子技術(shù)基礎(chǔ)

MCT是一種新型MOS/雙極復(fù)合器件。它是在普通晶閘管中用集成電路工藝制作大量的MOS開關(guān),通過MOS開關(guān)的通斷來控制晶閘管的開啟和關(guān)斷。所以,MCT既有晶閘管良好的阻斷和通態(tài)特性,又具有MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高,驅(qū)動功率低和開關(guān)速度快的優(yōu)點,同時克服了晶閘管速度慢,不能自關(guān)斷和高壓MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通壓降大的缺點。

———MOS控制晶閘管MCT電力電子技術(shù)基礎(chǔ)MCT結(jié)合了二者的優(yōu)點:承受極高di/dt和du/dt,快速的開關(guān)過程,開關(guān)損耗小。高電壓,大電流、高載流密度,低導(dǎo)通壓降?!β始呻娐穼⑵骷c邏輯、控制、保護(hù)、傳感、檢測、自診斷等信息電子電路制作在同一芯片上,稱為功率集成電路(PowerIntegratedCircuit——PIC)。高壓集成電路(Hig

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