GB/T 5593-2015電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料

ICS31-030

L90

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T5593—2015

代替

GB/T5593—1996

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料

Structureceramicmaterialsusedinelectronic

componentanddevice

2015-05-15發(fā)布2016-01-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T5593—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料

GB/T5593—1996《》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要有下列變化

GB/T5593—1996,:

表中作如下修改

———1:

對(duì)增加了硬度性能要求增加了測(cè)試硬度方法的規(guī)范性附錄

A-95、A-99;A-95、A-99A;

替代兩者組分含量均為最低值單位與符號(hào)改為單位線膨脹

B-97B-95;B-97、B-99BeO;“”“”;

系數(shù)單位改為-1晶粒大小改為的晶粒大小從改為

/℃K;μμm;A-9515μm~30μm8μm~

線膨脹系數(shù)改為中平均晶粒大小改為

20μm;B-9720℃~500℃7~87.0~8.5;B-97,B-99

中導(dǎo)熱系數(shù)改為改為

12μm~30μm;B-9720℃200W/(m·K),100℃160W/(m·K);

中導(dǎo)熱系數(shù)改為改為

B-9920℃230W/(m·K),100℃180W/(m·K);

抗熱震性的測(cè)定持續(xù)時(shí)間從改為

———5.830min10min;

表中作如下修改

———2:

部分測(cè)試樣品尺寸將氧化鋁瓷和氧化鈹瓷分別對(duì)待氣密性樣品厚度從改為

,;0.25mm±0.02mm

0.30mm±0.02mm。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

,。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院歸口

。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十二研究所湖南新化鑫星電子陶瓷有限公司江蘇常

:、、

熟銀洋陶瓷器件有限公司河南濟(jì)源兄弟材料有限公司浙江紹興富爾全瓷業(yè)有限公司浙江溫嶺特種

、、、

陶瓷廠

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人高隴橋曹培福高永泉黃國(guó)立王立夫徐正平李曉英

:、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB5593—1985、GB/T5593—1996。

Ⅰ

GB/T5593—2015

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷的種類級(jí)別技術(shù)指標(biāo)要求試驗(yàn)方法和檢驗(yàn)規(guī)則

、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子元器件用結(jié)構(gòu)陶瓷材料

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

表面粗糙度參數(shù)及其數(shù)值

GB/T1031—1995

多孔陶瓷顯氣孔率容重試驗(yàn)方法

GB/T1966、

壓電陶瓷材料體積密度測(cè)量方法

GB/T2413

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)概述和指南

GB/T2421.1

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法氣密性測(cè)試方法

GB/T5594.1

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法楊氏彈性模量泊松比測(cè)試方法

GB/T5594.2

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法第部分平均線膨脹系數(shù)測(cè)試方法

GB/T5594.33:

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法第部分介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切

GB/T5594.44:

值的測(cè)試方法

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法體積電阻率測(cè)試方法

GB/T5594.5

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法第部分化學(xué)穩(wěn)定性測(cè)試方法

GB/T5594.66:

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法第部分透液性測(cè)定方法

GB/T5594.77:

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法第部分顯微結(jié)構(gòu)測(cè)定方法

GB/T5594.88:

固體電介質(zhì)微波復(fù)介電常數(shù)測(cè)定方法

GB/T5597

氧化鈹瓷導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定方法

GB/T5598

電子陶瓷名詞術(shù)語(yǔ)

GB/T9530—1988

金屬維氏硬度計(jì)檢定規(guī)程

JJG151—2006

電子器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料的名稱和牌號(hào)的命名方法

SJ/T10760—1996

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T9530—1988。

31

.

電子陶瓷electronicceramics

在電子技術(shù)中用于制造電子元件和器件的陶瓷材料一般可分為結(jié)構(gòu)陶瓷和功能陶瓷

,。

32

.

莫來(lái)石瓷mulliteceramics