- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2023-09-07 頒布
- 2024-01-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
ICS31140
CCSL.21
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T8553—2023
代替GB/T8553—1987
晶體盒總規(guī)范
Genericspecificationforenclosuresforcrystalunits
2023-09-07發(fā)布2024-01-01實(shí)施
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T8553—2023
前言
本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件代替晶體盒總規(guī)范與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性
GB/T8553—1987《》,GB/T8553—1987,
改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下
,:
刪除了材料的技術(shù)要求和試驗(yàn)方法見年版的
a)(19873.2);
增加了封裝陶瓷封裝型式的晶體盒內(nèi)容見
b)SMD、[4.6.2.2b)、4.6.2.3.2、4.7、4.8.1.3、4.8.2.3、
表表
4.10.2.2、4.12.1.2.2、2、3];
增加了外觀涂覆層厚度要求和試驗(yàn)方法見
c)、(4.3);
增加了絕緣電阻的要求見
d)(4.4);
增加了抗折強(qiáng)度的要求見
e)(4.7);
增加了封裝后基座氣密性的要求見
f)(4.9);
增加了環(huán)境有害物質(zhì)限量要求見第章
g)(6)。
請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任
。。
本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出
。
本文件由全國(guó)頻率控制與選擇用壓電器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口
(SAC/TC182)。
本文件起草單位潮州三環(huán)集團(tuán)股份有限公司蘇州工業(yè)園區(qū)陽晨封裝技術(shù)有限公司深圳市麥
:()、、
捷微電子科技股份有限公司
。
本文件主要起草人邱基華陳炳龍樊應(yīng)縣
:、、。
本文件及所代替文件的歷次版本發(fā)布情況為
:
年首次發(fā)布為
———1987GB/T8553—1987;
本次為第一次修訂
———。
Ⅰ
GB/T8553—2023
晶體盒總規(guī)范
1范圍
本文件規(guī)定了石英晶體元件用晶體盒的術(shù)語和定義技術(shù)要求試驗(yàn)方法包裝標(biāo)志儲(chǔ)存和運(yùn)輸
、、、、、。
本文件適用于石英晶體元件用晶體盒包括基座殼罩引線焊腳等部分
,、、、。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
環(huán)境試驗(yàn)概述和指南
GB/T2421—2020
環(huán)境試驗(yàn)試驗(yàn)方法編寫導(dǎo)則術(shù)語和定義
GB/T2422—2012
環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)恒定濕熱試驗(yàn)
GB/T2423.3—20162:Cab:
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)鹽霧
GB/T2423.17—20082:Ka:
環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)溫度變化
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環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)密封
GB/T2423.23—20132:Q:
環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)恒定濕熱主要用于元件的加
GB/T2423.50—20122:Cy:
速試驗(yàn)
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)引出端及整體安
GB/T2423.60—20082:U:
裝件強(qiáng)度
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環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)試驗(yàn)和有引線器件的可焊性和耐
IEC60068-2-20:20212-20:
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