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文檔簡介

氮化硅薄膜

----制備技術介紹什么叫做光學薄膜？所謂光學薄膜，首先它應該是薄的然后它應該會產(chǎn)生一定光學效應的那么要薄到什么程度呢？定性的講：它的厚度應該和入射光波長可以相 比擬的物理意義上講：能引起光的干涉現(xiàn)象的膜層與鍍膜技術密切相關的產(chǎn)業(yè)眼鏡鍍膜----AR幕墻玻璃----AR濾光片液晶領域----ITO膜車燈、冷光鏡、舞臺燈光濾光片光通信領域：DWDM、光纖薄膜器件紅外膜激光領域----激光反射腔高反射膜CD、DVD驅(qū)動器投影顯示數(shù)碼領域氮化硅薄膜制備技術介紹物理氣相沉積(PVD)法PVD主要的方法有真空蒸（Vacuumevaporation）、濺射鍍膜（Vacuumsputterng）、離子鍍（Tonplating）化學氣相沉積(CVD)法CVD主要的方法有高溫熱化學氣相沉積(HTCVD)法、等離子體化學氣相沉積(PECVD)法、光化學氣相沉積(PCVD)法

真空蒸鍍真空蒸鍍是利用電阻加熱、高頻感應加熱或高能束（電子束、激光束、離子束等）轟擊使鍍膜材料轉化為氣相而沉積到基體表面的一種成熟技術。廣泛應用與Au、Ag、Cu、Ni、Cr等半導體材料及電阻材料成膜，除特殊材料外，差不多都能滿足鍍膜要求。濺射鍍膜濺射鍍膜是利用濺射現(xiàn)象而成膜的方法。濺射鍍膜是在充有一定氬氣的真空條件下，采用輝光技術，將氬氣電離產(chǎn)生氬離子，氬離子在電場力的作用下加速轟擊陰極，使陰極材料（鍍膜材料）被濺射下來，沉積到工件表面形成薄膜的方法。濺射鍍膜又分為直流濺射、射頻濺射和磁控濺射。等離子體化學氣相沉積(PECVD)法

PECVD法由于其靈活性、沉積溫度低和重復性好而擴大了CVD法的應用范圍，特別是提供了在不同基體上制備各種薄膜的可能性。由于它適應了當前大規(guī)模集成電路生產(chǎn)工藝向低溫工藝方向發(fā)展的趨勢，越來越引起學術界的重視，成為制備氮化硅薄膜最常用的方法。光化學氣相沉積(PCVD)法PCVD法是一種低溫制備氮化硅薄膜的新工藝，它利用紫外光或激光對反應氣體進行光致分解，在低溫(<250℃)下沉積得到固態(tài)薄膜。PCVD法避免了高能粒子對薄膜表面的轟擊損傷，膜層致密光滑，也避免了高溫、

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