超高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡JSM-7800F介紹

超高分辨率FE——マスタタイトルの書式設(shè)定超高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡

JSM-7800F介紹2JSM-7800F的特長Point.2超級混合式物鏡

:SHL①超高分辨率(1.2nm＠1kV?選配功能

0.8nm@1kV）②最適合于觀察磁性材料和EBSD分析

(樣品附近沒有磁場泄漏)Point.1浸沒式肖特基電子槍大電流(200nA15kV)、長時間穩(wěn)定、長壽命

(發(fā)射體保證3年)Point.3用新型探測器過濾電子能量自由選擇來自樣品表面的信息3JSM-7800F的特長Point.2超級混合式物鏡

:SHL①超高分辨率(1.2nm＠1kV?選配功能

0.8nm@1kV）②最適合于觀察磁性材料和EBSD分析

(樣品附近沒有磁場泄漏)Point.1浸沒式肖特基電子槍大電流(200nA15kV)、長時間穩(wěn)定、長壽命(發(fā)射體保證3年)Point.3用新型探測器過濾電子能量自由選擇來自樣品表面的信息Point.1浸沒式肖特基電子槍大電流(200nA15kV)、長時間穩(wěn)定、長壽命(發(fā)射體保證3年)4電子槍和聚光鏡一體化能高效利用電子槍發(fā)出的電子傳統(tǒng)的電子槍浸沒式肖特基電子槍浸沒式肖特基場發(fā)射電子槍電子槍透鏡磁場聚光鏡電子束電流量約10倍電子槍和聚光鏡一體化能高效利用電子槍發(fā)出的電子傳統(tǒng)的電子槍浸沒式肖特基電子槍電子槍透鏡磁場聚光鏡電子束電流量約10倍5浸沒式肖特基場發(fā)射電子槍能高效率地利用電子束長壽命的發(fā)射體

保證3年JEOLOnly探針電流是傳統(tǒng)型的10倍以上因此最適合于EDS分析等JEOLOnly6用浸沒式肖特基場發(fā)射電子槍進行快速分析１.

可進行高通量的EDS分析２.可進行高空間分辨率的EDS分析〈應(yīng)用實例〉7應(yīng)用實例1.高通量的EDS分析測試時間60秒（實時）JEOLOnly彩色面分布樣品:貼片電容截面測試倍率：x10,000加速電壓：5kV探針電流：50nA用定性圖譜的測試時間可進行元素面分布用低加速電壓可在短時間內(nèi)進行高空間分辨率的元素面分布測試8應(yīng)用實例2.高空間分辨率的EDS分析樣品

：IC截面定量面分布

(重量%)測試倍率：x22,000加速電壓：6kV探針電流：8nA能將N和Ti分離獲取元素面分布圖9應(yīng)用實例2.高空間分辨率的EDS分析樣品

：IC截面定量面分布

(重量%)測試倍率：x22,000加速電壓：6kV探針電流：8nA能將N和Ti分離獲取元素面分布圖減少電流量提高空間分辨率，能進行100納米級清晰的面分布測試。能獲得數(shù)百納米的細微結(jié)構(gòu)的彩色面分布圖10JSM-7800F的特長Point.2超級混合式物鏡

:SHL①超高分辨率(1kV1.2nm?選配功能0.8nm@1kV）②最適合于磁性材料的觀察和EBSD分析

(樣品附近沒有磁場)Point.1浸沒式肖特基場發(fā)射電子槍大電流(200nA15kV)、長時間穩(wěn)定、長壽命(發(fā)射體保證3年)Point.3用新型探測器過濾電子能量自由選擇來自樣品表面的信息Point.2超級混合式物鏡

:SHL①超高分辨率(1kV1.2nm?選配功能0.8nm@1kV）②最適合于磁性材料的觀察和EBSD分析

(樣品附近沒有磁場)11超級混合式物鏡(SHL)Semi-in-lens物鏡Out-lens物鏡超級混合式物鏡SHL集中了semi-in-lens和out-lens兩者的長處是JEOL獨自研發(fā)的新型卓越透鏡Semi-in-lens物鏡Out-lens物鏡12Semi-in-lens和Out-lens的不同和特長透鏡磁場工作距離短擅長高分辨率觀察工作距離長擅長觀察磁性材料和EBSD分析工作距離短透鏡磁場工作距離長超級混合式物鏡①超高分解率觀察②最適合于磁性材料的觀察和EBSD分析13穩(wěn)定度?重現(xiàn)性觀察絕緣體觀察磁性材料EBSDEDS/WDS低倍率觀察低加速分辨率高加速分辨率semi-in-lensout-lens穩(wěn)定度?重現(xiàn)性觀察絕緣體觀察磁性材料EBSDEDS/WDS低倍率觀察低加速分辨率高加速分辨率semi-in-lens物鏡和out-lens物鏡的功能評估穩(wěn)定度?重現(xiàn)性觀察絕緣體觀察磁性材料EBSDEDS/WDS低倍率觀察低加速分辨率高加速分辨率semi-in-lensout-lens穩(wěn)定度?重現(xiàn)性觀察絕緣體觀察磁性材料EBSDEDS/WDS低倍率觀察低加速分辨率高加速分辨率14超級混合式物鏡(SHL)的功能評估穩(wěn)定度?重現(xiàn)性觀察絕緣體觀察磁性材料EBSDEDS/WDS低倍率觀察低加速分辨率高加速分辨率超級混合式物鏡1515SHL①超高分辨率觀察1.碳上的鍍金顆粒2.石墨烯3.鋰離子電池的隔膜4.藍光光盤〈應(yīng)用實例〉16極低加速電壓圖像

80VJSM-7800在80V的電壓下也能觀察高品質(zhì)的圖像通過觀察樣品表面可以進行納米結(jié)構(gòu)的分析應(yīng)用實例1.碳上的鍍金顆粒8萬倍12萬倍JEOLOnly17在高加速電壓下呈“透明”狀的樣品也能觀察其表面應(yīng)用實例2.石墨烯極低加速電壓圖像80V18應(yīng)用實例3.鋰離子電池的隔膜加速電壓

100

V19應(yīng)用實例4.藍色光盤

(記錄層)背散射電子為主加速電壓：1.5kV工作距離(WD)：2mm過濾器電壓：-1400V探測器：UED2020SHL②最適合于磁性材料和EBSD分析的電子光學(xué)設(shè)計1.磁性材料分析：Fe3O4納米顆粒集合體2.

EBSD晶體取向分析：釹鐵硼3.

EBSD晶體取向分析：碳鋼〈應(yīng)用實例〉21應(yīng)用實例1.Fe3O4

納米顆粒集合體加速電壓

:1.0keV(GB)WD:4.0mm資料提供

:日本東北大學(xué)多元物質(zhì)科學(xué)研究所阿尻雅文教授富樫貴成博士22EBSD高精度晶體取向分析應(yīng)用實例2.釹鐵硼NDTD也適合于磁性材料的高精度晶體取向分析分析點:118585尺寸:XMax:80.00μm

YMax:79.89μm

步長:0.25μm相:Nd2Fe14B23應(yīng)用實例3.碳鋼

EBSD

圖像1000倍ND方向圖像1000倍IQ（圖像質(zhì)量）圖像也適合于磁性材料的高精度晶體取向分析加速電壓：20

kV

WD：20mm

探針電流：8

nA

100

nm步長樣品：碳鋼（S25C）直徑：32

mm

高度：20

mm樣品制備：金剛石砂輪研磨、膠體二氧化硅拋光24

利用LDF（LargeDepthofFocusmode）模式可以大角度地傾斜觀察，最適合于EBSD分析。在傾斜７０°的樣品上容易聚焦加速電壓：15.0kVLDF模式

LargeDepthofFocusJEOLOnly25LDF模式的大面積EBSD分析3cm分析區(qū)域：7mm×21mm倍率：×12

樣品傾斜：70°分析點：803400尺寸:

XMax：

7305.00μmYMax：

21395.16μm

步長：

15.00

μm不用移動樣品臺也能進行大面積的EBSD分析IQNDRDTD26Point.2超級混合式物鏡

:SHL①超高分辨率(1.2nm＠1kV?選配功能0.8nm@1kV）②最適合于觀察磁性材料和EBSD分析

(樣品附近沒有磁場泄漏)Point.1浸沒式肖特基場發(fā)射電子槍大電流(200nA15kV)、長時間穩(wěn)定、長壽命(發(fā)射體保證3年)Point.3用新型探測器過濾電子能量自由選擇來自樣品表面的信息JSM-7800F的特長Point.3用新型探測器過濾電子能量自由選擇來自樣品表面的信息27新型探測器系統(tǒng)光闌角度控制透鏡能量過濾器超級混合式物鏡觀察樣品UED高位探測器USD高位二次電子探測器BED可插拔式

背散射電子探測器LED低位探測器28通過新型探測器檢測樣品樣品：碳上的鍍金顆粒加速電壓：3.0kVWD：2.5mm29通過新型探測器檢測信號能量過濾器UED高位探測器過濾器電壓：-360V信號二次電子表面形貌成分信息晶體取向大角度背散射電子由過濾器選擇30信號二次電子表面形貌邊緣效應(yīng)信息USD高位二次電子探測器通過新型探測器檢測信號31LED低位探測器信號短WD:背散射電子為主信息表面形貌長WD:二次電子和極低角度背散射電子混合通過新型探測器檢測信號32BED可插拔式背散射電子探測器信號成分形貌信息晶體取向背散射電子通過新型探測器檢測信號33可以同時觀察獲取四種畫像USDBEDLEDUED過濾器電壓：-360V同時進行觀察的實例34用新型探測器選擇信息1.催化劑：Au@TiO22.石墨烯〈應(yīng)用實例〉35UEDUSD1.催化劑：Au@TiO2資料提供：

F.Schüth教授Max-Planck-InstitutMülheim

過濾器電壓

:-0.5kV加速電壓:

2.0kV金顆粒UEDUSD362.石墨烯過濾器電壓:-0.3kV加速電壓:

0.5kVUEDUSDUEDUSD空隙最薄處空隙37JSM-7800F規(guī)格電子槍：浸沒式肖特基場發(fā)射型物鏡：超級混合式透鏡(SHL)加速電壓：0.01～30.0kV?0.01～0.49kV只限于GB模式探針電流:pA級

～200nA以上(加速電壓為15