無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)題庫(kù)

選擇題NaCl型結(jié)構(gòu)中，Cl-按立方最緊密方式堆積，Na+充填于（B）之中。A、全部四面體空隙 B、全部八面體空隙 C、1/2四面體空隙 D、1/2八面體空隙在析晶過程中，若T較大，則獲得的晶粒為（A）A、數(shù)目多而尺寸小的細(xì)晶B、數(shù)目少而尺寸大的粗晶 C、數(shù)目多且尺寸大的粗晶。、數(shù)目少且尺寸小的細(xì)晶在熔體中加入網(wǎng)絡(luò)變性體會(huì)使得熔體的析晶能力（c）：a.不變b.減弱 c.增大在燒結(jié)過程的傳質(zhì)方式中，不會(huì)使坯體致密的是（a）a.擴(kuò)散傳質(zhì)b.溶解-沉淀傳質(zhì) c.蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì) d.流動(dòng)傳質(zhì)過冷度愈大，臨界晶核半徑（c）相應(yīng)的相變（e）a.不變b.愈大c.愈小d.愈難進(jìn)行e.愈易進(jìn)行f.不受影響從防止二次再結(jié)晶的角度考慮，起始粒徑必須（c）a.細(xì)b.粗c.細(xì)而均勻 d.粗但均勻根據(jù)晶界兩邊原子排列的連貫性來劃分，在多晶體材料中主要是（B）入、共格晶界8、非共格晶界 命半共格晶界玻璃結(jié)構(gòu)參數(shù)中的Z一般是已知的，請(qǐng)問硼酸鹽玻璃的Z=（B）A、2 B、3 C、4 D、5石英晶體結(jié)構(gòu)屬于（d）a.島狀結(jié)構(gòu)b.鏈狀結(jié)構(gòu) c.層狀結(jié)構(gòu) d.架狀結(jié)構(gòu)在離子型化合物中，晶粒內(nèi)部擴(kuò)散系數(shù)"，晶界區(qū)域擴(kuò)散系數(shù)Dg和表面區(qū)域擴(kuò)散系數(shù)。三者中（C）最大sA、Db B、Dg C、Ds系統(tǒng)CaO+Si?r2CaOSiO+CaOSiQ+3CaO2SiQ中的獨(dú)立組分?jǐn)?shù)為（d）a.5 b.4 c.3 d.2熔體系統(tǒng)中組成越簡(jiǎn)單，則熔體析晶（B）A、不受影響 B、越容易 C、越難過冷度越大，相應(yīng)的成核位壘（b）,臨界晶核半徑（b）,析晶能力（a）a.越大 b.越小 c.不變下列選項(xiàng)中不屬于馬氏體相變的特征的是（B）A、相變后存在習(xí)性平面 B、屬擴(kuò)散型相變 C、新相與母相間有嚴(yán)格的取向關(guān)系D、在一個(gè)溫度范圍內(nèi)進(jìn)行 E、速度很快顆粒不同部位的空位濃度存在差異，下列區(qū)域中（b）處的空位濃度最大A、晶粒內(nèi)部 B、頸部表面張應(yīng)力區(qū) C、受壓應(yīng)力的顆粒接觸中心塑性泥團(tuán)中顆粒之間最主要的吸力為（B）A、范德華力 B、毛細(xì)管力 C、局部邊-面靜電引力CaTiO3（鈦酸鈣）型結(jié)構(gòu)中，Ca2+和02-共同組成立方緊密堆積，Ca2+占據(jù)立方面心的角頂位置，02-占據(jù)立方面心的面心位置，Ti4+充填于（d）之間。a.全部八面體空隙b.1/8四面體空隙c.1/2八面體空隙d.1/4八面體空隙在下列幾類晶體中，形成間隙型固溶體的難易次序（由易到難）是（B）。A、NaCl>TiO2>CaF2 B>CaF2>TiO2>NaCl C>CaF2>NaCl>TiO2一晶面在三晶軸上的截距分別為3a，3b，2c，該晶面的晶面指數(shù)為（d）(332)b.(112)c.(321)d.(223)從防止二次再結(jié)晶的角度考慮，起始原料的粒徑應(yīng)當(dāng)（a）a.細(xì)而均勻 b.粗而均勻 c.細(xì)而不均勻 d.粗而不均勻下列質(zhì)點(diǎn)遷移微觀機(jī)構(gòu)中，（B）最適用于置換型固溶體的擴(kuò)散。A、易位機(jī)構(gòu) B、空位機(jī)構(gòu) C、亞間隙機(jī)構(gòu)D、間隙機(jī)構(gòu)在晶粒生長(zhǎng)過程中晶界（a）a.向凸面曲率中心移動(dòng)b.背離凸面曲率中心移動(dòng) c.不移動(dòng)當(dāng)O/Si比趨近于2時(shí)，LiO-SiO、NaO-SiO、KO-SiO三種熔體的粘度大小TOC\o"1-5"\h\z2 2 2 2 2 2次序?yàn)椋╝）a.LiO-SiO<NaO-SiO<KO-SiOb.KO-SiO<NaO-SiO<LiO-SiO2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2c.LiO-SiO<KO-SiO<NaO-SiOd.NaO-SiO<LiO-SiO<KO-SiO2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2劃分單位平行六面體時(shí)，在滿足對(duì)稱性關(guān)系之后應(yīng)考慮（B）A、體積最小 B、棱間直角關(guān)系最多 C、結(jié)點(diǎn)間距最小根據(jù)開爾文方程，固體顆粒越小，其熔化溫度（A）A、越低 B、越高 C、不變?nèi)粲幸粋€(gè)變價(jià)金屬氧化物XO,在還原氣氛下形成陰離子缺位型非化學(xué)計(jì)量化合物，金屬元素X和氧原子數(shù)之比為X：O=1.1：1，則其化學(xué)式應(yīng)為（c）a.X11O b.XO?！眂.XO091 d.XO^KO.AlO.4SiO-SiO系統(tǒng)的獨(dú)立組分?jǐn)?shù)為（c）2 23 2 2a.4 b.3 c.2 d.1一晶面的晶面指數(shù)為（220），則其與c軸的關(guān)系為（B）A、垂直 B、平行 C、相交（非90°）若有n個(gè)等大球體作最緊密堆積，就必有（a）個(gè)八面體空隙。a.b.2n個(gè)c.3na.b.2n個(gè)c.3n個(gè)d.4n個(gè)30.燒結(jié)過程中，30.燒結(jié)過程中，只改變氣孔形狀不引起坯體致密化的傳質(zhì)方式是（C）A、擴(kuò)散傳質(zhì)B、流動(dòng)傳質(zhì)A、擴(kuò)散傳質(zhì)B、流動(dòng)傳質(zhì)C、蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì)D、溶解-沉淀傳質(zhì)31.當(dāng)31.當(dāng)0/Si比趨近于4時(shí)，Li0-Si02、Na20-Si02、K20-Si02三種熔體的粘度大小次序?yàn)椋ǎ゛.Li0-Si0<Na0-Si0<K0-Si02 2 2 2 2 2b.K20-Si02<Na20-Si0<Li0-Si0c.Li0-Si0<K0-Si0<Na0-Si02 2 2 2 2 2d.Na20-Si02<Li20-Si02次序?yàn)椋ǎ゛.Li0-Si0<Na0-Si0<K0-Si02 2 2 2 2 2b.K20-Si02<Na20-Si0<Li0-Si0c.Li0-Si0<K0-Si0<Na0-Si02 2 2 2 2 2d.Na20-Si02<Li20-Si02<K20-Si0232.右圖為具有L22P對(duì)稱的一個(gè)平面點(diǎn)陣，現(xiàn)要選取平面點(diǎn)陣的基本單位，圖中給出了六種可能的劃分方此L22P式，22 2若根據(jù)劃分平行六面體的原則中第一條進(jìn)行選取，被排的有（def）a.b.2c.d.4e.5f.633.下列選項(xiàng)中不屬于晶體的基本性質(zhì)的是（B）A、最小內(nèi)能性B、各向同性C、A、最小內(nèi)能性B、各向同性C、對(duì)稱性D、自限性34.根據(jù)開爾文方程，固體顆粒越小，其溶解度（a）a.越小b.越大c.a.越小b.越大c.不變?nèi)粲幸粋€(gè)變價(jià)金屬氧化物XO,在氧化氣氛下形成陽(yáng)離子空位型非化學(xué)計(jì)量化合物，金屬元素X和氧原子數(shù)之比為X：0=1：1.1,則其化學(xué)式應(yīng)為（）a.X011b.X°a.X011b.X°900c.X0.910d.X110從工藝的角度考慮，下列選項(xiàng)中不是造成二次再結(jié)晶的原因的是（B）A、原始粒度不均勻 B、A、原始粒度不均勻 B、燒結(jié)溫度過低C、燒結(jié)速率太快D、坯體成型壓力不均勻37、二元化合物AmBn若正離子的配位數(shù)為6，負(fù)離子的配位數(shù)為（B）A、m/nB、6m/nA、m/nB、6m/nC、n/mD、n/6m38、下列礦物中，屬于架狀結(jié)構(gòu)的是（A、Mg2[SiO4]B、CaMg[SiO]2A、Mg2[SiO4]B、CaMg[SiO]22 411C、Be3Al2[Si6O18]D、Ca[Al2Si2O8]39、在氧化氣氛下，F(xiàn)eO形成非化學(xué)計(jì)量化合物，鐵空位濃度與氧分壓關(guān)系為A、1/6B、A、1/6B、 -1/6C、1/4D、 -1/440、在1850°C，15mol%CaO的添加到ZrO2中，形成的固溶體的化學(xué)式為（C）A、ZrA、Zr0.925Ca0.15O2B、Z%85C%3O2C、Zr0.85Ca°.15O1.8541、2NaO?CaO?AlO?2SiO的玻璃中，結(jié)構(gòu)參數(shù)Y(C2 23 2A、2.25B、2.5C、3D、3.5A、2.25B、2.5C、3D、3.542、O2-在UO2晶體中的擴(kuò)散機(jī)制為（B）A、空位BA、空位B、間隙C、易位43、刃位錯(cuò)位錯(cuò)線與柏格斯矢量關(guān)系（B）A、平行BA、平行B、垂直C、相交44、離子晶體中的空位擴(kuò)散，擴(kuò)散活化能隨材料的熔點(diǎn)升高A、增加B、減小C、不變45、為提高陶瓷坯釉的附著力，應(yīng)降低（A、C）A、SLA、SLB、SVC、LV46、P42晶系屬于（A、三方B、A、三方B、四方C、立方D、正交47、Pm3m晶系屬于（C）A、三方B、四方C、立方D、正交下列晶體結(jié)構(gòu)缺陷中缺陷濃度主要受氣氛分壓影響的是（C）入、肖特基缺陷B、入、肖特基缺陷B、弗倫克爾缺陷C、非化學(xué)計(jì)量化合物 d.固溶體下列質(zhì)點(diǎn)遷移微觀機(jī)構(gòu)中，（b）最適用于置換型固溶體的擴(kuò)散間隙機(jī)構(gòu)b.空位機(jī)構(gòu)c.亞間隙機(jī)構(gòu)化合物 d.固溶體下列質(zhì)點(diǎn)遷移微觀機(jī)構(gòu)中，（b）最適用于置換型固溶體的擴(kuò)散間隙機(jī)構(gòu)b.空位機(jī)構(gòu)c.亞間隙機(jī)構(gòu)右圖為具有L44P對(duì)稱的一個(gè)平面點(diǎn)陣，現(xiàn)要選取此平面點(diǎn)陣的基本單位，圖中給出了六種可能的劃分方式，若根據(jù)劃分平行六面體的原則中第一條進(jìn)行選取，不被排除的有（d,e）a.1 b.2 c.3 d.4在晶粒生長(zhǎng)過程中晶界（a）a.向凸面曲率中心移動(dòng)b.背離凸面曲率中心移動(dòng)KO.AlO.4SiO-SiO系統(tǒng)的獨(dú)立組分?jǐn)?shù)為（C）2 23 2 2A、4 B、3 C、2d.易位機(jī)構(gòu)L44Pe.5 f.6c.不移動(dòng)D、1在析晶過程中，若AT較大，則獲得的晶粒為（a）a.數(shù)目多而尺寸小的細(xì)晶b.數(shù)目少而尺寸大的粗晶c.數(shù)目多且尺寸大的粗晶d.數(shù)目少且尺寸小的細(xì)晶目前常用Ygb晶界能和Ysv表面能之比值來衡量燒結(jié)的難易，若材料Ygb/Ysv越大，則（a）a.愈容易燒結(jié)b.對(duì)燒結(jié)無影響 c.愈難燒結(jié)伯格斯矢量與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱為（b）a.螺型位錯(cuò)刃型位錯(cuò)a.螺型位錯(cuò)刃型位錯(cuò)混合位錯(cuò)在熔體中加入網(wǎng)絡(luò)變性體會(huì)使得熔體的析晶能力（c）：a.不變b.減弱 c.增大塑性泥團(tuán)中顆粒之間最主要的吸引力為（c）a.范德華力 b.靜電引力 c.毛細(xì)管力在7個(gè)晶系中，晶體幾何常數(shù)為：a=b=c,a=8=Y^90°的是（c）a.六方晶系b.四方晶系c.三方晶系d.正交晶系NaCl型結(jié)構(gòu)中，Cl-按立方最緊密方式堆積，Na+充填于（b）之中a.全部四面體空隙b.全部八面體空隙 c.1/2四面體空隙 d.1/2八面體空隙下列質(zhì)點(diǎn)遷移微觀機(jī)構(gòu)中，（a）最適用于間隙型固溶體的擴(kuò)散a.間隙機(jī)構(gòu)b.空位機(jī)構(gòu)c.亞間隙機(jī)構(gòu) d.易位機(jī)構(gòu)劃分單位平行六面體時(shí)，在滿足對(duì)稱性關(guān)系之后應(yīng)考慮（b）a.體積最小b.棱間直角關(guān)系最多c.結(jié)點(diǎn)間距最小在燒結(jié)過程中，只改變氣孔形狀不引起坯體收縮的傳質(zhì)方式是（c）a.擴(kuò)散傳質(zhì) b.溶解一沉淀傳質(zhì)c.蒸發(fā)一凝聚傳質(zhì)d.流動(dòng)傳質(zhì)過冷度越大，相應(yīng)的成核位壘（b），臨界晶核半徑（b），析晶能力（a）a.越大 b.越小 c.不變?cè)陔x子型化合物中晶粒內(nèi)部擴(kuò)散系數(shù)Db，晶界區(qū)域擴(kuò)散系數(shù)Dg和表面區(qū)域擴(kuò)散系數(shù)Ds之間的關(guān)系應(yīng)為（b）。a.Db>D>D b.D>D>Db c.D>D>q均勻成核與非均勻成核相比（b）更容易進(jìn)行？a.均勻成核 b.非均勻成核 c.二者一樣在晶體中形成空位的同時(shí)乂產(chǎn)生間隙原子，這樣的缺陷稱為（b）a.肖特基缺陷 b.弗倫克爾缺陷 c.間隙缺陷在質(zhì)點(diǎn)遷移的空位機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度較高時(shí)以（b）為主a.非本征擴(kuò)散 b.本征擴(kuò)散 c.非化學(xué)計(jì)量空位擴(kuò)散過冷度愈大，臨界晶核半徑（c）相應(yīng)地相變（e）a.不變b.愈大c.愈小d.愈難進(jìn)行e.愈易進(jìn)行 f.不受影響若有一個(gè)變價(jià)金屬氧化物XO,在還原氣氛下形成陰離子缺位型非化學(xué)計(jì)量化合物，金屬元素X和氧原子數(shù)之比為X：0=1.2：1,則其化學(xué)式應(yīng)為（b）a.X12O b.X0083 c.X009i d.XO12立方結(jié)構(gòu)的（112）與（113）晶面同屬于（a ）晶帶軸。a.[110] b.[111] c.[211]下列關(guān)于電動(dòng)電位的描述錯(cuò)誤的是（b）由一價(jià)陽(yáng)離子飽和的粘土其Z-電位大于由三價(jià)陽(yáng)離子飽和的同種粘土對(duì)于同價(jià)陽(yáng)離子飽和的粘土而言，隨著離子半徑增大Z-電位增大由同種陽(yáng)離子飽和的粘土，隨著離子濃度增大Z-電位減小菲克第一定律描述了穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散的特征，即擴(kuò)散物質(zhì)的濃度不隨（b）變化。a.距離 b.時(shí)間 c.溫度劃分單位平行六面體時(shí)，在滿足對(duì)稱性關(guān)系之后應(yīng)考慮（b）a.體積最小 b.棱間直角關(guān)系最多 c.結(jié)點(diǎn)間距最

在硅酸鹽熔體中，當(dāng)R=O/Si減小時(shí)，相應(yīng)熔體組成和性質(zhì)的變化是：非橋氧百分?jǐn)?shù)（b），熔體粘度（a），熔體析晶傾向（b）a.增大 b.減小 c.不變下列質(zhì)點(diǎn)遷移微觀機(jī)構(gòu)中，（b）最適用于置換型固溶體的擴(kuò)散a.間隙機(jī)構(gòu)b.空位機(jī)構(gòu)c.亞間隙機(jī)構(gòu)d.易位機(jī)構(gòu)晶核生長(zhǎng)速率u與溫度的關(guān)系為（C）A、隨溫度的升高而增大 B、隨溫度的升高而減小C、隨溫度的升高先增大后減小 D、隨溫度的升高先減小后增大在燒結(jié)過程中不會(huì)引起坯體致密化的傳質(zhì)方式是（d）a.溶解-沉淀傳質(zhì) b.擴(kuò)散傳質(zhì) c.流動(dòng)傳質(zhì) d.蒸發(fā)-凝聚傳晶體結(jié)構(gòu)中所存在的一切對(duì)稱要素的集合稱為（c）L44Pd.平要選能的一條a.L44Pd.平要選能的一條右圖為具有L44P對(duì)稱的一個(gè)平面點(diǎn)陣，現(xiàn)取此平面點(diǎn)陣的基本單位，圖中給出了六種可劃分方式，若根據(jù)劃分平行六面體的原則中第進(jìn)行選取，不被排除的有（a,b）a.1 a.1 b.2 c.3 d.4 e.5f.6同價(jià)陽(yáng)離子飽和的粘土，其Z-電位隨著離子半徑增大而（b）a.增大 b.減小 c.不變Si:O趨近于1/2時(shí)硅酸鹽晶體的結(jié)構(gòu)類型為（d）a.島狀b.鏈狀c.層狀d.架狀玻璃結(jié)構(gòu)參數(shù)中的z一般是已知的，其中硼酸鹽玻璃的z=（b）a.2 b.3 c.4 d.5在晶粒生長(zhǎng)過程中晶界（c）a.不移動(dòng)b.背離凸面曲率中心移動(dòng) c.向凸面曲率中心移動(dòng)塑性泥團(tuán)中顆粒之間最主要的吸引力為（c）a.范德華力 b.靜電引力 c.毛細(xì)管力在晶核形成過程中，臨界晶核半徑愈大，則相變（c）a.愈易進(jìn)行 b.不受影響c.愈難進(jìn)行NaO.AlO.4SiO-SiO系統(tǒng)的獨(dú)立組分?jǐn)?shù)為（c）2 23 2 2a.4 b.3 c.2 d.1立方晶體中的［001］方向是（b）a. 二次對(duì)稱軸 b.四次對(duì)稱軸 c.六次對(duì)稱軸粘土顆粒周圍存在附著定向的水分子層和水化陽(yáng)離子，這部分水稱為（b）a.結(jié)構(gòu)水 b.結(jié)合水 c.自由水宏觀晶體中所有對(duì)稱要素的集合稱為（a）a.空間群 b.平移群 c.點(diǎn)群在置換型固溶體中，原子擴(kuò)散的方式一般為（c）a.原子互換機(jī)制 b.間隙機(jī)制 c.空位機(jī)制a-石英與a-方石英之間的晶型轉(zhuǎn)變屬于（a）a.重建型相變 b.位移型相變c.擴(kuò)散型相變1、極化會(huì)對(duì)晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（B）過渡，最終使晶體結(jié)構(gòu)類型發(fā)生變化。A:共價(jià)鍵向離子鍵 B:離子鍵向共價(jià)鍵C:金屬鍵向共價(jià)鍵 D:鍵金屬向離子鍵2、 離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負(fù)離子間的距離（B），離子TOC\o"1-5"\h\z配位數(shù)（ ）。A:增大，降低 B:減小，降低C:減小，增大 D:增大，增大3、 氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是（C）。A:5 B:6C:4 D:34、 NaCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為4,Na+填充在Cl-所構(gòu)成的（B）空隙中。A:全部四面體 B:全部八面體C:1/2四面體 D:1/2八面體5、 CsCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為1，Cs+填充在Cl-所構(gòu)成的（C）空隙中。A:全部四面體 B:全部八面體C:全部立方體 D:1/2八面體6、 MgO晶體屬NaCl型結(jié)構(gòu)，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子組成，其一個(gè)單位晶胞中有（B）個(gè)MgO分子。A:2 B:4C:6 D:87、 螢石晶體可以看作是Ca2+作面心立方堆積，F(xiàn)-填充了（D）。A:八面體空隙的半數(shù) B:四面體空隙的半數(shù)C:全部八面體空隙 D:全部四面體空隙8、螢石晶體中Ca2+的配位數(shù)為8，F(xiàn)-配位數(shù)為（B）。A:2B:4C:6D:89、CsCl晶體中Cs+的配位數(shù)為8,ClA:2B:4C:6D:89、CsCl晶體中Cs+的配位數(shù)為8,Cl-的配位數(shù)為（D）。A:2B:410、C:6D:8硅酸鹽晶體的分類原則是（B）。A:正負(fù)離子的個(gè)數(shù)B:結(jié)構(gòu)中的硅氧比C:化學(xué)組成C:化學(xué)組成D:離子半徑11、鋯英石11、鋯英石Zr[SiO4]是（A）。A:島狀結(jié)構(gòu)B:層狀結(jié)構(gòu)C:鏈狀結(jié)構(gòu)D:架狀結(jié)構(gòu)12、硅酸鹽晶體中常有少量Si12、硅酸鹽晶體中常有少量Si4+被Al3+取代這種現(xiàn)象稱為（C）。A:同質(zhì)多晶B:有序一無序轉(zhuǎn)變A:同質(zhì)多晶B:有序一無序轉(zhuǎn)變C:同晶置換D:馬氏體轉(zhuǎn)變13.鎂橄欖石Mg2[SiO4]是（A）。13.鎂橄欖石Mg2[SiO4]是（A）。A:島狀結(jié)構(gòu)B:層狀結(jié)構(gòu)14、C:鏈狀結(jié)構(gòu)D:架狀結(jié)構(gòu)對(duì)沸石、螢石、Mg。三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序?yàn)锳）。A:沸石〉螢石A:沸石〉螢石＞MgOB:沸石＞MgO＞螢石C:螢石〉沸石C:螢石〉沸石＞MgOD:螢石＞MgO＞沸石15、根據(jù)鮑林（Pauling）規(guī)則，離子晶體MX2中二價(jià)陽(yáng)離子的配位數(shù)為8時(shí)，一價(jià)陰離子的配位數(shù)為（B）。15、A:2 B:4C:6 D:816、 構(gòu)成硅酸鹽晶體的基本結(jié)構(gòu)單元［SiO4］四面體，兩個(gè)相鄰的［SiO4］四面體之間只能（A）連接。A:共頂 B:共面C:共棱 D:A+B+C17、 點(diǎn)缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動(dòng)力學(xué)過程等有關(guān)，以下點(diǎn)缺陷中屬于本征缺陷的是（D）。A：弗侖克爾缺陷 8：肖特基缺陷C：雜質(zhì)缺陷 D：A+B18、 位錯(cuò)的（A）是指在熱缺陷的作用下，位錯(cuò)在垂直滑移方向的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。A:攀移 B:攀移C:增值 D:減少19、 對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（D）。A:負(fù)離子空位 B:間隙正離子C:間隙負(fù)離子 D:A或B20、 對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言，高價(jià)正離子占據(jù)低價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有正電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（D）。A:正離子空位 B:間隙負(fù)離子C:負(fù)離子空位 D:A或B21、 形成固溶體后對(duì)晶體的性質(zhì)將產(chǎn)生影響，主要表現(xiàn)為（D）。A:穩(wěn)定晶格 B:活化晶格C:固溶強(qiáng)化 D:A+B+C22、 固溶體的特點(diǎn)是摻入外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變，但點(diǎn)陣畸變，性能變化。固溶體有有限和無限之分，其中（B）。A:結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的充要條件B:結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件C:結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件D:結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件23、 缺陷對(duì)晶體的性能有重要影響，常見的缺陷為（D）。

C:面缺陷 D:A+B+C24、 按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因，可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為（D）。A:熱缺陷 B:雜質(zhì)缺陷C:非化學(xué)計(jì)量缺陷 D:A+B+C25、 晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而增加，其變化規(guī)律是（B）。A:線性增加 B:呈指數(shù)規(guī)律增加C:無規(guī)律 D:線性減少26、 間隙式固溶體亦稱填隙式固溶體，其溶質(zhì)原子位于點(diǎn)陣的間隙中。討論形成A:雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大小C:電價(jià)因素A:雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大小C:電價(jià)因素27、位錯(cuò)的滑移是指位錯(cuò)在（A形變。A:外力C:化學(xué)力B:晶體（基質(zhì)）結(jié)構(gòu)D:A+B+C）作用下，在滑移面上的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致永久B:熱應(yīng)力D:結(jié)構(gòu)應(yīng)力28、柏格斯矢量（BurgersVector）與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱為（A ），其符號(hào)表示為（ ）。A:刃位錯(cuò)；上B:刃位錯(cuò)；VXC:螺位錯(cuò)；D:刃位錯(cuò);29、 熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。當(dāng)離子晶體生成肖特基缺陷（Schottkydefect）時(shí)，（B）。A:正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的縮小B:正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加C:正離子空位和負(fù)離子間隙是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加D:正離子間隙和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加30、 熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。生成弗侖克爾缺陷（Frenkeldefect）時(shí)，（A）。A:間隙和空位質(zhì)點(diǎn)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)B:正離子空位和負(fù)離子空位同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)C:正離子間隙和負(fù)離子間隙同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)D:正離子間隙和位錯(cuò)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)31、 位錯(cuò)的具有重要的性質(zhì)，下列說法不正確的是（C）。A:位錯(cuò)不一定是直線 B:位錯(cuò)是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界C:位錯(cuò)可以中斷于晶體內(nèi)部 D:位錯(cuò)不能中斷于晶體內(nèi)部32、位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)包括位錯(cuò)的滑移和位錯(cuò)的攀移，其中（A）。A:螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)既可滑移乂可攀移B:刃位錯(cuò)只作滑移，螺位錯(cuò)只作攀移C:螺位錯(cuò)只作攀移，刃位錯(cuò)既可滑移乂可滑移D:螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)只作攀移33、 硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度（數(shù)量）受（D）因素的影響。A:組成 B:溫度C:時(shí)間 D:A+B+C34、 當(dāng)熔體組成不變時(shí)，隨溫度升高，低聚物數(shù)量（C），粘度（）。A:降低；增加 B:不變；降低C:增加；降低 D:增加；不變35、 當(dāng)溫度不變時(shí)，熔體組成的O/Si比高，低聚物（C），粘度（）。A: 降低；增加 B: 不變；降低C: 增加；降低 D: 增加；不變36、 硅酸鹽熔體的粘度隨O/Si升高而（ B），隨溫度下降而（ ）。A:增大，降低 B:降低，增大C:增大，增大 D:降低，降低37、 由結(jié)晶化學(xué)觀點(diǎn)知，具有（A）的氧化物容易形成玻璃。A:極性共價(jià)鍵 B:離子鍵C:共價(jià)鍵 D:金屬鍵TOC\o"1-5"\h\z38、 Na2O?Al2O3*4SiO2熔體的橋氧數(shù)為（ D）。A:1 B:2C:3 D:439、 Na2O?CaO?Al2O3?SiO2玻璃的橋氧數(shù)為（B）。A:2.5 B:3C:3.5 D:440、 如果在熔體中同時(shí)引入一種以上的R2O時(shí)，粘度比等量的一種R2O高，這種現(xiàn)象為（B）。A:加和效應(yīng) B:混合堿效應(yīng)C:中和效應(yīng) D:交叉效應(yīng)41、 對(duì)普通硅酸鹽熔體，隨溫度升高，表面張力將（A）。A:降低 B:升高C:不變 D:A或B42、 熔體的組成對(duì)熔體的表面張力有很重要的影響，一般情況下，O/Si減小，表面張力將（ A）。A: 降低 B: 升高C:不變 D: A或B43、 由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變的過程是（C ）的過程。A:可逆與突變 B:不可逆與漸變C:可逆與漸變 D:不可逆與突變44、 當(dāng)組成變化時(shí)，玻璃的物理、化學(xué)性質(zhì)隨成分變化具有（C）。A:突變性 B:不變性C:連續(xù)性 D:A或B45、 熔體組成對(duì)熔體的表面張力有重要的影響，一般情況下，O/Si減小，表面張力將（A）。（A）降低（B）升高（C）不變（D）A或B46、 不同氧化物的熔點(diǎn)孔和玻璃轉(zhuǎn)變溫度Tg的比值（Tg/TM）接近（B）易形成玻璃。A:二分之一 B:三分之二C:四分之一D:C:四分之一47、 可用三T（Time-Temperature-Transformation）曲線來討論玻璃形成的動(dòng)力學(xué)條件，三丁曲線前端即鼻尖對(duì)應(yīng)析出10-6體積分?jǐn)?shù)的晶體的時(shí)間是最少的，由此可得出形成玻璃的臨界冷卻速率，通常，該臨界冷卻速率愈大，則系統(tǒng)形成玻璃（A）。A:愈困難 B:愈容易C:質(zhì)量愈好 D:質(zhì)量愈差48、 不同O/Si比對(duì)應(yīng)著一定的聚集負(fù)離子團(tuán)結(jié)構(gòu)，形成玻璃的傾向大小和熔體中負(fù)離子團(tuán)的聚合程度有關(guān)。聚合程度越低，形成玻璃（A）。A:越不容易 B:越容易C:質(zhì)量愈好 D:質(zhì)量愈差49、 當(dāng)熔體中負(fù)離子集團(tuán)以（C）的歪曲鏈狀或環(huán)狀方式存在時(shí)，對(duì)形成玻璃有利。A:低聚合 B:不聚合C:高聚合 D:A或C25、橋氧離子的平均數(shù)Y是玻璃的結(jié)構(gòu)參數(shù)，玻璃的很多性質(zhì)取決于Y值。在形成玻璃范圍內(nèi)，隨Y的增大，粘度（D），膨脹系數(shù)（）。A:增大；不變 B:降低；增大C:不變；降低 D:增大；降低50、 對(duì)于實(shí)際晶體和玻璃體，處于物體表面的質(zhì)點(diǎn)，其境遇和內(nèi)部是不同的，表面的質(zhì)點(diǎn)處于（A）的能階，所以導(dǎo)致材料呈現(xiàn)一系列特殊的性質(zhì)。A:較高 B:較低C:相同 D:A或C51、 由于固相的三維周期性在固體表面處突然中斷，表面上原子產(chǎn)生的相對(duì)于正常位置的上、下位移，稱為（B）。A:表面收縮 B:表面弛豫C:表面滑移 D:表面擴(kuò)張52、 固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說來，同一種物質(zhì)，其固體的表面能（B）液體的表面能。A:小于 B:大于C:小于等于 D:等于53、 重構(gòu)表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)（），垂直方向的層間距與體內(nèi)（A）。A:不同；相同 B:相同；相同C:相同；不同 D:不同；不同54、 粘附劑與被粘附體間相溶性（C），粘附界面的強(qiáng)度（）。A:越差；越牢固 B:越好；越差C:越好；越牢固 D:越好；不變55、 離子晶體MX在表面力作用下，極化率小的正離子應(yīng)處于穩(wěn)定的晶格位置，易極化的負(fù)離子受誘導(dǎo)極化偶極子作用而移動(dòng)，從而形成表面（C，這種重排的結(jié)果使晶體表面能量趨于穩(wěn)定。A:收縮 B:弛豫C:雙電層 D:B+C56、 表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對(duì)于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要，微裂紋長(zhǎng)度（），斷裂強(qiáng)度（A）。A:越長(zhǎng)；越低B:越長(zhǎng)；越高A:越長(zhǎng)；越低C:越短；越低D:C:越短；越低57、 界面對(duì)材料的性質(zhì)有著重要的影響，界面具有（D）的特性。A:會(huì)引起界面吸附 B:界面上原子擴(kuò)散速度較快C:對(duì)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)有阻礙作用 D:A+B+C58、 只要液體對(duì)固體的粘附功（B）液體的內(nèi)聚功，液體即可在固體表面自發(fā)展開。A:小于A:小于C:小于等于59、 當(dāng)液體對(duì)固體的潤(rùn)濕角9<90°時(shí)體與固體之間的潤(rùn)濕（C）。A:更難C:更易60、 當(dāng)液體對(duì)固體的潤(rùn)濕角9>90°時(shí)液體與固體之間的潤(rùn)濕（A）。A:更難C:更易B:大于D:等于即在潤(rùn)濕的前提下，表面粗糙化后，液B:不變D:A或B即在不潤(rùn)濕的前提下，表面粗糙化后，B:不變D:A或B61、粘附功數(shù)值的大小，標(biāo)志著固-液兩相輔展結(jié)合的牢固程度，粘附功數(shù)值（B），固-液兩相互相結(jié)合（）；相反，粘附功越小，則越易分離。A:越大；越松散 B:越大；越牢固C:越小；越牢固 D:越大；不變62、為了提高液相對(duì)固相的潤(rùn)濕性，在固"氣和液-氣界面張力不變時(shí)，必須使液-固界面張力（B）。A:降低 B:升高

C:保持不變C:保持不變D:有時(shí)升高，有時(shí)降低63、對(duì)于附著潤(rùn)濕而言，附著功表示為W=Y+Y-y，根據(jù)這一原理，（A）才能使陶瓷釉在坯體上附著牢固。A:盡量采用化學(xué)組成相近的兩相系統(tǒng)B:盡量采用化學(xué)組成不同的兩相系統(tǒng)C:采用在高溫時(shí)不發(fā)生固相反應(yīng)的兩相系統(tǒng)D:前三種方法都不行64、 將高表面張力的組分加入低表面張力的組分中去，則外加組分在表面層的濃度（C）體積內(nèi)部的濃度。A:等于 B:大于C:小于 D:A或B65、 表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對(duì)于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要，微裂紋長(zhǎng)度（A），斷裂強(qiáng)度）。A:越長(zhǎng)；越低A:越長(zhǎng)；越低B:越長(zhǎng)；越高C:越短；越低C:越短；越低D:越長(zhǎng)；不變66、吸附膜使固體表面張力（B）。66、吸附膜使固體表面張力（B）。B:減小A:B:減小C:不變D:A或C:不變粗糙度對(duì)液固相潤(rùn)濕性能的影響是：CA:固體表面越粗糙越易被潤(rùn)濕B:A:固體表面越粗糙越易被潤(rùn)濕B:固體表面越粗糙越不易被潤(rùn)濕C:不一定D:粗糙度對(duì)潤(rùn)濕性能無影響68、 下列關(guān)于晶界的說法哪種是錯(cuò)誤的。AA:晶界上原子與晶體內(nèi)部的原子是不同的B:晶界上原子的堆積較晶體內(nèi)部疏松C:晶界是原子、空位快速擴(kuò)散的主要通道D:晶界易受腐蝕69、 相平衡是指在多相體系中，物質(zhì)在各相間分布的平衡。相平衡時(shí)，各相的組成及數(shù)量均不會(huì)隨時(shí)間而改變，是（C）。A:絕對(duì)平衡 B:靜態(tài)平衡C:動(dòng)態(tài)平衡 D:暫時(shí)平衡70、 二元凝聚系統(tǒng)平衡共存的相數(shù)最多為3,而最大的自由度數(shù)為（A）。A:2 B:3C:4 D:571、熱分析法是相平衡的研究方法之一，其原理是根據(jù)系統(tǒng)在冷卻過程中溫度隨時(shí)間的變化情況來判斷系統(tǒng)中是否發(fā)生了相變化，該方法的特點(diǎn)是（D）。A:簡(jiǎn)便A:簡(jiǎn)便C:能確定相變前后的物相72、 淬冷法是相平衡的研究的動(dòng)態(tài)方法，A:準(zhǔn)確度高C:適用于相變速度快的系統(tǒng)73、 可逆多晶轉(zhuǎn)變是一種同質(zhì)多晶現(xiàn)象，A:低于C:等于B:測(cè)得相變溫度僅是一個(gè)近似值D:A+B其特點(diǎn)是（D）。B:適用于相變速度慢的系統(tǒng)D:A+B多晶轉(zhuǎn)變溫度（A）兩種晶型的熔點(diǎn)。B:高于D:A或B74、 不可逆多晶轉(zhuǎn)變的多晶轉(zhuǎn)變溫度（B種晶型的熔點(diǎn)。A:低于 B:高于C:等于 D:A或B75、 在熱力學(xué)上，每一個(gè)穩(wěn)定相有一個(gè)穩(wěn)定存在的溫度范圍，超過這個(gè)范圍就變成介穩(wěn)相。在一定溫度下，穩(wěn)定相具有（C）的蒸汽壓。A:最高 B:與介穩(wěn)相相等C:最低 D:A或B76、 多晶轉(zhuǎn)變中存在階段轉(zhuǎn)變定律，系統(tǒng)由介穩(wěn)狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定態(tài)不是直接完成的，而是依次經(jīng)過中間的介穩(wěn)狀態(tài)，最后變?yōu)樵摐囟认碌姆€(wěn)定狀態(tài)。最終存在的晶相由（D）決定。A:轉(zhuǎn)變速度 B:冷卻速度C:成型速度 D:A與B77、 二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，相界線上的自由度為（C）。A:3 B:2C:1 D:078、 根據(jù)杠杠規(guī)則，在二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，如果一個(gè)總質(zhì)量為M的相分解為質(zhì)量^和G/勺兩個(gè)相，則生成兩個(gè)相的質(zhì)量與原始相的組成到兩個(gè)新生相的組成點(diǎn)之間線段（B。A:成正比 B:成反比C:相等 D:A或C79、 三元相圖中，相界線上的自由度為（C）。A:3 B:2D:0C:D:080、 固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特點(diǎn)為：（D）。A:需要較高溫度 B:各向同性C:各向異性 D:A+C81、 在離子型材料中，影響擴(kuò)散的缺陷來自兩個(gè)方面：熱缺陷與不等價(jià)置換產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷，后者引起的擴(kuò)散為（ C）。A：互擴(kuò)散 B：無序擴(kuò)散C：非本征擴(kuò)散 D：本征擴(kuò)散82、 固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特點(diǎn)為：DA:需要較高溫度 B:各向同性C:各向異性 D:A+C83、 擴(kuò)散之所以能進(jìn)行，在本質(zhì)上是由于體系內(nèi)存在（A）。A:化學(xué)位梯度 B:濃度梯度C:溫度梯度 D:壓力梯度84、 固溶體的類型及溶質(zhì)的尺寸對(duì)溶質(zhì)擴(kuò)散的活化能有較大影響。則H、C、Cr在Y-Fe中擴(kuò)散的活化能的大小順序?yàn)椋˙）。A:QH>QC>QCr B:QCr>QC>QhC:QC>QH>QCr D:Q/Qh>Qc85、 晶體的表面擴(kuò)散系數(shù)D、界面擴(kuò)散系數(shù)。和體積擴(kuò)散系數(shù)Db之間存在（A）的關(guān)系。 ’ g "A:D>D>D B:D<D<Dsgb bgsC:D>D>Db D:D<D<Db86、 在離子型材料中，影響擴(kuò)散的缺陷來自兩個(gè)方面：熱缺陷和摻雜點(diǎn)缺陷。由它們引起的擴(kuò)散分別稱為（B）。A:自擴(kuò)散和互擴(kuò)散 B:本征擴(kuò)散和非本征擴(kuò)散C:無序擴(kuò)散和有序擴(kuò)散 D:穩(wěn)定擴(kuò)散和不穩(wěn)定擴(kuò)散87、 穩(wěn)定擴(kuò)散（穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散）是指在垂直擴(kuò)散方向的任一平面上，單位時(shí)間內(nèi)通過該平面單位面積的粒子數(shù)（B）。A:隨時(shí)間而變化 B:不隨時(shí)間而變化C:隨位置而變化 D:A或B88、 不穩(wěn)定擴(kuò)散（不穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散）是指擴(kuò)散物質(zhì)在擴(kuò)散介質(zhì)中濃度隨（A）。A:隨時(shí)間和位置而變化 B:不隨時(shí)間和位置而變化C:只隨位置而變化 D:只隨時(shí)間而變化89、 菲克（Fick）第一定律指出，擴(kuò)散通量與濃度梯度成正比，擴(kuò)散方向與濃度梯度方向（C）。A:相同 B:無關(guān)C:相反D:C:相反90、由于處于晶格位置和間隙位置的粒子勢(shì)能的不同，在易位擴(kuò)散、間隙擴(kuò)散和空位擴(kuò)散三種機(jī)制中，其擴(kuò)散活化能的大小為（C）。A:易位擴(kuò)散二間隙擴(kuò)散＞空位擴(kuò)散C:易位擴(kuò)散〉間隙擴(kuò)散〉空位擴(kuò)散一般晶體中的擴(kuò)散為（D）。A:空位擴(kuò)散C:易位擴(kuò)散由肖特基缺陷引起的擴(kuò)散為（AA:本征擴(kuò)散C:正擴(kuò)散B:易位擴(kuò)散〉間隙擴(kuò)散二空位擴(kuò)散D:易位擴(kuò)散〈間隙擴(kuò)散〈空位擴(kuò)散91、92、B:間隙擴(kuò)散D:A和BB:非本征擴(kuò)散D:負(fù)擴(kuò)散空