無機材料科學基礎(chǔ)題庫

選擇題NaCl型結(jié)構(gòu)中，Cl-按立方最緊密方式堆積，Na+充填于（B）之中。A、全部四面體空隙 B、全部八面體空隙 C、1/2四面體空隙 D、1/2八面體空隙在析晶過程中，若T較大，則獲得的晶粒為（A）A、數(shù)目多而尺寸小的細晶B、數(shù)目少而尺寸大的粗晶 C、數(shù)目多且尺寸大的粗晶。、數(shù)目少且尺寸小的細晶在熔體中加入網(wǎng)絡(luò)變性體會使得熔體的析晶能力（c）：a.不變b.減弱 c.增大在燒結(jié)過程的傳質(zhì)方式中，不會使坯體致密的是（a）a.擴散傳質(zhì)b.溶解-沉淀傳質(zhì) c.蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì) d.流動傳質(zhì)過冷度愈大，臨界晶核半徑（c）相應的相變（e）a.不變b.愈大c.愈小d.愈難進行e.愈易進行f.不受影響從防止二次再結(jié)晶的角度考慮，起始粒徑必須（c）a.細b.粗c.細而均勻 d.粗但均勻根據(jù)晶界兩邊原子排列的連貫性來劃分，在多晶體材料中主要是（B）入、共格晶界8、非共格晶界 命半共格晶界玻璃結(jié)構(gòu)參數(shù)中的Z一般是已知的，請問硼酸鹽玻璃的Z=（B）A、2 B、3 C、4 D、5石英晶體結(jié)構(gòu)屬于（d）a.島狀結(jié)構(gòu)b.鏈狀結(jié)構(gòu) c.層狀結(jié)構(gòu) d.架狀結(jié)構(gòu)在離子型化合物中，晶粒內(nèi)部擴散系數(shù)"，晶界區(qū)域擴散系數(shù)Dg和表面區(qū)域擴散系數(shù)。三者中（C）最大sA、Db B、Dg C、Ds系統(tǒng)CaO+Si?r2CaOSiO+CaOSiQ+3CaO2SiQ中的獨立組分數(shù)為（d）a.5 b.4 c.3 d.2熔體系統(tǒng)中組成越簡單，則熔體析晶（B）A、不受影響 B、越容易 C、越難過冷度越大，相應的成核位壘（b）,臨界晶核半徑（b）,析晶能力（a）a.越大 b.越小 c.不變下列選項中不屬于馬氏體相變的特征的是（B）A、相變后存在習性平面 B、屬擴散型相變 C、新相與母相間有嚴格的取向關(guān)系D、在一個溫度范圍內(nèi)進行 E、速度很快顆粒不同部位的空位濃度存在差異，下列區(qū)域中（b）處的空位濃度最大A、晶粒內(nèi)部 B、頸部表面張應力區(qū) C、受壓應力的顆粒接觸中心塑性泥團中顆粒之間最主要的吸力為（B）A、范德華力 B、毛細管力 C、局部邊-面靜電引力CaTiO3（鈦酸鈣）型結(jié)構(gòu)中，Ca2+和02-共同組成立方緊密堆積，Ca2+占據(jù)立方面心的角頂位置，02-占據(jù)立方面心的面心位置，Ti4+充填于（d）之間。a.全部八面體空隙b.1/8四面體空隙c.1/2八面體空隙d.1/4八面體空隙在下列幾類晶體中，形成間隙型固溶體的難易次序（由易到難）是（B）。A、NaCl>TiO2>CaF2 B>CaF2>TiO2>NaCl C>CaF2>NaCl>TiO2一晶面在三晶軸上的截距分別為3a，3b，2c，該晶面的晶面指數(shù)為（d）(332)b.(112)c.(321)d.(223)從防止二次再結(jié)晶的角度考慮，起始原料的粒徑應當（a）a.細而均勻 b.粗而均勻 c.細而不均勻 d.粗而不均勻下列質(zhì)點遷移微觀機構(gòu)中，（B）最適用于置換型固溶體的擴散。A、易位機構(gòu) B、空位機構(gòu) C、亞間隙機構(gòu)D、間隙機構(gòu)在晶粒生長過程中晶界（a）a.向凸面曲率中心移動b.背離凸面曲率中心移動 c.不移動當O/Si比趨近于2時，LiO-SiO、NaO-SiO、KO-SiO三種熔體的粘度大小TOC\o"1-5"\h\z2 2 2 2 2 2次序為（a）a.LiO-SiO<NaO-SiO<KO-SiOb.KO-SiO<NaO-SiO<LiO-SiO2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2c.LiO-SiO<KO-SiO<NaO-SiOd.NaO-SiO<LiO-SiO<KO-SiO2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2劃分單位平行六面體時，在滿足對稱性關(guān)系之后應考慮（B）A、體積最小 B、棱間直角關(guān)系最多 C、結(jié)點間距最小根據(jù)開爾文方程，固體顆粒越小，其熔化溫度（A）A、越低 B、越高 C、不變?nèi)粲幸粋€變價金屬氧化物XO,在還原氣氛下形成陰離子缺位型非化學計量化合物，金屬元素X和氧原子數(shù)之比為X：O=1.1：1，則其化學式應為（c）a.X11O b.XO?！眂.XO091 d.XO^KO.AlO.4SiO-SiO系統(tǒng)的獨立組分數(shù)為（c）2 23 2 2a.4 b.3 c.2 d.1一晶面的晶面指數(shù)為（220），則其與c軸的關(guān)系為（B）A、垂直 B、平行 C、相交（非90°）若有n個等大球體作最緊密堆積，就必有（a）個八面體空隙。a.b.2n個c.3na.b.2n個c.3n個d.4n個30.燒結(jié)過程中，30.燒結(jié)過程中，只改變氣孔形狀不引起坯體致密化的傳質(zhì)方式是（C）A、擴散傳質(zhì)B、流動傳質(zhì)A、擴散傳質(zhì)B、流動傳質(zhì)C、蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì)D、溶解-沉淀傳質(zhì)31.當31.當0/Si比趨近于4時，Li0-Si02、Na20-Si02、K20-Si02三種熔體的粘度大小次序為（）a.Li0-Si0<Na0-Si0<K0-Si02 2 2 2 2 2b.K20-Si02<Na20-Si0<Li0-Si0c.Li0-Si0<K0-Si0<Na0-Si02 2 2 2 2 2d.Na20-Si02<Li20-Si02次序為（）a.Li0-Si0<Na0-Si0<K0-Si02 2 2 2 2 2b.K20-Si02<Na20-Si0<Li0-Si0c.Li0-Si0<K0-Si0<Na0-Si02 2 2 2 2 2d.Na20-Si02<Li20-Si02<K20-Si0232.右圖為具有L22P對稱的一個平面點陣，現(xiàn)要選取平面點陣的基本單位，圖中給出了六種可能的劃分方此L22P式，22 2若根據(jù)劃分平行六面體的原則中第一條進行選取，被排的有（def）a.b.2c.d.4e.5f.633.下列選項中不屬于晶體的基本性質(zhì)的是（B）A、最小內(nèi)能性B、各向同性C、A、最小內(nèi)能性B、各向同性C、對稱性D、自限性34.根據(jù)開爾文方程，固體顆粒越小，其溶解度（a）a.越小b.越大c.a.越小b.越大c.不變?nèi)粲幸粋€變價金屬氧化物XO,在氧化氣氛下形成陽離子空位型非化學計量化合物，金屬元素X和氧原子數(shù)之比為X：0=1：1.1,則其化學式應為（）a.X011b.X°a.X011b.X°900c.X0.910d.X110從工藝的角度考慮，下列選項中不是造成二次再結(jié)晶的原因的是（B）A、原始粒度不均勻 B、A、原始粒度不均勻 B、燒結(jié)溫度過低C、燒結(jié)速率太快D、坯體成型壓力不均勻37、二元化合物AmBn若正離子的配位數(shù)為6，負離子的配位數(shù)為（B）A、m/nB、6m/nA、m/nB、6m/nC、n/mD、n/6m38、下列礦物中，屬于架狀結(jié)構(gòu)的是（A、Mg2[SiO4]B、CaMg[SiO]2A、Mg2[SiO4]B、CaMg[SiO]22 411C、Be3Al2[Si6O18]D、Ca[Al2Si2O8]39、在氧化氣氛下，F(xiàn)eO形成非化學計量化合物，鐵空位濃度與氧分壓關(guān)系為A、1/6B、A、1/6B、 -1/6C、1/4D、 -1/440、在1850°C，15mol%CaO的添加到ZrO2中，形成的固溶體的化學式為（C）A、ZrA、Zr0.925Ca0.15O2B、Z%85C%3O2C、Zr0.85Ca°.15O1.8541、2NaO?CaO?AlO?2SiO的玻璃中，結(jié)構(gòu)參數(shù)Y(C2 23 2A、2.25B、2.5C、3D、3.5A、2.25B、2.5C、3D、3.542、O2-在UO2晶體中的擴散機制為（B）A、空位BA、空位B、間隙C、易位43、刃位錯位錯線與柏格斯矢量關(guān)系（B）A、平行BA、平行B、垂直C、相交44、離子晶體中的空位擴散，擴散活化能隨材料的熔點升高A、增加B、減小C、不變45、為提高陶瓷坯釉的附著力，應降低（A、C）A、SLA、SLB、SVC、LV46、P42晶系屬于（A、三方B、A、三方B、四方C、立方D、正交47、Pm3m晶系屬于（C）A、三方B、四方C、立方D、正交下列晶體結(jié)構(gòu)缺陷中缺陷濃度主要受氣氛分壓影響的是（C）入、肖特基缺陷B、入、肖特基缺陷B、弗倫克爾缺陷C、非化學計量化合物 d.固溶體下列質(zhì)點遷移微觀機構(gòu)中，（b）最適用于置換型固溶體的擴散間隙機構(gòu)b.空位機構(gòu)c.亞間隙機構(gòu)化合物 d.固溶體下列質(zhì)點遷移微觀機構(gòu)中，（b）最適用于置換型固溶體的擴散間隙機構(gòu)b.空位機構(gòu)c.亞間隙機構(gòu)右圖為具有L44P對稱的一個平面點陣，現(xiàn)要選取此平面點陣的基本單位，圖中給出了六種可能的劃分方式，若根據(jù)劃分平行六面體的原則中第一條進行選取，不被排除的有（d,e）a.1 b.2 c.3 d.4在晶粒生長過程中晶界（a）a.向凸面曲率中心移動b.背離凸面曲率中心移動KO.AlO.4SiO-SiO系統(tǒng)的獨立組分數(shù)為（C）2 23 2 2A、4 B、3 C、2d.易位機構(gòu)L44Pe.5 f.6c.不移動D、1在析晶過程中，若AT較大，則獲得的晶粒為（a）a.數(shù)目多而尺寸小的細晶b.數(shù)目少而尺寸大的粗晶c.數(shù)目多且尺寸大的粗晶d.數(shù)目少且尺寸小的細晶目前常用Ygb晶界能和Ysv表面能之比值來衡量燒結(jié)的難易，若材料Ygb/Ysv越大，則（a）a.愈容易燒結(jié)b.對燒結(jié)無影響 c.愈難燒結(jié)伯格斯矢量與位錯線垂直的位錯稱為（b）a.螺型位錯刃型位錯a.螺型位錯刃型位錯混合位錯在熔體中加入網(wǎng)絡(luò)變性體會使得熔體的析晶能力（c）：a.不變b.減弱 c.增大塑性泥團中顆粒之間最主要的吸引力為（c）a.范德華力 b.靜電引力 c.毛細管力在7個晶系中，晶體幾何常數(shù)為：a=b=c,a=8=Y^90°的是（c）a.六方晶系b.四方晶系c.三方晶系d.正交晶系NaCl型結(jié)構(gòu)中，Cl-按立方最緊密方式堆積，Na+充填于（b）之中a.全部四面體空隙b.全部八面體空隙 c.1/2四面體空隙 d.1/2八面體空隙下列質(zhì)點遷移微觀機構(gòu)中，（a）最適用于間隙型固溶體的擴散a.間隙機構(gòu)b.空位機構(gòu)c.亞間隙機構(gòu) d.易位機構(gòu)劃分單位平行六面體時，在滿足對稱性關(guān)系之后應考慮（b）a.體積最小b.棱間直角關(guān)系最多c.結(jié)點間距最小在燒結(jié)過程中，只改變氣孔形狀不引起坯體收縮的傳質(zhì)方式是（c）a.擴散傳質(zhì) b.溶解一沉淀傳質(zhì)c.蒸發(fā)一凝聚傳質(zhì)d.流動傳質(zhì)過冷度越大，相應的成核位壘（b），臨界晶核半徑（b），析晶能力（a）a.越大 b.越小 c.不變在離子型化合物中晶粒內(nèi)部擴散系數(shù)Db，晶界區(qū)域擴散系數(shù)Dg和表面區(qū)域擴散系數(shù)Ds之間的關(guān)系應為（b）。a.Db>D>D b.D>D>Db c.D>D>q均勻成核與非均勻成核相比（b）更容易進行？a.均勻成核 b.非均勻成核 c.二者一樣在晶體中形成空位的同時乂產(chǎn)生間隙原子，這樣的缺陷稱為（b）a.肖特基缺陷 b.弗倫克爾缺陷 c.間隙缺陷在質(zhì)點遷移的空位機構(gòu)中，當溫度較高時以（b）為主a.非本征擴散 b.本征擴散 c.非化學計量空位擴散過冷度愈大，臨界晶核半徑（c）相應地相變（e）a.不變b.愈大c.愈小d.愈難進行e.愈易進行 f.不受影響若有一個變價金屬氧化物XO,在還原氣氛下形成陰離子缺位型非化學計量化合物，金屬元素X和氧原子數(shù)之比為X：0=1.2：1,則其化學式應為（b）a.X12O b.X0083 c.X009i d.XO12立方結(jié)構(gòu)的（112）與（113）晶面同屬于（a ）晶帶軸。a.[110] b.[111] c.[211]下列關(guān)于電動電位的描述錯誤的是（b）由一價陽離子飽和的粘土其Z-電位大于由三價陽離子飽和的同種粘土對于同價陽離子飽和的粘土而言，隨著離子半徑增大Z-電位增大由同種陽離子飽和的粘土，隨著離子濃度增大Z-電位減小菲克第一定律描述了穩(wěn)態(tài)擴散的特征，即擴散物質(zhì)的濃度不隨（b）變化。a.距離 b.時間 c.溫度劃分單位平行六面體時，在滿足對稱性關(guān)系之后應考慮（b）a.體積最小 b.棱間直角關(guān)系最多 c.結(jié)點間距最

在硅酸鹽熔體中，當R=O/Si減小時，相應熔體組成和性質(zhì)的變化是：非橋氧百分數(shù)（b），熔體粘度（a），熔體析晶傾向（b）a.增大 b.減小 c.不變下列質(zhì)點遷移微觀機構(gòu)中，（b）最適用于置換型固溶體的擴散a.間隙機構(gòu)b.空位機構(gòu)c.亞間隙機構(gòu)d.易位機構(gòu)晶核生長速率u與溫度的關(guān)系為（C）A、隨溫度的升高而增大 B、隨溫度的升高而減小C、隨溫度的升高先增大后減小 D、隨溫度的升高先減小后增大在燒結(jié)過程中不會引起坯體致密化的傳質(zhì)方式是（d）a.溶解-沉淀傳質(zhì) b.擴散傳質(zhì) c.流動傳質(zhì) d.蒸發(fā)-凝聚傳晶體結(jié)構(gòu)中所存在的一切對稱要素的集合稱為（c）L44Pd.平要選能的一條a.L44Pd.平要選能的一條右圖為具有L44P對稱的一個平面點陣，現(xiàn)取此平面點陣的基本單位，圖中給出了六種可劃分方式，若根據(jù)劃分平行六面體的原則中第進行選取，不被排除的有（a,b）a.1 a.1 b.2 c.3 d.4 e.5f.6同價陽離子飽和的粘土，其Z-電位隨著離子半徑增大而（b）a.增大 b.減小 c.不變Si:O趨近于1/2時硅酸鹽晶體的結(jié)構(gòu)類型為（d）a.島狀b.鏈狀c.層狀d.架狀玻璃結(jié)構(gòu)參數(shù)中的z一般是已知的，其中硼酸鹽玻璃的z=（b）a.2 b.3 c.4 d.5在晶粒生長過程中晶界（c）a.不移動b.背離凸面曲率中心移動 c.向凸面曲率中心移動塑性泥團中顆粒之間最主要的吸引力為（c）a.范德華力 b.靜電引力 c.毛細管力在晶核形成過程中，臨界晶核半徑愈大，則相變（c）a.愈易進行 b.不受影響c.愈難進行NaO.AlO.4SiO-SiO系統(tǒng)的獨立組分數(shù)為（c）2 23 2 2a.4 b.3 c.2 d.1立方晶體中的［001］方向是（b）a. 二次對稱軸 b.四次對稱軸 c.六次對稱軸粘土顆粒周圍存在附著定向的水分子層和水化陽離子，這部分水稱為（b）a.結(jié)構(gòu)水 b.結(jié)合水 c.自由水宏觀晶體中所有對稱要素的集合稱為（a）a.空間群 b.平移群 c.點群在置換型固溶體中，原子擴散的方式一般為（c）a.原子互換機制 b.間隙機制 c.空位機制a-石英與a-方石英之間的晶型轉(zhuǎn)變屬于（a）a.重建型相變 b.位移型相變c.擴散型相變1、極化會對晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（B）過渡，最終使晶體結(jié)構(gòu)類型發(fā)生變化。A:共價鍵向離子鍵 B:離子鍵向共價鍵C:金屬鍵向共價鍵 D:鍵金屬向離子鍵2、 離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負離子間的距離（B），離子TOC\o"1-5"\h\z配位數(shù)（ ）。A:增大，降低 B:減小，降低C:減小，增大 D:增大，增大3、 氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是（C）。A:5 B:6C:4 D:34、 NaCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為4,Na+填充在Cl-所構(gòu)成的（B）空隙中。A:全部四面體 B:全部八面體C:1/2四面體 D:1/2八面體5、 CsCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為1，Cs+填充在Cl-所構(gòu)成的（C）空隙中。A:全部四面體 B:全部八面體C:全部立方體 D:1/2八面體6、 MgO晶體屬NaCl型結(jié)構(gòu)，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子組成，其一個單位晶胞中有（B）個MgO分子。A:2 B:4C:6 D:87、 螢石晶體可以看作是Ca2+作面心立方堆積，F(xiàn)-填充了（D）。A:八面體空隙的半數(shù) B:四面體空隙的半數(shù)C:全部八面體空隙 D:全部四面體空隙8、螢石晶體中Ca2+的配位數(shù)為8，F(xiàn)-配位數(shù)為（B）。A:2B:4C:6D:89、CsCl晶體中Cs+的配位數(shù)為8,ClA:2B:4C:6D:89、CsCl晶體中Cs+的配位數(shù)為8,Cl-的配位數(shù)為（D）。A:2B:410、C:6D:8硅酸鹽晶體的分類原則是（B）。A:正負離子的個數(shù)B:結(jié)構(gòu)中的硅氧比C:化學組成C:化學組成D:離子半徑11、鋯英石11、鋯英石Zr[SiO4]是（A）。A:島狀結(jié)構(gòu)B:層狀結(jié)構(gòu)C:鏈狀結(jié)構(gòu)D:架狀結(jié)構(gòu)12、硅酸鹽晶體中常有少量Si12、硅酸鹽晶體中常有少量Si4+被Al3+取代這種現(xiàn)象稱為（C）。A:同質(zhì)多晶B:有序一無序轉(zhuǎn)變A:同質(zhì)多晶B:有序一無序轉(zhuǎn)變C:同晶置換D:馬氏體轉(zhuǎn)變13.鎂橄欖石Mg2[SiO4]是（A）。13.鎂橄欖石Mg2[SiO4]是（A）。A:島狀結(jié)構(gòu)B:層狀結(jié)構(gòu)14、C:鏈狀結(jié)構(gòu)D:架狀結(jié)構(gòu)對沸石、螢石、Mg。三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序為A）。A:沸石〉螢石A:沸石〉螢石＞MgOB:沸石＞MgO＞螢石C:螢石〉沸石C:螢石〉沸石＞MgOD:螢石＞MgO＞沸石15、根據(jù)鮑林（Pauling）規(guī)則，離子晶體MX2中二價陽離子的配位數(shù)為8時，一價陰離子的配位數(shù)為（B）。15、A:2 B:4C:6 D:816、 構(gòu)成硅酸鹽晶體的基本結(jié)構(gòu)單元［SiO4］四面體，兩個相鄰的［SiO4］四面體之間只能（A）連接。A:共頂 B:共面C:共棱 D:A+B+C17、 點缺陷與材料的電學性質(zhì)、光學性質(zhì)、材料的高溫動力學過程等有關(guān)，以下點缺陷中屬于本征缺陷的是（D）。A：弗侖克爾缺陷 8：肖特基缺陷C：雜質(zhì)缺陷 D：A+B18、 位錯的（A）是指在熱缺陷的作用下，位錯在垂直滑移方向的運動，結(jié)果導致空位或間隙原子的增值或減少。A:攀移 B:攀移C:增值 D:減少19、 對于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價正離子占據(jù)高價正離子位置時，該位置帶有負電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（D）。A:負離子空位 B:間隙正離子C:間隙負離子 D:A或B20、 對于形成雜質(zhì)缺陷而言，高價正離子占據(jù)低價正離子位置時，該位置帶有正電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（D）。A:正離子空位 B:間隙負離子C:負離子空位 D:A或B21、 形成固溶體后對晶體的性質(zhì)將產(chǎn)生影響，主要表現(xiàn)為（D）。A:穩(wěn)定晶格 B:活化晶格C:固溶強化 D:A+B+C22、 固溶體的特點是摻入外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變，但點陣畸變，性能變化。固溶體有有限和無限之分，其中（B）。A:結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的充要條件B:結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件C:結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件D:結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件23、 缺陷對晶體的性能有重要影響，常見的缺陷為（D）。

C:面缺陷 D:A+B+C24、 按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因，可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為（D）。A:熱缺陷 B:雜質(zhì)缺陷C:非化學計量缺陷 D:A+B+C25、 晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而增加，其變化規(guī)律是（B）。A:線性增加 B:呈指數(shù)規(guī)律增加C:無規(guī)律 D:線性減少26、 間隙式固溶體亦稱填隙式固溶體，其溶質(zhì)原子位于點陣的間隙中。討論形成A:雜質(zhì)質(zhì)點大小C:電價因素A:雜質(zhì)質(zhì)點大小C:電價因素27、位錯的滑移是指位錯在（A形變。A:外力C:化學力B:晶體（基質(zhì)）結(jié)構(gòu)D:A+B+C）作用下，在滑移面上的運動，結(jié)果導致永久B:熱應力D:結(jié)構(gòu)應力28、柏格斯矢量（BurgersVector）與位錯線垂直的位錯稱為（A ），其符號表示為（ ）。A:刃位錯；上B:刃位錯；VXC:螺位錯；D:刃位錯;29、 熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點（原子或離子）。當離子晶體生成肖特基缺陷（Schottkydefect）時，（B）。A:正離子空位和負離子空位是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的縮小B:正離子空位和負離子空位是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加C:正離子空位和負離子間隙是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加D:正離子間隙和負離子空位是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加30、 熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點（原子或離子）。生成弗侖克爾缺陷（Frenkeldefect）時，（A）。A:間隙和空位質(zhì)點同時成對出現(xiàn)B:正離子空位和負離子空位同時成對出現(xiàn)C:正離子間隙和負離子間隙同時成對出現(xiàn)D:正離子間隙和位錯同時成對出現(xiàn)31、 位錯的具有重要的性質(zhì)，下列說法不正確的是（C）。A:位錯不一定是直線 B:位錯是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界C:位錯可以中斷于晶體內(nèi)部 D:位錯不能中斷于晶體內(nèi)部32、位錯的運動包括位錯的滑移和位錯的攀移，其中（A）。A:螺位錯只作滑移，刃位錯既可滑移乂可攀移B:刃位錯只作滑移，螺位錯只作攀移C:螺位錯只作攀移，刃位錯既可滑移乂可滑移D:螺位錯只作滑移，刃位錯只作攀移33、 硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度（數(shù)量）受（D）因素的影響。A:組成 B:溫度C:時間 D:A+B+C34、 當熔體組成不變時，隨溫度升高，低聚物數(shù)量（C），粘度（）。A:降低；增加 B:不變；降低C:增加；降低 D:增加；不變35、 當溫度不變時，熔體組成的O/Si比高，低聚物（C），粘度（）。A: 降低；增加 B: 不變；降低C: 增加；降低 D: 增加；不變36、 硅酸鹽熔體的粘度隨O/Si升高而（ B），隨溫度下降而（ ）。A:增大，降低 B:降低，增大C:增大，增大 D:降低，降低37、 由結(jié)晶化學觀點知，具有（A）的氧化物容易形成玻璃。A:極性共價鍵 B:離子鍵C:共價鍵 D:金屬鍵TOC\o"1-5"\h\z38、 Na2O?Al2O3*4SiO2熔體的橋氧數(shù)為（ D）。A:1 B:2C:3 D:439、 Na2O?CaO?Al2O3?SiO2玻璃的橋氧數(shù)為（B）。A:2.5 B:3C:3.5 D:440、 如果在熔體中同時引入一種以上的R2O時，粘度比等量的一種R2O高，這種現(xiàn)象為（B）。A:加和效應 B:混合堿效應C:中和效應 D:交叉效應41、 對普通硅酸鹽熔體，隨溫度升高，表面張力將（A）。A:降低 B:升高C:不變 D:A或B42、 熔體的組成對熔體的表面張力有很重要的影響，一般情況下，O/Si減小，表面張力將（ A）。A: 降低 B: 升高C:不變 D: A或B43、 由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變的過程是（C ）的過程。A:可逆與突變 B:不可逆與漸變C:可逆與漸變 D:不可逆與突變44、 當組成變化時，玻璃的物理、化學性質(zhì)隨成分變化具有（C）。A:突變性 B:不變性C:連續(xù)性 D:A或B45、 熔體組成對熔體的表面張力有重要的影響，一般情況下，O/Si減小，表面張力將（A）。（A）降低（B）升高（C）不變（D）A或B46、 不同氧化物的熔點孔和玻璃轉(zhuǎn)變溫度Tg的比值（Tg/TM）接近（B）易形成玻璃。A:二分之一 B:三分之二C:四分之一D:C:四分之一47、 可用三T（Time-Temperature-Transformation）曲線來討論玻璃形成的動力學條件，三丁曲線前端即鼻尖對應析出10-6體積分數(shù)的晶體的時間是最少的，由此可得出形成玻璃的臨界冷卻速率，通常，該臨界冷卻速率愈大，則系統(tǒng)形成玻璃（A）。A:愈困難 B:愈容易C:質(zhì)量愈好 D:質(zhì)量愈差48、 不同O/Si比對應著一定的聚集負離子團結(jié)構(gòu)，形成玻璃的傾向大小和熔體中負離子團的聚合程度有關(guān)。聚合程度越低，形成玻璃（A）。A:越不容易 B:越容易C:質(zhì)量愈好 D:質(zhì)量愈差49、 當熔體中負離子集團以（C）的歪曲鏈狀或環(huán)狀方式存在時，對形成玻璃有利。A:低聚合 B:不聚合C:高聚合 D:A或C25、橋氧離子的平均數(shù)Y是玻璃的結(jié)構(gòu)參數(shù)，玻璃的很多性質(zhì)取決于Y值。在形成玻璃范圍內(nèi)，隨Y的增大，粘度（D），膨脹系數(shù)（）。A:增大；不變 B:降低；增大C:不變；降低 D:增大；降低50、 對于實際晶體和玻璃體，處于物體表面的質(zhì)點，其境遇和內(nèi)部是不同的，表面的質(zhì)點處于（A）的能階，所以導致材料呈現(xiàn)一系列特殊的性質(zhì)。A:較高 B:較低C:相同 D:A或C51、 由于固相的三維周期性在固體表面處突然中斷，表面上原子產(chǎn)生的相對于正常位置的上、下位移，稱為（B）。A:表面收縮 B:表面弛豫C:表面滑移 D:表面擴張52、 固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說來，同一種物質(zhì)，其固體的表面能（B）液體的表面能。A:小于 B:大于C:小于等于 D:等于53、 重構(gòu)表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)（），垂直方向的層間距與體內(nèi)（A）。A:不同；相同 B:相同；相同C:相同；不同 D:不同；不同54、 粘附劑與被粘附體間相溶性（C），粘附界面的強度（）。A:越差；越牢固 B:越好；越差C:越好；越牢固 D:越好；不變55、 離子晶體MX在表面力作用下，極化率小的正離子應處于穩(wěn)定的晶格位置，易極化的負離子受誘導極化偶極子作用而移動，從而形成表面（C，這種重排的結(jié)果使晶體表面能量趨于穩(wěn)定。A:收縮 B:弛豫C:雙電層 D:B+C56、 表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會強烈地影響表面性質(zhì)，對于脆性材料的強度這種影響尤為重要，微裂紋長度（），斷裂強度（A）。A:越長；越低B:越長；越高A:越長；越低C:越短；越低D:C:越短；越低57、 界面對材料的性質(zhì)有著重要的影響，界面具有（D）的特性。A:會引起界面吸附 B:界面上原子擴散速度較快C:對位錯運動有阻礙作用 D:A+B+C58、 只要液體對固體的粘附功（B）液體的內(nèi)聚功，液體即可在固體表面自發(fā)展開。A:小于A:小于C:小于等于59、 當液體對固體的潤濕角9<90°時體與固體之間的潤濕（C）。A:更難C:更易60、 當液體對固體的潤濕角9>90°時液體與固體之間的潤濕（A）。A:更難C:更易B:大于D:等于即在潤濕的前提下，表面粗糙化后，液B:不變D:A或B即在不潤濕的前提下，表面粗糙化后，B:不變D:A或B61、粘附功數(shù)值的大小，標志著固-液兩相輔展結(jié)合的牢固程度，粘附功數(shù)值（B），固-液兩相互相結(jié)合（）；相反，粘附功越小，則越易分離。A:越大；越松散 B:越大；越牢固C:越??；越牢固 D:越大；不變62、為了提高液相對固相的潤濕性，在固"氣和液-氣界面張力不變時，必須使液-固界面張力（B）。A:降低 B:升高

C:保持不變C:保持不變D:有時升高，有時降低63、對于附著潤濕而言，附著功表示為W=Y+Y-y，根據(jù)這一原理，（A）才能使陶瓷釉在坯體上附著牢固。A:盡量采用化學組成相近的兩相系統(tǒng)B:盡量采用化學組成不同的兩相系統(tǒng)C:采用在高溫時不發(fā)生固相反應的兩相系統(tǒng)D:前三種方法都不行64、 將高表面張力的組分加入低表面張力的組分中去，則外加組分在表面層的濃度（C）體積內(nèi)部的濃度。A:等于 B:大于C:小于 D:A或B65、 表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會強烈地影響表面性質(zhì)，對于脆性材料的強度這種影響尤為重要，微裂紋長度（A），斷裂強度）。A:越長；越低A:越長；越低B:越長；越高C:越短；越低C:越短；越低D:越長；不變66、吸附膜使固體表面張力（B）。66、吸附膜使固體表面張力（B）。B:減小A:B:減小C:不變D:A或C:不變粗糙度對液固相潤濕性能的影響是：CA:固體表面越粗糙越易被潤濕B:A:固體表面越粗糙越易被潤濕B:固體表面越粗糙越不易被潤濕C:不一定D:粗糙度對潤濕性能無影響68、 下列關(guān)于晶界的說法哪種是錯誤的。AA:晶界上原子與晶體內(nèi)部的原子是不同的B:晶界上原子的堆積較晶體內(nèi)部疏松C:晶界是原子、空位快速擴散的主要通道D:晶界易受腐蝕69、 相平衡是指在多相體系中，物質(zhì)在各相間分布的平衡。相平衡時，各相的組成及數(shù)量均不會隨時間而改變，是（C）。A:絕對平衡 B:靜態(tài)平衡C:動態(tài)平衡 D:暫時平衡70、 二元凝聚系統(tǒng)平衡共存的相數(shù)最多為3,而最大的自由度數(shù)為（A）。A:2 B:3C:4 D:571、熱分析法是相平衡的研究方法之一，其原理是根據(jù)系統(tǒng)在冷卻過程中溫度隨時間的變化情況來判斷系統(tǒng)中是否發(fā)生了相變化，該方法的特點是（D）。A:簡便A:簡便C:能確定相變前后的物相72、 淬冷法是相平衡的研究的動態(tài)方法，A:準確度高C:適用于相變速度快的系統(tǒng)73、 可逆多晶轉(zhuǎn)變是一種同質(zhì)多晶現(xiàn)象，A:低于C:等于B:測得相變溫度僅是一個近似值D:A+B其特點是（D）。B:適用于相變速度慢的系統(tǒng)D:A+B多晶轉(zhuǎn)變溫度（A）兩種晶型的熔點。B:高于D:A或B74、 不可逆多晶轉(zhuǎn)變的多晶轉(zhuǎn)變溫度（B種晶型的熔點。A:低于 B:高于C:等于 D:A或B75、 在熱力學上，每一個穩(wěn)定相有一個穩(wěn)定存在的溫度范圍，超過這個范圍就變成介穩(wěn)相。在一定溫度下，穩(wěn)定相具有（C）的蒸汽壓。A:最高 B:與介穩(wěn)相相等C:最低 D:A或B76、 多晶轉(zhuǎn)變中存在階段轉(zhuǎn)變定律，系統(tǒng)由介穩(wěn)狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定態(tài)不是直接完成的，而是依次經(jīng)過中間的介穩(wěn)狀態(tài)，最后變?yōu)樵摐囟认碌姆€(wěn)定狀態(tài)。最終存在的晶相由（D）決定。A:轉(zhuǎn)變速度 B:冷卻速度C:成型速度 D:A與B77、 二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，相界線上的自由度為（C）。A:3 B:2C:1 D:078、 根據(jù)杠杠規(guī)則，在二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，如果一個總質(zhì)量為M的相分解為質(zhì)量^和G/勺兩個相，則生成兩個相的質(zhì)量與原始相的組成到兩個新生相的組成點之間線段（B。A:成正比 B:成反比C:相等 D:A或C79、 三元相圖中，相界線上的自由度為（C）。A:3 B:2D:0C:D:080、 固體中質(zhì)點的擴散特點為：（D）。A:需要較高溫度 B:各向同性C:各向異性 D:A+C81、 在離子型材料中，影響擴散的缺陷來自兩個方面：熱缺陷與不等價置換產(chǎn)生的點缺陷，后者引起的擴散為（ C）。A：互擴散 B：無序擴散C：非本征擴散 D：本征擴散82、 固體中質(zhì)點的擴散特點為：DA:需要較高溫度 B:各向同性C:各向異性 D:A+C83、 擴散之所以能進行，在本質(zhì)上是由于體系內(nèi)存在（A）。A:化學位梯度 B:濃度梯度C:溫度梯度 D:壓力梯度84、 固溶體的類型及溶質(zhì)的尺寸對溶質(zhì)擴散的活化能有較大影響。則H、C、Cr在Y-Fe中擴散的活化能的大小順序為（B）。A:QH>QC>QCr B:QCr>QC>QhC:QC>QH>QCr D:Q/Qh>Qc85、 晶體的表面擴散系數(shù)D、界面擴散系數(shù)。和體積擴散系數(shù)Db之間存在（A）的關(guān)系。 ’ g "A:D>D>D B:D<D<Dsgb bgsC:D>D>Db D:D<D<Db86、 在離子型材料中，影響擴散的缺陷來自兩個方面：熱缺陷和摻雜點缺陷。由它們引起的擴散分別稱為（B）。A:自擴散和互擴散 B:本征擴散和非本征擴散C:無序擴散和有序擴散 D:穩(wěn)定擴散和不穩(wěn)定擴散87、 穩(wěn)定擴散（穩(wěn)態(tài)擴散）是指在垂直擴散方向的任一平面上，單位時間內(nèi)通過該平面單位面積的粒子數(shù)（B）。A:隨時間而變化 B:不隨時間而變化C:隨位置而變化 D:A或B88、 不穩(wěn)定擴散（不穩(wěn)態(tài)擴散）是指擴散物質(zhì)在擴散介質(zhì)中濃度隨（A）。A:隨時間和位置而變化 B:不隨時間和位置而變化C:只隨位置而變化 D:只隨時間而變化89、 菲克（Fick）第一定律指出，擴散通量與濃度梯度成正比，擴散方向與濃度梯度方向（C）。A:相同 B:無關(guān)C:相反D:C:相反90、由于處于晶格位置和間隙位置的粒子勢能的不同，在易位擴散、間隙擴散和空位擴散三種機制中，其擴散活化能的大小為（C）。A:易位擴散二間隙擴散＞空位擴散C:易位擴散〉間隙擴散〉空位擴散一般晶體中的擴散為（D）。A:空位擴散C:易位擴散由肖特基缺陷引起的擴散為（AA:本征擴散C:正擴散B:易位擴散〉間隙擴散二空位擴散D:易位擴散〈間隙擴散〈空位擴散91、92、B:間隙擴散D:A和BB:非本征擴散D:負擴散空