材料化學(xué)chapter10-材料化學(xué)實驗技術(shù)課件

第十章材料化學(xué)實驗技術(shù)10.1材料合成與制備

10.1.1人工晶體的生長10.1.1.1天然晶體和人工晶體

選擇生長晶體方法所遵循的規(guī)則：是否有利于提高晶體的完整性（所以要嚴(yán)格控制晶體中雜質(zhì)和缺陷）；是否有利于提高晶體的利用率，降低成本；是否有利于晶體的加工和器件化；是否有利于晶體成長的重復(fù)性和產(chǎn)業(yè)化，如利用計算機(jī)控制晶體生長過程等。

10.1.1.2溶液法生長晶體基本原理：

將原料（溶質(zhì)）溶解在溶劑中，采取適當(dāng)?shù)拇胧┦谷芤禾幱谶^飽和狀態(tài)，使晶體在其中生長。溶液是均勻、單相的，從溶液中制備單晶材料，原子無需長程擴(kuò)散，所以該方法具有生長溫度低、粘度小、容易生長大塊的均勻良好的晶體等優(yōu)點，而且在多數(shù)的情況下）低溫溶液生長，可直接觀察晶體生長。2.蒸發(fā)法

蒸發(fā)法的基本原理是利用將溶劑不斷蒸發(fā)移去，是溶液保持過飽和狀態(tài)，從而使晶體不斷生長。這種方法比較適合于溶解度大而其溫度系數(shù)很小或具有負(fù)溫度系數(shù)的物質(zhì)。蒸發(fā)法的裝置和降溫法類似，不同的是降溫法中育晶器中蒸發(fā)的冷凝水全部回流，而蒸發(fā)法的冷凝水部分回流。降溫法通過降溫控制過飽和度，而蒸發(fā)法通過控制蒸發(fā)量來控制過飽和度。

10.1.1.3凝膠法生長晶體基本原理：

是以凝膠作為擴(kuò)散和支持介質(zhì)，使一些在溶液中進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)通過凝膠（比如硅膠）擴(kuò)散緩慢進(jìn)行，溶解度較小的反應(yīng)產(chǎn)物則在凝膠中逐漸形成晶體。該法適用于生長溶解度十分小的難溶物質(zhì)晶體。由于凝膠生長是在室溫條件下進(jìn)行的，因此對熱很敏感(如分解溫度低和熔點下有相變）的物質(zhì)的晶體生長也較為適宜。凝膠法的特點：

凝膠法生長晶體獲得成功的關(guān)鍵之一是避免過多地形成自發(fā)晶核。由于凝膠有有效抑制成核的作用，在一定程度上減少了非均相成核的可能性。存在一些值得注意的特點：①凝膠骨架柔軟多空，晶體在其中生長，有自由發(fā)育的適宜條件；②凝膠屬于靜止環(huán)境，晶體靠擴(kuò)散生長，沒有對流與湍流的影響，晶體生長完整性好；③凝膠育晶器簡單，化學(xué)試劑用量少而生長晶體的品種較多，使用性廣。助熔劑法的優(yōu)點：

第一，適用性強(qiáng)，幾乎對任何一種材料，只要找到適當(dāng)?shù)闹蹌┗蛑蹌┙M合，就能從中將其單晶生長出來；第二，降低了生長溫度，對那些難熔化合物，在熔點極易揮發(fā)、在高溫時變價或有相變的材料以及非同成分熔融化合物，助熔劑法表現(xiàn)出獨(dú)特的能力；第三，該法設(shè)備簡單，是一種很簡便的生長技術(shù)。缺點：為避免助熔劑的干擾，一般生長速率慢，周期長，晶體小。助熔劑法的基本技術(shù)：

自發(fā)結(jié)晶法、頂部籽晶法、液相外延法等。自發(fā)結(jié)晶法也稱為無籽晶緩冷法，是助熔劑生長最簡單的方法。將盛料的坩堝置于高溫爐內(nèi)加熱到飽和溫度以上并保持一定時間，使原料充分反應(yīng)、均化。保溫時間視助熔劑溶解能力和揮發(fā)特性而定。接著緩慢降低溫度，直到晶體在坩堝壁上成核，再冷卻使晶體逐漸長大。頂部籽晶法實際上是助熔劑和其他方法結(jié)合，以克服助熔劑法自發(fā)成核、晶核數(shù)目較多的缺點。

10.1.1.5氣相法生長單晶基本過程：

其設(shè)備是由一根石英玻璃管組成，一端裝有固態(tài)反應(yīng)物A，石英玻璃管在抽真空下熔封，更為常見的是充以運(yùn)輸氣體B的氣氛后加以熔封。把管子放入爐子內(nèi)加熱，使管子保持一個溫度梯度（加熱區(qū)到冷卻區(qū)維持一定的溫度差），在高溫區(qū)，物質(zhì)A和B互相反應(yīng)生成氣態(tài)物質(zhì)AB，后者運(yùn)行到低溫區(qū)時，分解沉積出晶體A。

10.1.1.6熔體中生長單晶

基本原理：

當(dāng)結(jié)晶物質(zhì)的溫度高于熔點時，它就熔化為熔體。當(dāng)熔體的溫度低于凝固點時，熔體就轉(zhuǎn)換為結(jié)晶固體。因此，晶體從熔體中生長，只涉及到固液相變的過程。熔體生長單晶首先要在熔體中引入籽晶，控制單晶成核，然后在一定溫度梯度下進(jìn)行冷卻，再用各種方式緩慢移動固液界面，使熔體逐漸凝固成晶體。

從熔體中生長晶體有許多方法，如提拉法、坩堝移動法、泡生法、熱交換法、冷坩堝法、浮區(qū)法等，最廣泛用的方法為提拉法。將一粒籽晶與熔體表面接觸，熔體的溫度維持在略高于熔點之上，當(dāng)籽晶慢慢地從熔體中拉出時，熔體在籽晶表面凝固，得到與原籽晶結(jié)晶學(xué)取向相同的棒狀晶體。為維持溫度的恒定、熔體的均勻性等，提拉時熔體和生長晶體需要往一個方向旋轉(zhuǎn)。提拉法最突出的優(yōu)點就是能以較快的速度生長質(zhì)量較高的晶體。

熔體生長與溶液生長和助熔劑生長不同之處在于前者晶體生長過程中起主要作用的不是質(zhì)量輸運(yùn)而是熱量輸運(yùn)，結(jié)晶的動力學(xué)是過冷度而不是過飽和度。熔體生長的目的是為了的到高質(zhì)量的單晶體。所以首先應(yīng)在熔體中形成單晶核，然后在晶核和熔體的交界面上不斷進(jìn)行原子或分子的重新排列而形成單晶。只有當(dāng)晶核附近熔體的溫度低于凝固點時，晶核才能繼續(xù)生長。因此界面必須處于過冷狀態(tài)，且為了避免新的晶核出現(xiàn)及生長界面的不穩(wěn)定性，過冷區(qū)應(yīng)集中在界面處狹小的范圍，而熔體其他部分處于過熱狀態(tài)。

10.1.2氣相沉積法

薄膜材料的制備則以氣相沉積法為主。根據(jù)過程主要依靠的物理過程還是化學(xué)過程，劃分為物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積?；瘜W(xué)氣相沉積是在相當(dāng)高的溫度下，混合氣體與基片表面相互作用，使混合氣體中的某些成分分解，并在基體上形成一種金屬或化合物的固態(tài)薄膜或鍍層，與物理氣相沉積不同的是沉積粒子來源于化合物的氣相分解反應(yīng)。

化學(xué)氣相沉積一般包括三個過程：①產(chǎn)生揮發(fā)物質(zhì)；②將揮發(fā)物質(zhì)輸運(yùn)到沉積區(qū)；③在基體生發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而生成固態(tài)產(chǎn)物?；瘜W(xué)氣相沉積時，將所需反應(yīng)物氣體通入反應(yīng)器內(nèi)，在基片附近進(jìn)行反應(yīng)，為基片提供反應(yīng)物。例如把真空蒸發(fā)、濺射、離子鍍、分子束外延等歸為物理氣相沉積；而把直接依靠氣體反應(yīng)或依靠等離子體放電增強(qiáng)氣體反應(yīng)稱為CVD或PCVD

10.1.2.1化學(xué)氣相沉積法

——（1)熱分解法

通常IIIA、IVA、VIA族的一些低周期元素的氫化物如CH4、SiH4、GeH4、B2H6、PH3、AsH3等都是氣態(tài)物質(zhì)，而且加熱后易分解出響應(yīng)的元素。因此很適合用與CVD技術(shù)中作為反應(yīng)氣。其中CH4、SiH4分解后直接沉積出固態(tài)的薄膜，GeH4可與SiH4混合，熱分解能得到Si-Ge合金膜。

10.1.2.1化學(xué)氣相沉積法

——（2)化學(xué)合成法

一些元素的氫化物或有機(jī)烷基化合物常常是氣態(tài)或者易于揮發(fā)的液態(tài)或固體，便于適用于CVD技術(shù)中，如果通入氧氣，在反應(yīng)器中反應(yīng)時就沉積出相應(yīng)元素的氧化物薄膜。

鹵素通常是-1價，許多鹵化物是氣態(tài)或易揮發(fā)的物質(zhì)，因此在CVD技術(shù)中廣泛將之作為反應(yīng)氣。要的到相應(yīng)的該元素薄膜就常需采用氫還原的方法。目前工業(yè)規(guī)模生產(chǎn)半導(dǎo)體級超純正硅(99.99%)的基本方法就是三氯硅烷的氫還原反應(yīng)。

在CVD技術(shù)中使用最多的反應(yīng)類型是兩種或兩種以上的反應(yīng)原料氣在沉積反應(yīng)器中相互作用合成得到所需要的無機(jī)薄膜或其他材料形式。

10.1.2.1化學(xué)氣相沉積法

——（4)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積

在低真空的條件下，利用射頻功率源使反應(yīng)前驅(qū)體裂解，產(chǎn)生等離子體，進(jìn)而發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的CVD工藝稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。由于等離子中正離子、電子和中性反應(yīng)分子相互碰撞，可以大大降低沉積溫度。

10.1.2.1化學(xué)氣相沉積法

——（5)激光誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積

采用激光來增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積也是一種常用的方法，利用激光束的能量使反應(yīng)前驅(qū)體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而分解的CVD工藝稱為激光誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積（LCVD）。

通常這一反應(yīng)發(fā)生在300oC左右的襯底表面。采用激光束平行與襯底表面，激光束與襯底表面的距離約1mm，結(jié)果處于室溫的襯底表面上就會沉積出一層光亮的鎢膜。

10.1.2.2分子束外延

——(1)基本概念

所謂“外延”就是在一定的晶體材料襯底上，沿著襯底的某個指數(shù)晶面向外延伸生長一層單晶薄膜。外延單晶薄膜在純度和性能上有可能比體單晶材料有明顯的改善，而且利用外延技術(shù)可以制造很難用其用其他方法制造的大面積或特殊材料的單晶薄膜。分子束外延（MBE)是新發(fā)展起來的外延制膜法，它精確控制原材料的中性分子細(xì)流即分子束強(qiáng)度，在超高真空系統(tǒng)中把分子束射入被加熱的底片而進(jìn)行外延生長的。

10.1.2.2分子束外延

——(2)MBE生長原理及方法MBE的生長按照動力學(xué)方式進(jìn)行。從分子束噴射出來的分子到達(dá)襯底表面時，被吸附于襯底表面，經(jīng)過在表面上的遷移、再排列等若干動力學(xué)過程，最后在適當(dāng)?shù)奈恢冕尫懦銎療?，形成晶核或嫁接到晶格結(jié)點上，形成外延薄膜?？墒且泊嬖谟捎谀芰看蠖匦路祷氐綒庀嘀械那闆r，所以在一定的溫度下。吸附與解吸是處于一個動態(tài)平衡中的。也就是說，當(dāng)分子達(dá)到襯底的速率小于襯底溫度下的在蒸發(fā)速度時，襯底上就得不到外延沉積，只有分子到達(dá)速率大于再蒸發(fā)速率時才會沉積。MBE設(shè)備有很多中，但結(jié)構(gòu)大同小異，主要是由工作室、分子束噴射源、超高真空系統(tǒng)和各種監(jiān)控儀器組成。具體組成如圖10-10所示。

GaAs薄膜的生長過程是研究分子束外延生長動力學(xué)的經(jīng)典范例,用分子束外延生長GaAs薄膜主要利用到達(dá)表面的Ga原子束和As的二聚物（As2）的分子束。As2分子首先被吸附于一個可移動的弱鍵合的預(yù)備狀態(tài)，當(dāng)吸附的As2分子在表面上移動，而遇到一對Ga的格位時As2就發(fā)生解離。當(dāng)表面上沒有自由Ga吸附原子時，As就不會發(fā)生冷凝。在襯底溫度小于330oC時，表面吸附的As2分子成對結(jié)合，以As4的形式脫附?？梢?，可以分別控制Ga爐和As爐的溫度以調(diào)整As2的到達(dá)率大于Ga的到達(dá)率，就有可能生長化學(xué)計量比的GaAs。物理吸附As2As4解吸附表面遷移As2解離，化學(xué)吸附GaAs的一種生長模型

10.1.2.2分子束外延

——(3)MBE生長特點MBE的生長過程是在非熱平衡條件下完成，受片的動力學(xué)制約：分子束外延過程是在超真空中進(jìn)行，而且襯底與分子束源較遠(yuǎn)，這樣才能保證分子束有較大的平均自由程，從而按照設(shè)計的路線射到襯底表面，對精細(xì)控制生長過程，保證薄膜質(zhì)量是必須的條件。另一個特點是外延薄膜生長速率可以很低的控制，這樣不僅有利于獲得原子級厚度和平整度的外延膜。而且厚度可以精確控制。

MBE的襯底溫度一般較低，因此降低了界面上熱膨脹引起的晶格失配效應(yīng)和襯底雜質(zhì)向外延層中的擴(kuò)散。所以MBE外延層界面清晰，可以形成界面處突變的超精細(xì)的結(jié)構(gòu)MBE生長是一個動力學(xué)過程，可以用來生長按照普通熱平衡生長方法難以生長的薄膜。

10.1.3燃燒合成

燃燒合成，又稱自蔓延高溫合成（SHS），是利用反應(yīng)物之間高的化學(xué)反應(yīng)熱的自加熱和自傳導(dǎo)作用來合成材料的一種技術(shù)，反應(yīng)物一旦被引燃，便會自動向未反應(yīng)的區(qū)域傳播，直至反應(yīng)完全，最終合成所需的材料。SHS區(qū)別與通常的燃燒反應(yīng)，制備的材料在冷卻后都能變成有利用價值的固態(tài)物質(zhì)-主要是氮化物、硼化物、氮化物和硅化物等難熔化合物。SHS的優(yōu)點：節(jié)能省時，反應(yīng)物一旦被點燃就不需要外界提供能量，因此耗能少，而且反應(yīng)速度快，設(shè)備簡單；反應(yīng)過程中燃燒波前沿的溫度極高，可蒸發(fā)掉揮發(fā)物質(zhì)，所以產(chǎn)物純度高；升溫和冷卻速度很快，容易形成高濃度和非平衡結(jié)構(gòu)，生成高活性的亞穩(wěn)態(tài)產(chǎn)物。

10.1.4高壓合成技術(shù)

高壓合成，就是利用外加的高壓力，是物質(zhì)產(chǎn)生多型相變或發(fā)生不同物質(zhì)之間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。在高壓作用下，反應(yīng)速率和產(chǎn)物的轉(zhuǎn)化率有所提高，合成溫度可以下降，合成時間大大縮短。且可以使常壓高溫方法難以合成的化合物順利合成。高壓能增加物質(zhì)的密度、對稱性、配位數(shù)，使化學(xué)鍵鍵長有縮短的傾向。另外，高壓合成也能比較容易獲得單相物質(zhì)，還可以提高結(jié)晶度。高壓也可以合成某些常溫常壓下不穩(wěn)定的物質(zhì)。

10.1.5水熱法

水熱法是指在密閉體系中，以水為溶劑，在一定溫度和水的自身壓強(qiáng)下，原始混合物進(jìn)行反應(yīng)制備微粉的方法。工業(yè)化批量生長水晶及采用這種方法。晶體生長在特制的高壓釜內(nèi)進(jìn)行，晶體原料放在高壓釜底部，釜內(nèi)添加溶劑。加熱后上下部溶液間有一定的溫差從而產(chǎn)生對流，將底部的高溫飽和溶液帶至低溫的籽晶區(qū)，形成過飽和而結(jié)晶。通過水熱反應(yīng)可以完成某些有機(jī)反應(yīng)，或?qū)σ恍┪：θ祟惿姝h(huán)境的有機(jī)廢氣物進(jìn)行處理，以及在相對較低的溫度下完成某些陶瓷材料的燒結(jié)。

在水熱條件，即高溫高壓條件下，許多不溶于水的物質(zhì)變成可溶，水在此起兩個作用，一是液態(tài)或氣態(tài)水是傳遞壓力的媒體；二是高壓下絕大多數(shù)反應(yīng)物均能部分地溶解在水中，進(jìn)而能使反應(yīng)在液相或氣相下進(jìn)行。水處于超臨界狀態(tài)時，物質(zhì)在水中的物性和化學(xué)反應(yīng)性能均發(fā)生很大改變，在常溫常壓下受動力學(xué)影響進(jìn)行緩慢的反應(yīng)，在水熱條件下變得可性。水熱法特別適用于合成一些高溫下不穩(wěn)定相。同時也是生長單晶的有效方法。反應(yīng)分類實例水熱合成法KF+CoCl2+H2O→KCoF3水熱單晶生長法SiO2、ZnO等單晶培養(yǎng)水熱處理法從含氟金云母中除去玻璃相水熱提取法水熱處理含鉻鐵礦石，鉻以可溶鹽的形式提取水熱分解法水熱氧化法3Fe(粉)+4H2O→Fe3O4+4H2水熱熱壓法含硼放射性廢氣物與玻璃相混，水熱熱壓固化成型，深埋地下

10.1.5水熱反應(yīng)分類

水熱合成有一定的局限性。衍生發(fā)展了溶劑熱反應(yīng)。用乙醇、甲醇、苯這類非水溶劑來代替水作為溶劑，通過溶劑熱反應(yīng)，可制備大量前驅(qū)體對水敏感的的納米晶化合物。溶劑熱反應(yīng)與水熱反應(yīng)的不同點是使用的溶劑為有機(jī)溶劑，與其制備路線相比，溶劑熱反應(yīng)的顯著特點是反應(yīng)條件非常溫和，可以穩(wěn)定壓穩(wěn)物相、制備新物質(zhì)、發(fā)展新的制備路線等。水熱和溶劑熱反應(yīng)研究物質(zhì)在高溫和密封或高壓條件下溶液中的化學(xué)行為與規(guī)律的化學(xué)分支。因為合成反應(yīng)在高溫和高壓的條件下進(jìn)行，所以對其合成化學(xué)體系有特殊的技術(shù)要求。

10.1.6溶膠-凝膠法

基本原理：如果在膠體體系中引入電解質(zhì)或者使用兩種帶相反電荷的膠體溶液相互作用，動力學(xué)穩(wěn)定性將立即受到破壞，膠體溶液就會發(fā)生聚沉，形成凝膠。利用上述原理制備無機(jī)材料的方法稱為溶膠-凝膠法。它是典型的軟化學(xué)合成路線，它將無機(jī)物或金屬醇鹽經(jīng)過溶液、溶膠、凝膠而固化，在經(jīng)熱處理而生成氧化物或其他化合物固體，所制備的材料具有化學(xué)純度高、均勻性好等特點，能代替共沉淀法制備陶瓷、玻璃、涂料等多種固體材料。

溶膠-凝膠法在傳統(tǒng)方法難以制備的復(fù)合氧化物材料。高臨界溫度（Tc）氧化物超導(dǎo)材料的合成中均得到成功的應(yīng)用。如制備YBa2Cu3O1-δ氧化物膜的制備：

其中的化學(xué)問題是反應(yīng)物分子（或離子）母體在水溶液中進(jìn)行水解和聚合，由分子態(tài)→聚合態(tài)→溶膠→凝膠→晶態(tài)（或非晶態(tài)）所以容易獲得需要的均相多組分體系，并且能在較溫和的條件下進(jìn)行合成。同傳統(tǒng)的固相反應(yīng)合成及固相燒結(jié)法比較，溶膠-凝膠法的優(yōu)點：反應(yīng)過程及凝膠的微觀結(jié)構(gòu)都較易控制，大大減少了副反應(yīng)，進(jìn)而提高了轉(zhuǎn)換率，及提高生產(chǎn)效率。產(chǎn)品的均勻性好，尤其是多組分制品，其均勻度可達(dá)到分子或原子尺度，產(chǎn)品純度高。但不足之處是原料成本較高，制備周期較長。對材料合成及燒結(jié)所需的溫度大幅度降低。它在低溫和較溫和的條件形成，凝膠均勻、穩(wěn)定、分散性好。且反應(yīng)過程易于控制；能與許多無機(jī)試劑及有機(jī)試劑兼容，通過各種反應(yīng)物溶液的混合，很容易獲得需要的均相多組分體系；產(chǎn)物的化學(xué)、光學(xué)、熱學(xué)及機(jī)械穩(wěn)定性好，適合在嚴(yán)酷條件下使用；從同一種原料出發(fā)，改變工藝過程即可獲得不同的產(chǎn)品如薄膜、粉料、纖維等；溶膠或凝膠的流變性質(zhì)有利于通過某種技術(shù)加工成各種形狀，或形成塊狀或涂于硅、玻璃及光纖上形成敏感膜，也可根據(jù)特殊用途制成纖維或粉末。

10.1.7等離子體合成法

根據(jù)氣體理解的程度的不同，等離子體可分：

高溫等離子體（復(fù)合是可產(chǎn)生很高的溫度，通?？蛇_(dá)幾萬到幾千萬度）和低溫等離子體（復(fù)合時可產(chǎn)生幾百到幾萬度溫度）。其中低溫等離子體可分為熱等離子體和冷等離子體等離子體產(chǎn)生的途徑：氣體放電是常用的人工等離子體的方法。此外還有微波加熱、激光加熱、高能離子轟擊等。

等離子體在材料化學(xué)方面的研究：高溫等離子主要用于金屬和合金的冶煉，用于超細(xì)、超純耐高溫材料、陶瓷材料和超導(dǎo)材料的合成，也用于亞穩(wěn)態(tài)金屬粉末和單晶的制備，如用高溫電弧法合成富勒烯。低溫的等離子體主要用于合成金剛石和各種特種材料膜如氮化硅、碳化硅等。

等離子體在無機(jī)材料合成方面的研究：就工藝方面，用的較多的有等離子體化學(xué)氣相沉積（PCVD）和等離子體化學(xué)氣相輸運(yùn)（PCVT）、反應(yīng)性濺射、磁控濺射、離子鍍等。就合成物質(zhì)的種類、結(jié)構(gòu)和性能而言，用這些新工藝可以制備各種單質(zhì)、化合物，可以制成單晶、多晶、非晶；可以賦予材料光、電、聲、磁、化學(xué)等各種功能；研制成各種半導(dǎo)體材料、光學(xué)材料、磁學(xué)材料、超導(dǎo)材料、超高溫耐熱材料等。

等離子體在高分子材料合成方面的研究：等離子體聚合：是把有機(jī)單體轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài)，產(chǎn)生各種活性物種，由活性物種間或活性物種與單體間發(fā)生聚合。等離子引發(fā)聚合高分子材料的等離子表面改性：是利用非聚合性氣體的輝光放電。改變待加工材料的表面結(jié)構(gòu)，控制界面物性或進(jìn)行表面敷膜。10.2X射線衍射與電子顯微分析

1.X

射線衍射(X-RayDiffractionXRD)XRD是利用X射線在晶體中的衍射現(xiàn)象來分析材料的晶體結(jié)構(gòu)、晶胞參數(shù)、晶體缺陷（位錯等）、不同結(jié)構(gòu)相的含量及內(nèi)應(yīng)力的方法。這種方法是建立在一定晶體結(jié)構(gòu)模型基礎(chǔ)上的間接方法。即根據(jù)與樣品產(chǎn)生衍射后的X射線信號的特征去分析計算出樣品的晶體結(jié)構(gòu)與晶胞參數(shù)，并可以達(dá)到很高的精度。MSAL、XD2型粉末衍射儀高精度測角儀布萊格科技（北京）有限公司微構(gòu)分析實驗室樣品片（適用于理學(xué)衍射儀，鋁質(zhì)）粉末衍射儀及樣品片試樣圖3-34測角儀的構(gòu)造示意圖線狀X射線源S測角儀軸OS2進(jìn)入計數(shù)管