2021年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度報告

2021年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度報告

導(dǎo)語

華為、中芯等事件凸顯國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的必要性和緊迫性，

國產(chǎn)替代是國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展的最大推動力。

來源：國海證券作者：吳吉森

1、復(fù)盤半導(dǎo)體第一次跨越：估值提升主導(dǎo)，國產(chǎn)替代全面提速大方

向確立

1.1.電子板塊迎景氣周期，半導(dǎo)體漲幅遙遙領(lǐng)先

2019-2020H1電子行業(yè)板塊漲幅遠(yuǎn)超同期滬深300指數(shù)漲幅。

2019年初至2020H1,滬深300指數(shù)漲幅40.2%,電子板塊漲幅

為117.4%,遠(yuǎn)超滬深300指數(shù)漲幅，電子行業(yè)整體景氣度快速提

升。

圖1:2019年初至今電子行業(yè)價格掙數(shù)相對滬深300指數(shù)變化

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資料來源：Wind.國海證券研究所

2019-2020H1半導(dǎo)體行業(yè)漲幅領(lǐng)跑電子行業(yè)，實現(xiàn)第一次指數(shù)上的

跨越。以2019年初價格指數(shù)100為基數(shù)，對申萬一級電子行業(yè)及

申萬二級電子行業(yè)進(jìn)行統(tǒng)計分析。2019年初至2020H1,電子行業(yè)

漲幅為117.4%,其中半導(dǎo)體漲幅為226.9%,其他電子漲幅為

92.0%,元件II漲幅為101.8%,光學(xué)光電子漲幅為60.8%,電子

制造H漲幅為141.6%。

1.2、2019-2020H1半導(dǎo)體指數(shù)上行主要源于估值提升

多因素肋推國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣度持續(xù)上行，自主可控是主要驅(qū)動

力。2019年初至2020中旬半導(dǎo)體板塊大漲的主要原因為：

(1)華為、中芯等事件性影響凸顯國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的必

要性和緊迫性，國產(chǎn)替代是國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展的最大推動力；

(2)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入景氣周期，產(chǎn)業(yè)持續(xù)東移的同時國產(chǎn)化率仍較

低，國產(chǎn)化空間廣闊；

(3)國內(nèi)政策、資金持續(xù)加大力度支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

(1)華為、中芯等事件凸顯國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的必要性和

緊迫性，國產(chǎn)替代是國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展的最大推動力。2018年美國對

中興通訊發(fā)起制裁，2019-2020年間，美國多次對華為進(jìn)行制裁，

從最初的禁令名單限制到最終完全限制華為向第三方采購芯片，一系

列制裁迫使華為芯片斷供，手機業(yè)務(wù)分拆。此外，美方更進(jìn)一步升級

對中芯國際的制裁，嚴(yán)重限制了中國半導(dǎo)體先進(jìn)制程的發(fā)展，國內(nèi)半

導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控迫在眉睫。

(2)半導(dǎo)體行業(yè)景氣度持續(xù)提升，產(chǎn)能持續(xù)向中國大陸轉(zhuǎn)移。進(jìn)入

5G時代，半導(dǎo)體行業(yè)新的上行周期開啟，中國作為全球5G建設(shè)的

領(lǐng)軍企業(yè)，5G基站的建設(shè)速度全面領(lǐng)先，受益于5G鋪開，5G下

游包括醫(yī)療、汽車、工業(yè)、消費電子多個領(lǐng)域的新興應(yīng)用快速成長，

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展空間進(jìn)一步打開。

圖4:全球半導(dǎo)體銷售額持埃螺旋上升

產(chǎn)業(yè)東移帶來大量產(chǎn)業(yè)鏈配套需求。過去幾十年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈

經(jīng)歷了兩次轉(zhuǎn)移，一次是1970s,從美國轉(zhuǎn)移至日本，日本半導(dǎo)體

崛起，一度成為全球最大芯片出口國；后美國限制、干預(yù)了日本半導(dǎo)

體的發(fā)展，在1990s出現(xiàn)了第二次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，韓國三星、中國臺灣

臺積電等廠商迅速崛起；如今，隨著中國市場廣闊的半導(dǎo)體需求以及

晶圓制造產(chǎn)能的擴張，中國大陸正承接第三次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，晶圓

產(chǎn)能份額持續(xù)提升，優(yōu)質(zhì)本土企業(yè)迅速涌現(xiàn)。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)本土化率仍較低，國產(chǎn)替代空間廣闊。2015-2019年,

中國集成電路銷售額從3609.8億元增至7562.3億元，中國集成電

路進(jìn)口額從2299.28億美元增至3055.5億美元，國產(chǎn)化率從

25.21%提升至35.88%,盡管國產(chǎn)化率顯著提升，但是我國本土企

業(yè)主要集中在后段的封測環(huán)節(jié)，在關(guān)鍵的晶圓制造、IC設(shè)計、設(shè)備和

材料等領(lǐng)域，國產(chǎn)替代空間依然廣闊。

圖6:2015-2020H1年中國集成電路銷售與進(jìn)口情況

■中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入規(guī)模（億元）

■中國進(jìn)口集成電路金額（億美元）

資料來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院、中國海關(guān)、國海證券朝曲奔藕除

（3）國家政策、資金持續(xù)加大力度，支持國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。在

半導(dǎo)體行業(yè)景氣度提升以及美國制裁持續(xù)的大背景下，國內(nèi)在半導(dǎo)體

相關(guān)政策端利好不斷，具體措施包括投資補助、稅收優(yōu)惠等，為半導(dǎo)

體產(chǎn)業(yè)發(fā)展保駕護(hù)航。

國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金牽頭注資，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基本實現(xiàn)“不差錢、從

資本端投入來看，2014年國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金一期股份有限

公司成立，投資1387億元；2019年10月，國家大基金二期成

立，注冊資本2041.5億元。國家資本的投入帶動民間資本持續(xù)流入

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)“不差錢"。根據(jù)Wind數(shù)據(jù)，2019年及

2020H1半導(dǎo)體企業(yè)的IPO、可轉(zhuǎn)債、定增融資額分別達(dá)到643億

元、313億元;2020年投融資事件相比2019年近乎翻倍達(dá)到413

件。

圖8:半導(dǎo)體企業(yè)IPO、可轉(zhuǎn)債、定增融資額(億元)

資料來源：Wind、國海證券研究所系/而瑞解

半導(dǎo)體板塊指數(shù)上漲歸因分析：2019-2020H1半導(dǎo)體指數(shù)上升主要

來源于估值提升，2020Q3-2021Q1指數(shù)震蕩源于業(yè)績兌現(xiàn)與估值

的消化。股價可以拆分為歸母凈利潤和PE的乘積,我們對2019初

至今的申萬半導(dǎo)體行業(yè)PE(TTM)及歸母凈利潤(TTM)的數(shù)據(jù)進(jìn)行處

理，運用兩個因子的相對貢獻(xiàn)率進(jìn)行歸因分析，即估值(PE)因子

貢獻(xiàn)率、歸母凈利潤因子貢獻(xiàn)率相乘得出對市值上漲的貢獻(xiàn)率為

100%,若一個因子貢獻(xiàn)率大于100%則說明該段時間指數(shù)上漲更多

來源于該因子驅(qū)動，小于100%則說明該因子對指數(shù)上漲貢獻(xiàn)相對更

小，2019年至今估值因素和業(yè)績因素對股價的相對貢獻(xiàn)率對比，

2019-2020H1，估值貢獻(xiàn)率＞100%＞歸母凈利潤貢獻(xiàn)率，說明

2019-2020H1半導(dǎo)體指數(shù)上漲主要來源于估值提升而非業(yè)績上漲，

而2020Q3-2021Q1的指數(shù)震蕩則來源于業(yè)績和估值的此漲彼消，

業(yè)績是這段時間指數(shù)沒有繼續(xù)下跌的主要支撐。

1.3、2020Q3-2021Q1震蕩行情下業(yè)績和估值此漲彼消

2020Q3-2021Q1全球半導(dǎo)體景氣度持續(xù)高漲，而申萬半導(dǎo)體板塊

持續(xù)震蕩，形成鮮明反差。2020H2以來伴隨著需求的逐步恢復(fù)，全

球半導(dǎo)體需求旺盛，處于供不應(yīng)求的態(tài)勢，行業(yè)高度景氣。以2020

年7月15日作為基期，截至2021年3月14日，費城半導(dǎo)體指數(shù)

累計漲幅達(dá)43.65%,同期國內(nèi)申萬半導(dǎo)體板塊指數(shù)累計下跌

17.53%,國內(nèi)外半導(dǎo)體指數(shù)分化顯著。

圖11:2020Q3-2021Q1申萬半導(dǎo)體指數(shù)與費城半導(dǎo)體指數(shù)累計漲幅對比

2020-07-152020-08-152020-09-152020-10-152020-11-152020-12-152021-01-152021-02-15

-----費城半導(dǎo)體指數(shù)-半導(dǎo)體(申萬)

資料來源：Wind、國海證券研究所整理湃會@堯錄1陣

2020Q3-2021Q1半導(dǎo)體板塊的震蕩主要源于事件性影響以及估值

的消化：我們判斷分化明顯主要有以下原因：

(1)事件影響：華為禁令等事件性影響對市場的預(yù)期影響已經(jīng)反

映，但是對產(chǎn)業(yè)鏈上市公司業(yè)績的影響并未完全體現(xiàn)，事件性影響對

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展造成了較大的不確定性，基于此，我們先前報告判斷

2021Q1為半導(dǎo)體板塊重要時間點；

(2)板塊估值消化：基期申萬半導(dǎo)體指數(shù)PETTM為161.59倍，

費城半導(dǎo)體指數(shù)PETTM為26.80倍，當(dāng)前申萬半導(dǎo)體指數(shù)PE

TTM為85.87倍，費城半導(dǎo)體指數(shù)PETTM為32.45倍，國內(nèi)半導(dǎo)

體指數(shù)整體估值明顯高于美國費城半導(dǎo)體指數(shù)，估值消化是板塊震蕩

分化的重要原因。

2、半導(dǎo)體第二次跨越：業(yè)績主導(dǎo)，業(yè)績兌現(xiàn)和行業(yè)景氣度是核心影

響要素

2.1、2021Q1至今半導(dǎo)體板塊表現(xiàn)亮眼，業(yè)績持續(xù)兌現(xiàn)能力較高

的細(xì)分龍頭引領(lǐng)此輪行情

國產(chǎn)替代預(yù)期業(yè)績兌現(xiàn)，半導(dǎo)體表現(xiàn)亮眼。相比于電子行業(yè)其他板

塊，半導(dǎo)體板塊業(yè)績持續(xù)高速增長。我們可以看到，2020Q1至

今，半導(dǎo)體營收單季度營業(yè)收入同比增幅持續(xù)提升，從2020Q1的

同比增長20.04%提升至2021Q1的93.06%。同期，半導(dǎo)體板塊單

季度歸母凈利潤同比增速從180.03%升至202.84%,國產(chǎn)替代邏輯

在業(yè)績上持續(xù)快速兌現(xiàn)。

圖13:電子各板塊單季度營收同比增速情況

半導(dǎo)體sw元件n

—sw光學(xué)光電子sw其他電子n

資料來源：Wind、國海證券研究所工3面某苑最

以2019年初為基期，半導(dǎo)體行業(yè)累計PE漲幅于2020年中旬出現(xiàn)

高點，隨后回調(diào)，高估值逐漸消化，累計單季度歸母凈利潤漲幅不斷

上行，國產(chǎn)替代預(yù)期逐步反映?？偨Y(jié)來說，2019-2020H1半導(dǎo)體指

數(shù)上行主要源于估值的提升，而2020Q3-2021Q1指數(shù)震蕩則主要

是華為、中芯等事件性影響及估值的消化的結(jié)果。

2021Q1至今半導(dǎo)體板塊表現(xiàn)亮眼，大幅跑贏滬深300指數(shù)。以

2021年4月1日為基期，截至2020年6月27日，申萬半導(dǎo)體指

數(shù)累計上漲34.88%,滬深300指數(shù)累計上漲2.53%,2021Q2半

導(dǎo)體指數(shù)跑贏滬深300指數(shù)32.35個百分點。

圖16:202IQ2中萬半導(dǎo)體指數(shù)與滬深300系計漲幅對比

本輪行情呈現(xiàn)K型分化走勢，產(chǎn)業(yè)趨勢和競爭格局良好、行業(yè)壁壘較

高的各細(xì)分板塊龍頭表現(xiàn)亮眼。我們先前判斷，2021Q1為半導(dǎo)體產(chǎn)

業(yè)重要的時間節(jié)點，華為、中芯等事件對供應(yīng)鏈預(yù)期和業(yè)績上的影響

全面落地。事實上，半導(dǎo)體板塊從2021Q1開始表現(xiàn)亮眼，迎來反

轉(zhuǎn)行情。我們梳理了2020Q1至今(2021-06-27)申萬半導(dǎo)體漲

幅表現(xiàn)較好的個股(我們選取市值大于100億的個股，同時剔除新

股，以剔除擾動因素)，其中，LED驅(qū)動芯片企業(yè)表現(xiàn)亮眼，富滿

電子、晶豐明源主要產(chǎn)品均為LED驅(qū)動類芯片，2020年下半年開始

的缺芯持續(xù)至今，主要表現(xiàn)為8英寸產(chǎn)能的緊缺，LED芯片、電源

管理類芯片、低端MCU等產(chǎn)品尤為緊缺，該類產(chǎn)品行業(yè)景氣指數(shù)在

半導(dǎo)體板塊中相對較高，因此市場給予較高的預(yù)期；而以士蘭微、斯

達(dá)半導(dǎo)、華潤微、捷捷微電、北京君正等為代表的汽車半導(dǎo)體企業(yè)在

電動車持續(xù)景氣的大背景下，表現(xiàn)亮眼；卓勝微作為國內(nèi)射頻前端器

件領(lǐng)域龍頭企業(yè)，所處賽道市場空間廣闊、行業(yè)壁壘較高、競爭格局

良好，同樣表現(xiàn)優(yōu)異；此外，半導(dǎo)體設(shè)備和材料方面，受益于國內(nèi)晶

圓擴產(chǎn)大潮持續(xù)推動，國內(nèi)半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備龍頭北方華創(chuàng)、半導(dǎo)體材

料平臺型巨頭雅克科技業(yè)績增長具備較高確定性，同樣獲得了較大漲

幅。我們認(rèn)為華為、中芯等事件后，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的必要性

和緊迫性凸顯，中短期而言，本輪行情將會呈現(xiàn)K型分化走勢，產(chǎn)業(yè)

趨勢、競爭格局以及技術(shù)壁壘是核心影響要素；長期而言，半導(dǎo)體行

業(yè)仍然是未來3-5年的科技投資主線。

2.2、下游需求旺盛+行業(yè)高景氣，半導(dǎo)體第二次跨越在路上

2.2.1、汽車半導(dǎo)體：變革大時代，汽車半導(dǎo)體有望站上歷史的進(jìn)程

汽車電子器件種類多樣，汽車芯片應(yīng)用廣泛。汽車電子包括車體電子

控制裝置和車載電子控制裝置，前者需要和汽車機械系統(tǒng)配合，后者

能夠獨立使用。汽車電子控制技術(shù)及系統(tǒng)的綜合性能，直接影響整車

的動力性、舒適性、操縱穩(wěn)定性和經(jīng)濟性等，是現(xiàn)代汽車的靈魂。隨

著汽車電動化與智能化，電動汽車和無人駕駛發(fā)展迅猛，相應(yīng)的輔助

駕駛系統(tǒng)ADAS、電池管理系統(tǒng)BMS等被廣泛應(yīng)用，汽車中配置的

電子零組件占比越來越高，與物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等應(yīng)用相關(guān)的器件，

如模擬芯片、邏輯芯片、存儲芯片、微控制器芯片、分立器件、光學(xué)

半導(dǎo)體、傳感器和執(zhí)行器等，都成為各大半導(dǎo)體廠商（包括IDM和

Fabless）重點布局的領(lǐng)域，據(jù)測算平均每輛車搭載半導(dǎo)體為1600

個。汽車上下游產(chǎn)業(yè)鏈芯片主要分為環(huán)境感知層、決策控制層、網(wǎng)絡(luò)

通信層、人機交互層和電氣電力層五大方面，廣泛應(yīng)用于下游乘用

車、商用車等主機廠和OTA、信息安全、新能源充換電等應(yīng)用服

務(wù)。

電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化是汽車行業(yè)大勢所趨。

電動化：由于電動車機械結(jié)構(gòu)較傳統(tǒng)燃油車更簡單，電機較內(nèi)燃機能

量利用率更高，其動力鋰電池成本、續(xù)航里程和充電配套設(shè)施等問題

正逐步得到優(yōu)化，特別是在碳達(dá)峰、碳中和政策背景下，全球各地陸

續(xù)立法通過了燃油車禁售時間點，隨著特斯拉model3和modelY

等極具產(chǎn)品力車型進(jìn)入主流中端價位市場攻城略地帶來鯨魚效應(yīng)，各

大車企紛紛轉(zhuǎn)型加速布局新能源車。全球新能源車產(chǎn)量從2014年的

54.9萬輛增至2020年的324萬輛，2014-2020年CAGR為

42.62%,滲透率從0.61%增至4.24%;

智能化：智能汽車將通過搭載先進(jìn)傳感器等裝置，運用人工智能等新

技術(shù)，具有自動駕駛功能，逐步成為兼具娛樂、社交、工作屬性的智

能移動空間和應(yīng)用終端，智能化由于其先進(jìn)的體驗感將成為汽車變革

下半頁，目前絕大部分整車廠商均在布局智能化。實現(xiàn)智能化的關(guān)鍵

和終極目標(biāo)是自動駕駛技術(shù)，SAE將自動駕駛水平分為L0級（純由

駕駛員控制）至L5級（完全自動駕駛），級別越高，車輛自動化程

度越高；

網(wǎng)聯(lián)化：網(wǎng)聯(lián)化通過車聯(lián)網(wǎng)（V2X）對智能化（自動駕駛技術(shù)、智慧

座艙）進(jìn)行了補充，車聯(lián)網(wǎng)（V2X）是實現(xiàn)車輛與周圍的車、人、交

通基礎(chǔ)設(shè)施和網(wǎng)絡(luò)等全方位連接和通信的新一代信息通信技術(shù)，IDC

數(shù)據(jù)顯示，2020年全球智能網(wǎng)聯(lián)汽車出貨量約為4440萬輛，2024

年或達(dá)7620萬輛,2020-2024年CAGR為14.5%。

圖18:全球智能網(wǎng)聯(lián)汽車出貨量預(yù)測

^■1全球智能網(wǎng)聯(lián)汽車出貨量（百萬輛）

—同比增速

資料來源：IDC、國海證券研究所蔣魂^

“三化"趨勢持續(xù)推動汽車硅含量提升。汽車在向"三化”發(fā)展的同時,

產(chǎn)業(yè)鏈價值構(gòu)成也正發(fā)生劇變，與內(nèi)燃機相關(guān)的系統(tǒng)和元器件正在縮

減，而三電（電池、電驅(qū)、電控）的引入快速推升汽車硅含量。成本

結(jié)構(gòu)上來看，傳統(tǒng)燃油車中發(fā)動機、傳動系統(tǒng)、車身、汽車電子、底

盤、內(nèi)外飾一般分別占據(jù)總成本的

15%/10%/15%/15%/10%/10%;而常規(guī)電動汽車中，電驅(qū)動力系

統(tǒng)主要由電池、電機和電控組成，一般占50%的價格成本，其中電

池又占比38%,電機占比6.5%,電控占比5.5%,此外，底盤占比

14%,車身占比5%,內(nèi)飾占比15%,電子占比9%,其他占比

7%。以2019年典型的某L1級豪華品牌燃油車為例，根據(jù)羅蘭貝格

測算，汽車電動化推動豪華品牌電池管理、電控系統(tǒng)電子元件單車價

值凈提升2235美元，自動駕駛推動豪華品牌單車電子元件價值量凈

提升925美元，數(shù)字互聯(lián)推動豪華品牌單車電子電氣架構(gòu)相關(guān)元器

件價值凈提升725美元，汽車電子電氣相關(guān)的BOM（物料清單）價

值（不含電池與電機）將從2019年的3145美元提升至2025年的

7030美元，單車增量達(dá)3885美元，增幅為123.53%。

圖19:燃油車與電動車成本結(jié)構(gòu)對比

底盤

汽車電子

資料來源：立訊精密年報、國海證券研究所拈工百聚輾藤

汽車半導(dǎo)體受益“三化”趨勢多點開花，各細(xì)分領(lǐng)域打開增量空間。根

據(jù)IHS數(shù)據(jù)，2020年全球汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模為380億美元，受

益于汽車行業(yè)"三化"趨勢，預(yù)計到2026年將達(dá)到676億美元，

2020-2026年CAGR為10.08%。我國作為汽車制造大國，汽車產(chǎn)

量蟬聯(lián)全球第一，對汽車半導(dǎo)體需求同樣旺盛，2020年中國汽車半

導(dǎo)體市場規(guī)模約為94億美元，預(yù)計到2030年將達(dá)到159億美元，

2020-2030年CAGR為5.40%。具體拆分來看：

功率半導(dǎo)體：全球汽車功率半導(dǎo)體市場規(guī)模2018年為90億美元，

隨著單車功率器件價值以及電動車滲透率繼續(xù)提升，預(yù)計2023年或

達(dá)136億美元，2018-2023年CAGR為8.61%;

計算和控制芯片：芯片算力提升將帶動主控芯片價值量成長，2020

年汽車計算和控制類芯片市場規(guī)模約為108億美元，預(yù)計到2025

年增長至164億美元，2020-2025年CAGR為8.71%;

存儲芯片：增量主要來源于汽車智能化帶來的數(shù)據(jù)存儲需求，2020

年全球汽車存儲芯片的市場規(guī)模約為40億美元，預(yù)計到2025年或

達(dá)83億美元,2020-2025年CAGR為15.72%;

模擬芯片：電動化、網(wǎng)聯(lián)化為電源管理芯片、射頻芯片帶來了增量需

求，2019年汽車模擬芯片市場規(guī)模為98億美元，預(yù)計到2024年

達(dá)至I」150億美元,2019-2024年CAGR為8.89%;

傳感器：我們測算到2025年汽車半導(dǎo)體傳感器市場增量將達(dá)到31

億美元，增量主要來源于車載CIS,毫米波雷達(dá)、激光雷達(dá)等智能汽

車標(biāo)配硬件。

圖21:全球汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模快速增長

■收入（百萬美元）

資料來源：IHSMarkit、、國海證券研究所紈系⑥弼露

低市場份額及高進(jìn)口依賴度，汽車半導(dǎo)體國產(chǎn)替代空間廣闊。全球半

導(dǎo)體市場的競爭格局來看，優(yōu)勢企業(yè)主要集中于美國、歐洲地區(qū)的德

國、法國、荷蘭、瑞士等國家，以及亞太地區(qū)的日本、韓國、中國和

以色列等。恩智浦、瑞薩電子、英飛凌、意法半導(dǎo)體、德州儀器等傳

統(tǒng)汽車芯片巨頭具備豐富的產(chǎn)品布局和領(lǐng)先的技術(shù)實力，2019年占

據(jù)全球汽車芯片50%的市場份額。由于設(shè)計、生產(chǎn)等方面的技術(shù)差距

較大，至今我國未形成具備國際競爭力的汽車芯片供應(yīng)商，在汽車芯

片領(lǐng)域的市場份額較低，整體來看，我國汽車芯片進(jìn)口依賴度超

90%,缺芯背景下海外汽車芯片廠商供應(yīng)短缺增加了國內(nèi)廠商的供應(yīng)

鏈導(dǎo)入機會，汽車半導(dǎo)體國產(chǎn)替代進(jìn)程有望全面提速。我國汽車半導(dǎo)

體產(chǎn)業(yè)鏈上已逐步涌現(xiàn)出以斯達(dá)半導(dǎo)、北京君正、士蘭微、韋爾股

份、聞泰科技等為代表的具備競爭力的企業(yè)。我國汽車半導(dǎo)體優(yōu)秀企

業(yè)有望借行業(yè)景氣周期與國產(chǎn)替代共振迅速崛起，縮短在各領(lǐng)域的主

要差距并不斷提升自主率。

2.2.2、5G時代已來，硅含量持續(xù)提升

全球智能手機出貨量重回正增長。在連續(xù)兩個季度的正增長之后，

IDC近日提高了對全球智能手機市場的出貨量預(yù)測。IDC全球季度手

機追蹤顯示，2021年，智能手機出貨量預(yù)計將達(dá)到13.8億臺，同比

增長7.7%，預(yù)計2022年出貨量或達(dá)14.3億臺，同比增長3.8%O

總體來看，扣除2020年疫情特殊影響，未來智能手機出貨量增長趨

勢將逐步放緩，智能手機市場總體已步入存量競爭階段。

圖23:智能手機出貨量近兩季度持續(xù)同比增長

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■智能手機出貨量（百萬臺）同比環(huán)比

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落第、”堯兜雪庫

資料來源：IDC、國海證券研究所

2021年5G手機將繼續(xù)放量增長。2021年4月，國內(nèi)市場5G手

機出貨量2142萬部，占同期手機出貨量的77.9%,市場占比持續(xù)增

長。IDC預(yù)測，2021年全球5G手機出貨量將增長近130%，預(yù)計

2021年底，除中國以外的大部分國家5G手機銷售量也都將迎來超

過3位數(shù)的增長，中國5G手機市場份額將占據(jù)全球近50%,美國

將緊隨其后，占有16%的份額，而西歐和亞太地區(qū)（中國和日本除

外）將占據(jù)全球5G手機市場23.1%的份額，總體來看，2021年將

是5G手機放量大增的一年。

圖25:國內(nèi)5G手機占比持續(xù)提升

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H^M5G手機出貨量（萬部）占比

資料來源：中國信通院、國海證券研究所

5G手機與4G手機相比，帶來更高的硅價值量。根據(jù)SUMCO測

算，5G手機對存儲和邏輯類芯片需求是原來4G的1.7倍。相比于

4G手機，5G手機DRAM由1-12GB升級為6-13GB,NAND閃

存由8-512GB升級至128-512GB,AP（應(yīng)用處理器）由4-8核

升級為8核,圖像處理芯片由1-7個升級為4-7個。5G手機還需

額外外掛一顆基帶芯片或集成于AP之中。SUMCO測算，5G手機

相較于4G手機，12寸晶圓需求量總體提升約1.7倍。根據(jù)韓國信

息與通訊技術(shù)研究所稱，平均一部4G手機含有的半導(dǎo)體價值量為

126.1美元，一部5G手機含有的半導(dǎo)體價值量為233.9美元，增

長將近85%0

圖28:5G手機12英寸晶圓需求量(sqi/unit)

資料來源：SUMCO、國海證券研究所當(dāng)系包痂黛霹

5G基站建設(shè)正當(dāng)時，半導(dǎo)體器件量價齊升市場空間廣闊。根據(jù)《中

國聯(lián)通5G無線網(wǎng)演進(jìn)策略研究》中對3.5GHz及1.8GHz在密集城

區(qū)和普通城區(qū)覆蓋能力的模擬測算，密集城區(qū)中3.5GHz頻段上行

需要的基站數(shù)量是1.8GHz的1.86倍，普通城區(qū)中3.5GHz頻段上

行需要的基站數(shù)量則是1.8GHz的1.82倍;從連續(xù)覆蓋角度來看，

5G的基站數(shù)量是4G的1.5-2倍?？紤]到5G獨立組網(wǎng)和非獨立組

網(wǎng)的結(jié)合，預(yù)測5G基站總數(shù)將達(dá)到4G基站數(shù)的1.3至1.5倍。據(jù)

工信部數(shù)據(jù)，2020年，中國新建開通5G基站超60萬個，終端連

接數(shù)突破2億，全部已開通5G基站超過71.8萬個，實現(xiàn)全國所有

地級以上城市覆蓋，2021年計劃繼續(xù)建設(shè)5G基站60萬個，向有

條件的縣鎮(zhèn)延伸。受益于5G基站高半導(dǎo)體價值及建設(shè)數(shù)量增長，全

球5G通信基礎(chǔ)設(shè)施市場規(guī)模有望大幅增長，以其中的射頻前端市場

為例，預(yù)計將從2019年的152億美元增長至2025年的254億美

元，2019-2025年CAGR為11%。

2.2.3、VR/AR:規(guī)模放量前夜，市場反饋良好

VR,即虛擬現(xiàn)實，指借肋計算機系統(tǒng)及傳感器技術(shù)生成一個虛擬的

3D環(huán)境，創(chuàng)造出一種嶄新的人機交互狀態(tài)。實現(xiàn)VR技術(shù)主要需要

考慮模擬環(huán)境、感知、傳感交互等方面。感知是指理想的VR應(yīng)該具

有一切人所具有的感知。換言之，除最基本的視覺之外，還有聽覺、

觸覺、力覺、運動等感知，甚至還包括嗅覺和味覺等，也稱為多感

知。傳感交互旨在感知人的頭部轉(zhuǎn)動，眼睛、手勢、或其他人體行為

動作，由計算機進(jìn)行處理，并對用戶的輸入作出實時響應(yīng)、分別反饋

到用戶的五官。上述三維交互過程是達(dá)到VR理想的仿真標(biāo)準(zhǔn)的重要

因素。

AR,即增強現(xiàn)實，指將現(xiàn)實世界的景象與虛擬的物體相結(jié)合，通過

投射裝置，實現(xiàn)現(xiàn)實世界的虛擬疊加。攝像頭和傳感器采集真實場景

的視頻或者圖像，傳入處理單元對其進(jìn)行識別和生成數(shù)據(jù)模型，同時

結(jié)合頭部跟蹤設(shè)備的數(shù)據(jù)來分析虛擬場景和真實場景的相對位置，實

現(xiàn)坐標(biāo)系的對齊并進(jìn)行虛擬場景的建模繪制融合計算。設(shè)備采集外部

控制信號實現(xiàn)交互操作，最終達(dá)到"虛實結(jié)合"效果。

VR/AR產(chǎn)業(yè)鏈上包含芯片、捕捉/反饋設(shè)備、主機、系統(tǒng)/平臺、應(yīng)用

/內(nèi)容幾個層面。芯片領(lǐng)域主要供應(yīng)商為高通、AMD、英偉達(dá)、華

為、德州儀器等；傳感器領(lǐng)域主要有意法半導(dǎo)體；顯示屏主要為三

星、京東方、LG;整機品牌商有Oculus,索尼、HTC;在內(nèi)容方

面，以游戲為例有索尼、游久、愷英網(wǎng)絡(luò)等。

VR/AR作為當(dāng)前科技領(lǐng)域最熱門技術(shù)之一，被眾多科技公司和互聯(lián)

網(wǎng)公司爭相布局。根據(jù)華為《5G時代十大應(yīng)用場景白皮書》，在與

5G高度相關(guān)的下游應(yīng)用中，無線家庭娛樂和云VR/AR領(lǐng)域具備廣

闊的市場潛力，因此，VR/AR市場在5G時代有望大幅受益。VR

設(shè)備在2016年引起廣泛關(guān)注后步入資本寒冬的主要原因為無線傳輸

速率、傳輸時延、設(shè)備重量、電池容量、便攜度等方面的瓶頸，隨著

5G時代到來以及傳感器、芯片、電池集成化程度持續(xù)提升，VR設(shè)備

的痛點被逐個擊破，市場需求有望重振。

AR/VR正處于規(guī)模放量前夜。繼2016年虛擬現(xiàn)實產(chǎn)業(yè)元年、2018

年云VR產(chǎn)業(yè)元年、2019年5G云VR產(chǎn)業(yè)元年過后，2020-2021

年將成為虛擬現(xiàn)實快速發(fā)展的轉(zhuǎn)折點，2022-2025年將步入深度沉

浸的5G進(jìn)階期，目前全球正處于規(guī)模上量和生態(tài)繁榮前夜。比之

2018-2020年相對平緩的終端出貨量，隨著FacebookQuest2、微

軟Hololens2等標(biāo)桿VR/AR終端迭代發(fā)售以及電信運營商虛擬現(xiàn)

實終端的發(fā)展推廣，2021年有望成為AR/VR終端規(guī)模上量、顯著

增長的關(guān)鍵年份。

VR/AR終端產(chǎn)品市場反饋良好。據(jù)IDC數(shù)據(jù)，2020年全球虛擬顯

示終端出貨量約為630萬臺，VR、AR終端出貨量占比分別90%、

10%,預(yù)計2024年終端出貨量超7500萬臺，AR占比升至

55%,2020-2024五年期間虛擬顯示出貨量增速約為86%,其中

VR、AR增長分別為56%、188%,預(yù)計2023年AR終端出貨量

有望超過據(jù)數(shù)據(jù)，旗下年月

VROSuperDataFacebook20209

推出的VR品牌OculusQuest2于2020Q4成為市場爆品，銷量

超過100萬臺，遠(yuǎn)超第二位PlayStationVR的12.5萬臺，Oculus

Quest平臺上已有超35款游戲已經(jīng)達(dá)成了百萬美元的收入。

AR/VR市場規(guī)模有望快速增長。在VR/AR終端出貨量不斷增長的

背景下，信通院數(shù)據(jù)顯示，2020年全球虛擬現(xiàn)實市場規(guī)模約為900

億元人民幣，其中VR市場為620億元，AR市場為280億元。預(yù)計

2020-2024年全球虛擬現(xiàn)實產(chǎn)業(yè)CAGR約為54%,其中VR增速約

45%,AR增速約66%,2024年兩者份額均為2400億元人民幣，

增長迅速。

圖34:AR/VR市場規(guī)模展望

目前A股布局AR/VR的公司較多。全球最大顯示展會SIDDisplay

Week2021上，TCL華星光電推出首款LCDVR顯示屏，其尺寸為

2.02英寸，分辨率為2160*2160,刷新率120Hz,響應(yīng)時間

4ms,PPI高達(dá)1512,是迄今為止PPI最高的VR顯示屏;京東方

已有定位于超高PPIVR/AR顯示產(chǎn)品的8英寸硅基OLED（已建

成）和12英寸硅基OLED（在建）產(chǎn)線；歌爾股份提供VR光學(xué)解

決方案和全面的VR系統(tǒng)解決方案，AR/VR及相關(guān)光學(xué)模組項目共

募集10億元，預(yù)計2022年8月建設(shè)完畢；新型顯示（AR+）是

水晶光電的五大業(yè)務(wù)板塊之一，公司致力于從行業(yè)應(yīng)用、消費類電子

和汽車電子三個方向開展技術(shù)布局和市場開拓。除此之外，還有提供

組裝與代工服務(wù)的立訊精密、供貨鋰電池和進(jìn)行VR代工的欣旺達(dá)以

及布局LCOS顯示芯片的韋爾股份等。

2.3、缺芯成行業(yè)主旋律，國內(nèi)廠商迎來供應(yīng)鏈導(dǎo)入良機

缺芯潮持續(xù)且短期難見緩解，產(chǎn)業(yè)鏈各廠商產(chǎn)品貨期及價格上漲。

2020年下半年至今，受多重因素影響，半導(dǎo)體行業(yè)缺芯情況愈演愈

烈。上游晶圓產(chǎn)能方面，自2020Q3起，包括臺積電、聯(lián)電等就已

將8英寸晶圓代工價格調(diào)漲了10%至20%o力積電2020年代工報

價漲幅約較2019年增30-40%,包括驅(qū)動IC、電源管理IC、存儲

器、MOSFET等全部都吃緊，部分產(chǎn)能安排已排至2023年。終端

產(chǎn)品方面，全球功率半導(dǎo)體龍頭英飛凌旗下MOSFET等產(chǎn)品預(yù)計將

在6月中旬會執(zhí)行12%的漲幅,ST宣布全系列產(chǎn)品于6月1日開

始漲價，安森美的部分產(chǎn)品價格將于今年7月10日起上調(diào)。整體來

看，缺貨漲價已成為2021年半導(dǎo)體行業(yè)的主旋律。

缺芯原因有事件性沖擊影響。華為在美國禁令生效前大量囤貨，

OVM等廠商爭奪華為空出來的市場份額，亦開始大量備貨。IDC數(shù)

據(jù)顯示，華為手機業(yè)務(wù)受美國制裁和芯片斷供影響較為明顯，市占率

在2021Q1已跌出前五，小米和OPPO出貨量分別同比增加64.8%

和64.5%,受益顯著；止匕外，美國二月暴風(fēng)雪導(dǎo)致得克薩斯州奧斯

丁市等美國芯片制造的核心地區(qū)缺電，三星、NXP、英飛凌等廠商的

工廠陸續(xù)停產(chǎn)；東南亞是全球重要的半導(dǎo)體芯片封裝測試中心，中國

小米、華為、韓國三星、美國英特爾、蘋果等都在越南有產(chǎn)業(yè)鏈布

局，五月越南、馬來西亞等國疫情形勢惡化，極可能加劇全球芯片短

缺問題。短期的事件性沖擊和供需失衡致使部分下游客戶因缺芯而發(fā)

生較大規(guī)模的停產(chǎn)。

缺芯亦由新一輪需求擴張與產(chǎn)能建設(shè)之間的錯配導(dǎo)致。首先，是總體

需求擴張與有限產(chǎn)能之間的矛盾。需求端來看，2020年新冠疫情催

生宅經(jīng)濟，線上居家辦公等帶動平板、PC等需求增長，加速了各行

業(yè)萬物互聯(lián)和數(shù)字化進(jìn)程。5G的進(jìn)一步商業(yè)化、IDC數(shù)量增加、電

動汽車銷量回暖和無人駕駛等應(yīng)用興起帶動了更多需求，SIA數(shù)據(jù)顯

示，2020年全球半導(dǎo)體市場銷售額達(dá)到了4390億美元，同比增長

6.5%,WSTS預(yù)測2021年全球半導(dǎo)體銷售額或達(dá)4690億元，同

比增長6.83%。供給端來看，疫情給海外的一些半導(dǎo)體公司供應(yīng)鏈帶

來了比較大的影響和沖擊，各大制造廠商對全年預(yù)期較低，整個行業(yè)

整體備貨不足，而新建晶圓廠成本高昂且從興建到量產(chǎn)至少需要兩

年，新建產(chǎn)能的"遠(yuǎn)水"難救"近火"。止匕外，消費電子等其他領(lǐng)域的產(chǎn)

能擠占，汽車芯片、MCU等領(lǐng)域缺芯較為突出，目前來看，資本開

支較低、折舊壓力相對較小的8英寸晶圓產(chǎn)能尤為緊缺并已進(jìn)一步

傳導(dǎo)至12英寸晶圓，主要半導(dǎo)體廠商的產(chǎn)品貨期和價格都有所增

加。SEMI預(yù)計，2019年至2022年，全球8英寸晶圓產(chǎn)量將增加

70萬片，增加幅度為14%,年均增速約為4.5%;其中，MEMS傳

感器相關(guān)產(chǎn)能約增加25%,功率器件產(chǎn)能約增加23%,年均增速約

為未來幾年將推升全球寸晶圓廠產(chǎn)能至每月接近萬

6%08650

片。

圖35:8英寸晶圓產(chǎn)能展望

200mmCapacityOutlook

45.

20132014201520162017201820192020延卜三商彳言津最

資料來源：SEMI、電子發(fā)燒友、國海證券研究所

行業(yè)缺芯狀態(tài)更加凸顯芯片國產(chǎn)化瓶頸現(xiàn)狀，疫情控制得當(dāng)有望助推

芯片國產(chǎn)化率進(jìn)一步提升。以汽車行業(yè)為例，據(jù)Wind數(shù)據(jù)顯示，目

前國內(nèi)汽車行業(yè)中車用芯片自研率僅占10%,90%的汽車芯片必須

依賴國外進(jìn)口；除汽車外，國產(chǎn)芯片在通訊設(shè)備、消費電子等領(lǐng)域的

市占率也多在10%以下。多領(lǐng)域依賴國外進(jìn)口芯片疊加海外疫情嚴(yán)

重導(dǎo)致生產(chǎn)縮減，芯片國產(chǎn)化率提升迫在眉睫。ICinsight數(shù)據(jù)顯

示，2020年我國芯片產(chǎn)值為227億美元，自給率為15.87%。隨著

國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控必要性和緊迫性凸顯，國家政策、資金大

力支持，國內(nèi)部分廠商已實現(xiàn)技術(shù)突破，未來芯片國產(chǎn)化率進(jìn)一步提

升指日可待。

過去終端客戶芯片采購本土化意愿較低的一個重要原因是對質(zhì)量的嚴(yán)

格要求和對供應(yīng)鏈廠商切換的驗證成本。以車規(guī)級芯片為例，車規(guī)級

芯片較消費級和工業(yè)級別芯片對可靠性、穩(wěn)定性有更高的要求，如工

作溫度高于消費級芯片（0℃-40℃）和工業(yè)級芯片（40℃-

155℃），使用時間也更長（15年，消費級和工業(yè)級芯片分別為1-

3年和5-10年）。車規(guī)級芯片對于存儲解決方案的挑戰(zhàn)性在于，自

動駕駛汽車的每個系統(tǒng)都有獨特要求，任何一款存儲解決方案都無法

適用于整輛汽車，此外，車規(guī)級芯片相比消費芯片和一般工業(yè)芯片開

發(fā)難度更高，工作環(huán)境也更嚴(yán)苛，同時由于涉及到人身安全，要求極

高的安全性和可靠性。

缺貨給了國產(chǎn)廠商難得的"試錯”機會，國產(chǎn)廠商迎來供應(yīng)鏈導(dǎo)入良

機。國內(nèi)汽車半導(dǎo)體在基礎(chǔ)環(huán)節(jié)、標(biāo)準(zhǔn)和驗證體系、車規(guī)產(chǎn)品驗證、

產(chǎn)業(yè)配套等方面能力薄弱，同時在半導(dǎo)體各個產(chǎn)品自主率較低，與我

國與消費電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈相比，由于汽車半導(dǎo)體在可靠性、穩(wěn)定性

等領(lǐng)域要求更高，且我國終端車企品牌市占率遠(yuǎn)不如消費電子領(lǐng)域，

國內(nèi)品牌對產(chǎn)業(yè)鏈扶持力度有限，國內(nèi)企業(yè)在汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的整體

市占率更低，同時也對應(yīng)著可觀的國產(chǎn)替代空間。汽車芯片供應(yīng)鏈恢

復(fù)時間不確定，缺芯致使下游需求方提高了對國產(chǎn)汽車芯片產(chǎn)品的試

錯容忍度并選擇國產(chǎn)廠商產(chǎn)品以解決部分燃眉之急，為汽車芯片企業(yè)

提供了絕佳的導(dǎo)入機會，在得到客戶驗證通過并大規(guī)模放量后，國產(chǎn)

芯片廠商將進(jìn)一步鞏固其行業(yè)地位并實現(xiàn)更高的國產(chǎn)化率和延續(xù)本土

化趨勢。部分廠商正抓住國產(chǎn)替代的機遇窗口，在各自領(lǐng)域取得突

破，實現(xiàn)業(yè)績規(guī)模快速增長。

圖39:部分半導(dǎo)體企業(yè)季度營收變動（單位：億元）

新潔能斯達(dá)半導(dǎo)捷捷微電華潤微

—2020Q2—2020Q3—2020Q42021Q1

資料來源Wind、國海證券研究所

3、半導(dǎo)體引領(lǐng)主線：汽車半導(dǎo)體、核心設(shè)備和材料、射頻與模擬等

細(xì)分方向

3.1、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)眾多，核心芯片國產(chǎn)化率較低

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)眾多，專業(yè)分工程度高，新技術(shù)新應(yīng)用是行業(yè)下游

重要驅(qū)動力。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游包括三大環(huán)節(jié)：IC設(shè)計、晶圓制

造加工以及封裝測試、應(yīng)用。IC設(shè)計是指根據(jù)終端產(chǎn)品的需求，從

系統(tǒng)、模塊、電路等各個層級進(jìn)行選擇并組合，確定器件結(jié)構(gòu)、工藝

方案等，實現(xiàn)相關(guān)的功能和性能要求，并將其委托給晶圓代工廠進(jìn)行

生產(chǎn)加工；晶圓制造廠根據(jù)設(shè)計版圖進(jìn)行掩膜制作形成模板，在晶圓

上批量制造集成電路，通過多次重復(fù)運用摻雜、沉積、光刻等工藝最

終將IC設(shè)計公司設(shè)計好的電路圖移植到晶圓上；完成后的晶圓再送

往下游封測廠進(jìn)行切割、焊線、塑封，以防止物理損壞或化學(xué)腐蝕，

同時使芯片電路與外部器件實現(xiàn)電氣連接，最后移交給下游廠商。

核心芯片國產(chǎn)化率偏低。我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，但目前在終端

應(yīng)用的核心芯片中，國產(chǎn)芯片占比仍較低，由下表可以看出，我國在

計算機系統(tǒng)、通用電子系統(tǒng)的終端核心芯片上國產(chǎn)芯片市占率仍接近

于0,在內(nèi)存設(shè)備和顯示系統(tǒng)中的國產(chǎn)核心芯片市場才剛起步，在通

信裝備方面，國產(chǎn)芯片已實現(xiàn)部分進(jìn)口替代，應(yīng)用處理器和通信處理

器中國產(chǎn)芯片占比分別達(dá)到18%和22%0

3.2、汽車半導(dǎo)體大有可為，功率、存儲、控制類芯片深度受益

3.2.1、功率器件：行業(yè)景氣度持續(xù)提升，MOSFET.IGBT市場廣

闊

功率半導(dǎo)體是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛。

功率半導(dǎo)體通過利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦詫崿F(xiàn)電源開關(guān)和電力轉(zhuǎn)換的

功能，功率半導(dǎo)體主要分為功率器件、功率IC。功率器件可以分為

二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。據(jù)IHS數(shù)據(jù)，2020年全球

功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為422億美元，同比增長4.6%;中國功率半導(dǎo)

體市場規(guī)模為153億美元，同比增長6.3%O其中，工業(yè)、汽車和消

費電子是功率半導(dǎo)體的前三大終端市場。根據(jù)智研咨詢的數(shù)據(jù)，2019

年汽車領(lǐng)域占全球功率半導(dǎo)體市場的35.4%,工業(yè)應(yīng)用市場占比為

26.8%,消費電子占比為13.2%。隨著對節(jié)能減排的需求日益迫

切，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域從傳統(tǒng)的工業(yè)領(lǐng)域和4C領(lǐng)域逐步進(jìn)入新

能源、智能電網(wǎng)、軌道交通、變頻家電等市場。

受益于工業(yè)、電網(wǎng)、新能源汽車和消費電子領(lǐng)域新興應(yīng)用不斷出現(xiàn)，

功率半導(dǎo)體器件市場規(guī)模不斷增長。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2019年全球

功率器件市場規(guī)模為175億美元，預(yù)計2025年或達(dá)225億美元，

復(fù)合增長率為4.28%。

圖42:功率半導(dǎo)體下游應(yīng)用占比

26.80%

資料來源：智研咨詢、國海證券研究所

MOSFET:高頻開關(guān)，功率器件主要的細(xì)分市場。MOSFET在功率

器件中占比最高。根據(jù)智研咨詢和華經(jīng)情報網(wǎng)數(shù)據(jù)，2019年

MOSFET占比35.9%,市場規(guī)模達(dá)62.59億美元；中國是全球最主

要的功率器件消費國，功率器件細(xì)分的主要產(chǎn)品在中國的市場份額均

處于第一位。其中，中國MOSFET市場規(guī)模占比全球為44.3%,中

國MOSFET市場規(guī)模約26.4億美元。目前國內(nèi)以低端MOSFET產(chǎn)

品為主，在中高端MOSFET器件中，90%依賴進(jìn)口，國產(chǎn)替代空間

廣闊。

2022年MOSFET終端應(yīng)用占比預(yù)測：根據(jù)華經(jīng)情報網(wǎng)數(shù)據(jù)，隨著

汽車電子化以及工業(yè)系統(tǒng)智能化程度的不斷加深，預(yù)計到2022年

MOSFET下游應(yīng)用中，汽車占比為22%,計算機及存儲占比為

19%,工業(yè)占比為14%。

圖44:全球MOSFET市場規(guī)模穩(wěn)步增長

■■MOSFET市場規(guī)模（億美元）一同比增長

資料來源：華經(jīng)情報網(wǎng)、國海證券研究所拈晨弱德舜

IGBT是電機驅(qū)動的核心：廣泛應(yīng)用于逆變器、變頻器等，在UPS、

開關(guān)電源、電車、交流電機等領(lǐng)域，逐步替代GTO、GTR等產(chǎn)品。

IGBT下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，由于IGBT具有能源轉(zhuǎn)換和高效節(jié)能等優(yōu)

點，汽車行業(yè)、消費電子行業(yè)、能源行業(yè)、電機行業(yè)等都需要利用

IGBT來提高能源使用效率。隨著新能源、智慧城市建設(shè)等下游領(lǐng)域

的發(fā)展，IGBT市場規(guī)模也在不斷擴大。由于IGBT模塊集成度高，

存在較高的進(jìn)入壁壘，目前全球IGBT市場主要被歐洲和日本企業(yè)壟

斷，IGBT國產(chǎn)化率不足10%,以斯達(dá)半導(dǎo)為代表的國內(nèi)廠商日漸崛

起，國產(chǎn)替代空間廣闊。

IGBT市場空間：IGBT分為IGBT芯片和IGBT模塊，其中IGBT模

塊是由IGBT芯片封裝而來，具有參數(shù)優(yōu)秀、最高電壓高、引線電感

小的特點，是IGBT最常見的應(yīng)用形式，IGBT模塊常用于大電流和

大電壓環(huán)境。據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，受益于新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域的需求

大幅增加，2025年中國IGBT市場規(guī)模將達(dá)到522億人民幣，復(fù)合

增長率達(dá)19.11%.

以英飛凌、安森美等企業(yè)為代表的龍頭廠商均為IDM模式，擁有完

整的晶圓廠、芯片制造廠和封裝廠，對成本和質(zhì)量控制能力很強，以

高端產(chǎn)品為主，實力強勁。中國大陸的廠商IDM和Fabless模式兼

有，產(chǎn)品以晶閘管、二極管等分立器件和低壓MOSFET為主，與歐

美日廠商存在較大差距，以斯達(dá)半導(dǎo)為代表的廠商日漸崛起，逐步趕

超歐美日龍頭廠商；以茂達(dá)、富鼎電子等為代表的的中國臺灣廠商以

Fabless模式為主，主要負(fù)責(zé)芯片制造和封裝。

從競爭格局看，功率半導(dǎo)體行業(yè)集中度較高，歐美廠商占據(jù)第一梯

隊，國產(chǎn)廠商日漸崛起。英飛凌和Omdia數(shù)據(jù)顯示，2019年全球

功率器件/MOSFET/IGBT芯片/IGBT模塊CR10分別為

其中英飛凌是全球最大的功率半

58.30%/78.20%/84.4%/81.1%0

導(dǎo)體廠商，功率器件市場份額為19%,MOS產(chǎn)品市場份額約

25%,IGBT產(chǎn)品市場份額超30%。功率半導(dǎo)體廠商以歐美日為主，

中國廠商起步較晚，技術(shù)積累與歐美日廠商差距較大。目前功率半導(dǎo)

體廠商可以分為三個梯隊，第一梯隊是英飛凌、安森美等歐美廠商為

主,第二梯隊以三菱電機、富士電機等日本廠商為主，第三梯隊以斯

達(dá)半導(dǎo)、捷捷微電、新潔能、聞泰科技（安世半導(dǎo)體）等中國廠商為

主。

圖47:2019年功率器件競爭格局情況

其他,

44.60%

瑞薩,4事華蹄',4.50%

4.20%

資料來源：Omdia、英飛凌、國海證券研究所落話③弟案i舞

3.2.2、控制類芯片：汽車算力需求推升控制類芯片市場空間

當(dāng)前汽車主控芯片主要是MCU(流微控制單元Microcontroller

Unit),負(fù)責(zé)計算和控制。MCU是把中央處理器(CentralProcess

Unit;CPU)的頻率與規(guī)格做適當(dāng)縮減，并將內(nèi)存(memory)、計數(shù)器

(Timer)、USB、A/D轉(zhuǎn)換、UART、PLC、DMA等周邊接口，甚至

LCD驅(qū)動電路都整合在單一主板上，形成能完整處理任務(wù)的微型計

算機。MCU主要作用于最核心的安全與駕駛方面，自動駕駛