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文檔簡介
電子電路第一章習題課2011.3.251.1說明PN結的工作原理P型區(qū)到N型區(qū)的過渡帶兩邊的自由電子和空穴濃度相差很大,在濃度差下形成擴散運動,P區(qū)的空穴(多子)向N區(qū)擴散,N區(qū)的自由電子(多子)向P區(qū)擴散,在過渡區(qū)域產生強烈的復合作用使自由電子和空穴基本消失,在過渡帶中產生一個空間電荷區(qū)(耗盡區(qū)),擴散運動使過渡帶內失去了電中性,產生電位差和電場,分別稱為接觸電位差和內建電場,內建電場由N區(qū)指向P區(qū)阻礙多子的擴散運動,卻促進過渡帶中少子的漂移運動,漂移運動中和過渡區(qū)中的電荷從而削弱內建電場,隨著擴散運動和漂移運動的進行,最后達到一個平衡狀態(tài),即內建電場的強度恰好使擴散運動和漂移運動的速度相等,這種平衡稱為動態(tài)平衡,這時過渡帶中的接觸電位差,內建電場強度,空間電荷區(qū)寬度均處于穩(wěn)定值,這時我們認為PN結已經(jīng)形成,并把P、N的過渡帶稱為PN結,PN結的寬度為空間電荷區(qū)的寬度。1.2設二極管1.4埋層穩(wěn)壓管的性能特點是什么?(教材13頁)1.5設定圖P1.5中D1和D2的正向導通電壓,畫出與vi對應的輸出信號電壓波形。開始仿真并雙擊示波器觀察,可看到如下波形(注意調整示波器的設置)1.6假設圖P1.6中D的正向導通電壓,試畫出兩端的波形;求出中的直流電流分量和上的直流電壓。1.8圖P1.8所示為具有電容濾波的橋式整流電路,試分析并畫出的波形圖。1.8Multisim步驟如圖搭建電路(為簡化電路形式,電源直接用交流電源,電容電阻參數(shù)可以自行修改)運行后可以看到如下波形作為對比可觀察去掉電容后的波形(1.7)iE=iC+iB
iC=αiE+ICBO
iB=iB1+iB2-ICBO
iB1+iB2=(1-α)iE是共基BJT的直流電流增益。1.3.61.3.81.10畫出NPN和PNPBJT工作在放大狀態(tài)的偏置電路;畫出共基和共射BJT的輸入和輸出特性曲線;說明截止區(qū)、飽和區(qū)和放大區(qū)的特點;在伏安特性曲線上能定義哪些直流參數(shù)?哪些交流參數(shù)?說明共射BJT的、和的物理意義。(2)共射NPN型BJT的輸入和輸出特性如圖所示:
共射輸入特性曲線表示集、射極間電壓固定時,基極電流與基、射極間電壓之間的關系
共射輸出特性曲線表示基極電流固定時,集電極電流與集、基極間電壓之間的關系
1.12設某PNP管的
,畫出混合型交流等效電路,求。1.13畫出N溝道JFET的轉移特性曲線和漏極特性曲線;指出電阻區(qū)和夾斷區(qū)以及它們的分界線;寫出轉移特性方程式;定義。1.14畫出N溝道耗盡型與增強型MOSFET的轉移特性曲線和漏極特性曲線;標明電阻區(qū)及夾斷區(qū)以及它們的分界線;定義;寫出它們在可變電阻區(qū)和恒流區(qū)的特性方程式。1.15已知某3DJ6(N-JFET)的漏極特性如圖P1.15所示。試由漏極特性作出三種情況下的轉移特性。1.16已知某P溝道JFET的參數(shù):
×,試求出
時的完整小信號等效電路。1.17設PMOSFET的工藝參數(shù):
×
靜態(tài)工作電流試畫出它的低頻小信號等效電路。若時的等效電路中的受控電流源。1.18試簡述MOSFET的主要特性。1、電壓(電場)控制特性;
2、可變電阻特性;
3、在夾斷區(qū)(放大區(qū))iD與vGS的平方率特性;
4、在亞閥區(qū)的導電特性;
5、背柵控制特性(體效應);
6、轉移特性曲線的零溫度系數(shù)特點;
7、與BJT相似,在放大區(qū)具有溝道調制效應。1.19MOSFET的亞閥區(qū)導電特性有什么特點?與BJT作對比,在MOS管時,它們是否還有放大能力?
在vBS<0下,只有vGS>VGS(th)才可能形成溝道。vBS對導電溝道也有一定的控制能力,這種現(xiàn)象稱為體效應或襯底調制效應。VGS(th)的值改變iD的值,因而vBS對iD有控制作用,B極又稱為背柵。1.20解釋MOSFET的體效應,它對MOSFET的放大作用有何影響?背柵caaebdcf4、溫度下降時,二極管的導通電壓____,反向飽和電流____。增大減小5、硅管的導通電壓比鍺管的____,反向飽和電流比鍺管的____。大小6、BJT具有電流放大作用的內部條件是:發(fā)射區(qū)摻雜濃度____,基區(qū)摻雜濃度____且制作得很____,集電結面積____;外部條件是發(fā)射結____,集電結____。高薄低大正偏反偏7、當溫度升高時,BJT的參數(shù)B____,ICBO____,發(fā)射結正向壓降UBE____,共射輸入特性曲線將____,輸出特性曲線將____,而且輸出特性曲線之間的間隔將____。增大增加減小左移上移加大10、結型場效應管屬電流表達式是8、三極管工作有三個區(qū)域:
在放大區(qū)時,偏置為___________和___________;飽和區(qū)的偏置為___________和___________;
截止區(qū)的偏置為___________和___________。發(fā)射結正偏集電結反偏9、場效應管屬____控制型器件,它通過改變________來控制________。描述這一控制作用的參數(shù)為________,其定義式為。電壓低頻跨導柵源電壓漏極電流發(fā)射結正偏集電結正偏發(fā)射結反偏集電結反偏11、對N溝道JFET工作在恒流區(qū)時____,工作在可變電阻區(qū)時____,工作在預夾斷狀態(tài)時____。abc12、N溝道JFET管的UGS必須為____,P溝道JFET管的
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