蒸鍍車間一周總結(jié)課件

蒸鍍車間學(xué)習(xí)總結(jié)廖娜2012.2.13真空蒸鍍?cè)谡婵帐覂?nèi)材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。蒸發(fā)鍍膜濺射鍍膜離子鍍膜真空鍍膜蒸發(fā)鍍膜

通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面，稱為蒸發(fā)鍍膜。蒸發(fā)鍍膜設(shè)備結(jié)構(gòu)如下圖。

本公司就是用電子束加熱，它的蒸發(fā)源是e型電子槍（也有直射式或環(huán)形，但以電子軌跡磁偏轉(zhuǎn)270°而形成的e型槍應(yīng)用最廣），膜料放入水冷銅坩堝中，電子束自源發(fā)出，用磁場(chǎng)線圈使電子束聚焦和偏轉(zhuǎn)，對(duì)膜料進(jìn)行轟擊和加熱，如下圖。電子束蒸發(fā)后可直接撞擊在薄膜底料上使之蒸發(fā)，但是蒸發(fā)的原子或分子會(huì)污染電子源，因此一般將電子源裝在裝薄膜源料的鎗座底下，利用強(qiáng)力磁場(chǎng)將電子束偏轉(zhuǎn)180°或270°。影響ITO導(dǎo)電性的因素面電阻R□電阻率ρ膜厚d沉積時(shí)間沉積速率載流子濃度n載流子遷移率τ氧含量錫含量結(jié)晶狀態(tài)晶體結(jié)構(gòu)缺陷密度濺射電壓沉積溫度成膜條件R□=ρ/dρ=m*/ne2τ蒸發(fā)源到基片的位置濺射鍍膜

用高能粒子轟擊固體表面時(shí)能使固體表面的粒子獲得能量并逸出表面，沉積在基片上。常用的二極濺射設(shè)備如左圖。氧清洗設(shè)備PECVD氧清洗時(shí)通入的主要?dú)怏w是O2和CF4，O2主要是用來清洗片子上的殘膠，腔體里的等離子體把O2離化，使其易于跟殘膠（主要是有機(jī)物成分）發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成易于排出的氣體（CO，CO2或水汽等），從而把片子上的殘膠清洗干凈，CF4主要是通過轟擊管壁和腔體，使管壁和腔體上附著的污染物去除，這個(gè)過程一般是物理反應(yīng)。簡(jiǎn)單的PECVD示意圖如右氧清洗中需要控制的參數(shù)氧氣流量：流量大，形成的離化分子較多，容易把膠去干凈真空度：真空度大，氧氣離化密度大，對(duì)去膠有利功率：功率大的話等離子體速度較大，使氧的離化分子轟擊基片的力量大，容易把膠去除干凈，但是也可能會(huì)對(duì)片子造成損傷溫度：溫度影響化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)進(jìn)度，所以合適的溫度會(huì)對(duì)去膠有所幫助清洗時(shí)間：時(shí)間長(zhǎng)的話清洗比較干凈（以上均是自己的理解，若有不對(duì)的地方請(qǐng)指出）高溫?zé)崽幚頎t主要作用：（1）500℃或550℃對(duì)鍍過ITO的片子進(jìn)行熱處理，以得到更好結(jié)晶效果的ITO，使ITO電阻率更低，透過率更高。（2）300℃對(duì)鍍過鉻和金的片子進(jìn)