核磁譜化學(xué)位移

關(guān)于核磁譜化學(xué)位移第一頁，共十一頁，編輯于2023年，星期一目錄12345化學(xué)位移的產(chǎn)生化學(xué)位移的表示方法影響化學(xué)位移的因素常見基團(tuán)的化學(xué)位移例題分析第二頁，共十一頁，編輯于2023年，星期一1、化學(xué)位移的產(chǎn)生電子屏蔽效應(yīng)氫核周圍存在不斷運(yùn)動(dòng)著的電子，在外磁場的作用下，運(yùn)動(dòng)著的電子產(chǎn)生一個(gè)會(huì)與外磁場方向相反的感應(yīng)磁場，抵消了部分外磁場的作用，使核受到的外磁場作用減小，起到屏蔽作用。在有機(jī)化合物中，氫核受核外電子的屏蔽作用，使其共振頻率發(fā)生變化，即引起共振吸收峰的位移，這種現(xiàn)象稱為化學(xué)位移。（不同的氫核，所處的化學(xué)環(huán)境不同，化學(xué)位移的值也不相同。）第三頁，共十一頁，編輯于2023年，星期一2、化學(xué)位移的表示方法如定義中所提到的，不同的氫核，所處的化學(xué)環(huán)境不同，出峰位置也不同，其峰的位置不便精確測定，故在試驗(yàn)中采用某一標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)作為基準(zhǔn)，以基準(zhǔn)物質(zhì)（通常以TMS作為基準(zhǔn)物質(zhì)）的譜峰位置作為核磁譜圖的坐標(biāo)原點(diǎn)。計(jì)算方程式抗磁屏蔽：原子核外的電子在外加磁場的感應(yīng)下產(chǎn)生抗磁場，使原子核實(shí)受磁場稍有降低，故此屏蔽稱為抗磁屏蔽。設(shè)以固定的電磁頻率掃描磁場強(qiáng)度的方式作圖，橫坐標(biāo)由左至右表示磁場強(qiáng)度增加的方向。若某一官能團(tuán)的氫核抗磁屏蔽較大，則所需磁場強(qiáng)度更強(qiáng)，故可推斷出此譜線在其他官能團(tuán)譜線的右方（即相對(duì)高場的位置）。即譜線為的場強(qiáng)為右高左低第四頁，共十一頁，編輯于2023年，星期一3、影響化學(xué)位移的因素3.1、誘導(dǎo)效應(yīng)與質(zhì)子相連元素的電負(fù)性越強(qiáng)，吸電子作用越強(qiáng)，質(zhì)子周圍的電子云密度越小，屏蔽作用減弱，信號(hào)峰在低場出現(xiàn)。誘導(dǎo)效應(yīng)是通過成鍵電子沿鍵軸方向傳遞的，取代基距離越遠(yuǎn)，誘導(dǎo)效應(yīng)越弱。多取代基對(duì)化學(xué)位移的影響。第五頁，共十一頁，編輯于2023年，星期一3、影響化學(xué)位移的因素3.2、S-P雜化從SP3（碳碳單鍵)到SP2（碳碳雙鍵）S電子的懲罰從25%增加到33%，鍵電子更靠近碳原子，因而對(duì)相連的氫原子有去屏蔽作用，即共振位移移向低場。3.3、磁各向異性屏蔽區(qū)：感應(yīng)磁場與外磁場方向相反的區(qū)域；去屏蔽區(qū)：感應(yīng)磁場與外磁場方向相同的區(qū)域。如圖，雙鍵的H處于去屏蔽區(qū)，故其處于低場?；瘜W(xué)位移為4.5-5.1第六頁，共十一頁，編輯于2023年，星期一3、影響化學(xué)位移的因素3.3、磁各向異性如圖，三鍵是直線構(gòu)型，H所處感應(yīng)磁場方向與外磁場方向相反，處于屏蔽區(qū)，故其處于高場?；瘜W(xué)位移為2-3.如圖，苯上的六個(gè)π電子產(chǎn)生較強(qiáng)的感應(yīng)磁場，H位于去屏蔽區(qū)，處于低場。化學(xué)位移為6.8-8.第七頁，共十一頁，編輯于2023年，星期一3、影響化學(xué)位移的因素3.4、氫鍵的影響鍵合在雜原子（N、O等）上的質(zhì)子易形成氫鍵。氫鍵質(zhì)子相比于沒有形成氫鍵的質(zhì)子有較小的屏蔽效應(yīng)，共振吸收峰出現(xiàn)在低場。3.5、溫度的影響3.6、溶劑效應(yīng)溫度：大多數(shù)信號(hào)的共振位置受溫度影響很小，但-OH、-NH和-SH在升高溫度時(shí)形成氫鍵的程度降低，化學(xué)位移移向高場。溶劑效應(yīng)：溶劑的磁各向異性和溶質(zhì)與溶劑之間形成氫鍵將對(duì)溶質(zhì)中不同位置的氫核的化學(xué)位移產(chǎn)生影響。第八頁，共十一頁，編輯于2023年，星期一4、常見基團(tuán)的化學(xué)位移第九頁，共十一頁，