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文檔簡介
思考題:1、說明表面光電壓譜測量原理;并列舉兩種表面光伏測量方法2、利用表面光電壓譜方法測量材料的禁帶寬度3、說明染料敏化光電氣敏的檢測原理3/24/20231表面光伏現(xiàn)象:原理、實驗和應用王德軍謝騰峰
吉林大學化學學院
2011年6月3/24/20232一.表面光伏原理
二.表面光伏技術(shù)分類
三.表面光伏測量的應用
半導體材料導電類型的確定
少數(shù)載流子擴散距離的測定
表面態(tài)參數(shù)的測定
納米尺度表面光伏特性研究
表面光伏氣敏特性研究
譜帶認證3/24/20233SurfacePhotovoltagephenomena:Theory,experimentandapplicationL.Kronik,YShapiraSurfaceScienceReports254(1999)1-205
3/24/20235SPV檢測原理1.帶-帶躍遷情況2.亞帶隙躍遷情況3/24/20236SPV檢測原理
1.帶-帶躍遷情況2.亞帶隙躍遷情況3/24/20237圖2.n-型(左圖)和p-型(右圖)半導體材料在光誘導下,表面勢壘高度(Vs)的變化過程。3/24/20239圖3.雙面接觸的n型半導體,一側(cè)保持暗態(tài),另一側(cè)受光照射,兩側(cè)表面勢壘高度(Vs)的變化。h暗態(tài)3/24/202310SPV檢測原理
1.帶-帶躍遷情況2.亞帶隙躍遷情況3/24/202311體相雜子能級相關(guān)的光伏響應3/24/202313
表面光伏檢測方法表面光電壓譜(SPS)瞬態(tài)表面光伏檢測表面光電微納尺度掃描穩(wěn)態(tài)動態(tài)表面光伏技術(shù)分類二.表面光伏技術(shù)分類3/24/202314穩(wěn)態(tài)表面光電壓譜Schematicrepresentationoftheexperimentalset-upforsurfacephotovoltagespectroscopy3/24/202315
表面光伏檢測方法表面光電壓譜(SPS)瞬態(tài)表面光伏檢測表面光電微區(qū)掃描穩(wěn)態(tài)動態(tài)表面光伏技術(shù)分類3/24/202317Kelvin探針表面光伏技術(shù)(動態(tài))3/24/202318能夠給出接觸勢壘高度的改變量(表面功函改變)得到表面光電壓譜3/24/202319
表面光伏檢測方法表面光電壓譜(SPS)瞬態(tài)表面光伏檢測表面光電微區(qū)掃描穩(wěn)態(tài)動態(tài)表面光伏技術(shù)分類3/24/202321瞬態(tài)表面光伏測量3/24/202322瞬態(tài)PV的測試不同導電類型對測試的影響p-typen-typeFrom:J.Appl.Phys.91,9432(2002)3/24/202323Fig.3thetransientphotovoltageoftheheterostructureathigherilluminationintensityof18mJand50mJ.
3/24/202325
表面光伏檢測方法表面光電壓譜(SPS)瞬態(tài)表面光伏檢測表面光電微納尺度掃描穩(wěn)態(tài)動態(tài)表面光伏技術(shù)分類3/24/202326TheSPSandFISPSofazopigmentsAandC(1)利用場效應原理判別導電類型CACA3/24/202329(n-Si/TiO2)/B(n-Si/TiO2)/Be-e-3/24/2023303/24/202331(n-Si/TiO2)/B’(n-Si/TiO2)/B’e-e-光致電荷轉(zhuǎn)移過程3/24/202332(a)(b)thesurfacepotentialimageofn-Si/TiO2/B'underillumination,(a)twodimensionand(b)threedimension(n-Si/TiO2)/(B)eh3/24/202333表面光電微區(qū)掃描近場掃描3/24/202334對于穩(wěn)態(tài)表面光伏的影響因素
1.樣品吸收特性(消光系數(shù)、躍遷屬性等)2.樣品內(nèi)阻3.樣品粒徑4.調(diào)制頻率5.環(huán)境因素6.外場7.電極8.相位3/24/202335
樣品內(nèi)阻對表面光伏的影響3/24/202336
樣品粒徑對表面光伏的影響3/24/202337相位影響3/24/202338在材料科學上的應用
半導體材料導電類型的確定
少數(shù)載流子擴散距離的測定
表面態(tài)參數(shù)的測定
表面光伏氣敏特性研究
譜帶認證半導體材料的禁帶寬度的測定3/24/202339半導體材料導電類型的確定1、光伏響應方向或相位角三種方式來確定3/24/202340TheSPSandFISPSofazopigmentsAandCCA
利用場效應光伏響應XieTengfeng,WangDejun.Phys.Chem.B2000,104,8177-81813/24/202341Eg=1/l
(nm)×1240=1/390×1240=3.18eV半導體材料的禁帶寬度的測定ll3/24/202342表面光伏測量應用實例:1、太陽能電池研究2、光電氣敏特性研究3、光催化研究3/24/202343Zn摻雜TiO2微球的形貌分析0%ZnSEM0.25%ZnSEM0.5%ZnSEM1%ZnSEM0.5%ZnFESEM0.5%Zn450℃FESEMZn/Ti摩爾比為0.5%時,TiO2微球尺寸接近均一。熱處理前后形貌基本一致。Zn摻雜TiO2微球染料敏化太陽電池應用
1、太陽能電池研究的應用3/24/202344Zn摻雜TiO2微球的表面光電壓譜不同Zn/Ti摩爾比的TiO2微球的表面光電壓譜。插圖為表面光電壓譜/場誘導表面光電壓譜的裝置示意圖應該做它的表面光電流?。?/24/202345(a)(b)染料敏化前染料敏化后Zn摻雜TiO2微球的瞬態(tài)光伏激發(fā)波長355nm激發(fā)水平50mJ激發(fā)波長532nm激發(fā)水平50mJ3/24/202346基于Zn摻雜TiO2微球薄膜電極的染料敏化太陽電池的性能測試SampleVoc(V)Jsc(mA/cm2)FF(%)SBET(m2/g)TiO20.632.000.460.5819.320.25%Zn-TiO20.6412.410.423.3230.820.5%Zn-TiO20.7314.580.444.6348.691.0%Zn-TiO20.757.140.492.6052.96不同Zn摻雜量的DSSCs的I-V特性曲線Voc隨Zn含量的增加而增加。Jsc和在Zn/Ti為0.5%時最大。各電池的填充因子較低。尺寸、形貌對電池的影響。YuZhang,DejunWang,TengfengXie,ElectrochimicaActa,inpress,3/24/202347ZnO納米陣列/CdS異質(zhì)結(jié)構(gòu)敏化太陽電池性能研究ZnO/CdS異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外可見漫反射吸收光譜可見吸收隨CdS的增多而紅移,強度逐漸增大3/24/202348ZnO/CdS異質(zhì)結(jié)構(gòu)薄膜的的表面光電壓譜
光伏響應的閾值和強度隨CdS量的不同發(fā)生了有規(guī)律的變化3/24/202349YuZhang,TengfengXie,DejunWangetal.Nanotechnology,2009,20,155707532nm激發(fā)激發(fā)水平50mJ/pulse3/24/202350電池性能隨CdS負載量的增加而提升,填充因子有所下降。量子點敏化太陽電池的I-V特性曲線光電轉(zhuǎn)換效率很低!3/24/202351
納米ZnO的表面光伏特性研究
3/24/202352納米ZnO性質(zhì)研究ZnO的發(fā)光性質(zhì)的研究(熱點研究領域)光生電荷的研究
3/24/202353納米ZnO性質(zhì)研究ZnO的發(fā)光性質(zhì)的研究(熱點研究領域)光生電荷的研究
3/24/202354光生電荷產(chǎn)生分離產(chǎn)生有效的光生電子-空穴復合產(chǎn)生熒光自建場產(chǎn)生的分離Dember效應關(guān)于光生電荷性質(zhì)了解納米ZnO3/24/202355TEMimagesoftheZnOquantumdots(a)andZnOnanorods(b)3/24/202356
SPSresponseofZnOquantumdotsunderdifferenteletricalfields電子-空穴的量子限域特性激子直徑2.5nm3/24/202357(A)(B)Fig5.FISPSresponseofZnOnanorods。(A)Positivefield;(B)Negativefield3/24/202358束縛激子態(tài)FISPS響應的特征:
在能量上一般都發(fā)生在帶邊隨外場強度不對稱變化隨外場峰位不對稱變化限域態(tài)、自由激子態(tài)FISPS響應的特征:
光伏強度隨外場線性增強光伏極性隨外場極性改變對稱變化3/24/202359自建場對表面光伏和熒光的調(diào)控作用原位發(fā)光-光電的關(guān)系光伏3/24/202360Fig5.SPVresponse(a)andPL(b)ofZnOnanoparticlesEm.350nm
原位發(fā)光-光伏的關(guān)系發(fā)光3/24/2023612、表面光電流研究-光電氣敏3/24/202362樣品ITO膜光學玻璃3/24/202363MinYang,DejunWang;SensorsandActuatorsB117(2006)80–853/24/202364
(a)ASchematicviewfthecorrespondingequilibriumbanddiagram(-theaveragegrain-boundarypotentialbarrier).(b)theschematicdiagramofenergybandmodesofdye-sensitizedZnOandtheprocessofphoto-inducechargetransferringfromAzopigmenttoZnOnanoparticles.(a)(b)3/24/202365Response–recoverycurvesofthesensingfilmfabricatedwithcopperdopedZnOnanocrystalstodifferentconcentrationsof(a)ethanol.LiangPeng,De-JunW
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