光學(xué)晶體晶體生長部分整理

第一頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五1晶體學(xué)的發(fā)展史第二頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第三頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第四頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第五頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第六頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第七頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五2晶體的概念及基本性質(zhì)第八頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第九頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五單晶體與多晶體第十頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五非晶體(無定型體)

固體單晶：單一的晶體多面體；雙晶：兩個體積大致相當(dāng)?shù)膯尉w晶按一定規(guī)則生長；晶簇：單晶以不同取向連在一起；多晶：看不到規(guī)則外形的晶態(tài)物質(zhì)。第十一頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五晶體由晶胞堆積而成；晶胞是晶體中體積最小、直角最多的平行六面體；晶胞代表晶體的化學(xué)組成；體現(xiàn)晶體的對稱性。面心立方體心立方簡單立方晶胞第十二頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五平行六面體晶胞的邊長a、b、c，稱為晶軸；三個晶軸之間的夾角分別用、、表示。按照晶軸和角度的關(guān)系，晶體可分為七大晶系：立方、三方、四方、六方、正交、單斜、三斜晶系第十三頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第十四頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第十五頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第十六頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第十七頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第十八頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第十九頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第二十頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五3晶體材料的分類第二十一頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第二十二頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第二十三頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第二十四頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第二十五頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第二十六頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第二十七頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第二十八頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第二十九頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第三十頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第三十一頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第三十二頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第三十三頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第三十四頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第三十五頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第三十六頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五4晶體研究的發(fā)展趨勢第三十七頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第三十八頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五5晶體生長方法晶體品種繁多；生長方法不同；設(shè)備品種多；生長技術(shù)多樣；——生長方法多樣。第三十九頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五5.1溶液生長5.2熔體生長5.3氣相生長第四十頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五5.1溶液生長第四十一頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五1.溶質(zhì)、溶劑和溶液溶質(zhì)溶入溶劑形成單一均質(zhì)溶體，為溶液。通常溶液包括水溶液，有機(jī)等溶劑的溶液和熔鹽（高溫溶液）。5.1.1溶體和溶解度5.1溶液生長2.溶解度曲線

飽和溶液：與溶質(zhì)固相處于平衡的溶液稱為該平衡狀態(tài)下該物質(zhì)的飽和溶液。LS(給定溫度，壓力)

溶解度曲線：一定狀態(tài)下，飽和溶液濃度為該物質(zhì)的溶解度。不同溫度下溶解度的連線為該物質(zhì)的溶解度曲線。第四十二頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五 溶液濃度表示法：體積摩爾濃度（mol）：溶質(zhì)mol數(shù)/1L溶液；重量摩爾濃度（mol）：溶質(zhì)mol數(shù)/1000g溶劑中；摩爾分?jǐn)?shù)（x）：溶質(zhì)摩爾數(shù)/溶液總摩爾數(shù)；重量百分?jǐn)?shù)：100g溶液中含溶質(zhì)g數(shù)。第四十三頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五3.影響溶解度的因素：濃度、溫度其中溫度對溶解度的影響：式中：x溶質(zhì)的摩爾分?jǐn)?shù)，DH固體摩爾溶解熱，T為絕對溫度，R為氣體常數(shù)，上式可化為：（1）大多數(shù)晶體溶解過程是吸熱，DH為正，溫度升高，溶解度增大； 反之，溶解度減小；（2）一定溫度下，低熔點(diǎn)晶體的溶解度高于高熔點(diǎn)晶體的溶解度。第四十四頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五4.相圖

·飽和曲線（溶解度曲線）

·不飽和區(qū)（穩(wěn)定區(qū)）不穩(wěn)和亞穩(wěn)過飽和區(qū)：1897年，Ostwald定義，無晶核存在條件下，能夠自發(fā)析出固相的過飽和溶液稱為不穩(wěn)過飽和溶液；把不能夠自發(fā)析出固相的過飽和溶液稱為亞穩(wěn)過飽和溶液。過飽和區(qū)（不穩(wěn)定區(qū)）：亞穩(wěn)過飽和區(qū)（晶體生長區(qū)）：圖5.1溶解度曲線（相圖）

過溶解度曲線第四十五頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五5.晶體生長區(qū)由圖5.1可見，穩(wěn)定區(qū)晶體不可能生長；不穩(wěn)定區(qū)晶體可以生長，但是，不可能獲得單一晶體；在亞穩(wěn)過飽和區(qū)，通過籽晶生長可以獲得單晶。過飽和度：濃度驅(qū)動力Dc，Dc＝c－c*，其中，c溶液的實(shí)際濃度，c*同一溫度下的平衡飽和濃度；過飽和比：s，s＝c/c*過冷度：DT=T*－T；T*時過飽和溶液冷卻到T時溶液發(fā)生過飽和。談過飽和度，必須標(biāo)明溫度過溶解度曲線第四十六頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五6.溶劑的選擇和水溶液的結(jié)構(gòu)溶劑：水，重水，乙醇，苯，四氯化碳….甚至還有復(fù)合溶劑。選擇溶劑時應(yīng)該考慮的問題：（1）對溶質(zhì)要有足夠大的溶解度（一般10%～60%范圍）；（2）合適的溶劑溫度系數(shù)，最好有正的溶劑溫度系數(shù)；（3）有利于晶體生長；（4）純度和穩(wěn)定性要高；（5）揮發(fā)性小，粘度和毒性小，價格便宜。第四十七頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五7.實(shí)現(xiàn)晶體連續(xù)生長的原理

為了實(shí)現(xiàn)晶體連續(xù)生長，溶液濃度必須維持在晶體生長區(qū)，即亞穩(wěn)過飽和區(qū)。（1）降溫法：依靠溶液過冷以獲得過飽和。適宜于溶解度和溶解溫度系數(shù)大的溶體。（2）恒溫蒸發(fā)法：依靠相對提高濃度以獲得過飽和。溶解溫度系數(shù)較小或負(fù)溫度系數(shù)的溶體，可以選用該方法。第四十八頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五（1）可以在較低溫度下生長高熔點(diǎn)物質(zhì)晶體。通常情況下，晶體熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于溶液法生長晶體的溫度。這樣就克服了高溫下有晶型轉(zhuǎn)變的困難，同樣可以生長高溫下具有很高蒸汽壓的晶體材料；（2）生長的晶體應(yīng)力??；（3）容易長成大塊狀和均勻性晶體；（4）生長過程可視，有利于研究晶體生長動力學(xué)。（1）組分多，影響因素復(fù)雜；（2）生長周期長，數(shù)十天～一年；（3）對溫度控制要求高，溫度波動一般小于0.01~0.001oC；8.溶液法生長晶體的優(yōu)點(diǎn)9.溶液法生長晶體的缺點(diǎn)第四十九頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五降溫法恒溫蒸發(fā)法循環(huán)流動法（溫差法之一）溫差水熱法（溫差法之二）凝膠法5.1.2溶液生長方法第五十頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五1.原理對于較大的正溶解度溫度系數(shù)的溶體，將一定溫度下配制的飽和溶液于封閉體系中。在保持溶劑總量不變的情況下，通過降低溫度，使溶液成為亞穩(wěn)過飽和溶液，以至于析出的晶體不斷結(jié)晶到籽晶上。如圖5.2所示。（1）降溫法第五十一頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五圖5.2水浴育晶裝置1掣晶桿；2晶體；3轉(zhuǎn)動密封裝置；4浸沒式加熱器；5攪拌器；6控制器（接觸溫度計）；7溫度計；8育晶器；9有空隔板；10水槽第五十二頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五2.控制點(diǎn)掌握好溶液降溫速度，使溶液始終處于亞穩(wěn)過飽和區(qū)，保證一定的過飽和度。第五十三頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五1.原理一定溫度和壓力下，靠溶劑不斷蒸發(fā)以維持溶液一定的過飽和度，以析出晶體。適宜于溶解度大但溶解溫度系數(shù)很小的物質(zhì)。如圖5.3所示。（2）恒溫蒸發(fā)法第五十四頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五圖5.3蒸發(fā)法育晶裝置1底部加熱器；2晶體；3冷凝器；4冷卻水；5虹吸管；6量筒；7接觸控制器；8溫度計；9水封

第五十五頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五2.控制點(diǎn)掌握好溶液蒸發(fā)速度，使溶液始終處于亞穩(wěn)過飽和區(qū)，保證一定的過飽和度。3.特點(diǎn)

溫度恒定，因此晶體應(yīng)力??；

蒸發(fā)量不易控制，適宜于生長小晶體。第五十六頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五1.原理通過溫度梯度，形成過飽和溶液，進(jìn)行晶體生長。2.體系生長槽（結(jié)晶槽，T較低）過熱槽（調(diào)節(jié)區(qū)，消除未溶晶體，T高）飽和槽（配制飽和溶液，T較高）飽和槽過熱槽生長槽（3）循環(huán)流動法（溫差法之一）第五十七頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五圖5.4循環(huán)流動育晶裝置1原料；2過濾器；3泵；4晶體；5加熱電阻絲

第五十八頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五2.特點(diǎn)

溫度和過飽和度恒定，因此晶體應(yīng)力?。粶囟日{(diào)節(jié)容易，可以選擇較低的生長溫度，宜于生長大晶體。第五十九頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五2.體系

高壓釜，上部為晶體生長區(qū)，溫度較低；

下部為飽和溶液生成區(qū)，溫度較高。1.原理通過溫度梯度，在一定壓力下，使常壓下溶解度很小的物質(zhì)溶解，形成過飽和溶液，進(jìn)行晶體生長。（4）溫差水熱法（溫差法之二）第六十頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五圖5.5溫差水熱法育晶裝置1高壓釜；2籽晶；3培養(yǎng)體第六十一頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五2.特點(diǎn)（1）可以制備極易形成玻璃體的晶體；（2）蒸氣壓較高的晶體（3）與熔體生長法相比，晶體缺陷更少。

3.不足（1）需要高壓；（2）需要優(yōu)質(zhì)籽晶；（3）過程不可視。第六十二頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五（5）凝膠法1.原理通過反應(yīng)物在凝膠中擴(kuò)散、反應(yīng)，進(jìn)行晶體生長。2.體系凝膠－反應(yīng)物。第六十三頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五圖5.6凝膠法育晶裝置（a）

試管單擴(kuò)散系統(tǒng)（b）為U形管雙擴(kuò)散系統(tǒng)第六十四頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五5.1.3溶液中培養(yǎng)單晶生長條件 的控制和單晶的完整性在晶體具有完整性前提下，提高晶體生長速率和利用率是目標(biāo)：1.籽晶以結(jié)構(gòu)和成分完全相同的完整晶體的一部分作為籽晶最好；以結(jié)構(gòu)和成分與生長晶體相似的晶體也可以作為籽晶，例如，DKDP(KD2PO4)－KDP(KH2PO4)；DCDA(CsD2AsO4)－CDA(CsH2AsO4)；DTGS(氘化硫酸甘氨酸)－TGS(硫酸甘氨酸)，在成分上只存在D和H的區(qū)別，結(jié)構(gòu)上差異不大，可以互為籽晶但是會出現(xiàn)應(yīng)力。第六十五頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五2.晶芽1）對于初次培育一種新的晶體：>室溫5~10oC飽和溶液放入5~10cm培養(yǎng)皿中室溫7~8h，用鑷子取出晶體第六十六頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五2）大晶體上切取籽晶：點(diǎn)狀切型：各向生長速率相當(dāng)，生長登軸晶體。桿狀切型：長度方向生長慢的晶體。片狀切型：一般情況下，籽晶應(yīng)在生長慢的方向上有較大尺寸。第六十七頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五實(shí)例：1“點(diǎn)”狀晶種KNT(酒石酸鉀鈉)，NaNO3和NaCl一類晶體，各個方向生長速率相近，故可采用“點(diǎn)”狀晶種．使用時將小粒晶種嵌入乳膠管一端，讓完整性好的部分露出乳膠管，乳膠管的另一端套到掣晶桿上．“點(diǎn)”狀籽晶生長過程恢復(fù)區(qū)很小，不利的“遺傳”因素較易消除，晶體緊包住乳膠管生長，降低了掣晶桿與晶體間的應(yīng)力．第六十八頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五2“桿”狀籽晶TGS(硫酸三甘氨酸-熱釋電-紅外）晶體Z向生長慢，采用平行于Z軸的“桿”狀籽晶是合適的．由于在X，Y方向上生長較快，長出的晶體趨于各向勻稱，這就提高了晶體產(chǎn)率和利用率。第六十九頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五3切片籽晶實(shí)用上，生長KDP（磷酸二氫鉀）型晶體大都采用Z切片籽晶．這類晶體Z方向比X，Y方向生長快得多．Z切片籽晶在生長初期有一個恢復(fù)自然外形的成錐(俗稱“成帽”)過程。第七十頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五5.1.4溶液處理1溶液處理意義和目的溶液是水溶性晶體生長的母體，其狀態(tài)決定了晶體生長特性和晶體質(zhì)量。高度純凈，減少雜質(zhì)，減少有害物質(zhì)。2溶液處理方法選用試劑級原料，蒸餾水或離子交換水配制溶液；用微米級以下過濾器過濾；調(diào)整pH值和摻質(zhì)；第七十一頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五3KDP晶體溶液處理KDP晶體是高功率激光倍頻材料，對光損傷能力要求很高：對原料進(jìn)行提純，進(jìn)行重結(jié)晶，對重結(jié)晶原料除去頭和尾部對溶液進(jìn)行處理對溶液進(jìn)行滅菌處理第七十二頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五5.1.5介質(zhì)對晶體生長的影響實(shí)際晶體都是在一定的介質(zhì)環(huán)境生長的，因此介質(zhì)必然對晶體(外形和完整性)發(fā)生影響．開展這方面的研究，不僅對于培養(yǎng)優(yōu)質(zhì)單晶，而且對于探討實(shí)際晶體的形成問題都具有重要的意義．介質(zhì)對從溶液中生長晶體的影響主要包括以下幾個因素：雜質(zhì)、溶液中氫離子濃度(pH值)、溫度、過飽和度和介質(zhì)運(yùn)動等．第七十三頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五1雜質(zhì)通常把與結(jié)晶物質(zhì)無關(guān)的少量外來物質(zhì)稱為雜質(zhì)．廣義的雜質(zhì)還應(yīng)該包括溶劑本身，從這個意義上來說，雜質(zhì)是不能消除的(其含量有時甚至是很大的)，因?yàn)樗旧砭褪峭饨橘|(zhì)．A雜質(zhì)可以影響溶解度和溶液的性質(zhì)，例如改變?nèi)芙舛然蛉芤旱恼扯?，使有利于晶體的生長．B雜質(zhì)也會顯著地改變晶體的結(jié)晶習(xí)性(晶癖).C影響晶體質(zhì)量：(i)進(jìn)入晶休；(ii)選擇性吸附在一定的晶面上；(iii)改變晶面對介質(zhì)的表面能．第七十四頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五2氫離子濃度(pH)在水溶液中存在著大量的H＋和OH－，溶液中的氫離子濃度對晶體生長的影響是很顯著的，pH影響也是相當(dāng)復(fù)雜的，—般可以歸納為以下幾種方式：ApH影響溶解度，使溶液中離子平衡發(fā)生變化．BpH改變雜質(zhì)的活性，即改變雜質(zhì)絡(luò)合成水合狀態(tài)，使雜質(zhì)敏化或鈍化．pH的作用也可能改變晶面的吸附能力．CpH直接影響晶體生長，通過改變各晶向的相對生長速度、引起晶體生長習(xí)性的變化。第七十五頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五3溫度生長溫度對晶體的習(xí)性和質(zhì)量都有影響，可以利用生長習(xí)性隨溫度的變化，選擇合適的生長溫度以獲得所需要的晶癖。第七十六頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五4過飽和度和介質(zhì)運(yùn)動

過飽和度是結(jié)晶的驅(qū)動力，由于不同過飽和度會產(chǎn)生不同的生長機(jī)制，過飽和度對晶體生長速度、質(zhì)量和晶體外形影響都很大．

介質(zhì)的運(yùn)動對晶體生長速度和完整性都有顯著的作用，這種作用往往又和過飽和度緊密聯(lián)系在一起。是質(zhì)量傳輸和熱量傳輸?shù)闹饕问健Ｋ绊懢w生長動力學(xué)、雜質(zhì)浮獲、組分均勻性、形態(tài)穩(wěn)定性和成核作用．第七十七頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五5.1.7水溶液晶體常見缺陷1晶面花紋和母液包藏第七十八頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五2外形不完整，楔化，和寄生生長第七十九頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五第八十頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五3開裂4光學(xué)不均勻性第八十一頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五5.2熔體生長提拉法下降法熔鹽法第八十二頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五5.2.1提拉法 把原料放入容器中熔化，將晶種浸入熔體，再將晶種緩慢地提拉出熔體。在生長過程中要滿足這樣的條件： 1、熔體不會分解； 2、晶體、坩堝與保護(hù)氣氛之間不發(fā)生作用； 3、所用的加熱爐和坩堝能達(dá)到熔點(diǎn)以上的溫度； 4、溫度場、提拉速度和轉(zhuǎn)速要能控制?！び锰崂ㄉL晶體時需要控制的工藝因素有：

選好晶種、調(diào)節(jié)好溫度場、選擇合適的轉(zhuǎn)速·需要掌握的工藝條件有：

收頸擴(kuò)肩、提拉速度、固-夜界面形狀和晶體外形等第八十三頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五圖5.7提拉法晶體生長示意圖第八十四頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五提拉法的特點(diǎn)：（1）通過精密控制溫度梯度、提拉速度、旋轉(zhuǎn)速度等，可以獲得優(yōu)質(zhì)大單晶；（2）可以通過工藝措施降低晶體缺陷，提高晶體完整性；（3）通過籽晶制備不同晶體取向的單晶；（4）容易控制。（5）由于使用坩堝，因此，容易污染；（6）對于蒸氣壓高的組分，由于揮發(fā)，不容易控制成分；（7）不適用于對于固態(tài)下有相變的晶體。第八十五頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五5.2.2下降法原理通過坩堝和熔體之間的相對移動，形成一定的溫度場，使晶體生長。2.工藝過程熔化坩堝內(nèi)的原料－加熱器上移，坩堝相對加熱器下移－結(jié)晶形成一定尺寸的晶體。3.晶體生長驅(qū)動力

溫度梯度形成的結(jié)晶前沿過冷是維持晶體生長的驅(qū)動力。第八十六頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五圖5.8下降法晶體生長裝置第八十七頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五4.熱平衡假設(shè)晶體生長時傳熱為一維，晶體生長過程中的傳熱方程可以用熱傳導(dǎo)連續(xù)方程表示：（1）單位時間單位截面積液固轉(zhuǎn)變生成的熱量為：（2）單位時間熔體傳入該晶體的熱量為：第八十八頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五（3）單位時間傳出該晶體的熱量為：平衡狀態(tài)下熱量平衡：或者：其中，DT為固液界面處的溫度梯度，rm為熔點(diǎn)附近熔體密度，Ks、Kf分別為晶體和熔體的熱導(dǎo)率，L為生成單位晶體所放出的結(jié)晶潛熱。第八十九頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五由上式可以看出，提高晶體生長速度的方法必須提高固液界面前沿的溫度梯度。但是，溫度梯度過高，生長速度過高，晶體應(yīng)力必然過大。形成單向傳熱有利于形成高品質(zhì)單晶。理想的軸向溫度分布：（1）結(jié)晶區(qū)域應(yīng)該控制在高低溫交界處；（2）高溫區(qū)和低溫區(qū)內(nèi)部應(yīng)該減小溫差。第九十頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五6.下降法晶體生長的特點(diǎn)（1）坩堝封閉，可生產(chǎn)揮發(fā)性物質(zhì)的晶體。成分易控制；（2）可生長大尺寸單晶；（3）常用于培養(yǎng)籽晶；（4）不宜用于負(fù)膨脹系數(shù)的材料；（5）由于坩堝作用，容易形成應(yīng)力和污染；（6）不易于觀察。第九十一頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五1.原理高溫下從熔融鹽溶劑中生長晶體的方法。稱為助熔劑的高溫溶劑，可以使溶質(zhì)相在遠(yuǎn)低于其熔點(diǎn)的溫度下進(jìn)行生長。該方法適宜于：（1）高熔點(diǎn)材料；（2）低溫下存在相變的材料；（3）組分中存在高蒸氣壓的成分；5.2.6熔鹽法第九十二頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五2.分類（1）自發(fā)成核法助熔劑緩冷法（如旋轉(zhuǎn)坩堝加坩堝底部加冷阱）；蒸發(fā)法和反應(yīng)發(fā)；（2）籽晶法助熔劑提拉法；移動溶劑區(qū)熔法；坩堝傾斜和倒轉(zhuǎn)法。第九十三頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五4.助熔劑需要具備的物理化學(xué)性質(zhì)（1）對晶體材料有足夠的溶解能力，生長溫度范圍內(nèi)溶解度要足夠大；（2）最好選取與晶體材料具有相同離子的助熔劑，避免形成穩(wěn)定化合物；（3）盡可能小的粘度，以便獲得較快的溶質(zhì)擴(kuò)散速度和晶體生長速度；（4）盡可能低的熔點(diǎn)和高的沸點(diǎn)；（5）盡量小的揮發(fā)性；

第九十四頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五5.熔鹽法制備晶體的優(yōu)點(diǎn)適應(yīng)性強(qiáng)，對任何材料都適應(yīng)；

生長溫度低于材料的熔點(diǎn)。6.熔鹽法制備晶體存在的問題如何控制晶核數(shù)和晶核位置；如何提高溶質(zhì)的擴(kuò)散速度和晶體的生長速度；如何提高溶質(zhì)的溶解度和加大晶體的生長尺寸。7.熔鹽法制備晶體的缺點(diǎn)晶體生長速度慢；不易觀察；助熔劑常常有毒；晶體尺寸??；多組分助熔劑相互污染。第九十五頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五5.3.1真空蒸發(fā)鍍膜法5.3氣相生長5.3.2升華法5.3.3化學(xué)氣象沉積第九十六頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五原理：氣相生長晶體是將擬生長的晶體材料通過升華、蒸發(fā)、分解等過程轉(zhuǎn)化為氣相，然后通過適當(dāng)條件下使它成為飽和蒸氣，經(jīng)冷凝結(jié)晶而生長晶體。特點(diǎn)：純度高；完整性好；生長速度慢。應(yīng)用：晶須和薄膜。第九十七頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五同質(zhì)外延：使用的襯底材料與生長的單晶材料相同。異質(zhì)外延：使用的襯底材料與生長的單晶材料不同。外延膜的取向關(guān)系和晶體完整性與襯底的關(guān)系取決于：

晶體結(jié)構(gòu)；原子間距；熱膨脹系數(shù)。第九十八頁，共一百一十一頁，編輯于2023年，星期五1.原理把待鍍膜的襯底置于高真空室內(nèi)，通過加熱使蒸發(fā)材料氣化（或升華），而沉積在保持一定溫度下的襯底上，從而形成一層薄膜，這一工藝稱為真空鍍膜。5.3.1真空蒸發(fā)鍍膜法圖5.24蒸發(fā)系統(tǒng)示意圖第九十九頁，共一百一十一頁，編輯于20