橢偏儀操作規(guī)程樣本

資料內(nèi)容僅供您學習參考，如有不當或者侵權(quán)，請聯(lián)系改正或者刪除。橢偏儀操作規(guī)程一.目的使用橢偏儀測量經(jīng)PECVD鍍膜后的SiN膜的厚度(d)和折射率(n).二.適用范圍適用于CENTECH公司的SE400advanced型號的橢偏儀三.設備主要性能及相關參數(shù)3.1設備型號:SE400advanced3.2設備構(gòu)成:A光學系統(tǒng)部分:由支架、定位顯微鏡、線偏振光發(fā)射器(包括632.8nm激光源)、橢圓偏振光接受和分析器組成。此部分完成整個光學部分的測試。BPC機部分。此部分完成數(shù)據(jù)的分析和輸出。四.運行前的檢查主要檢查設備光學儀器部分是否損壞和電腦是否可正常使用。五.設備操作1.啟動軟件將橢偏儀控制器和PC的電源打開,為了儀器快速可用和延長激光器壽命,推薦將橢偏儀控制器連續(xù)運轉(zhuǎn)。SE400advanced程序一般被安裝在文件夾:C:\programfiles\SE400Adv\ApplicationFrame\SiAFrame.exe.使用資源管理器或者直接雙擊桌面的SE400advanced圖標,啟動軟件。Fig.STYLEREF1\s0SEQFig.\*ARABIC\s11:SE400advanced圖標軟件打開時會自動進入上次退出時的登陸用戶界面。Fig.STYLEREF1\s0SEQFig.\*ARABIC\s12:SE400advanced用戶認證經(jīng)過菜單"Logon",能夠添加、更改或刪除用戶和用戶權(quán)限。2.用戶主窗口Fig.STYLEREF1\s0SEQFig.\*ARABIC\s13:SE400advanced主窗口最后一次使用的模式會被自動加載。經(jīng)過菜單,工具欄或模式列表,能夠選擇另外的模式。在軟件界面的右下角,一個圖標(2)用來顯示橢偏儀控制器的連接狀態(tài),它一般顯示為綠色。如果顯示不為綠色,請檢查橢偏儀和控制器之間的網(wǎng)絡連接是否正常,并檢查屏幕右下角的任務欄的網(wǎng)絡狀態(tài)。3.樣品測試1)在recipe下拉菜單中選擇08Si3N4onsilicon100nm.2)將樣品平放于測試臺,并定位3)經(jīng)過按來開始測量,測量完成后,結(jié)果被顯示在主結(jié)果區(qū)(3)和protocol區(qū)(4)。4.測量選項在"Measurementoptions"頁面中,能夠按照測量的數(shù)值計算方法、數(shù)值極限和結(jié)果報告,對一些設定進行更改。另外,設定入射角度和對多角度測量所使用角度的選擇,也能夠在這里進行。Fig.STYLEREF1\s0SEQFig.\*ARABIC\s14:模式選項(測量)測量任務Psi,Delta橢偏角度的測量。Substratens,ks使用freesurface.模型時,基底的復折射率。Thickness使用單層透明膜模型,并指定指定膜層折射率和基底折射率時,膜層的厚度;開始膜厚由用戶給出或由CER測量給出。Thickness+n使用單層膜模型時,膜層的厚度和折射率。(基底的復折射率作為固定值);開始膜厚由用戶給出或由CER測量給出Thickness+n+absorption多角度測量情況下,膜層的厚度、折射率和吸收系數(shù),使用”Thickness+n”模型,橢偏儀需要用多角度測量。Twolayers多角度測量情況下,雙層膜的厚度。

5.模型選項頁面"Model"包含了所有對測量進行分析的參數(shù)。軟件所使用的默認模型為在吸收基底上的三層吸收膜。模型的參數(shù)能夠被直接輸入在相應的區(qū)域,另一種方法是使用SENTECH材料庫,可經(jīng)過膜層名字右邊的按鈕使用材料庫。Fig.STYLEREF1\s0SEQFig.\*ARABIC\s15::模式選項(模型)Fig.STYLEREF1\s0SEQFig.\*ARABIC\s16::SE400advanced材料庫模型參數(shù)的描述在下表給出:Ns基底折射率Ks基底吸收系數(shù)Na周圍環(huán)境的折射率(空氣:n=1)Ka周圍環(huán)境的吸收系數(shù)(空氣:k=0)Phi入射角(垂直時入射角=0°)La激光波長(nm)Nu上層膜的折射率Ku上層膜的吸收系數(shù)(一般為負)Du上層膜的厚度Nm中間層膜的折射率Km中間層膜的吸收系數(shù)Dm中間層膜的厚度Nl底層膜的折射率Kl底層膜的吸收系數(shù)Dl底層膜的厚度Tab.STYLEREF1\s0SEQTab.\*ARABIC\s11:三層膜模型的參數(shù)總結(jié)6.退出軟件點擊右上角的按鈕,關閉SENTECH軟件界面,就能夠退出SE400advanced程序。六.注意事項1.被測片放于測試臺,測試時注意片子不要移動,以使測試準確。2.測試時若參數(shù)有較大偏差(n約為2.05-2.11,d約為84-92nm),應先考慮PECVD工藝問題,再考慮橢偏儀本身是否測試準確。測試頻次3.測試時其Degreeofpolarization(偏振度)應大于0.996。4.定期檢查光路準確情況:1)首先在70度位置測量SiO2標準片,看是否在誤差范圍內(nèi)。2)70度時在Serviceandconfigaration窗口內(nèi)看其圖形是否對準情況