GB/T 42789-2023硅片表面光澤度的測(cè)試方法

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T42789—2023

硅片表面光澤度的測(cè)試方法

Testmethodforglossofsiliconwafer

2023-08-06發(fā)布2024-03-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T42789—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位浙江金瑞泓科技股份有限公司浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)

:、、

濟(jì)研究院有限責(zé)任公司天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司山東有研半導(dǎo)體材料有限公司上海合晶硅

、、、

材料股份有限公司麥斯克電子材料股份有限公司廣東金灣高景太陽(yáng)能科技有限公司浙江旭盛電子

、、、

有限公司巢湖學(xué)院金瑞泓科技衢州有限公司

、、()。

本文件主要起草人梁興勃李琴?gòu)埡Ｓ⒘炙汕嗯私鹌嚼钏厍鄰堁┼镉砂哿徇呌乐乔f智慧

:、、、、、、、、、、

沈輝輝焦二強(qiáng)韓云霄徐志群付明全詹玉峰王可勝

、、、、、、。

Ⅰ

GB/T42789—2023

硅片表面光澤度的測(cè)試方法

1范圍

本文件描述了采用光反射法以或幾何條件測(cè)試硅片表面光澤度的方法

20°、60°85°。

本文件適用于硅腐蝕片拋光片外延片表面光澤度的測(cè)試不適用于表面有圖形的硅片的測(cè)試

、、,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

色漆和清漆不含金屬顏料的色漆漆膜的和鏡面光澤的測(cè)定

GB/T975420°、60°85°

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

鏡向光澤度計(jì)和光澤度板

JJG696—2015

3術(shù)語(yǔ)和定義

和界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T9754GB/T14264。

31

.

光澤度gloss

對(duì)于規(guī)定的光源和接收角從物體鏡向方向反射的光通量與從折射率為的黑玻璃鏡向方向

,1.567

反射的光通量之比

。

注1為了確定鏡向光澤的標(biāo)度對(duì)于和幾何角度折射率為的拋光黑玻璃規(guī)定其光澤度值

:,20°、60°85°1.567,

為

100。

注2對(duì)雙面硅拋光片背面光澤度的評(píng)價(jià)是以拋光片正面光澤度為基準(zhǔn)計(jì)算的

:。

4方法原理

在規(guī)定入射角和規(guī)定光束的條件下入射光經(jīng)過(guò)透鏡照射到樣品表面得到鏡向反射角方向的光

,,

束此時(shí)反射光強(qiáng)度由樣品材料表面性質(zhì)決定接收器收集樣品反射光與標(biāo)準(zhǔn)表面反射光強(qiáng)度對(duì)比

,,,,